領域4

23日　WQ会場　23aWQ　9:15～12:00

領域4
微小接合

1: ジョセフソン人工原子による動的カシミール効果の理論II
広大院総合科^A，IIC^B，早大理工^C，ウィーン大物理^D　藤井敏之^A，C，高嶋耕司^A，B，松尾繁政^A，C，畠中憲之^A，栗原進^C，Anton Zeilinger^D

2: 磁束量子ビットのラビ振動の緩和率測定による磁束ノイズの評価
理研基幹研^A，NECグリーンイノベ研^B　吉原文樹^A，中村泰信^A，B，蔡兆申^A，B

3: JBA測定による被測定量子ビットのエネルギー変化とそれを利用した量子フィードバックの提案
NTT物性基礎研　角柳孝輔，Alexander Kemp，仙場浩一

4: エネルギーギャップを制御できる４接合量子ビットにおける単一井戸領域の測定
横国大工　島津佳弘，落合慧，篠崎瑛二，中島正揮，高橋真起

5: Observation of σ_x coupling signal in a gap-tunable flux qubit
NTT Basic Res. Lab.　X.B. Zhu，A. Kemp，S. Saito，H. Nakano，K. Semba

休憩　（10:30～10:45)

6: 分子磁性体を介したジョセフソン効果の理論
産総研，CPT-CNRS^A　川畑史郎，Denis Chevallie^A，Thibaut Jonckheere^A，Thierry Martin^A

7: 固有接合における強制同期と協力的量子トンネル現象
産総研^A，CREST^B，東北大金研^C　知崎陽一^A，B，柏谷裕美^A，柏谷聡^A，小山富男^C，川畑史郎^A，B

8: 多ギャップ超伝導体ジョセフソン接合における巨視的量子トンネル
原子力機構シ計C^A，東北大金研^B，CREST(JST)^C，JST-TRIP^D　太田幸宏^A，C，町田昌彦^A，C，D，小山富男^B，C

9: 一次元SQUID列中のフラクソン対におけるラチェット効果
広大先端研　西田宗弘，山田親寛，中城貴哉

10: ジョセフソン接合における電圧揺らぎの統計
カールスルーエ大^A，三重大工^B　D.S. Golubev^A，M. Marthaler^A，^○Y. Utsumi^B，Gerd Sch"on^A

23日　XA会場　23aXA　9:00～12:15

領域4
量子細線・グラフェン

1: 非断熱状態変化を用いた量子干渉計
東大工，Inst. Neel^A Univ. Joesph Fourier^B，Ruhr-Univ. Bochum^C　高田真太郎，山本倫久，C.Bauerle^A，B A.D. Wieck^C，樽茶清悟

2: 伝導度および電流ゆらぎ測定による量子細線における動的核スピン偏極の観測II
京大化研，東大生産研^A　知田健作，橋坂昌幸，山内祥晃，中村秀司，荒川友紀，町田友樹^A，小林研介，小野輝男

3: スプリットゲートとエッチングゲートの量子細線における低温電気伝導
千葉大融合，ニューヨーク州立大^A　渋谷薫，大上真由，遠藤孝，青木伸之，J.P.Bird^A，落合勇一

4: 擬一次元導体が示す朝永－Luttinger指数のバイアス電場制御
北大院工^A，Univ. Politecnica de Catalunya^B，奈良女大院人間文化^C　島弘幸^A，B，小野頌太^A，吉岡英生^C

5: 半導体微細ロール構造の機械振動における曲率依存性
東北大理^A，NTT物性基礎研^B　泉田渉^A，岡本創^B，山口浩司^B，平山祥郎^A

6: 早送り理論による磁場下での量子状態の高速制御
関西学院大理工　増田俊平

休憩　（10:30～10:45)

7: グラフェン端状態のカイラル対称性の破れに対する安定性
筑波大計算セ，東大院理^A，筑波大院数理^B　有川晃弘，青木秀夫^A，初貝安弘^B

8: 長距離不純物のあるグラフェンにおける輸送理論
東工大理工　野呂昌生，越野幹人，安藤恒也

9: 不純物を含むグラフェンにおける非一様磁場への応答
東工大理工　有村泰典，越野幹人，安藤恒也

10: グラフェン関連模型における半整数量子ホール効果への分解
東大理，筑波理^A　渡辺悠樹，初貝安弘^A，青木秀夫

11: 量子ホール系における光学ホール伝導度の動的スケーリング
東大理，Ben Gurion大物理^A　森本高裕，Yshai Avishai^A，青木秀夫

12: グラフェンにおける伝導度ゆらぎの解析とバックゲート依存性
千葉大院融合^A，千葉大工^B，アリゾナ州立大^C，バッファロー大^D　本岡正太郎^A，阿部拓斗^B，M.アカラム^A，青木伸之^A，D.K.フェリー^C，J.P.バード^D，落合勇一^A

