領域7

23日　RA会場　23aRA　9:00～12:00

領域7
ナノチューブ1

1: 金属型・半導体型単層カーボンナノチューブの¹³C-NMR
首都大理工^A，産総研ナノテク^B，CREST-JST^C　松田和之^A，福岡智子^A，鵜戸口浩樹^A，鷺谷智^A，柳和宏^A，C，真庭豊^A，C，片浦弘道^B，C

2: 各種カーボンナノチューブにおける螺旋度を含む構造最適化II：実空間密度汎関数法による研究
東工大理　加藤幸一郎，是常隆，斎藤晋

3: 2層ナノチューブ望遠鏡構造の電気伝導度に関する高次摂動も含めた摂動論
静岡大工　田村了

4: 第一原理計算によるカーボンナノチューブの熱伝導率 V
産総研　伏木誠，石橋章司

5: 単層カーボンナノチューブを用いたリング素子の作製
千葉大院融合，ニューヨーク州立大電子工^A　清野篤郎，木田理夫，富樫祐子，伊藤慶，浅野均，青木伸之，J.P.バード^A，落合勇一

6: SWNTを用いた薄膜FETのSGM評価
千葉大院融合　前田賢治，矢萩達朗，下園俊介，青木伸之，落合勇一

休憩　（10:30～10:45)

7: 取　　消

8: 二層カーボンナノチューブにおける3次非線形感受率の増大
名大院工，名大院理^A　彦坂直輝，小山剛史，岸田英夫，浅田有紀^A，篠原久典^A，中村新男

9: 近赤外領域における単一カーボンナノチューブの共鳴レイリー散乱と発光との比較
千葉大先進^A，千葉大院理^B　毛利真一郎^A，長能卓哉^B，岡田圭介^B，室清文^B

10: 超微小径単層カーボンナノチューブの抽出と光学的評価
名大院理　宮田耕充，鈴木麻理恵，藤原美帆，浅田有紀，北浦良，篠原久典

11: 単層カーボンナノチューブの超音波分散とラマンスペクトルII
産総研ナノシステム　片浦弘道，田賀美樹，渡辺衣世，西出大亮

23日　RB会場　23aRB　10:30～12:30

領域7
π－d系

1: λ-(BETS)₂FeCl₄系における常磁性金属－反強磁性絶縁体転移II
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，日大文理^C　松崎祐介^A，北村竜一^A，秋葉宙^A，B，登健人^A，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，周彪^C，小林昭子^C，小林速男^C

2: λ-(BETS)₂FeCl₄の常磁性金属－反強磁性絶縁体転移の磁場効果
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，理研^C，日大文理^D　秋葉宙^A，登健人^A，松崎祐介^A，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，加藤礼三^C，周彪^D，小林昭子^D，小林速男^D

3: λ-(BETS)₂FeCl₄におけるGa置換系の熱測定II
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，理研^C，日大文理^D　登健人^A，秋葉宙^A，B，松崎祐介^A，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，加藤礼三^C，周彪^D，小林昭子^D，小林速男^D

4: λ-(BETS)₂Fe_1-xGa_xCl₄系の⁷⁷Se NMR研究 II
学習院大理，東邦大理^A，産総研^B，日大文理^C　開康一，北原昌嗣，高橋利宏，秋葉宙^A，西尾豊^A，田中寿^B，周彪^C，小林昭子^C，小林速男^C

5: κ-(BDH-TTP)₂FeX₄（X=Br,Cl）の磁気輸送特性
東工大院理工，兵庫県大院物質理^A，物材機構^B，筑波大院数理物質^C　杉井かおり，高井和之，市川俊^A，山田順一^A，宇治進也^B，C，榎敏明

6: フタロシアニン分子系伝導体TPP[M(Pc)(CN)₂]₂の比熱測定
東邦大理，東大物性研^A，熊本大院自然^B，北大院理^C　村口隆宣，山根由也，西尾豊，梶田晃示，田島裕之^A，松田真生^B，内藤俊雄^C，稲辺保^C

7: TPP[Fe(Pc)(CN)₂]₂における電荷秩序と磁気秩序III
東大物性研，熊本大理^A，岡山大理^B，北大院理^C　森宏文，瀧川仁，松田真生^A，花咲徳亮^B，田島裕之，内藤俊雄^C，稲辺保^C

8: 取　　消

23日　RL会場　23aRL　10:45～12:30

領域7
ゼオライト

1: プルシアンブルー格子のゲスト－ホスト相互作用
筑波大数理，JASRI^A　松田智行，金廷恩^A，守友浩

2: 二核鉄－硫黄クラスターの電子状態と磁性
京大基礎研^A，東理大理^B　遠山貴己^A，福山秀敏^B

3: ゼオライトLSX中のNa-K合金クラスター（高Na含有）のフェリ磁性
阪大理　後藤輝生，ズオン・ティ・ハン，中野岳仁，野末泰夫

4: カリウムを吸蔵したソーダライトの多周波ESR
阪大極限セ，阪大院理^A　告野元，花澤宏文^A，中野岳仁^A，野末泰夫^A，萩原政幸

5: ソーダライト中のK-Rb合金クラスターの反強磁性転移
阪大理　中野岳仁，石田裕子，花澤宏文，野末泰夫

6: カリウムを吸蔵させたゼオライトAの電気伝導度特性
阪大理，ハノイ自然科学大^A，岡大理^B　久保洋輔，Nguyen Hoang Nam^A，高見剛，荒木新吾^B，中野岳仁，野末泰夫

7: アルカリ金属を吸蔵したLSX型ゼオライトにおける23Na-NMRスペクトルのシフト特性
群馬高専，阪大理^A，物材機構^B　五十嵐睦夫，中野岳仁^A，後藤敦^B，端健二郎^B，清水禎^B，水金貴裕^A，ファム・タン・ティ^A，野末泰夫^A

23日　RA会場　23pRA　13:30～16:45

領域7
グラフェン

1: グラフェンナノリボンにおける磁性エッジ状態の観測
東工大理工，高エネ研^A，信州大工^B，IPICYT^C，IMCN^D，Univ. of Madrid^E，MIT^F　木口学，V.L. Joseph Joly，Si-Jia Hao，高井和之，榎敏明，雨宮健太^A，隅井良平^A，村松寛之^B，林卓哉^B，Yoong Ahm Kim^B，遠藤守信^B，J. Campos-Delgado^C，F. Lopez-Urias^C，A. Botello-Mendez^D，H. Terrones^D，M. Terrones^E，M.S. Dresselhaus^F

2: 曲率を有するナノグラフェンの構造と磁性
東工大理，東北大多元研^A　高井和之，鈴木豪，西原洋知^A，京谷隆^A，榎敏明

3: 面垂直方向に曲がったグラフェンナノリボンの第一原理スピン伝導計算
富士通研，北陸先端大^A　大淵真理，實宝秀幸，尾崎泰助^A

4: グラフェンナノリボンの端修飾３倍周期系におけるフラットバンドの出現と消失
千葉大理，千葉大普遍教育^A　富田竜太郎，藤本茂雄^A，夏目雄平

5: 基板上グラフェンナノリボンにおける磁性
金沢大自然^A，金沢大理工^B　澤田啓介^A，石井史之^B，斎藤峯雄^B

休憩　（14:45～15:00)

6: 多層グラフェンFETにおける層間スクリーニング長の磁場依存性II
東大物性研　内田和人，長田俊人，鴻池貴子

7: グラフェンFET特性に対する短チャネル化の効果
東北大WPI^A，東北大院理^B　野内亮^A，齊藤達也^B，谷垣勝己^A，B

8: グラフェンの磁気抵抗に及ぼす温度効果
広大先端　深田誠也，下村翠，八木隆多

9: Experimental conditions to achieve efficient chemical modification of graphene
WPI Advanced Inst. for Materials Res. and Dept. of Phys.，Tohoku Univ.　Xiaoyan Fan，Ryo Nouchi，Katsumi Tanigaki

10: SrO表面上で改質されたグラフェンにおける局在スピン発生の理論
阪大基礎工　草部浩一

11: Liドープした二層グラフェンの高分解能ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B　金谷康平^A，菅原克明^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B

