領域9

27日　RD会場　27aRD　9:00～12:15

領域9
表面・界面ダイナミクス

1: 接触モードAFMに現れる引き剥がし位置のカオス性（実験）
愛知教育大，JSTプラザ東海^A，成蹊大^B　三浦浩治，石川誠^A，天野淳二，細見斉子，佐々木成朗^B

2: 接触モードAFMに現れる引き剥がし位置のカオス性（理論）
成蹊大理工，愛教大物理^A　佐々木成朗，宮田政樹，勝又源七郎，板村賢明，三浦浩治^A

3: Pt(997)表面におけるNOの衝突誘起拡散
東北大多元研^A，CREST^B　高岡毅^A，米田忠弘^A，B

4: STMを用いた表面吸着分子のアクションスペクトルとその解析手法
東大新領域^A，理研^B　本林健太^A，B，金有洙^B，川合眞紀^A，B

5: レ-ト方程式による不純物ポテンシャル存在下に於けるイオン中性化確率の計算
長崎大工，立命館大理工^A　近藤慎一郎，山田耕作^A

6: DPB-S/Cu(100)の吸着状態と配向変化
東大物性研，理研^A，名大理^B　片山哲夫，吉本真也，向井孝三，宮脇淳^A，高田恭考^A，辛埴^A，吉信淳，深澤愛子^B，山口茂弘^B

休憩　（10:30～10:45)

7: 単分子水和反応の制御と可視化
京大院理^A，JST-CREST^B，阪大産研^C　熊谷崇^A，海津政久^A，八田振一郎^A，B，奥山弘^A，有賀哲也^A，B，濱田幾太郎^C，森川良忠^C

8: Rh(111)表面における氷単層膜形成の微視的過程：STM，IRASによる研究
東大物性研　坂口裕二，紅谷篤史，向井孝三，吉本真也，^○吉信淳

9: Pt電極上の吸着水素：被覆率と振動数の電位依存性
日本電気中央研，産総研^A，東大物性研^B　友成六美，^○大谷実^A，杉野修^B

10: Ag/Si(111)上に吸着した水素原子のTPD測定におけるAg膜厚効果
東工大総理工　杉本匡，青木悠樹，平山博之

11: 水素及び重水素終端Si(111)-(1×1)の表面フォノン
東北大院理，理研^A，東北大融合研^B　加藤大樹，山田太郎^A，粕谷厚生^B，須藤彰三

12: 氷表面におけるH₂，D₂の核スピン転換
東大生研　杉本敏樹，二木かおり，松本益明，福谷克之

27日　TE会場　27aTE　9:00～12:00

領域9
表面界面構造

1: Si(001)表面上に成長した鉄シリサイド三次元細長島の構造
奈良先端大物質創成　服部賢，染田政明，前谷健，大門寛

2: MnSiのSi(111)上でのエピタキシャル成長モードと表面形態
九大総理工　東相吾，P. Kocan，^○栃原浩

3: X線回折によるMnSi/Si(111)界面構造の研究
東大物性研，九大総理工^A　白澤徹郎，東相吾^A，久保公孝，栃原浩^A，高橋敏男

4: Structure of the Si(553)-Au and Si(557)-Au surfaces at room temperature and low temperature
Univ. of Tokyo，Nagoya Univ.^A，KEK PF^B，SPring-8^C　W. Voegeli，T. Takayama，K. Kubo，M. Abe，T. Shirasawa，T. Takahashi，K. Akimoto^A，H. Sugiyama^B，H. Tajiri^C，O. Sakata^C

5: Bi/Ge(111)表面の構造と電子状態
京大院理^A，JST CREST^B　大坪嘉之^A，宮本早苗^A，八田振一郎^A，B，奥山弘^A，有賀哲也^A，B

6: Si(111)面(1×1)－(7×7)構造変化に関する微斜面効果II－modified RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算－
大阪電通大工，群馬大院工^A，NTT物性基礎研^B　阿久津典子，山本隆夫^A，日比野浩樹^B

休憩　（10:30～10:45)

7: Si(001)表面におけるNO吸着構造の反射分光による解析
横国大工，防衛大応物^A　大野真也，落合俊之，鈴木隆則^A，首藤健一，田中正俊

8: ナノ多結晶ダイアモンドの大規模電子構造計算
鳥取大^A，理研^B，ミュンヘン工科大^C　星健夫^A，B，飯高敏晃^B，Maria Fyta^C

9: AFM/STMによる周波数シフトとトンネル電流の同時測定
阪大院工^A，PRESTO-JST^B　澤田大輔^A，杉本宜昭^A，阿部真之^A，B，森田清三^A

10: 表面吸着In原子を用いたInAs結晶点欠陥形成位置の低温STS測定
NTT物性基礎研　蟹澤聖，藤澤利正

11: 収差補正STEMによる軽元素の単原子観察
東工大院理工^A，JST-CREST^B　神保雄^A，谷城康眞^A，B，沢田英敬^B，奥西栄治^B，高柳邦夫^A，B

27日　RD会場　27pRD　13:30～16:30

領域9，領域3，領域4合同シンポジウム
主題：超低速ミュオンが拓く表面・界面・薄膜の先端ナノサイエンス

1: はじめに
東工大理　西田信彦

2: J-PARCで実現される高輝度，大強度超低速ミュオン源
高エ研　三宅康博

3: 表面及びサブサーフェスにおける水素電子状態及びそのダイナミクス
東大　福谷克之

4: 低速ミュオン/ミュオニウム散乱
高エ研，理研，UCR　永嶺謙忠

休憩　（14:40～14:50)