23日　XA会場　23pXA　13:30～16:45

領域4
量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体

1: トポロジカル絶縁体における電子相関効果
東大院工，JST-CREST　山地洋平，今田正俊

2: 量子化されたスピンホール相の磁気応答
東大生研，北大理^A　御領潤，前田展希^A

3: Z₂トポロジカル絶縁体における局在の相図と臨界指数
東北大理，理研^A，広大先端研^B　山影相，野村健太郎^A，井村健一郎^B，倉本義夫

4: 量子スピンホール系のエッジ状態における近藤効果と交流電場応答
理研，Argonne Nat'l. Lab.^A　田中洋一，古崎昭，K.A. Matveev^A

5: トポロジカル超伝導体における状態密度の計算
名大工　伊井彰宏，大成誠一郎，田仲由喜夫

6: マヨラナ界面束縛状態における磁性不純物の効果
理研　進藤龍一，古崎昭

休憩　（15:00～15:15)

7: ２次元量子スピンホール系におけるエッジスピン流干渉
東工大理^A，さきがけ-JST^B，京大人環^C　村上修一^A，B，大前陽一^C

8: 分散を持たない表面状態とZ2トポロジカル秩序
広大先端研　井村健一郎

9: Analytical Theory of Edge Modes in 2D Topological Insulator
Dept. of Phys.，Tohoku Univ.，Sendai，Japan^A，Dept. of Quantum Matter，AdSM，Hiroshima Univ.，Higashi-Hiroshima^B，Dept. of Tsinghua Univ.，Beijing，P.R.China^C　Shijun Mao^A，C，Yoshio Kuramoto^A，Ken-Ichiro Imura^A，B，Ai Yamakage^A

10: トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃における異常な有限サイズ効果
東工大理，Norwegian Univ. of Sci. and Tech.^A　横山毅人，Jacob Linder^A，Asle Sudb?^A

11: ゲート電圧によって発現するトポロジカル絶縁体上の1次元チャネル
東工大理，Los Alamos Nat'l. Lab.^A，東大工^B　横山毅人，Alexander V. Balatsky^A，永長直人^B

12: ２次元および３次元トポロジカル絶縁体における熱電効果
東工大院^A，さきがけ-JST^B　高橋隆志^A，村上修一^A，B

23日　PSB2会場　23pPSB　15:30～17:30

領域4
領域4ポスターセッション

61: 電流アンプを用いたメゾスコピックデバイスのための量子雑音測定技術
東工大極低温セ^A，東工大院理工^B　橋坂昌幸^A，B，藤澤利正^A

62: 電子系におけるマッハツェンダー干渉計の作製と評価
京大化研　中村秀司，西原禎考，知田健作，荒川智紀，千葉大地，関口康爾，小野輝男，小林研介

63: 共振器中量子ドット間への量子もつれ配信手法の提案
阪府大院工^A，産総研ナノシス^B，東北大通研^C，JST-CREST^D　余越伸彦^A，D，今村裕志^B，D，小坂英男^C，D

64: Siドープカーボンナノチューブ配向膜の電気的および結晶学的特徴
名大エコ研^A，JFCC^B，名大院工^C，島根大^D，日大^E　乗松航^A，B，丸山雄大^C，笹井亮^D，高瀬浩一^E，楠美智子^A，B

65: 強磁性金属／グラフェン／強磁性金属接合における磁気抵抗効果
関大先端，名大工^A，関大システム理工^B　本多周太，山村彰紀^A，平岩知大^A，井上順一郎^A，伊藤博介^B