12: 水素終端したSiC上の２層グラフェンの高分解能ARPES
東北大WPI^A，東北大院理^B　菅原克明^A，金谷康平^B，佐藤宇史^B，高橋隆^A，B

23日　RB会場　23pRB　13:30～17:45

領域7，領域6，領域11
金属錯体・新物質

1: 電荷移動錯体の高圧下電解合成
埼大院理工　佐藤一彦，谷口弘己，^○岡部憲明，天川智之

2: 単一分子種伝導体[M(tmdt)₂]のNMRによる物性研究
東大工，日大文理^A　高木里奈，宮川和也，鹿野田一司，周彪^A，小林昭子^A，小林速男^A

3: BEDT-TTF 銀塩の新しい多形
岡大自然　大嶋孝吉，金美淑，岩間智哉

4: ナフタレンジイミド誘導体と擬一次元臭素架橋鉛錯体からなる分子性導体の物性と電子状態
東北大院理，阪大院理^A，名大院工^B，理研^C　井口弘章，高石慎也，久保和也，宮坂等，山下正廣，山本貴^A，田中久暁^B，黒田新一^B，田嶋陽子^C，加藤礼三^C

5: 二元系ハロゲン架橋複核金属錯体の圧力下電気伝導－結晶水脱離効果－
名大院工，東北大院理^A　伊東裕，神戸雄太，田中久暁，黒田新一，井口弘章^A，高石慎也^A，山下正廣^A

6: ハロゲン架橋白金錯体におけるソリトンの光励起後の緩和過程
物材機構，立教大理^A　和田芳樹，松下信之^A，大橋直樹

7: LB法による高規則性ナノ薄膜の作製と構造制御
阪府大ナノ科学・材料セ，JST-CREST^A，京大院理^B　牧浦理恵^A，北川宏^A，B

8: ハロゲン架橋白金錯体ナノチューブに観る多彩な電子相
北大院理　山本昌司

休憩　（15:45～16:00)

超伝導・理論

9: 有機超伝導体の超伝導相破壊と非線形伝導
東邦大理　佐藤光幸，市川宏介，西尾豊，梶田晃示

10: 10K級有機超伝導体(BEDT-TTF)₂Ag(CF₃)₄(TCE)の新奇な構造
東工大院理工，物構研^A，アルゴンヌ国立研^B　川本正，森健彦，中尾朗子^A，村上洋一^A，John A. Schlueter^B

11: 高圧下ESR装置の開発とβ’-(BEDT-TTF)₂ICl₂の電子状態の解明III
首都大理工，産総研^A，埼玉大^B　谷口尚，坂本浩一，溝口憲治，竹下直^A，谷口弘三^B

12: β'-(DODHT)₂PF₆の電荷秩序と超伝導
東大院総合文化，明大理工^A，分子研^B，茨大理化^C　近藤隆祐，鹿児島誠一^A，山本薫^B，薬師久弥^B，西川浩之^C

13: 拡張ハバードモデルにおけるβ型有機超伝導体の一軸性圧縮効果
名大工　本杉友佳里，鈴木丈夫，大成誠一郎，丹羽政文，伊東裕，田仲由喜夫

14: ２次元三角格子系と擬１次元格子系におけるマルチモードパイエルス状態
阪市大工　三好健太，寺井章

15: τ型有機導体の磁性におけるバンドギャップと電子間相互作用の効果
神大工，電通大量子物質工^A　相澤啓仁，黒木和彦^A

23日　RL会場　23pRL　13:30～17:30

領域7
界面デバイス1

1: CT錯体単結晶における励起子電荷分離観測II
産総研光技術，東大新領域^A　堤潤也，山田寿一，松井弘之^A，Simon HAAS，長谷川達生

2: 高移動度有機半導体材料の孤立分子のESR解析
産総研光技術^A，住化分析セ^B，東大新領域^C，広大工^D　高橋永次^A，B，松井弘之^A，C，瀧宮和男^D，長谷川達生^A

3: イオン液体を用いた有機トランジスタの高感度電界誘起ESR
産総研光技術^A，東大新領域^B，住化分析セ^C　松井弘之^A，B，高橋永次^A，C，長谷川達生^A

4: 低閾電圧ボトムコンタクト有機薄膜トランジスタの開発(II)
産総研PRI　山田寿一，所和彦，長谷川達生

5: 有機FET材料におけるESR g値の理論的研究II
産総研ナノシステム，名大院工^A，筑波大院数物^B，JSTさきがけ^C　下位幸弘，田中久暁^A，丸本一弘^B，C，黒田新一^A

6: 電場誘起ESRによるルブレン単結晶トランジスタ界面のトラップ状態解析
筑波大院数物^A，JSTさきがけ^B，阪大産研^C，産総研ナノシステム^D，名大院工^E，早大院理工^F，東大院工^G　丸本一弘^A，B，辻大毅^A，新井徳道^A，竹谷純一^C，B，下位幸弘^D，田中久暁^E，黒田新一^E，竹延大志^F，B，岩佐義宏^G

7: 高移動度低分子材料C₈-BTBTにおけるキャリアの電場誘起ESR観測
名大院工，産総研ナノシステム^A，広大院工^B　小塚真人，渡辺峻一郎，田中久暁，伊東裕，黒田新一，下位幸弘^A，瀧宮和男^B

休憩　（15:15～15:30)

8: 高配向性を有する高分子超薄膜トランジスタの電場誘起ESR
名大院工　渡辺峻一郎，尾藤芳彦，田中久暁，黒田新一，冨川晴貴，戸田章雄，永野修作，関隆広

9: 高移動度導電性高分子PBTTT及びそのフラーレン複合体におけるキャリアのESR観測
名大院工，筑波大院数物^A　田中久暁，石原健二，渡辺峻一郎，伊東裕，黒田新一，丸本一弘^A

10: 導電性高分子F8T2の電場誘起ESRとそのアニール効果
名大院工　東健二郎，渡辺峻一郎，田中久暁，黒田新一

11: 電場誘起ESR法による立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体デバイスの界面分子配向評価
名大院工，筑波大院数物^A，産総研ナノシステム^B　渡辺峻一郎，田中久暁，伊東裕，^○黒田新一，森竜雄，丸本一弘^A，下位幸弘^B

12: 有機電界効果トランジスタにおけるホール効果測定
阪大産研，阪大院理^A　植村隆文，山岸正和^A，添田淳史^A，高槻有一^A，岡田悠悟^A，中澤康浩^A，竹谷純一

13: 両極性発光を用いたトランジスタ特性解析
東北大理，早大先進理工^A，JST-PRESTO^B，東大工^C，JST-CREST^D　澤部宏輔，竹延大志^A，B，蓬田陽平，Satria Zulkarnaen Bisri，岩佐義宏^C，D

14: 有機半導体単結晶の光励起誘導放出作用に及ぼす基板表面修飾の影響
東北大理^A，東北大NiCHe^B，JST-CREST^C，東北大WPI^D　池田進^A，王艶^A，熊代良太郎^A，井上拓門^A，河野俊介^B，横山弘之^B，C，谷垣勝己^A，D

15: Understanding of influence on Au-electrode surface modification by thiol SAMs in organic thin-film transistors
WPI and Dept. of Physics，Tohoku Univ.^A，IMR，Tohoku Univ.^B　Yan Wang^A，Susumu Ikeda^A，Yunye Liang^B，Hiroshi Mizuseki^B，Yoshiyuki Kawazoe^B，Ryotaro Kumashiro^A，Katsumi Tanigaki^A

23日　RP会場　23pRP　13:30～16:50

領域8，領域5，領域7，領域10合同シンポジウム
主題：”やわらかい電荷秩序”の特異な誘電性・伝導性と外場制御

1: はじめに　
東北大理　石原純夫

2: 電荷秩序-超伝導競合系V酸化物の多彩な圧力下相転移
東大物性研　山内徹

3: 分子性ダイマーモット絶縁体に現れる誘電異常
東北大金研　佐々木孝彦

4: 電荷秩序の超高速光・テラヘルツ応答ダイナミクス
東北大理　岩井伸一郎

5: 共鳴非弾性Ｘ線散乱による電荷秩序からの励起
原子力機構　石井賢治

休憩　（15:20～15:35)