5: 高分子・ソフトマター薄膜研究における低速ミュオンへの期待
京大化研　金谷利治

6: 超低速ミュオンでみる電池材料
豊田中研　杉山純

7: 超低速マイクロビームによるμSR実験の展開
原子力機構先端研　髭本亘

8: 分子性導体における強相関π電子の多様な可能性
理研　加藤礼三

9: スピントロニクスの課題と超低速ミュオンへの期待
東工大理工　吉野淳二

27日　SD会場　27pSD　13:30～17:00

領域1，領域9，領域5合同シンポジウム
主題：光・原子・表面ー観る、操る　～アルカリ原子を中心に～

1: アトムチップによる極低温原子の操作とその応用
電通大レーザー　中川賢一

2: 超伝導表面とマイスナー効果による原子トラップ
NTT物性基礎研　向井哲哉

3: スピン偏極原子で見る表面・表面で創るスピンクラスター
山梨大医工　鳥養映子

4: ガラス容器内の原子のスピンダイナミクス
兵庫県立大院物質理　石川潔

休憩　（15:10～15:20)

5: シリコン表面上のアルカリ原子極薄膜における第二高調波発生
防衛大　鈴木隆則

6: 遷移金属表面上の単層アルカリ原子の振動コヒーレンス
京大院理　渡邊一也

7: ナノ光ファイバーによる原子と光子の操作
電通大量子・物質　白田耕藏

8: リドベルグ原子による表面極微電場計測と物理
立命館大総理工　松木征史

27日　TE会場　27pTE　13:30～15:30

領域9
表面界面構造

1: 走査トンネル顕微鏡によるIr(111) 表面上の一酸化窒素吸着構造の研究
東大生研　松本益明，池田暁彦，小倉正平，福谷克之，岡野達雄

2: Ir(111)上のAu島成長における吸着子効果
東大生研　小倉正平，福谷克之

3: A low temperature scanning tunneling microscopy/spectroscopy investigation about the adsorption of TbPc2 and YPc molecules on Au(111)
Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials (IMRAM)^A，Grad. Sch. of Sci.^B，Tohoku Univ.　Yan Feng Zhang^A，一色弘成^A，米田忠弘^A，吉田裕輔^B，加藤恵一^B，宮坂等^B，山下正廣^B

4: Cu(111)表面上におけるナフタレンの吸着構造と電子状態
阪大院理　山田剛司，渋田昌弘，高野康弘，宮久保圭祐，宗像利明

5: 分子ナノ結晶のSTM探針による操作
物材機構WPI　柳沼晋，長岡克己，中山知信

6: プロカイラル構造を持つフタロシアニン分子による表面ラセミ化
ワシントン州立大　高見知秀，Clarisa Carrizales，K.W. Hipps

7: 静電不安定性を持つMgO(111)超薄膜の作製と評価
東工大応セラ，JSTさきがけ^A，東工大フロンティア^B　須崎友文^A，熊田翔，高木裕紀，本田吉隆，細野秀雄^B

8: 走査トンネル顕微鏡によるNaCl表面上の欠陥操作
物材機構，筑波大院^A，MANA^B　角館俊行^A，B，中谷真人^B，中山知信^A，B

28日　RD会場　28aRD　9:00～12:10

領域9
表面界面構造

1: Si(111)√21×√21-(Au，Ag)構造の相転移
日本女子大理，東大物性研^A，原子力機構先端基礎研^B　城戸望，^○一宮彪彦，松田巌^A，深谷有喜^B

2: 反射高速陽電子回折を用いたSn/Ge(111)表面の相転移の研究
原子力機構先端基礎研^A，日女大理^B　橋本美絵^A，深谷有喜^A，河裾厚男^A，一宮彪彦^A，B

3: Si(111)表面上のAgエピタキシャル成長の基板温度依存性
日本女子大理　炭屋亜美，一宮彪彦

4: 反射高速陽電子回折による表面相転移の研究
(独)日本原子力研究機構先端基礎研究センター陽電子ビーム物性研究グループ　深谷有喜

休憩　（10:15～10:30)

5: 領域9若手奨励賞選考報告および授賞式
名大理　上羽牧夫

6: 原子間力顕微鏡を用いた単原子の元素識別法と室温での原子操作法の開発
阪大工　杉本宜昭

7: ビスマス超薄膜のスピン偏極表面電子状態，電気伝導特性に関する研究
東大理　平原徹

8: 2次元光電子分光による表面の原子軌道解析
奈良先端大物質創成　松井文彦

28日　TE会場　28aTE　9:00～10:30

領域9
表面・界面ダイナミクス

1: グラフェン／C₆₀単層膜／グラフェン...の構造と摩擦
愛教大物理，JSTプラザ東海^A，成蹊大理工^b　細見斉子，天野淳二^A，石川誠^A，佐々木成朗^b，三浦浩治

2: グラフェン／フラーレン／グラフェン界面の超潤滑シミュレーション
成蹊大理工，愛教大物理^A　板村賢明，佐々木成朗，三浦浩治^A

3: ¹³C-NMRによるグラフェン／C₆₀単層膜／グラフェン...中のC₆₀分子の運動状態の測定
電通大量子物質^A，JSTプラザ東海^B，愛教大物理^C　中原隆裕^A，井上大輔^A，一ノ瀬高仁^A，鈴木勝^A，細見斉子^C，石川誠^B，加藤美穂^B，三浦浩治^C

4: グラファイト表面上でのHe原子線散乱角度分布
筑波大院数理物質　呉準杓，近藤剛弘，畠大悟，中村潤児

5: 第一原理計算によるグラファイト基板上窒化ガリウム成長の研究
鳥取大院工，JST-CREST　石井晃，浅野裕基，多谷孝明

6: Si(111)7×7表面の光励起ボンド切断における温度効果 II
阪大産研　金崎順一，成瀬延康，谷村克己

28日　YH会場　28aYH　9:00～11:45

領域7，領域9合同
グラフェン構造・表面物性

1: Pt-グラフェン間の相互作用に対する欠陥や添加物の効果
阪大工，阪大産研^A，産総研^B　岡崎一行，森川良忠^A，田中真悟^B，香山正憲^B

2: 傾斜SiC表面上のグラフェン形成機構
九大院工，九大院総理工^A，東大物性研^B，NTT基礎研^C　田中悟，森田康平，林賢二郎^A，水野清義^A，小森文夫^B，中辻寛^B，日比野浩樹^C