66: 有機分子を挟んだナノスケール接合素子の理論とそのデバイスの作製
北大電子研，JSTさきがけ^A　近藤憲治，海住英生^A，石橋晃

67: Ni/P3HT:PCBM/Niナノスケール接合の作製とその評価
北大電子研^A，JSTさきがけ^B，阪大産研^C　海住英生^A，B，近藤憲治^A，ヌブラ・バシール^A，川口敦吉^A，スザン・ホワイト^A，平田秋彦^C，石丸学^C，弘津禎彦^C，石橋晃^A

68: Curvature and Inverse Participation Number Calculation in Disordered Systems using Density Functional Theory
阪大院理　原嶋庸介，Keith Slevin

24日　WQ会場　24aWQ　9:00～12:30

領域4
量子ドット

1: コロイド状CdSe/ZnS量子ドットにおける位相緩和の溶媒効果
香川大工^A，産総研^B　香西浩嘉，宮川勇人，鶴町徳昭，小柴俊，伊藤寛，中西俊介，V.P.Biju，石川満

2: Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure.
東大工，ポハン大理工^A，レオベン大^B，東工大量子ナノエレ研セ^C，都市大総研^D　小幡利顕，申潤錫^A，ロランドブルナ^B，武田健太，福岡佑二^C，大塚朋廣，小寺哲夫^C，吉田勝治，澤野憲太郎^D，小田俊理^C，白木靖寛^D，樽茶清悟

3: PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価
東大工，東工大量子ナノエレ研セ^A，都市大総研^B　武田健太，小幡利顕，福岡佑二^A，大塚朋廣，小寺哲夫^A，吉田勝治，澤野憲太郎^B，小田俊理^A，白木靖寛^B，樽茶清悟

4: 磁場中の多端子量子ドットにおけるスピンホール効果
慶大理工　横山知大，江藤幹雄

5: 三角グラフェンのDirac理論と特異な渦構造
東大工　江澤雅彦

6: 量子ドット列における緩和を伴うコヒーレントなエネルギー移動
九大院理，分子研^A　久保田陽二，信定克幸^A

休憩　（10:30～10:45)

7: 超伝導相関のある量子ドットを介した常伝導リード間の非局所輸送特性－数値繰り込み群による解析－
京大理，理研^A，阪市大理^B　山田康博，田中洋一^A，川上則雄，小栗章^B

8: 3端子に接続された量子ドット系のJosephson電流とAndreev-Kondo共鳴
阪市大理，理研^A　小栗章，田中洋一^A

9: InAs量子ドットジョセフソン接合におけるスピン一重項－三重項近藤効果における電気伝導
東大工，東大生研^A　金井康，R.S.Deacon，大岩顕，吉田勝治，柴田憲治^A，平川一彦^A，樽茶清悟

10: 自己形成InAs量子ドットを接合に用いたSQUIDの研究II
東理大^D，MANA-NIMS^E，物材機構^A，東大生研^B，JST-CREST^C　石黒亮輔^D，神尾充弥^D，金鮮美^E，渡辺英一郎^A，津谷大樹^A，柴田憲治^B，平川一彦^B，C，高柳英明^E，C，D

11: 準位構造が異なる３角形３重量子ドットの近藤効果
阪市大理　島本将志，小栗章

12: 量子ドット系のファノ近藤効果とスピン操作II
筑波大物理　谷口伸彦，根元太郎

13: 量子ドット系での非対称アンダーソン模型のショットノイズ
東大工^A，東大物性研^B，阪市大理^C　阪野塁^A，藤井達也^B，小栗章^C

24日　XA会場　24aXA　9:00～12:15

領域4
量子ホール効果

1: 光ファイバーを用いた量子ホール系の強磁場、極低温におけるKerr回転スペクトルの測定
千葉大院理，東北大院理^A，NTT物性基礎研^B，ERATO-JST^C　伊藤裕紀，瀬尾宗隆，福岡大輔，音賢一，室清文，平山祥郎^A，C，熊田倫雄^B

2: 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測　その２
筑波大数理物質^A，産総研^B，NTT物性基礎研^C　伊藤宙陛^A，古谷景佑^A，柴田祐輔^A，大塚洋一^A，野村晋太郎^A-C，柏谷聡^B，山口真澄^C，田村浩之^C，赤崎達志^C

3: 電圧制御可能なエッジマグネトプラズモン共振器
NTT物性基礎研^A，東工大極低温セ^B，東工大院理工^C　鎌田大^A，B，熊田倫雄^A，橋坂昌幸^B，C，村木康二^A，藤澤利正^B