6: 有機導体の電荷秩序と電流効果
名大理　寺崎一郎

7: 電荷秩序の理論
東大理　小形正男

8: Mn酸化物における電荷秩序の電気的制御　
東大新領域　谷口耕治

23日　WX会場　23pWX　13:30～16:15

領域9，領域7
表面界面電子物性

1: 分子ナノシステムの物性探索と素子応用
阪大工精密科学・応用物理　赤井恵

2: Pt(111)基板に接合したチオフェン，ビチオフェンの局所電子状態
東大院総合文化，横国大工^A　青木優，牛山翔太^A，十河真生，佐藤博史，首藤健一^A，増田茂

3: フッ化フラーレン単分子膜の金属界面での電子特性
東大新領域，理研^A　大谷徹也，清水智子^A，金有洙^A，川合眞紀

4: 極性溶媒による銅テトラターシャリーブチルフタロシアニンの表面構造制御
ワシントン州立大　高見知秀，Ursula Mazur，K.W. Hipps

5: 水素修飾Rh(111)表面における吸着シクロヘキサンの超構造形成
東大物性研　小板谷貴典，向井孝三，吉本真也，吉信淳

休憩　（15:00～15:15)

6: Scanning Tunneling Microscopy Investigation of tris(phthalocyaninato)yttrium triple-decker molecules deposited on Au(111)
Dep. of Chem.，Grad. Sch. of Sci.，Tohoku Univ.^A，Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials，Tohoku Univ.^B，CREST，JST.^C　Jie Liu^A，B，Hironari Isshiki^A，B，Keiichi Katoh1，Masahiro Yamashita^A，Hitoshi Miyasaka^A，Brian K. Breedlove^A，Shinya TakaishiA and Tadahiro Komeda^B，C*

7: Investigation of Heterojunction Interfaces in Organic Light Emitting Diodes by using Optical Second Harmonic Generation Measurements
School of Materials Sci.，Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech. (JAIST)　Ahmed Bakr El Basaty，Yoshihiro Miyauchi，Goro Mizutani，Toshinori Matsushima，and Hideyuki Murata

8: SrTiO₃：Nb表面の水素吸着による電気伝導変化
東大生研　武安光太郎，杉本敏樹，福谷克之

9: Feポルフィリン分子と金属電極表面との接合界面構造
阪大院工　中西寛，笠井秀明

24日　RA会場　24aRA　9:00～12:45

領域7
ナノチューブ2

1: カーボンナノチューブの垂直偏光吸収におけるファミリー効果
岩大工，東工大院理工^A　瓜生誠司，安藤恒也^A

2: 二層カーボンナノチューブの励起子に対する層間遮蔽の効果
北大工，東工大理^A　冨尾祐，鈴浦秀勝，安藤恒也^A

3: 高強度テラヘルツパルスによるカーボンナノチューブにおける励起子の衝突イオン化生成
東大理　渡邉紳一，島野亮

4: 半導体カーボンナノチューブのE₂₂励起子発光の観測
名大院工，産総研^A　志水聖，小山剛史，斎藤毅^A，中村新男

5: 単層カーボンナノチューブバンドルの超高速励起子エネルギー移動
名大院工　小山剛史，安坂幸師，彦坂直輝，岸田英夫，齋藤弥八，中村新男

6: PFOラップされた単層カーボンナノチューブペーパーにおける励起子エネルギー移動
名大院工，名大院理^A，産総研^B，CREST-JST^C　小山剛史，宮田耕充^A，浅田有紀^A，篠原久典^A，片浦弘道^B，C，中村新男

休憩　（10:30～10:45)

7: 単層カーボンナノチューブへの水分子吸着効果に対する赤外分光評価II
熊大院自然，産総研ナノチューブ応用セ^A　横井裕之，渡邉あゆみ，岡部史典，早水裕平^A，畠賢治^A

8: ホールドープした単層カーボンナノチューブの光学的性質
京大化研　松永隆佑，松田一成，金光義彦

9: 窒素ドープカーボンナノチューブにおける水素吸着の影響：エネルギー論と電子構造
東工大理　藤本義隆，斎藤晋

10: 半導体カーボンナノチューブにおける荷電励起子
阪大理　渡辺耕太，浅野建一

11: カーボンナノチューブの光吸収における不純物効果
筑波大数理　小鍋哲，岡田晋

12: 一本鎖DNA内包単層カーボンナノチューブの原子構造と電子構造
兵庫県立大生命，筑波大数理　神谷克政，岡田晋

13: カーボンナノチューブ内の強誘電的液体状の水
物材機構，JST-CREST　中村美道，大野隆央

14: 金属カーボンナノチューブの交流応答関数のキャリアドーピング効果
東大工^A，筑波大計科セ^B　山本貴博^A，笹岡健二^B，渡邉聡^A

24日　RB会場　24aRB　9:00～12:30

領域7
擬一次元物質

1: レーザー光電子分光法を用いた低次元有機導体の研究
東大物性研^A，東大工^B，阪大院基礎工^C，理研^D　小泉健二^A，石坂香子^B，木須孝幸^C，加藤礼三^D，辛埴^A，D

2: TMTCF系の修正一般化相図の構造的理解
分子研^A，総研大^B　古川貢^A，B，杉浦晃一^B，中村敏和^A，B

3: (TMTTF)₂PF₆の電荷秩序相における放射光X線精密構造解析
名大工，分子研^A　真木祥千子，西堀英治，酒井理宇，青柳忍，澤博，古川貢^A，中村敏和^A

4: (TMTTF)₂PF₆のスピン密度波相における誘電率
北大院理，北大院工^A　宮澤雅臣，松永悟明，野村一成，市村晃一^A，河本充司

5: TMTTF塩におけるスピンフラストレーションと電荷秩序
東大理^A，産総研ナノシステム^B，理研^C　吉見一慶^A，B，石橋章司^B，妹尾仁嗣^C

6: 片側¹³C置換による(TMTSF)₂PF₆の圧力下¹³C-NMR
北大院理　木村佳敬，三沢雅輝，河本充司

7: 圧力下における(TMTSF)₂FSO₃の電子状態：⁷⁷Se-NMRによる解析
学習院大理，Ewha Womans Univ.^A，Sunchon Univ.^B　谷島章雄，薩川秀隆，開康一，高橋利宏，Haeyong Kang^A，Y.J. Jo^A，W. Kang^A，O.H. Chung^B

休憩　（10:45～11:00)

8: 擬1次元有機伝導体(TMTSF)₂ClO₄の磁気抵抗効果
東邦大理^A，東理大理工物^B，北大院理^C　鈴木勝博^A，佐藤光幸^A，菅原滋晴^B，内藤俊雄^C，西尾豊^A，梶田晃示^A

9: Lebed共鳴角におけるホール効果の異常な振る舞い
青学大理工，物材機構^A，兵庫県大^B　小林夏野，薩川秀隆^A，山田順一^B，寺嶋太一^A，宇治進也^A

10: (TMTSF)₂ReO₄の磁場誘起SDW相におけるアニオン秩序化の役割
北大院理，東北大金研^A　駒田智也，宮澤雅臣，松永悟明，野村一成，佐々木孝彦^A

11: 擬1次元電子系電荷秩序・ダイマーモット相のスピンパイエルス・反強磁性転移における鎖間ホッピングの役割
東理大総合研　横山健

12: 二次元パイエルス歪みに対する電子相関効果の変分モンテカルロ法による研究
阪市大工　松本祐樹，津田達章，寺井章

13: 擬１次元1/4充填電子系における分数電荷ソリトンの運動
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B　廣川健一^A，小野嘉之^A，B

24日　RE会場　24aRE　9:00～12:30

領域5，領域7合同
光誘起相転移

1: TTF-CAの光誘起中性-イオン性転移における電荷－分子変形－分子変位結合ダイナミクス
東大院新領域^A，JST，CREST^B　上村紘崇^A，^○岡本博^A，B

2: 二次元的電子構造を持つ有機電荷移動錯体M₂P-TCNQF₄の光誘起絶縁体-金属転移
東大院新領域^A，産総研光技術^B，JST-CREST^C　大倉真明^A，松崎弘幸^A，堀内佐智雄^B，岡本博^A，B，C