3: SiC表面分解グラフェンにおける界面の構造
名大エコ研，JFCC　乗松航，楠美智子

4: 球面収差補正TEM及びEELSによるグラフェンの研究
東工大院理工^A，CREST-JST^B　安部悠介^A，田中崇之^A，B，高柳邦夫^A，B

5: TEM回折法によるグラフェン格子定数の決定
産総研エレ，産総研エネルギー半導体エレ^A　岩田康嗣，富田かな子，松畑洋文^A

休憩　（10:15～10:30)

6: 単層および多層グラフェンの作成と高分解能ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B　伊勢一樹^A，菅原克明^A，高山あかり^A，相馬清吾^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B

7: 剥離グラフェン薄膜の局所電子状態
高エ研，物材機構MANA^A，東大物性研^B，JASRI^C，JST-CREST^D　小野寛太，小谷佳範，長田実^A，D，谷内敏之^B，小嗣真人^C，渡辺義夫^C，佐々木高義^A，D

8: 数層グラフェン電子状態のSTMによる研究
東大物性研，九大院工^A，九大院総理工^B　中辻寛，新倉涼太，柴田祐樹，森田康平^A，水野清義^B，田中悟^A，^○小森文夫

9: グラファイト超薄膜FETにおける輸送特性への気体吸着効果
東工大理工　佐藤慶明，高井和之，榎敏明

10: アルゴンクラスターとグラフェンの衝突シミュレーション
兵庫県立大　乾徳夫，持地広造，盛谷浩右

28日　RD会場　28pRD　13:30～16:50

領域9，領域3合同シンポジウム
主題：原子・分子レベルのスピン検出の最前線

1: はじめに
高エ研　小野寛太

2: 走査トンネル顕微鏡をもちいた単一スピン検出
東北大多元研　米田忠弘

3: 単一分子スピンの検出と磁気異方性
東大新領域　高木紀明

4: Pt(111) 表面上 Fe，Co単原子の磁気異方性
阪大基礎工　宮町俊生

休憩　（15:05～15:20)

5: 磁性量子井戸構造を用いた近藤効果の制御
物材機構ナノシステム機能センター　内橋隆

6: 金属表面での磁性原子の振舞-近藤効果の実空間像とRKKY相互作用の影響
阪大工　笠井秀明

7: スピン偏極イオン散乱分光法による表面の元素選別スピン分析
物材機構量子ビームセンター　鈴木拓

28日　TE会場　28pTE　13:30～16:30

領域9
結晶成長

1: UHV in-situ TEMによる極薄Si酸化膜付Si基板上に成長するGeナノドットの歪み評価
名大院工^A，CREST-JST^B，名大エコ研^C　藤林裕明^A，^○趙星彪^B，C，田中信夫^A，B，C

2: ガス中蒸発法におけるSn-In超微粒子の結晶成長(2)
岐阜高専　大野武久

3: 氷結晶表面の高分解光学その場観察
北大低温研^A，JST-さきがけ^B　佐崎元^A，B，Salvador Zepeda^A，中坪俊一^A，古川義純^A

4: Crystal growth and doping mechanism of Tl-2201
Kyoto Univ.^A，Univ. of Waterloo^B，Univ. of British Columbia，Vancouver^C，Canadian Inst. for Advanced Res.^D　D.C. Peets^A，D.G. Hawthorn^B，M. Raudsepp^C，G.A. Sawatzky^C，D，Ruixing Liang^C，D，D.A. Bonn^C，D，W.N. Hardy^C，D

5: 流動場下におけるタンパク質の結晶核形成
広大総合科　小野裕章，田中晋平

6: 高分子ブレンド超薄膜からの結晶成長
広大総合科，京大人環^A　田口健，戸田昭彦，宮本嘉久^A

休憩　（15:00～15:15)

7: 第一原理計算によるインテリジェント触媒の自己再生機能の解明
阪大院基礎工　木崎栄年，草部浩一，野上惣一朗，吉田博

8: 不純物サイズの違いが成長カイネティクスに与える影響
立命館大理工　高岸洋一，平井豪，中田俊隆

9: 結晶粉砕によるカイラリティ転換でのクラスターサイズ分布
名大理　上羽牧夫

10: 粉砕による結晶カイラリティの転換メカニズム
名大理　勝野弘康，上羽牧夫

11: 磨り潰しによる完全不斉な結晶成長
慶大理工　齋藤幸夫，日向裕幸

29日　RB会場　29pRB　13:30～17:30

領域10，領域9合同
格子欠陥・ナノ構造

1: 水素化・不均化されたNd-Fe-B系合金の脱水素・再結合過程における陽電子寿命変化
阪大工，阪大院生^A，日立金属^B，京大工^C　荒木秀樹，中村昌樹^A，西内武司^B，水野正隆，広沢哲^B，白井泰治^C

2: 中性子照射したFe-Cu・Fe-Cu-Mnモデル合金中陽電子消滅の温度依存性
東北大金研，東北大サイクロ^A　外山健，井上耕治，畠山賢彦，永井康介，長谷川雅幸^A

3: β⁺-γ同時計測法を用いた照射中の欠陥観察
京大院工，京大原子炉^A　田中拓，葛西信太郎，土田秀次，秋吉優史，義家敏正^A，伊藤秋男

4: RIを陽電子源とした陽電子プローブマイクロアナライザーによる空孔二次元分布計測
千葉大院工　河島祐二，斎藤祐太，神野智史，岡壽崇，藤浪真紀

5: Vibronic Emission Spectra for Irradiation Induced F Aggregate Centers in α-Al₂O₃
Grad. Sch. of Natural Sci. and Tech.，Okayama Univ.，Naruto Univ. of Education^A，Fac. of Education，Okayama Univ.^B，Reactor Res. Inst.，Kyoto Univ.^C　Rahman Abu Zayed Mohammad Saliqur，T. Awata^A，N. Yamashita^B，Y. Inada^B，K. Oshima，Qiu Xu^C，K. Atobe^B

6: 多結晶Al中のGaの融解と凝固が強度に及ぼす影響
明大理工　伊藤彰記，石川謙二，小泉大一

休憩　（15:00～15:15)