4: 量子ホール系におけるエッジマグネトプラズモン伝導の磁場依存性
NTT物性基礎研^A，東工大極低温セ^B　熊田倫雄^A，鎌田大^A，B，村木康二^A，藤澤利正^B

5: Disorder and screening effects on the emergence of the ν = 5/2 fractional quantum Hall state
NTT Basic Res. Labs.　Gerardo Gamez，Koji Muraki

6: Probing the spin polarization at filling factor ν＝5/2
NTT BRL，ERATO-JST^A　L. Tiemann^A，G. Gamez，N. Kumada，^○K. Muraki^A

休憩　（10:30～10:45)

7: 二層系ν＝4/3量子ホール状態におけるヒステリシスの観測
京大理物理，兵庫医科大物理^A，京大低温セ^B　津田是文，Nguyen Minh-Hai，福田昭^A，寺澤大樹^A，小笠原良晃，岩田一樹，澤田安樹^B

8: 抵抗検出NMRによるnu=1/3でのスピン反転励起の観測
JST-ERATO^A，NTT物性基礎研^B，東北大院理^C　渡辺信嗣^A，熊田倫雄^B，平山祥郎^A，C

9: 核スピン偏極緩和時間の抵抗検出法における拡散の寄与
東大総合文化　中島峻，小林泰子，小宮山進

10: Experimental evidence of nonlinear spin polarization dependence of spin susceptibility in two dimensional electron systems
ERATO-JST^A，Jilin Univ.^B，Oklahoma Univ.^C，Tohoku Univ.^D　K.F. Yang^A，H.W. Liu^A，B，T.D. Mishima^C，M.B. Santos^C，K. Nagase^A，Y. Hirayama^A，D

11: Microwave-induced zero-resistance states in 2D electrons on liquid helium
Low Temperature Phys. Lab.，Advanced Sci. Inst.，RIKEN　Denis Konstantinov，Kimitoshi Kono

12: トポロジカル絶縁体 Bi₂Se₃ のフェルミ面と表面電子散乱
広大院理^A，広大放射光^B，呉高専^C　黒田健太^A，叶茂^A，金聖憲^A，^○木村昭夫^A，宮本幸治^B，仲武昌史^B，奥田太一^B，島田賢也^B，植田義文^C，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B

24日　RA会場　24pRA　13:30～18:00

領域7，領域4合同
グラフェン

1: 宙吊りグラフェン素子の伝導測定
広大先端　八木隆多，深田誠也，下村翠

2: 単層/２層グラフェン接合系の磁場中電気伝導その２
東大物性研　佃明，奥永洋夢，長田俊人，内田和人，鴻池貴子

3: ２層グラフェンn-p-n接合系における量子ホール伝導
東大物性研　奥永洋夢，長田俊人，佃明，内田和人，鴻池貴子

4: バリスティック伝導を目指したグラフェン接合の作製と電界効果
筑波大物理^A，物材機構^B，CREST(JST)^C　友利ひかり^A，C，後藤秀徳^A，C，田中翔^A，C，大塚洋一^A，塚越一仁^B，C，神田晶申^A，C

5: 2層グラフェンPN接合における電気伝導
東大工，Exeter大^A　塩谷広樹，山本倫久，徳光晋太郎，Saverio Russo^A，Monica F. Craciun^A，樽茶清悟

6: 不規則２層グラフェンのランダウ準位におけるカイラル対称性の効果
東邦大理，筑波大物理^A，東大理^B　河原林透，初貝安弘^A，青木秀夫^B

7: 量子ホール状態のグラフェン量子ポイントコンタクトにおける量子カオス的輸送
東芝研究開発セ^A，ハーバード大物理^B，ハーバード大院工学応用科学^C　中払周^A，B，J.R.ウィリアムズ^C，C.M.マーカス^B

8: 単層グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴
物材機構，Dankook Univ.^A，Korea Res. Inst. of Chem. Tech.^B，Sungkyunkwan Univ.^C　竹端寛治，今中康貴，三井正，高増正，Y. Kim^A，K.-S. An^B，B.H. Hong^C

休憩　（15:30～15:45)

9: カーボンナノチューブを自然開口した超低欠陥グラフェンナノリボンにおけるバンドギャップの観察
青学大理工，Rice Univ.^A，産総研ナノチューブリサーチセ^B　上川正太，清水台生，春山純志，D.C. Marcano^A，D.V. Kosinkin^A，James M. Tour^A，廣瀬香里^B，末永和知^B