3: アルカリ-TCNQの光誘起スピンパイエルス相融解におけるコヒーレント振動と鎖間相互作用
東大院新領域^A，東大工^B，JST，CREST^C　上村紘崇^A，岩澤浩二郎^B，岡本博^A，B，C

4: 一次元モット絶縁体における電荷ダイナミクスと電子格子相互作用
東大院新領域^A，筑波大院数物^B，筑波大院計算科学セ^C，分子研^D，総研大^E，JST，CREST^F　上村紘崇^A，前島展也^B，C，米満賢治^D，E，岡本博^A，F

5: [EDO-TTF)_1-x(MeEDO-TTF)_x]₂PF₆における光誘起相転移：時間分解振動分光
東工大院理工^A，JST-CREST^B，京大低物セ^C，京大iCeMS^D，東工大院総理工^E　松原圭孝^A，深澤直人^A，石川忠彦^A，沖本洋一^A，腰原伸也^A，B，平松孝章^C，D，矢持秀起^C，田中耕一郎^D，恩田健^E

6: Cs[Pd(dmit)₂]₂における光誘起相転移ダイナミクスの研究
東工大院理工^A，東工大院総理工^B，JST-CREST^C，東京理科大^D，理研^E　田中貴裕^A，松原圭孝^A，深澤直人^A，石川忠彦^A，恩田健^B，沖本洋一^A，腰原伸也^A，C，田村雅史^D，加藤礼三^E

休憩　（10:30～10:45)

7: 二次元有機伝導体における光誘起相転移の赤外10fs分光IV
東北大院理^A，JST-CREST^B，東北大金研^C　川上洋平^A，深津猛^A，桜井洋平^A，海野仁美^A，伊藤弘毅^A，B，岩井伸一郎^A，B，米山直樹^B，C，佐々木孝彦^B，C，小林典男^C

8: 二次元有機伝導体における光誘起相転移の赤外10fs分光III
東北大院理^A，JST-CREST^B，東北大金研^C　深津猛^A，川上洋平^A，桜井洋平^A，海野仁美^A，伊藤弘毅^A，B，岩井伸一郎^A，B，米山直樹^B，C，佐々木孝彦^B，C，小林典男^C

9: ダイマー・モット絶縁相の光誘起ダイナミクス：相互作用変調 vs. キャリア導入
分子研^A，総研大^B，JST-CREST^C，東北大金研^D，筑波大院数物^E，筑波大計算科学セ^F　米満賢治^A，B，C，宮下哲^A，D，前島展也^E，F

10: ダイマーモット絶縁体κ-(BEDT-TTF)₂Xにおけるダイマー間ボンド長交替によって誘起される強誘電状態
奈良先端大物質^A，CREST-JST^B　五味広喜^A，B，平木康浩^A，池永昌弘^A，高橋聡^A，B，相原正樹^A

11: BEDT-TTF塩におけるnsパルスレーザーを用いた光電流測定
理研^A，JST-さきがけ^B　田久保直子^A，田嶋尚也^A，川椙義高^A，山本浩史^A，B，加藤礼三^A

12: 中性相TTF-CA 結晶における分子内励起状態からイオン性電荷移動秩序の形成過程
和歌山大シス工，阪大産研^A　伊東千尋，谷村克己^A

13: 分子間振動から観る有機ラジカル結晶TTTAの相転移ダイナミクス
東北大理^A，横国大院工^B，横国大IRC^C　大原潤^A，^B，河野太郎^B，片山郁文^C，武田淳^B

24日　RL会場　24aRL　9:15～12:30

領域7
クラスレート・高圧物性

1: Synthesis, Structure and Properties in Type I and type IIIClathrates
WPI-AIMR，Tohoku Univ.^A，Dept. of Phys.，Tohoku Univ.^B　J. Tang^A，J.T. Xu^A，S. Heguri^B，K. Tanigaki^A，B

2: Possible phonon engineer in Type I clathrates Ba8Ga16-xGa30+x and Sr8Ga16-xGe30+x
Tohoku Univ.　Jingtao Xu，^○Jun Tang，Satoshi Heguri，Yoichi Tanabe，Katsumi Tanigaki

3: 第一原理計算を用いたIII/VI族ベース半導体クラスレートのキャリアー伝導の解析
山口大メディア，山口大院理工^A　赤井光治，河野欣^A，岸本堅剛^A

4: 高温高圧力下における構造I型スズ・クラスレートRb₈Sn₄₄の構造安定性
岐阜大工，ミュンヘン工科大^A　久米徹二，今枝佑太，今井隆彦，佐々木重雄，清水宏晏，A. Kaltzoglow^A，T.F. Fässler^A

5: I型クラスレートBa₈Ga₁₆Sn₃₀の非中心ラットリングとガラス的格子熱伝導率
広大院先端物質^A，聖マ医大物理^B，広大院総合科^C，広大先進セ^D　末國晃一郎^A，高須雄一^B，長谷川巧^C，荻田典男^C，宇田川眞行^C，M.A. Avila^A，高畠敏郎^A，D

休憩　（10:30～10:45)

6: I型クラスレートBa₈Ga₁₆Sn₃₀の光学伝導度スペクトル
分子研UVSOR^A，総研大物理^B，広大院先端物質^C，広大先進セ^D　森龍也^A，飯塚拓也^B，木村真一^A，B，末國晃一郎^C，高畠敏郎^C，D

7: BaSi₂の結晶構造における温度効果
物材機構　今井基晴，佐藤晃

8: 正方晶ボロンの構造
阪大産研，愛媛大^A　白井光雲，出倉春彦^A，柳瀬章

9: 氷Ih相の秩序無秩序相転移
理研基幹研　飯高敏晃

10: 高圧下の水素ハイドレート
南洋理工大^A，中央研究院^B，理研基幹研^C　張静雲^A，郭哲来^B，^○飯高敏晃^C

11: 窒素ハイドレートsII相の高圧ブリュアン散乱
岐阜大工　佐々木重雄，小川拓人，久米徹二，清水宏晏

12: ハロゲンincommensurate相のフォノン計算
阪大ナノデザインセ　下司雅章，向瀬紀一郎

24日　RA会場　24pRA　13:30～18:00

領域7，領域4合同
グラフェン

1: 宙吊りグラフェン素子の伝導測定
広大先端　八木隆多，深田誠也，下村翠

2: 単層/２層グラフェン接合系の磁場中電気伝導その２
東大物性研　佃明，奥永洋夢，長田俊人，内田和人，鴻池貴子

3: ２層グラフェンn-p-n接合系における量子ホール伝導
東大物性研　奥永洋夢，長田俊人，佃明，内田和人，鴻池貴子

4: バリスティック伝導を目指したグラフェン接合の作製と電界効果
筑波大物理^A，物材機構^B，CREST(JST)^C　友利ひかり^A，C，後藤秀徳^A，C，田中翔^A，C，大塚洋一^A，塚越一仁^B，C，神田晶申^A，C

5: 2層グラフェンPN接合における電気伝導
東大工，Exeter大^A　塩谷広樹，山本倫久，徳光晋太郎，Saverio Russo^A，Monica F. Craciun^A，樽茶清悟

6: 不規則２層グラフェンのランダウ準位におけるカイラル対称性の効果
東邦大理，筑波大物理^A，東大理^B　河原林透，初貝安弘^A，青木秀夫^B

7: 量子ホール状態のグラフェン量子ポイントコンタクトにおける量子カオス的輸送
東芝研究開発セ^A，ハーバード大物理^B，ハーバード大院工学応用科学^C　中払周^A，B，J.R.ウィリアムズ^C，C.M.マーカス^B

8: 単層グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴
物材機構，Dankook Univ.^A，Korea Res. Inst. of Chem. Tech.^B，Sungkyunkwan Univ.^C　竹端寛治，今中康貴，三井正，高増正，Y. Kim^A，K.-S. An^B，B.H. Hong^C

休憩　（15:30～15:45)

9: カーボンナノチューブを自然開口した超低欠陥グラフェンナノリボンにおけるバンドギャップの観察
青学大理工，Rice Univ.^A，産総研ナノチューブリサーチセ^B　上川正太，清水台生，春山純志，D.C. Marcano^A，D.V. Kosinkin^A，James M. Tour^A，廣瀬香里^B，末永和知^B