格子欠陥・ナノ構造

7: 偏極中性子によるプロトンの散乱関数
中央大理工　半澤慧，杉本秀彦

8: トンネル状態にあるプロトンの運動量分布
中央大理工　湯浅祐一，杉本秀彦

9: タングステンブロンズ H_xWO₃ 中のミュオンの挙動
阪大院理，高エ研^A，理研^B，鳥取大工^C　三原基嗣，下村浩一郎^A，渡邊功雄^B，石井康之^B，鈴木栄男^B，川股隆行^B，小紫順治，西村太樹，中野岳仁，高井茂臣^C，門野良典^B，西山樟生^B

10: 希土類金属水素化物における圧力誘起相分離
原子力機構放射光　町田晃彦，綿貫徹，川名大地，青木勝敏

11: 振動分光法によるLaH₂の圧力誘起不均化反応の観測
原子力機構放射光　櫻井陽子，町田晃彦，青木勝敏

12: 水素化イットリウムYH_x(1.7
埼大院理工，カシオ計算機^A，東大物性研^B　酒井政道，藤田浩光，齋藤智洋，中村修^A，田島裕之^B

13
走査型トンネル顕微鏡探針による金属カーボンナノチューブへの欠陥導入
東大工　山田賢太，佐藤弘紹，駒口哲也，目良裕，前田康二

14
ラマン分光法によるカーボンナノチューブのレーザー誘起欠陥の研究II
横浜市大院国総科　姜東哲，袴塚麻里，小島謙一，橘勝

15
グラフェンアドアトムとダイマーの動的過程
金沢大自然　浦元勇輝，斎藤峯雄
29日　RD会場　29pRD　13:30～15:00

領域9
表面界面電子物性


1
ピコ秒レーザー照射下のSTM発光スペクトル
東北大通研，物材研^A　上原洋一，三本木智則，片野諭，潮田資勝^A

2
アルミナ絶縁薄膜上に吸着したAlq₃分子からのSTM発光計測
横浜市大国際総合，光産創大　横山崇，井關寛美，篠崎一英，瀧口義浩^A

3
SH分光法による大気吸着したAu(887)の観察
北陸先端大マテリアル　小野道真，Hoang Hieu Chi，水谷五郎

4
Rh(111)表面に水素と共吸着した水の第一原理的研究
阪大産研　濱田幾太郎，森川良忠

5
GGAを超える近似手法を用いた分子吸着系・架橋系の電子状態の評価
東北大WPI　赤木和人

6
第一原理計算によるベンゼン／貴金属界面の界面双極子に関する理論的研究
阪大産研^A，パナソニック^B，Rensselaer Polytechnic Inst.^C，産総研^D　豊田健治^A，B，中野洋輔^A，濱田幾太郎^A，Kyuho Lee^C，柳澤将^A，森川良忠^A，D
29日　TE会場　29pTE　13:30～15:45

領域9
微粒子・クラスタ


1
原子アンカー法によるグラファイト表面へのサイズ選別タングステンクラスターの担持
コンポン研，豊田工大^A　早川鉄一郎，安松久登^A，近藤保^A

2
多成分金属クラスターイオンの生成と固体表面への担持
コンポン研，豊田工大^A　冬木正紀，安松久登^A，早川鉄一郎，近藤保^A

3
グラファイト表面と白金微粒子との界面相互作用に関する研究
筑波大数物　近藤剛弘，呉準杓，綿引健二，岩崎陽介，和泉健一，本間裕二郎，畠大悟，鈴木哲也，関場大一郎，工藤博，中村潤児

4
fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価
阪府大院工，産総研ユビキタス^A　田口昇，田中真悟^A，秋田知樹^A，香山正憲^A，堀史説
休憩　（14:30～14:45)

5
第一原理GW+T行列によるAlクラスターの励起状態計算
物材研，横国大院工^A　野口良史，大野かおる^A，Igor Solovyev，佐々木泰造

6
NMRを用いた1nm台(CdSe)_nナノ粒子の異なるnに対する構造解析
東北大工，東北大融合研^A　野田泰斗，山同精一朗，粕谷厚生^A，前川英己

7
第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の表面構造の解明
阪大産研，阪大基礎工^A　魚住昭文，濱田幾太郎，森川良忠，柳瀬章，吉田博^A

8
ガス雰囲気中その場観察TEM法による金ナノ粒子／ルチルの構造変化の観察
東工大院理工　田中崇之
29日　VC会場　29pVC　13:30～17:00

領域12，領域9合同シンポジウム
主題：結晶成長とアミロイド病の物理学


1
はじめに
名大理　岡本祐幸

2
蛋白質のフォールディングとアミロイド線維形成
阪大蛋白研　後藤祐児

3
プリオン立体構造変換の物理
岐阜大医　桑田一夫

4
アルツハイマーβアミロイドペプチド構造の分子シミュレーション
阪大MEIセンター　肥後順一
休憩　（15:10～15:30)

5
DNA分子でつくるプログラムナノ構造
東工大総合理工　村田智

6
有機薄膜を利用したタンパク質結晶の核生成制御
立命館大理工　中田俊隆

7
原子間力顕微鏡による分子レベルでのタンパク質結晶成長メカニズムの研究
阪大産研　須藤孝一
29日　PSB会場　29pPSB　15:30～17:30

領域9
領域9ポスターセッション


1
第一原理計算による酸化ゲルマニウムの電子状態と結晶構造
阪大工　齊藤正一朗，広瀬喜久治，小野倫也

2
コンビナトリアル手法によるBi-Sb系の単結晶合成と物性測定
東工大応セラ研　中島裕司，笹川崇男

3
拡散係数の異なる構造が共存する結晶表面の形態不安定性－吸着原子の流れによる効果－
金沢大自然，金沢大総合メ基盤セ^A　井川健太，佐藤正英^A

4
立方晶窒化ホウ素薄膜のX線回折評価
兵庫県立工技セ・機械金属工技セ，神港精機^A　山下満，野間正男^A

5
SMOKE装置の開発とGd/In/Si(111)金属表面の磁性研究
東大理　新沼優人，平原徹，長谷川修司

6
Ni(111)表面上に積層したベンゼンおよびシクロヘキサンのスピン偏極
物材機構　圓谷志郎，倉橋光紀，山内泰

7
QMC simulation of STM image on two magnetic atom absorbed surface
Osaka Univ.　Nghiem Thi Minh Hoa，Emi Minamitani，Hideaki Kasai