10: グラフェン端近傍の磁場中局所観察
東工大院理工，阪大基礎工^A，産総研^B　酒井謙一，高井和之，福井賢一^A，中西毅^B，榎俊明

11: 微細構造グラフェンの電子輸送特性と端効果
東工大院理工　工藤泰彦，西村康寛，高井和之，榎敏明

12: グラフェンナノリボンのパイエルス転移：ポリアセチレンからグラフェンへのクロスオーバー
都立産業技術高専　鈴木達夫

13: グラフェンリボンにおけるカイラリティ混成ソリトン状態
物材機構，東工大^A　佐々木健一，若林克法，榎敏明^A

14: グラフェンにおけるポテンシャル分布イメージング
理研，東大生研^A，JSTさきがけ^B　河野行雄，増渕覚^A，石橋幸治，町田友樹^A，B

15: ２層ナノグラフェンにおける電子密度分布
産総研ナノシテム部門　針谷喜久雄，今村裕志

16: グラフェンの傾斜したディラックコーン
熊本大教育，兵庫県大物質理^A　岸木敬太，上野開，宮本恵梨子，長谷川泰正^A

17: 異方性のある二次元格子におけるディラック・ポイントの探索
京産大理^A，阪大理^B　堀田知佐^A，浅野建一^B

24日　WQ会場　24pWQ　13:30～17:15

領域4
量子ドット

1: アハロノフ・ボームリングにおける電圧揺らぎと量子導体の揺らぎの定理
三重大工，カールスルーエ大^A　内海裕洋，D.S. Golubev^A，M. Marthaler^A，Gerd Sch"on^A

2: ２重量子ドットを含むアハロノフ・ボーム干渉計における３端子電子輸送
NTT物性基礎研　久保敏弘，都倉康弘

3: 半導体量子ドットによるCircuit QEDの研究
東大総合文化　樋田啓，中島峻，小宮山進

4: 擬スピン近藤効果に対する量子ポイントコンタクト検出のバックアクション
NTT物性基礎研^A，東北大理^B　岡崎雄馬^A，B，佐々木智^A，B，村木康二^A

5: 二重量子ドットにおける１電子・２電子領域でのキャパシタンス測定
NTT物性基礎研　太田剛，日達研一，村木康二

6: 横型３重量子ドットにおける電荷検出信号の定量評価
東大工，Univ. de Sherbrooke^A，ICORP-JST^B　高倉樹，Michel Pioro-Ladri`{e}re^A，小幡利顕，申潤錫^B，Roland Brunner^B，吉田勝治，樽茶清悟

休憩　（15:00～15:15)

7: Si:Pにおけるスピンブロッケードと電子スピン・核スピン結合状態のEDMR測定
慶大理工　千代田智，江藤幹雄

8: GaAs横型2重量子ドットにおける基底状態遷移に伴う動的核スピン偏極
NTT物性基礎研^A，東北大理^B　小林嵩^A，B，日達研一^A，佐々木智^A，B，村木康二^A

9: 縦型二重量子ドットにおける核スピン分極の高速電圧制御
東工大理工^A，理研^B，東大物工^C　高橋諒^A，B，河野公俊^A，B，樽茶清悟^C，大野圭司^B

10: 微小磁石を配置した量子ドット２量子ビットのスワップ演算
NTT物性基礎研^A，ICORP-JST^B，東大工^C　都倉康弘^A，B，R. Brunner^B，Y.-S. Shin^B，久保敏弘^A，B，小幡利顕^B，C，樽茶清悟^B，C

11: 磁場を自己補償できる微小磁石型量子ドットEDSRサンプルの開発と実践
東大工，浦項工科大学校^A，東工大^B　米田淳，小幡利顕，申潤錫^A，高倉樹，谷山智康^B，樽茶清悟