10: グラフェン端近傍の磁場中局所観察
東工大院理工，阪大基礎工^A，産総研^B　酒井謙一，高井和之，福井賢一^A，中西毅^B，榎俊明

11: 微細構造グラフェンの電子輸送特性と端効果
東工大院理工　工藤泰彦，西村康寛，高井和之，榎敏明

12: グラフェンナノリボンのパイエルス転移：ポリアセチレンからグラフェンへのクロスオーバー
都立産業技術高専　鈴木達夫

13: グラフェンリボンにおけるカイラリティ混成ソリトン状態
物材機構，東工大^A　佐々木健一，若林克法，榎敏明^A

14: グラフェンにおけるポテンシャル分布イメージング
理研，東大生研^A，JSTさきがけ^B　河野行雄，増渕覚^A，石橋幸治，町田友樹^A，B

15: ２層ナノグラフェンにおける電子密度分布
産総研ナノシテム部門　針谷喜久雄，今村裕志

16: グラフェンの傾斜したディラックコーン
熊本大教育，兵庫県大物質理^A　岸木敬太，上野開，宮本恵梨子，長谷川泰正^A

17: 異方性のある二次元格子におけるディラック・ポイントの探索
京産大理^A，阪大理^B　堀田知佐^A，浅野建一^B

24日　RB会場　24pRB　13:30～18:00

領域7，領域8合同
三角格子・スピン液体

1: β’-Pd[dmit]₂系の反強磁性相における磁気構造
学習院大理，理研^A　大塚慶，飯窪秀昭，鷹野芳樹，開康一，高橋利宏，加藤礼三^A

2: Pd(dmit)₂塩中のスピン液体における顕著な重水置換効果
理研，阪大院理^A　山下智史，山本貴^A，中澤康浩^A，加藤礼三

3: Et₂Me₂Sb[Pd(dmit)₂]₂の圧力下における電荷整列の熱的性質II
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，理研^C，JST-CREST^D　田中友樹^A，佐々木和彦^A，松崎祐介^A，木村仁祥^A，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，加藤礼三^C，D

4: デュアルπ電子系分子性導体(Me-3,5-DIP)[Ni(dmit)₂]₂の電子スピン共鳴
理研，東北大金研^A　大島勇吾，野尻浩之^A，崔亨波，高坂洋介，山本浩史，加藤礼三

5: 三角格子モット絶縁体κ-(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃のμSR
上智大理工，理研仁科セ^A，ICU^B，東北大金研^C，ISIS^D　中島紗織，後藤貴行，鈴木栄男^A，B，渡邊功雄^A，石井康之^A，小林典男^C，佐々木孝彦^C，F.L. Pratt^D

6: κ-(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃のテラヘルツ分光；高速電荷揺らぎによるフォノン異常II
東北大院理^A，JST-CREST^B，情通機構^C，東北大金研^D　伊藤桂介^A，中屋秀貴^A，川上洋平^A，伊藤弘毅^A，B，岩井伸一郎^A，B，斎藤伸吾^C，米山直樹^B，D，佐々木孝彦^B，D，小林典男^D

7: κ-(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃のラマン散乱スペクトルの温度依存性
名大院工^A，JST CREST^B，東北大金研^C　中村優斗^A，岸田英夫^A，B，中村新男^A，B，佐々木孝彦^B，C，米山直樹^B，C，小林典男^C

8: κ-(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃の静水圧下電気抵抗測定による相図の決定
東大工　古川哲也，羽柴寛，宮川和也，鹿野田一司

9: 層間スクリーニング効果を含めたκ-(BEDT-TTF)2Xの第一原理有効模型の数値解析
産総研^A，東大工^B，JST-CREST^C　品岡寛^A，C，三澤貴宏^B，中村和磨^B，C，今田正俊^B，C

休憩　（15:45～16:00)

モット転移

10: NMRで見たκ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Clのモット臨界性
東大工　賀川史敬，宮川和也，鹿野田一司

11: Mott-Anderson転移近傍における電気伝導の理論的研究：κ型ET塩FETに対する実験結果との比較
産総研^A，東大^B　品岡寛^A，今田正俊^B

12: κ-(MDT-TTF)₂AuI₂の圧力効果と引張り効果
埼大院理工　月山佳子，谷口亜梨早，谷口弘三，佐藤一彦

13: ミュオンスピン回転・緩和法によるD8-κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Brの磁性研究
埼大院理工，理研　伊藤美穂，谷口弘三，佐藤一彦，石井康之，渡邊功雄

14: 部分重水素置換κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Brの超伝導ギャップ：STM分光
北大理院　阿部良太，岡雄基，松永悟明，野村一成，市村晃一，河本充司

15: κ-(BEDT-TTF)₂Cu(NCS)₂における超伝導の異方性
物材機構^A，兵庫県大物質理^B，筑波大数理物質^C　土屋聡^A，山田順一^B，寺嶋太一^A，原田淳之^A，栗田伸之^A，小玉恒太^A，宇治進也^A，C

16: 変分法による低次元Hubbard ModelにおけるMott転移の機構
東北大理　宮川智章，横山寿敏

17: ダブロン-ホロン相関によるモット転移機構の再考
東北大理，東大理^A　横山寿敏，宮川智章，小形正男^A

24日　RL会場　24pRL　13:30～17:15

領域7
界面デバイス2

1: 電場によって誘起される超伝導状態とその場磁化測定
東大院工^A，JST-CREST^B　笠原裕一^A，叶劍挺^A，袁洪涛^A，下谷秀和^A，岩佐義宏^A，B

2: Tuning Band Alignment of Liquid/Solid Interfaces in Electric-Double-Layer Transistors
QPEC，The Univ. of Tokyo ^A，ISSP，The Univ. of Tokyo^B，Tokyo Univ. of Sci.^C　H.T. Yuan^A，Y. Ishida^B，K. Koizumi^B，H. Shimotani^A，K. Kanai^C，S.Shin^B， and Y. Iwasa^A

3: イオン液体を用いた高性能n型有機FET
電中研，ジュネーブ大^A，ノースウエスタン大^B　小野新平，Nikolas Minder^A，Alberto Morpurgo^A，Antonio Facchetti^B

4: ルブレン単結晶／イオン液体の嫌気雰囲気下での高移動度トランジスタ特性
阪大産研，電中研^A　三輪一元，植村隆文，小野新平^A，^○竹谷純一

5: ゲート電極によるEDLキャパシタ・有機FETの特性制御
岡山大院自然^A，岡山大理^B　加地由美子^A，小川景子^B，赤池幸紀^A，江口律子^A，神戸高志^A，久保園芳博^A

6: EDLキャパシタ有機芳香族薄膜・単結晶FETの温度依存性
岡山大理，岡山大院自然^A，JASRI-SPring-8^B　小川景子，加地由美子^A，江口律子^A，藤原明比古^B，久保園芳博^A

7: 二次元拡張系芳香族分子に対するEDLキャパシタによる電界効果ドーピングと化学ドーピング
岡山大理，岡山大院自然^A　中田秀平，加地由美子^A，久保園芳博^A，赤池幸紀^A，江口律子^A

休憩　（15:15～15:30)

8: 遷移金属カルコゲナイドWSe₂のFET動作
阪大基礎工^A，JST PRESTO^B　吉田茂^A，中村浩之^A，B，木村剛^A

9: 一次元・二次元有機芳香族拡張系FETの特性
倉元製作所，岡山大院自然^A　菅原保幸，岩渕修，佐藤政博，加地由美子^A，久保園芳博^A

10: 塗布結晶化法による有機半導体単結晶とその高移動度トランジスタ特性
阪大院理^A，高エネ研^B，広大院工^C，産研^D　添田淳史^A，山岸正和^A，植村隆文^A，D，広瀬友里^A，宇野真由美^A，中澤康浩^A，中尾朗子^B，瀧宮和男^C，竹谷純一^A，D

11: 分子超格子デバイスの作製と電子・光物性
筑波大数理物質^A，物材機構^B　廣芝伸哉^A，B，早川竜馬^B，知京豊裕^B，若山裕^B，森本健太^A，松石清人^A