8
Ag表面上での水素分子のオルソ・パラ転換機構
阪大院工　國貞雄治，中西寛，笠井秀明

9
Reactions of Hydronium with Hydroxyl on Pt(111) surface
Osaka Univ.　Do Ngoc Son，Hiroshi Nakanishi，Melanie Yadao David，Hideaki Kasai

10
TiおよびAl合金原子サイズ接点のコンダクタンス
京大工　水上祐輔，後藤真幸，黒川修，^○酒井明

11
ブレークジャンクション法を用いた極低温下真空中における金属細線の量子伝導測定
九大院工　家永紘一郎，豊増良太，稲垣祐次，河江達也

12
少数分子で架橋した超伝導ナノリンクの電気伝導
筑波大数理　乾由美子，浦野敬太，大塚洋一

13
カーボンナノチューブ表面への水分子の吸着
東大生研，東北大環境^A　渡部伸一朗，福谷克之，山川紘一郎，岩田晋弥，杉本敏樹，松本益明，ビルデマーカス，佐藤義倫^A，田路和幸^A

14
鉄原子が挿入されたカーボンナノチューブ・ナノコンタクトにおけるスピンフィルター効果の発現：第一原理計算による解析
サイバネットシステム　井上鑑孝，臼井信志

15
第一原理計算によるビフェニル分子架橋系の伝導特性
東大生研^A，物材機構^B　近藤恒^A，B，奈良純^B，大野隆央^B，A

16
カーボンナノチューブの輸送特性における圧力と格子欠陥の効果
神戸大院工　毛利真章，小川真人，相馬聡文

17
密度汎関数強束縛法を用いた4端子測定のシミュレーションIII
東大工　寺澤麻子，多田朋史，渡邉聡，飛松啓司

18
第一原理計算による電極間架橋有機分子鎖の電気伝導特性予測
長大工　山田啓太，土肥慶祐，^○江上喜幸

19
高純度オルソ水素ビームを用いたAg表面上におけるオルソ・パラ転換と同位体効果
東大生研　二木かおり，杉本敏樹，福谷克之，岡野達雄

20
NO_x浄化触媒表面と酸素分子の相互作用
阪大院工　近石匡裕，Ferensa Oemry，Nguyen Tien Quang，国方伸一，中西寛，笠井秀明

21
白金表面におけるヒドラジンの吸着過程
阪大院工　米倉弘晃，Mohammad Kemal Agusta，中西寛，笠井秀明

22
表面吸着分子における量子摩擦と近藤効果
千葉大理　茂野洋一，中山隆史

23
金原子架橋系の構造と表面原子拡散
早大ナノ機構^A，早大理工^B，東北大WPI-AIMR^C，CREST-JST^D　洗平昌晃^A，C，D，塚田捷^B，C，D

24
電子励起されたSi(001)表面ダイマー系局在振動のflipping運動への転換
九大理　楳崎将，河合伸

25
第一原理分子動力学シミュレーションによる水素終端Si表面上への反応前駆体衝突時の反応解析
阪大工　稲垣耕司，安武潔，広瀬喜久治

26
SrTiO₃(001)表面における二次元島のオストワルトライプニング
阪大産研　岡野正和，須藤孝一

27
ガス導入TEMホルダーによるAu/TiO₂触媒のその場観察II
東工大院理工^A，CREST-JST^B　佐野健太郎^A，田中崇之^A，B，高柳邦夫^A，B

28
第一原理計算によるTiO₂表面上への水分子吸着過程の解析
阪大院工　足立駿介，中西寛，笠井秀明

29
摩擦力顕微鏡で計測されるピコニュートンの摩擦力の校正
JSTプラザ東海，愛教大物理^A，成蹊大理工^B，東大生研^C　石川誠，天野淳二，細見斉子^A，佐々木成朗^B，川勝英樹^C，三浦浩治^A

30
Ag表面における酸素分子の吸着構造
東大生研　風間吉則，杉本敏樹，二木かおり，松本益明，福谷克之

31
TDDFT-MD法によるレーザー照射下のナノ構造ダイナミクス
東理大理　春山潤，田口恵太，小鍋哲，渡辺一之

32
ZnO表面のナノ構造に関する理論的研究
岩手大工　西館数芽，長谷川正之

33
計算機シミュレーションによるSi(111)DAS表面の非接触原子間力顕微鏡フォースマップ
東北大WPI　真砂啓，塚田捷

34
第一原理計算によるフラーレンポリマーの金属的特性の解明
阪大工　北島秀樹，後藤英和，広瀬喜久治，小野倫也

35
Auger電子回折・磁気円二色性によるGd薄膜の磁性構造解析
奈良先端大，JASRI^A　後藤謙太郎，松井文彦，松本拓，西嘉山徳之，松下智裕^A，加藤有香子^A，大門寛

36
固体酸化物形燃料電池の燃料極三相界面構造に関する第一原理計算
東大院工　多田朋史，笠松秀輔，渡邉聡

37
A DFT-based design for the atomic scale processes on polymer exchange fuel cell electrodes
Osaka Univ.　Melanie David，Eben Dy，Tanglaw Roman，Mary Clare Escano，Ngoc Son Do，Hiroshi Nakanishi，Hideaki Kasa

38
(1+1')REMPIによるAu表面上での水素分子のオルソーパラ転換の測定
東大生研　樫福亜矢

39
表面歪みにより誘起される局所仕事関数の変化
東大物性研　柳生数馬，中辻寛，小森文夫

40
テンプレート効果とCoシリサイドクラスターの原子・電子構造の研究
東大物性研，広大放セ^A，広大理^B　成田尚司，崔芸涛^A，何珂，仲武昌史^A，木村昭夫^B，生天目博文^A，谷口雅樹^A，奥田太一，柿崎明人，松田巌