12: 量子ドットを用いた単一光子検出を同定するための数値的アルゴリズムの開発
東大工　藤田高史，浅山徹哉，木山治樹，大岩顕，樽茶清悟

13: 二重量子ドットにおけるスピンの電気的制御
東大工^A，理研CMRG&CERG^B　下出敦夫^A，江澤雅彦^A，永長直人^A，B

14: パルスESRで駆動された量子ドットからのスピンポンピング：実時間ダイナミクス
阪大院基礎工　服部公則

24日　XA会場　24pXA　13:30～16:45

領域4
量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体

1: ナローギャップ半導体におけるホール効果とスピンホール効果
慶大理工^A，東工大理^B，JSTさきがけ^C　北村有司^A，B，^○村上修一^B，C

2: トポロジカル絶縁体における表面量子ホール効果
東工大院理工^A，さきがけ-JST^B　和田真樹^A，村上修一^A，B

3: 量子スピンホール系の電場誘起スピン偏極
東工大理^A，JSTさきがけ^B　三澤哲郎^A，村上修一^A，B

4: 3次元トポロジカル絶縁体における近藤効果
東工大理^A，JSTさきがけ^B　筒井一尋^A，村上修一^A，B

5: トポロジカル絶縁体の表面における磁化のダイナミクス
東工大理，Fudan Univ.^A，東大工^B　横山毅人，Jiadong Zang^A，永長直人^B

6: 3次元トポロジカル絶縁体表面における磁壁と磁気渦の荷電効果
理研^A，東大工^B　野村健太郎^A，永長直人^B

休憩　（15:00～15:15)

7: Bi₂Se₃およびPbSにおける異常ホール効果とバルクスピンホール伝導度
阪大産研　江藤数馬，Zhi Ren，Alexey Taskin，瀬川耕司，安藤陽一

8: トポロジカル絶縁体候補物質タリウム系三元カルコゲナイド単結晶の輸送特性
阪大産研　瀬川耕司，江藤数馬，安藤陽一

9: 様々な元素をドープしたトポロジカル絶縁体Bi₂Se₃の単結晶合成と物性評価
東工大応セラ研　五十嵐九四郎，加納学，笹川崇男

10: トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃の高磁場磁気抵抗，磁気トルク測定
東北大金研，東工大応セラ研^A，理研^B　本多由季，佐々木孝彦，小林典男，五十嵐九四郎^A，笹川崇男^A，川村稔^B，花栗哲郎^B，高木英典^B

11: トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃におけるDirac表面状態の磁場中STM/STS
理研^A，東工大応セラ研^B，東大新領域^C　花栗哲郎^A，五十嵐九四郎^B，川村稔^A，高木英典^A，C，笹川崇男^B

12: トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃の電子構造
東工大応セラ研^A，Stanford大^B　笹川崇男^A，Y.L. Chen^B，五十嵐九四郎^A，J.-H. Chu^B，J.G. Analytis^B，Z.K. Liu^B，H.-H. Kuo^B，X.L. Qi^B，S.K. Mo^B，R.G. Moore^B，D.H. Lu^B，M. Hashimoto^B，S.C. Zhang^B，I.R. Fisher^B，Z. Hussain^B，Z.-X. Shen^B

25日　WQ会場　25aWQ　9:00～12:00

領域4
量子井戸・超格子

1: 高密度多層積層量子ドットにおけるキャリア移動
神戸大院工，情通機構^A　小島磨，喜多隆，赤羽浩一^A

2: 量子細線における一次元電子正孔系の光学利得と静的遮蔽相互作用
東大物性研，京大化研^A，上海応物研^B，阪大院理^C　吉田正裕，岡野真人^A，秋山英文，懐平^B，小川哲生^C

3: 点励起Hakki-Paoli法による半導体量子井戸レーザーの導波路モード評価
東大物性研，プリンストン大^A　金昌秀，望月敏光，吉田正裕，陳少強，丸山俊，秋山英文，Loren N. Pfeiffer^A，Ken W. West^A

4: GaAs/AlAs超格子における励起子非線形光学応答特性に対する励起子分子の寄与
神戸大院工，情通機構^A　山下太香恵，小島磨，喜多隆，赤羽浩一^A

5: GaAs量子井戸の発光励起スペクトルにおける共鳴レーリー散乱の寄与
東大物性研，プリンストン大^A　丸山俊，望月敏光，吉田正裕，秋山英文，Loren N. Pfeiffer^A，Ken W. West^A

6: GaAs/AlAs超格子におけるワニエ・シュタルク局在過程でのフランツ・ケルディッシュ振動
阪市大院工　川端哲矢，中山正昭

休憩　（10:30～10:45)