12: シアノ錯体薄膜のエピタキシャル成長と機能性
筑波大数理　栗原佑太朗，守友浩

13: 接合型シアノ錯体素子の温度依存性
筑波大数理　柴田恭幸，守友浩

14: Co-Feシアノ錯体薄膜の深さ分解XAFS分光
筑波大数理，SPring-8/JASRI^A　大村彩子，栗原佑太朗，松田智行，宇留賀朋哉^A，守友浩

24日　TA会場　24pTA　13:30～16:45

領域8，領域7，領域10合同シンポジウム
主題：ラットリングと超伝導・重い電子

1: はじめに
広大院先端物質　高畠敏郎

2: ラットリングと電子系の相互作用
東大物性研　上田和夫

3: I型クラスレートにおける非中心ラットリング運動
広大院総科　宇田川眞行

4: 放射光構造解析による格子構造とラットリング
名大院工　澤博

休憩　（14:50～15:05)

5: クラスレートにおけるラットリングと電子格子相互作用：伝導と超伝導
東北大WPI機構・院理　谷垣勝己

6: βパイロクロア酸化物におけるラットリングと超伝導
東大物性研　廣井善二

7: Smスクッテルダイトにおける磁場に鈍感な重い電子状態
首都大理工　青木勇二

8: 近藤効果の新展開：電子とラットリングの新たな出会い
首都大理工　堀田貴嗣

25日　RA会場　25aRA　9:00～12:45

領域7
フラーレン

1: C60ナノウィスカーの形状に及ぼす水の影響
物材機構　宮澤薫一，堀田賀洋子

2: C60ナノウィスカーの成長機構
物材機構　赤坂夢，堀田賀洋子，宮澤薫一

3: 液－液界面析出法を用いたニッケル内包カーボンナノカプセルの合成
筑波大院数理，物材機構^A　赤川朗，宮澤薫一^A，木塚徳志

4: 液－液界面析出法を用いたコバルト内包カーボンナノカプセルの合成
筑波大院数理，物材機構^A　松浦大輔，宮澤薫一^A，木塚徳志

5: リチウム内包C₆₀フラーレンの構造と相転移
名大工，名大理^A，イデアルスター^B，東北大理^C　青柳忍，西堀英治，北浦良^A，岡田洋史^B，酒井健^B，小野吉弘^B，笠間泰彦^B，飛田博実^C，篠原久典^A，澤博

6: 取　　消

休憩　（10:30～10:45)

7: C₆₀フラーレンナノウィスカーとマクロファージ様細胞の相互作用の研究
物材機構　ぬで島真一，宮澤薫一，谷口彰良

8: C₇₀ナノウィスカーのヤング率の直径依存性
筑波大院数理，物材機構^A　徳峰隆行，宮澤薫一^A，木塚徳志

9: フラーレンナノウィスカーのラマン分光測定
物材機構　加藤良栄，宮澤薫一

10: UV重合C₆₀ナノウィスカーのESRによるFET耐大気性評価
千葉大院融合　土井達也，小山恭平，青木伸之，落合勇一

11: 2次元フラーレン伝導体の物性
京大院理，京大低物セ^A，ロシア科学アカデミー^B，名城大総研^C　前里光彦，大塚晃弘^A，Dmitry V. Konarev^B，Salavat S. Khasanov^B，Rimma N. Lyubovskaya^B，矢持秀起^A，北川宏，齋藤軍治^C

12: メチルアミン合成を用いたRb₃C₆₀の圧力下物性
岡大院自然　鈴木雄太，山成悠介，高橋庸祐，久保園芳博，神戸高志

13: ピーナッツ型C₆₀ポリマーにおけるCDW発現可能性とPeierlsギャップ評価
北大院工^A，Univ. Politecnica de Catalunya^B　小野頌太^A，島弘幸^A，B

14: C₆₀^－における光電子スペクトルと振電相互作用
京大工^A，京大福井セ^B，ルーヴァンカトリック大^C　岩原直也^A，佐藤徹^A，B，田中一義^A，L.F.Chibotaru^C

25日　RB会場　25aRB　9:00～12:30

領域7
ディラック電子

1: α-,θ-(BEDT-TTF)₂I₃におけるDirac電子
理研，東邦大理^A，東理大理工^B　田嶋尚也，佐藤光幸^A，菅原滋晴^B，田村雅史^B，加藤礼三，西尾豊^A，梶田晃示^A

2: α-(BEDT-TTF)₂I₃の高圧下¹³C-NMR測定
東大院工，東理大理工^A　石川恭平，平田倫啓，宮川和也，鹿野田一司，田村雅史^A

3: 高圧下αET₂I₃Dirac電子系における極低温下¹³C-NMR測定
東大工，東理大理工^A　平田倫啓，石川恭平，宮川和也，田村雅史^A，鹿野田一司

4: 圧力下、低温でのα-(BEDT-TTF)₂I₃の¹³C-NMR
学習院大理，理研^A　高田裕介，鷹野芳樹，開康一，山本浩史^A，高橋利宏

5: 層状ゼロギャップ伝導体α-(BEDT-TTF)₂I₃の正の層間縦磁気抵抗
東理大理工物，東邦大理物^A，理研^B　菅原滋晴，佐藤光幸^A，田嶋尚也^B，田村雅史，西尾豊^A，梶田晃示^A

6: 分子性導体α-(BEDT-TSeF)₂I₃の抵抗率テンソルの非対角成分測定
東邦大理^A，東邦大複合物セ^B，東理大理工物^C，理研^D，阪市大院理^E　遠藤里実^A，佐藤光幸^A，B，三浦克哉^A，菅原滋晴^C，田嶋尚也^D，村田惠三^E，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B

7: 格子欠陥を導入した有機ゼロギャップ伝導体α-(BEDT-TTF)₂I₃の磁場中電気伝導特性
東邦大理^A，東理大理工物^B，理研^C　三浦克哉^A，佐藤光幸^A，遠藤里実^A，菅原滋晴^B，田村雅史^B，田嶋尚也^C，西尾豊^A，梶田晃示^A

休憩　（10:45～11:00)

8: 多層Dirac電子系の磁場中電気伝導と普遍コンダクタンス
東大物性研　長田俊人

9: 有機ディラック電子系における電子間相互作用効果と磁気抵抗
京大基研　森成隆夫，遠山貴巳

10: α-(BEDT-TTF)₂I₃の傾斜ディラックコーンに起因するプラズモンのフィルタリング現象
名大理^A，名大高等院^B　西根達郎^A，小林晃人^A，B，鈴村順三^A

11: α-(BEDT-TTF)₂I₃の電荷秩序相におけるディラック電子対のMerging
名大高等院，名大理^A，Univ. Paris-Sud^B　小林晃人，鈴村順三^A，J.-N. Fuchs^B，G. Montambaux^B，F. Piechon^B

12: α-(BEDT-TTF)₂I₃のセロギャップ状態近傍のディラック電子のベリー曲率
名大理，名大高等院^A，Univ. Paris-Sud^B　鈴村順三，小林晃人^A，J.-N. Fuchs^B，G. Montambaux^B，F. Piechon^B

13: α-(BEDT-TTF)₂I₃［単位胞に4サイトある3/4充填の2次元系］の端状態
兵庫県大物質理^A，熊本大教育^B　長谷川泰正^A，岸木敬太^B

25日　RL会場　25aRL　9:15～12:30

領域7
分子デバイス・DNA

1: CuPc/C₆₀混合膜の電子輸送準位の観測
岡山大院自然^A，東理大理工^A，名大院理^C，Augsburg Univ.^D　赤池幸紀^A，C，Andreas Opitz^D, Julia Wagner^D, Wolfgang Bruetting^D, 金井要^B，久保園芳博^A，大内幸雄^C，関一彦^C

2: 有機薄膜デバイスの光CELIV法の実験
東大物性研　田島裕之，安井基陽，鈴木智彦

3: CuPc/C₆₀系，pentacene/C₆₀系太陽電池とその界面制御
岡山大院自然　河相暢幸，浜尾志乃，赤池幸紀，神戸高志，久保園芳博

4: ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体の光電流－キャリア再結合過程の温度依存性－
名大院工　鈴木淳也，西川裕貴，渡辺峻一郎，田中久暁，伊東裕，黒田新一

5: 表面赤外分光によるPt(997)表面におけるTTFの多様な電荷移動状態の観測
東大物性研　清水皇，向井孝三，吉本真也，吉信淳

休憩　（10:30～10:45)