41
水素吸着Pt(111)表面のSTM観察
東大生研　池田暁彦，松本益明，小倉正平，福谷克之，岡野達雄

42
強磁性金属を混入したMnN/Cu(001)超構造の構造変化
東大物性研　橋本陽一朗，飯盛拓嗣，中辻寛，小森文夫

43
Cu(001)面上の窒素吸着ドメイン間に形成されるCu細線の構造モデル
東大物性研，横国大工^A　山田正理，大野真也^A，中辻寛，小森文夫

44
Ge(001)表面擬一次元電子系に埋め込まれた不純物IV族元素の散乱ポテンシャル
東大物性研，清華大^A　富松宏太，Binghai Yan^A，山田正理，中辻寛，Gang Zhou^A，Wenhui Duan^A，小森文夫

45
Ge₂Sb₂Te₅とSb₂Te₃のSTM発光分光
東北大通研，産総研^A，物材研^B　片野諭，桑原正史^A，上原洋一，潮田資勝^B

46
SiC上エピタキシャル・グラフェンのSTM観測
東大院理　河合直樹，松井朋裕，福山寛

47
GaN(0001)基板表面清浄化手法の開発
阪大工，奈良先端大物質創成^A　服部梓，遠藤勝義，服部賢^A，大門寛^A

48
アルカリ金属原子(K，Cs)吸着で誘起されるSi(111)構造変化の走査トンネル顕微鏡による観察II
防衛大応物，横国大工^A　西岡広明^A，藤原賢一，北嶋武，井上大輔^A，大野真也^A，田中正俊^A，鈴木隆則

49
Si(111)7×7表面へのNO初期吸着のSTM観察III
奈良先端大物質創成　安居麻美，稲葉雄一，宮内國男，服部賢，大門寛

50
Si(111)2×2-Fe及びc(8×4)-Fe表面のSTM観察・LEED I-V測定
奈良先端大物質創成　熊谷智宏，大井秀夫，安居麻美，服部賢，大門寛

51
Au/Ge(001)表面に形成される1次元構造のSTM観察
東大物性研　新倉涼太，中辻寛，小森文夫

52
Ruシリサイドのナノ構造作製と電子状態の測定
横国大工，NHK技研^A　小林直人，寅丸雅光，大野真也，首藤健一，宮本泰敬^A，河村紀一^A

53
金属吸着Ge(111)表面の電子状態とホール・サブバンド構造
京大院理　^○矢治光一郎，大坪嘉之，八田振一郎，奥山弘，有賀哲也

54
光電子分光による微斜面SiC上の数層grapheneの電子状態測定
東大物性研，九大院工^A，九大総理工^B　柴田祐樹，中辻寛，白澤徹郎，森田康平^A，水野清義^B，田中悟^A，小森文夫

55
ナトリウムを吸着したSi(111)√3×√3-Sn表面の研究
東大理　小森田拓，平原徹，Yan Gu，長谷川修司

56
Si(001)表面におけるO₂，NO，CO反応過程の反射分光による検討
横国大工，防衛大^A　落合俊之，大野真也，三戸部史岳，小泉順也，鈴木隆則^A，首藤健一，田中正俊

57
Si(111)-7×7表面における第2高調波光強度のアルカリ金属原子(Li，Na)吸着量依存性
防衛大応物　藤原賢一，鈴木隆則

58
Si(553)-Auの表面構造の研究
東大物性研，名大工^A，高エ研^B　高山透，Wolfgang.Veogeli，白澤徹郎，久保公孝，阿部誠，高橋敏男，秋本晃一^A，杉山弘^B

59
Si(111)表面上に成長したガドリニウムシリサイド3次元島の構造
奈良先端大物質創成　大井秀夫，服部賢，熊谷智宏，大門寛

60
Sn/Ge(111)及びSn/Si(111)低温相のLEEDによる検証
東大物性研　久保公孝，白澤徹郎，高橋敏男

61
円偏光光電子回折によるSiC(0001)表面の原子構造解析
奈良先端大物質創成^A，高輝度セ^B　西嘉山徳之，松井文彦^A，松本拓^A，後藤謙太郎^A，大門寛^A，松下智裕^B

62
Si(111)表面反転層ホールサブバンドの構造
琉球大理，奈良先端大物質創成^A　稲岡毅，武田さくら^A

63
InAs(111)A表面上のIn吸着原子に起因する電子状態の理論検討
三重大院工，NTT物性基礎研^A　秋山亨，中村浩次，伊藤智徳，蟹澤聖^A

64
真空内における劈開機構を用いた電界電子放射装置の試作
東大生研　板倉祥哲，松本益明，樫福亜矢，河内泰三，福谷克之，岡野達雄

65
極低温走査プローブ顕微鏡を用いた超伝導体表面におけるナノスケール摩擦の測定
慶應大理工　齋藤広大，林賢一，柴山義行，白濱圭也

66
Stability of three-hydrogen clusters on graphene
Osaka Univ.，Toyota Motor Corp.^A　Tanglaw Roman，Hiroshi Nakanishi，Hideaki Kasai，Kunihiro Nobuhara^A，Tsuyoshi Sugimoto^A，Kyouichi Tange^A

67
第一原理計算によるReRAMの材料選定における評価の枠組み
阪大工　大矢智子，岸浩史，中西寛，^○笠井秀明
30日　RD会場　30aRD　9:00～12:30

領域9
表面界面電子物性


1
Si(110)-(16×2)表面の電子状態
千葉大院融合，物材機構^A，東北大院理^B，IFM Linkoping Univ.^C　坂本一之，M. Setvin^A，馬渡健児^B，P.E.J. Eriksson^C，三木一司^A，R.I.G. Uhrberg^C

2
バイアス電圧印加硬X線光電子分光法による界面電子状態の高感度観測
物材機構，早大ナノテク研^A　山下良之，大毛利健治^A，上田茂典，吉川英樹，知京豊祐，小林啓介