7: 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性II
筑波大数理物質^A，NTT物性基礎研^B，東北大理^C，ERATO-JST^D　野村晋太郎^A，B，山口真澄^B，田村浩之^B，赤崎達志^B，平山祥郎^C，D

8: ゲートつき非ドープGaAs量子井戸のスピン緩和測定
NTT物性基礎研，筑波大数理物質^A　山口真澄，眞田治樹，寒川哲臣，田村浩之，赤崎達志，野村晋太郎^A

9: ゲート付GaAs-AlGaAs非対称二重量子井戸の蛍光寿命のゲート電圧依存性
筑波大数理物質^A，NTT物性基礎研^B　宮城浩一^A，山口真澄^B，田村浩之^B，赤崎達志^B，野村晋太郎^A，B

10: 半導体超格子におけるTHz放射の複素電界スペクトルと励起子効果
東大生研^A，東大ナノ量子機構^B，Ecole Normale Superieure^C　井原章之^A，B，平川一彦^A，B，J.R. Cardenas^C，R. Ferreira^C，G. Bastard^C

11: ZnMgO/ZnOヘテロ接合試料における磁気光学測定
物材機構，産総研^A　今中康貴，高増正，反保衆志^A，柴田肇^A，仁木栄^A

25日　WR会場　25aWR　9:00～12:30

領域4
量子ホール効果

1: スピン軌道相互作用の分数量子ホール系に対する影響
東北大理^A，理研CERG^B　伊藤透^A，野村健太郎^B，柴田尚和^A

2: 分数量子ホール系のエッジ状態間トンネルにおける有効電荷の温度依存性 (2)
東大物性研　伊與田英輝，藤井達也，加藤岳生

3: 交流における量子ホール効果のホールポテンシャル分布と電流分布
北大工　明楽浩史

4: 電流加熱時の磁場中極低温２次元電子系の温度分布と電位分布
東大生研，東大物性研^A，埼玉大理工^B，核融合研^C，横国大工^D　平山尚美，遠藤彰^A，藤田和博^A，長谷川靖洋^B，羽田野直道，中村浩章^C，白崎良演^D

5: ν_T=1二層系の電子密度差に対する安定性：スピン自由度の効果
NTT物性基礎研　高瀬恵子，村木康二

6: 2層ν=2/3量子ホール系の基底状態と励起エネルギーの観察
京大低温セ^A，京大理物理^B，兵庫医科大物理^C　鄭仰東^A，森川智喜^B，福田昭^C，津田是文^B，澤田安樹^A

休憩　（10:30～10:45)

7: 量子ホール効果素子におけるテラヘルツ波の発生・伝搬・検出
農工大院工，JSTさきがけ^A，東大院総合^B　生嶋健司^A，大野奈津美，國谷幸佑，小宮山進^B

8: エッジ状態間散乱に伴う光子の生成とそのオンチップ検出
農工大院工^A，JSTさきがけ^B，東大院総合^C　國谷幸佑^A，生嶋健司^A，B，小宮山進^C

9: 電流が保存しない系におけるプラトー転移点のコンダクタンス分布
京大理，Univ. of Chicago^A，Forschungszentrum Karlsruhe^B，UC Santa Barbara^C　小布施秀明，I.A. Gruzberg^A，B. Soumya^B，F. Evers^B，A.W.W. Ludwig^C

10: Conductance distributions at the quantum Hall transitions for higher Landau levels
上智大理工，阪大理^A，東邦大理^B　小林浩二，大槻東巳，K. Slevin^A，河原林透^B

11: Critical parameters from generalised multifractal analysis at the Anderson transition
Dept. of Phys. and Centre for Sci. Computing，Univ. of Warwick，Grad. Sch. of Sci.，Osaka Univ.^A　Alberto Rodriguez，Louella J. Vasquez，^○Keith Slevin^A，Rudolf A. R"omer

12: シリコン二次元電子系における谷偏極状態での金属絶縁体相転移
東北大理^A，バース大物理^B，NTT物性基礎研^C，ERATO核スピンエレクトロニクスプロジェクト^D　新井田佳孝^A，高品圭^B，小野行徳^C，藤原聡^C，平山祥郎^A，D