6: 水素終端Si(111)表面に吸着したF₄-TCNQの電荷移動と配向
阪大産研，東大物性研^A　古橋匡幸，吉信淳^A

7: 金単原子接合に生じるジュール熱評価
阪大産研，JST-さきがけ^A　筒井真楠，谷口正輝^A，川合知二

8: コンフィギュレーションスイッチング単一分子デバイスの動作機構
阪大産研，JSTーさきがけ^A，阪大産研^B　谷口正輝^A，筒井真楠^B，川合知二^B

9: オリゴチオフェン－金ナノ粒子ハイブリッドを用いた単一電子トランジスタにおけるdouble-dotの伝導特性
情報通信研未来ICT，千葉大先進^A，JSTさきがけ^B，東大院総合^C，名大院理^D　照井通文，野口裕^A，B，片山卓也^C，松下未知雄^D，菅原正^C

10: STMによるHOPG表面におけるMetal-DNAの新規構造の発見
首都大東京　横矢貴秀，臼井英正，溝口憲治，坂本浩一

11: 金属をドープしたDNAの光吸収II
首都大理工　圓谷淳，伊吹依利子，臼井英正，坂本浩一，溝口憲治

12: 3d遷移金属FeをドープしたDNAの電子状態の解析
首都大理工　伊吹依利子，坂本浩一，溝口憲治

25日　WG会場　25aWG　10:00～11:45

領域8，領域7
鉄砒素系理論

1: 多バンド系でのディラック電子：有機導体および鉄系超伝導体
京大基研　森成隆夫

2: 多軌道超伝導体における不純物束縛状態の理論
東大理　苅宿俊風，小形正男

3: 2次元16バンドd-p模型の磁気・軌道・電荷秩序と電子格子相互作用の効果
新潟大院自然，新潟大理^A　安立奈緒子，山川洋一，柳有起，大野義章^A

4: 鉄系超伝導体のd-p模型におけるd-pサイト間斥力U_pdの効果
新潟大院自然，新潟大理^A　柳有起，山川洋一，安立奈緒子，大野義章^A

5: Hubbard-Holsteinモデルに基づく鉄砒素系の超伝導状態の解析
名大工^A，名大理^B，JST-TRIP^C　大成誠一郎^A，C，紺谷浩^B，C

6: 鉄系超伝導体の強軌道秩序と磁性
原子力機構先端研^A，MPI-CPfS^B　久保勝規^A，P. Thalmeier^B

25日　RB会場　25pRB　13:30～16:55

領域7シンポジウム
主題：有機超伝導体の発見から30年を経て

1: はじめに
東大工（物工）　鹿野田一司

2: 擬一次元系(TMTSF)2Xでの奇妙な超伝導状態
京大理　米澤進吾

3: BETS系２次元有機導体における磁場誘起超伝導とFFLO状態
物材機構　宇治進也

4: Pd(dmit)₂塩における多様なモット絶縁相と圧力誘起超伝導
理研　加藤礼三

休憩　（15:00～15:15)

5: 電荷秩序系を含む新規分子性超伝導体
東大物性研　森初果

6: 有機超伝導体の理論
電通大（量子・物質工）　黒木和彦

7: フラーレン超伝導と電界誘起超伝導の現状
東大工（量子相）　岩佐義宏

8: 有機炭化水素系物質の超伝導
岡山大院自然　久保園芳博

25日　WS会場　25pWS　13:30～17:00

領域9，領域7合同
グラフェン

1: 傾斜SiC上埋め込まれたグラフェンナノリボンの構造とラマン分光特性
九大院工，東大物性研^A　森田康平，上原直也，中辻寛^A，吉村継生^A，小森文夫^A，^○田中悟

2: 傾斜SiC上グラフェンの角度分解光電子分光
東大物性研，九大院工^A　中辻寛，吉村継生，柴田祐樹，森田康平^A，上原直也^A，田中悟^A，小森文夫

3: 6H-SiC 上のグラフェンの回転および変調
福教大物理　三谷尚

4: SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と電気磁気効果
NTT物性基礎研　影島博之，日比野浩樹，永瀬雅夫，関根佳明，山口浩司

5: SiC(0001)基板上に生成したグラフェン膜のX線ラウエ関数による層数決定
名大工　秋本晃一，持木健吾，山田尚明，胡海龍，中原仁，齋藤弥八

6: SiCナノワイヤのジュール加熱によるグラファイト化のTEMその場観察
阪大院理　河野日出夫，森祐揮

休憩　（15:00～15:15)

7: グラフェンナノリボンの電子輸送におけるエッジ状態の効果
筑波大院数物　高木博和，小林伸彦

8: 単層,2層グラフェン境界における谷分極伝導
産総研，東工大理工^A　中西毅，越野幹人^A，安藤恒也^A

9: グラフェンのラマン分光における気体吸着効果
東工大理工　森貴紀，高井和之，榎敏明

10: ナノグラフェンおよび窒素ドープグラフェン上への酸素吸着
東大院理^A，東大院新領域^B　小幡誠司^A，斉木幸一朗^A，B

11: 金属基板上におけるヘテロ原子をドープしたグラフェンの成長と電子状態
東大院理^A，東大院新領域^B　今村岳^A，斉木幸一朗^A，B

12: 金属上の数層グラフェンの第一原理計算
筑波大計科セ^A，CREST^B　高木祥光^A，B，岡田晋^A，B

13: カーボンナノチューブおよびグラフェンの金属表面への吸着：電荷移動と表面再構成
岩手大工　長谷川正之，西館数芽

26日　RA会場　26aRA　9:45～12:30

領域7
炭素系物質

1: 有機物挿入バーミキュライトの焼成によるグラフェンの生成とラマン評価
東洋大院工　諏佐友哉，和田昇

2: グラファイト表面におけるDモード・コヒーレントフォノンの振幅増強
横国大IRC，横国大工^A，ベルリン自由大^B，物材機構^C，防衛大^D　片山郁文，古賀翔^A，首藤健一^A，武田淳^A，島田透^B，菱田俊一^C，藤田大介^C，北島正弘^D

3: グラフェンと単層窒化ホウ素から成る層状超格子における圧力効果
東工大理　酒井佑規，斎藤晋

休憩　（10:30～10:45)

4: カルシウム窒化硼素層間化合物の作製とX線回折
兵庫県大院物質理　佐藤貴彦，平郡諭，小林本忠

5: カーボンナノウォール初期成長プロセスの構造評価
横市大院国総科　吉村博史，吉村昭彦，橘勝

6: グラフェンとナノチューブから成る複合次元sp²炭素新構造の電子状態
東工大理　櫻井誠大，斎藤晋

7: h-BNの電子構造制御の探索：NFE状態へのキャリア注入
筑波大数理，産総研^A　岡田晋，大谷実^A

8: 窒化ホウ素と炭素のヘテロエピタキシャル成長
東工大理　斎藤晋

9: ゲスト原子内包によるSiフラーレン数珠繋ぎナノワイヤの電気伝導特性制御
産総研ナノシステム，北陸先端大^A　西尾憲吾，尾崎泰助^A，森下徹也，三上益弘

10: 金属単結晶微傾斜面に形成したカーボンナノワイヤーとその電子状態
理研^A，東大新領域^B　南任真史^A，加藤浩之^A，川合真紀^A，B

26日　RB会場　26aRB　9:00～12:30

領域7
高圧物性・測定技術

1: Pressure-induced insulator-metal transition of ABH₃ hydride
KYOKUGEN，Osaka Univ.，IMR，Tohoku Univ.^A　Nguyen T.L.HUYEN，Zhenhua CHI，Katsuya SHIMIZU，Motoaki MATSUO^A，Kazutaka IKEDA^A，Shin-ichi ORIMO^A

2: (DI-DCNQI)₂Cuの高圧相¹³C NMR
東大工，学習院大理^A　宮川和也，中田智，鹿野田一司，開康一^A，高橋利宏^A

3: HMTSF-TCNQの温度圧力相図
阪市大院理，理研^A　増田耕育，横川敬一，Natarajan Rani Tamilselvan，Md. Nuruzzaman，加藤礼三^A，村田惠三