3
Si/Ge(111)-√3×√3-Ag表面における歪と電子状態の変化
横市大院国際総合　望月出海，根岸良太，重田諭吉

4
角度分解2光子光電子分光法によるグラファイト表面の鏡像準位の研究
佐賀大SLセ　高橋和敏，前田宗瑠，倉橋勇丞，東純平，鎌田雅夫

5
種々のステップを持つルチル型TiO₂高指数面からのSHG
北陸先端大マテリアル　高橋寛明，渡辺亮輔，水谷五郎

6
Ag(100)面上に作成したTi酸化物薄膜の角度分解光電子分光
立教大理，東工大院理工^A　枝元一之，金子誉，今村賢司，島田透，小澤健一^A
休憩　（10:30～10:45)

7
PtCo合金触媒を用いた固体高分子形燃料電池における劣化に伴うCoの電子構造変化
東大工^A，東大放射光機構^B，理研/SPring-8^C，東芝燃料電池システム^D，東大物性研^E　小林正起^A，B，C，干鯛将一^A，D，丹羽秀治^A，原田慈久^A，B，C，尾嶋正治^A，B，堀川裕加^C，徳島高^C，辛埴^C，E，中森洋二^D，青木努^D

8
酸化物・グラファイト上に担持した金ナノ粒子に対する終状態効果
立命館大理工，産総研関西^A　橘堂恭昌，岩本章伸，松本悠志，光原圭，西村智朗，秋田知樹^A，前田泰^A，^○城戸義明

9
極低温STS測定によるPt/HOPGの電子状態解析
筑波大院数理物質　本間裕二郎，岩崎陽介，近藤剛弘，中村潤児

10
電圧印加非接触原子間力分光法によるSi(111)7×7表面の電子状態解析
金沢大自然，北陸先端大マテリアル^A　佐藤大器，新井豊子，富取正彦^A

11
第一原理MDによるダイヤモンド電極／水溶液界面の構造および電子状態
物材機構MANA^A，JSTさきがけ^B，慶大理工^C　館山佳尚^A，B，渡辺剛志^C，栄長泰明^C

12
三角形InAs量子ドットのSTM画像
埼玉工大　熊谷卓也，田村明

13
高励起原子（リドベルグ原子）を用いた極微弱表面電場計測手法の開発 II
立命館大物理^A，立命館大総合理工^B　濱田遼介^A，西村智朗^A，松木征史^B，城戸義明^A
30日　TE会場　30aTE　9:00～12:30

領域9，領域7合同
ナノチューブ・ナノワイヤ


1
Ag，Cu電極間に架橋したベンゼン単分子の電気伝導度計測
北大院理^A，JSTさきがけ^B　Ahmed Shawky Mohammed^A，木口学^A，B，^○村越敬^A

2
Pt電極に架橋したベンゼン単分子接合の構造および電子伝導特性
北大院理^A，JSTさきがけ^B，ライデン大^C　木口学^A，B，O. Tal1^C，J.M. van Ruitenbeek^C

3
極低温におけるAu電極間を架橋した水素の単分子振動スペクトル
北大院理^A，JSTさきがけ^B　中住友香^A，橋本邦男^A，木口学^A，B，村越敬^A

4
有機ドナー分子の単分子コンダクタンス
阪大産研，JST-さきがけ^A　谷口正輝^A，庄司昂平，筒井真楠，横田一道，川合知二

5
オリゴチオフェン単分子ワイヤーの電気伝導特性
阪大産研，JST-さきがけ^A　横田一道，筒井真楠，谷口正輝^A，川合知二

6
重水素置換アルカンチオール自己組織化膜に対するSTM-IETS
東北大多元研^A，CREST-JST^B　岡林則夫^A，B，今田洋平^A，米田忠弘^A，B
休憩　（10:30～10:45)

7
77Kにおける単分子接合の局所加熱
阪大産研，JST-さきがけ^A　筒井真楠，庄司昴平，谷口正輝^A，川合知二

8
分子架橋系における局所熱発生と熱輸送の理論
産総研計算科学　浅井美博

9
分子ワイヤの電気伝導における電極効果とフォノン散乱による局所加熱・局所温度の理論研究
NECナノエレ研，筑波大物工^A　広瀬賢二，小林伸彦^A

10
Au電極間に架橋したポルフィリン単分子の電気伝導度計測
北大院理^A，JSTさきがけ^B，筑波大院数理物質^C　高橋拓也^A，木口学^A，B，金原正幸^C，寺西利治^C，村越敬^A

11
ビピリジン単分子接合の電気伝導度とラマンスペクトルの同時計測
北大院理^A，JSTさきがけ^B　小西達也^A，木口学^A，B，村越敬^A

12
カーボンナノチューブの電気伝導におけるゲート電極効果
筑波大数物^A，北陸先端大^B，NECナノエレ研^C　小林伸彦^A，尾崎泰助^B，広瀬賢二^C

13
SPMを利用したSi-Si接合のコンダクタンス測定
金沢大自然^A，北陸先端大マテリアル^B，SORST-JST^C　清原恒成^A，串田修学^B，富取正彦^B，新井豊子^A，C
30日　TF会場　30aTF　9:00～12:15

領域3，領域9合同
表面界面磁性


1
Cu/Ni/Cu(100)薄膜の界面および内部層における磁化の温度依存性
高エ研物構研，JST-CREST，千葉大院融合^A，慶大理工^B　雨宮健太，酒巻真粧子^A，阿部仁^B

2
NO吸着によるFe/Cu(001)の表面反強磁性結合の深さ分解XMCD観測
慶應大理工，高エ研物構研^A，JST-CREST^B，千葉大院融合^C　阿部仁，雨宮健太^A，B，酒巻真粧子^C

3
Ni超薄膜における二光子光電子磁気円二色性
分子研　中川剛志，山本勇，高木康多，横山利彦

4
SPMDSを用いたMgO/Fe(110)薄膜のスピン偏極の観測
物材機構　圓谷志郎，倉橋光紀，山内泰

5
磁化誘起光第二高調波発生を用いたCo:rutile TiO₂(110)表面磁化の異方性の観察
北陸先端大マテリアル，防衛大^A，理研^B，東工大応セラ研^C　渡邊亮輔，田邨光規，湯浅真擁，八幡佳成，水谷五郎，鈴木隆則^A，瀬川勇三郎^B，松本祐司^C，山本雄一^C，片山正士^C，鯉沼秀臣^C