13: 強く乱れたIn₂O₃-ZnOのホール移動度
九大理，出光先進技術研^A　山田和正，篠崎文重，矢野公規^A，笘井重和^A，中村浩昭^A

25日　RP会場　25pRP　13:30～17:00

領域4，領域3，領域8合同シンポジウム
主題：スピン依存電気伝導～次世代のスピントロニクスを目指して

1: はじめに
ERATO-JST　羽田野剛司

2: 半導体ナノ構造におけるスピンホール効果
慶応大学　江藤幹雄

3: 強磁性半導体における磁気輸送現象とその制御
東北大学　松倉文礼

4: 狭ギャップ２次元電子ガスにおけるスピン軌道相互作用の競合と２層系の物理
北陸先端科学技術大学院大学　赤堀誠志

休憩　（14:55～15:10)

5: 量子ホール強磁性：量子ホール系を通して見るスピン物性
NTT物性基礎研究所　村木康二

6: 量子ドットにおける核スピン制御の進展
理化学研究所　大野圭司

7: 単一量子ドット/強磁性電極ナノ接合におけるスピン伝導
九州大学　浜屋宏平

8: g因子制御量子ドットを用いた量子情報処理
AIST　今村裕志

9: スピン機能MOSFETとその集積エレクトロニクスへの応用
東京工業大学　菅原聡

26日　WQ会場　26aWQ　9:30～12:30

領域4
磁性半導体・半導体スピン物性

1: Gd-doped EuOの伝導電子状態と磁性
神奈川工科大　高橋正雄

2: 強磁性薄膜GdNの強磁性共鳴による研究
神戸大院理，神戸大分子フォトセ^A，神戸大連携創造^B，神戸大院工^C　福岡洋平，藤澤真士^A，張衛民^B，太田仁^A，吉富大明^C，來山真也^C，喜多隆^C，和田修^C

3: 希薄磁性半導体In₂O₃：(Mn, Fe)におけるMn,Feの電子状態
早大理工^A　岡崎瑛基^A，日下部泰之^A，吉岡剛志^A，山本知之^A

4: 強磁性半導体InMnX（X=As, Sb）の強磁場サイクロトロン共鳴
東大物性研，バージニア工科大^A　松田康弘，沈睿，嶽山正二郎，ギティコダパラスト^A

休憩　（10:30～10:45)

5: InGaAs/InAlAs２次元電子ガス系における強磁場下磁気抵抗とスピン分裂磁場依存性
北陸先端大ナノセ^A，物材機構^B　山田省二^A，新田峻介^A，岩瀬比宇麻^A，赤堀誠志^A，今中康貴^B，高増正^B

6: InGaAs/InAlAs２層２次元電子ガス系試料極低温伝導の面内異方性と構造解析
北陸先端大ナノセ　韋威，森本幸作，岩瀬比宇麻，赤堀誠志，^○山田省二

7: 顕微円二色測定による光生成二次元電子ガスの時間分解スピンイメージング
千葉大院理，産総研^A　三野弘文，米内山章吾，大戸一樹，音賢一，室清文，秋本良一^A

8: スピン偏極ミュオンを用いたn型GaAs中伝導電子スピンの直接的観測
理研仁科セ^A，Univ. of California，Riverside^B，KEK物構研^C，東大総合文化^D，Rutherford Appleton Lab.^E，山梨大医工^F　横山幸司^A，永嶺謙忠^B，下村浩一郎^C，Harry Tom^B，Roland Kawakami^B，Pavel Bakule^A，松田恭行^D，石田勝彦^A，大石一城^A，Francis Pratt^E，白木一郎^F，鳥養映子^F

9: KTaO₃における擬二次元電子系の反局在
東大工^A，東大新領域^B，JST^C　原島慧^A，クリストファー・ベル^B，金民祐^B，疋田育之^B，ハロルド・ファン^A，B，C

10: InGaAs量子井戸におけるスピン軌道相互作用の弱反局在とシュブニコフ-ド・ハース振動のビート解析
北大創成^A，北大情報^B，NTT-BRL^C　松浦徹^A，セバスチャンファニエル^B，峰重俊介^B，関根佳明^C，古賀貴亮^A，B

11: InGaAs系メゾスコピック正方形ループに見られた異常量子振動の解明に向けた電子ビリヤードシミュレーション
北大情報^A，北大創成^B，産総研^C　峰重俊介^A，Faniel Sebastien^A，松浦徹^B，川畑史郎^C，古賀貴亮^A，B