4: 1軸ひずみ下のAlpha-[(s,s)DMDT-TTP]₂AuI₂の温度依存性のない電気抵抗
阪市大院理，兵庫県大院物質理^A　横川敬一，久世哲嗣，市川俊^A，下野智史^A，吉野治一，山田順一^A，村田惠三

5: 輸送現象測定に向けた圧力媒体 Daphne混合オイル、グリセリンの静水圧性
阪市大院理，元出光興産^A，出光興産^B　横川敬一，Natarajan Rani Tamilselvan，Md. Nuruzzaman，青山昌二^A，岡田太平^B，吉野治一，村田惠三

6: β型およびκ型BEDT-TTF塩の熱伝導度
阪市大院理　吉野治一，仲田春紀，村田惠三

7: SQUID磁束計を利用したESR測定技術の開発と有機導体への応用
神戸大院理，神戸大研究基盤セ^A，神戸大分子フォトセ^B　後藤亮二，高橋直己，櫻井敬博^A，大久保晋^B，太田仁^B

8: メタルマスクによる分子性結晶上へのサブミクロン電極の作製
物材機構，理研^A　山口尚秀，渡邊徹，津田俊輔，高野義彦，小玉恒太，宇治進也，山本浩史^A

休憩　（11:00～11:15)

非線形伝導

9: β'-(BEDT-TTF)₃(ClO₄)₂の巨大非線形伝導と自発電圧振動
東工大院理工　糸瀬文武，白鳥啓太，川本正，森健彦

10: π-d系有機導体(EDT-TTFVO)₂FeBr₄における非線形伝導と磁気抵抗効果
筑波大院^A，物材機構^B，阪府大院^C　小玉恒太^A，B，寺嶋太一^B，栗田伸之^B，原田淳之^B，宇治進也^B，A，野口悟^C，杉本豊成^C

11: 放射光単結晶X線回折による有機半導体NT₃GaCl₄の電子状態の観測
名大院工，名大院理^A　溝口裕二，小山英之，奥健太，真木祥千子，青柳忍，西堀英治，澤博，阿波賀邦夫^A

12: 電極に繋がれた一次元ハバードモデルの非平衡状態と電流電圧特性
分子研，総研大，CREST-JST　田中康寛，米満賢治

13: 三角格子上の電荷秩序状態における非線形伝導の理論
分子研，総研大，CREST-JST　田中康寛，米満賢治

26日　RL会場　26aRL　9:15～12:30

領域7
分子性固体・中性－イオン性転移

1: Kドープピセンの電子状態の第一原理計算
東大院理，産総研ナノシステム研究部門^A，東大工^B，CREST^C　小杉太一^A，三宅隆^A，C，石橋章司^A，有田亮太郎^B，C，青木秀夫

2: 溶液プロセスを用いた超伝導K₃Piceneの合成
岡山大院自然，岡山大理^A　高橋庸祐，山成悠介，鈴木雄太，長崎祐也^A，三田村洋希，久保園芳博，神戸高志

3: 超伝導体K₃piceneの圧力効果
岡山大院自然，JASRI/SPring-8^A　山成悠介，高橋庸祐，鈴木雄太，藤原明比古^A，久保園芳博，神戸高志

4: アルカリ金属添加ピセン化合物の作製と磁化率
兵庫県大院物質理　藤原佑樹，平郡諭，小林本忠

5: アルカリ土類ドープピセンの構造と物性
岡山大院自然，岡山大理^A，北陸先端大^B　李雪松，蔦川弘貴^A，三田村洋希，高橋庸祐，神戸高志，藤原明比古^B，久保園芳博

休憩　（10:30～10:45)

6: 新規有機物質の正・逆光電子分光による電子状態の観測
岡山大院自然，東大物性研^A，東理大理工^B，JASRI/SPring-8^C　江口律子，赤池幸紀，加地由美子，石田行章^A，小泉健二^A，辛埴^A，金井要^B，藤原明比古^C，神戸高志，久保園芳博

7: 芳香族有機金属・超伝導体の電子・フォノン物性
岡山大院自然，長崎総合科学大^A　三田村洋希，加藤貴^A，李雪松，山成悠介，神戸高志，久保園芳博

8: ヨウ素ドーピングしたアントラセン薄膜の構造
東理大理　飯野俊兵，吉田幸彦，池畑誠一郎

9: 電荷移動錯体TTF-CAの中性イオン性転移に伴う分子間相互作用の変化
東大新領域^A，理研^B，JASRI^C，島根大^D，Univ. Henri Poincare，Nancy 1，France^E　河宣如^A，加藤健一^B，金廷恩^C，田中宏志^D，高田昌樹^A，B，C，P. Garcia^E，S. Dahaoui^E，C. Lecomte^E

10: 中性－イオン性転移物質TTF-CAにおける圧力下輸送特性
東大工，東大新領域^A，埼玉大^B，東大物性研^C　竹原陵介，宮川和也，鹿野田一司，岡本博^A，谷口弘三^B，松林和幸^C，上床美也^C

11: 中性－イオン性転移物質TTF-QCl₄の圧力下スピン状態
東大工，東大新領域^A　西川哲郎，宮川和也，鹿野田一司，岡本博^A

12: 選択重水素置換MeHPLN系に於けるメチル基の回転と反強誘電転移II
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，神戸大理^C　油井巨樹^A，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，大山勝^C，持田智行^C

26日　WY会場　26aWY　9:00～12:30

領域10，領域8，領域7，領域3合同シンポジウム
主題：誘電体に潜む新しい秩序―最近の話題―

1: はじめに
阪府大工　森茂生

2: Ａサイト設計によるＡＢＯ₃型ぺロブスカイト圧電体の探索
静岡大学　符徳勝

3: (Ba,Ca)TiO₃混晶の相図へのコメント
名工大　岩田真

4: リラクサーPMN-PTにおける異方的なフォノンダイナミクス　
東北大金研　松浦直人

5: 強誘電体の相転移の高精度な分子動力学計算―リラクサーの理解をめざして―
東北大金研　西松毅

休憩　（10:45～11:00)

6: マルチフェロイック物質RMnO₃（R=Y, Ho）における強誘電－反位相分域および分域境界の特徴
ラトガース大学　堀部陽一

7: マルチフェロイックスの理論
東大物工　望月維人

8: 新たな開発段階を迎えた有機強誘電体材料
産総研　堀内佐智雄

26日　RB会場　26pRB　13:30～15:45

領域7
電荷秩序

1: θ-(BEDT-TTF)₂CsZn(SCN)₄の一軸圧縮下における¹³C-NMR研究
学習院大理　高橋遼平，矢澤美穂，千葉亮，開康一，高橋利宏

2: α-(BEDT-TTF)₂I₃の圧力下比熱測定
物性研　鴻池貴子，内田和人，長田俊人

3: 放射光X線回折実験による分子性導体α-(BEDT-TTF)₂I₃の電子状態の観測
名大工，分子研^A，物材機構^B　小山英之，澤博，西堀英治，青柳忍，真木祥子，酒井理宇，熊沢雄介，坂野翔，中村敏和^A，木野日織^B

4: 繰り込み群法を用いたTTM-TTP塩の多軌道効果の解析 II
名大理　大森有希子，土射津昌久，鈴村順三

5: (DMEDO-TTF)₂SbF₆の伝導特性
東工大院理工，愛媛大院理工^A　白鳥啓太，白旗崇^A，川本正，森健彦

6: 光学スペクトルから見た(DMEDO-EBDT)₂PF₆の金属絶縁体転移
東工大院理工^A，東工大院総理工^B，JST-CREST^C，愛媛大院理工^D　北山眞^A，蝶野彩^A，石川忠彦^A，恩田健^B，沖本洋一^A，腰原伸也^A，C，森川徹^D，白旗崇^D，御崎洋二^D

7: STMによるα-ET₂I₃の室温電荷量解析
首都大理工，北大理^A　森英一，坂本浩一，溝口憲治，内藤俊雄^A

8: α'-(BEDT-TTF)₂IBr₂における電荷秩序相転移の同位体効果
分子研，北大理^A　Yue Yue，売市幹大，山本薫，薬師久弥，河本充司^A

9: α’-(BEDT-TTF)₂IBr₂の常誘電-強誘電転移に対する圧力効果
分子研　山本薫，薬師久弥