6
表面Rashba効果：kp摂動法と群論的考察
広大院先端　小口多美夫，獅子堂達也
休憩　（10:30～10:45)

7
鉄白金表面磁気異方性の電場効果
金沢大自然　辻川雅人，小田竜樹

8
Cu(001)表面上の窒化鉄薄膜の構造と磁性
分子研^A，総研大^B　高木康多^A，B，伊佐美恭平^B，山本勇^A，中川剛志^A，B，横山利彦^A，B

9
Cu(111)単結晶上二原子層Fe島中の電界駆動反強磁性／強磁性転移
カールスルーエ大物理　山田豊和，L. Gerhard，T. Balashov，A.F. Takacs，A.Ernst，W.Wulfhekel

10
Au(111)表面上に多層吸着した鉄フタロシアニン分子のスピン物性
東大工，東大新領域^A，理研^B　伊藤彩夏，能登健一^A，塚原規志^A，白木将^A，高木紀明^A，川合眞紀^A，B

11
金(111)表面上の希土類系フタロシアニン錯体LnPc2の極低温STS測定
東北大院理^{A，東北大多元研}B　一色弘成^A，B，張イエンフォン^B，米田忠弘^B，吉田祐輔^A，加藤恵一^A，宮坂等^A，山下正廣^A

12
Au(111)表面上におけるMn合金の低温走査トンネル分光測定
阪大基礎工，JSTさきがけ^A，阪大理^B　三島良太，高田正基^A，Wilson Agerico Dino^B，夛田博一，赤井久純^B
30日　RD会場　30pRD　13:30～16:15

領域9
表面界面電子物性


1
Tl/Si(111)-1×1表面電子構造とC₃対称性スピン分裂
金沢大自然，広島大理^A，千葉大院^B　小田竜樹，辻川雅人，木村昭夫^A，坂本一之^B

2
スピン・角度分解光電子分光による(√3×√3)BiAg/Ag量子薄膜の研究
東大物性研　武市泰男，何珂，奥田太一，原沢あゆみ，柿崎明人，松田巌

3
Si(111)1次元表面超構造上のAg薄膜の量子井戸状態・III
東大物性研，イタリア国立研(CNR)^A　奥田太一，何珂，武市泰男，原沢あゆみ，パオロ・モーラス^A，ディネシュ・トプワル^A，カルロ・カルボーネ^A，柿崎明人，松田巌

4
Si(111)基板上におけるAg(111)薄膜の表面準位に対する膜厚・転位・量子閉じ込めの影響
東工大総理工　澤敬一，青木悠樹，平山博之

5
Au/Ge(001)表面の電子状態 II
東大物性研　中辻寛，柴田祐樹，新倉涼太，富松宏太，山田正理，飯盛拓嗣，奥田太一，原沢あゆみ，松田巌，小森文夫
休憩　（14:45～15:00)

6
STMで観る磁性原子ダイマー吸着系のクロスオーバー現象
阪大院工，阪大院理^A　南谷英美，中西寛，Wilson Agerico Dino^A，笠井秀明

7
吸着子によるIn/Si(111)原子ワイヤ列の電荷密度波の位相変調
物材機構　劉燦華，内橋隆，中山知信

8
Si(111)√3×√3-Agの表面電子状態における原子ステップの効果の研究
農工大工^A，JST-CREST^B，奈良先端大^C　矢澤博之^A，箕田弘喜^A，B，森田誠^C，武田さくら^C，大門寛^C

9
表面定在波のエネルギー依存性と次元性
お茶大理　小林功佳

10
金属表面上ステップのSTM画像およびSTSの解析
埼工大院　光岡重徳，田村明
30日　TE会場　30pTE　13:30～16:15

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ


1
金属被覆CNT探針を用いたダマシン銅ワイヤのナノメーター電気伝導測定
東大理，東大物性研^A，東大工^B　東野剛之，北岡佑介，吉本真也^A，平原徹，大場隆之^B，長谷川修司

2
金属被覆CNT探針を用いたFeSi₂ナノワイヤの四端子電気伝導測定
東大理　北岡佑介，東野剛之，平原徹，長谷川修司

3
シリコン－カーボン共有結合性有機単分子膜によるシリコンナノワイヤーの電気特性制御
阪大院基礎工，ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構^A　梶原薫，荒正人^A，夛田博一

4
C₁₀H_n@SWNT (n = 0，1，2) の第一原理計算：その安定性と内包メカニズムについて
横国大工^A，Accelrys K.K.^B　桑原理一^A，森里嗣生^B，石井聡^A，大野かおる^A

5
カーボンナノチューブ表面への水素の物理吸着
東大生研，東北大院環境^A　岩田晋弥，小倉正平，李相吉，岡野達雄，福谷克之，佐藤義倫^A，田路和幸^A
休憩　（14:45～15:00)

6
架橋系の電気伝導度とフリーデルの総和則
兵庫県大院物質理　小谷祐介，島信幸，馬越健次

7
銀ナノ接点のヤング率
筑波大院数理　増田秀樹，木塚徳志

8
その場電子顕微鏡法による金ナノ接点の電流－電圧特性の解析
筑波大院数理　松田知子，木塚徳志

9
金(111)電極局所仕事関数計測におけるバイアス依存性
東工大院総理工^A，JSTさきがけ^B，東工大院理工^C　大島義文^A，B，久留井慶彦^C

10
金[110]ナノワイヤのバリスティック伝導
東工大院理工^A，東工大総理工^B，日立機械研^C，JST- PREST^D，JST-CREST^E　久留井慶彦^A，大島義文^B，D，岡本政邦^C，高柳邦夫^A，E