27日　YF会場　27aYF　9:30〜12:00

領域7
金属含有有機導体，MX系等

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1

価数転換を示すビフェロセンTCNQ系錯体のスピン状態
神戸大研究基盤セ，神戸大院理^A，神戸大分子フォトセ^B　櫻井敬博，吉田喬久^A，太田仁^B，持田智行^A

2

DCNQI金属塩のNMRによる電子状態 II
中大理工，首都大理工^A，北大^B，学習院大^C，理研^D　鈴木美香，風間重雄，溝口憲治^A，坂本浩一^A，内藤俊雄^B，開康一^C，高橋利宏^C，加藤礼三^D

3

水素結合ネットワークを有する発光性白金錯体のベイポクロミズム
北大院理　小林厚志，米村翼，加藤昌子

4

ESR法による二元系ハロゲン架橋複核金属錯体におけるカチオン置換効果の観測
名大院工，東北大院理^A　田中久暁，黒田新一，井口弘章^A，高石慎也^A，山下正廣^A

5

梯子型臭素架橋白金錯体における超高速時間分解発光分光
東大物性研，九大院理^A　中尾広行，中嶋誠，北川宏^A，末元徹

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休憩　（10:45〜11:00)

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6

四角柱型MX-Ladder錯体[Pt(en)(bpy)I]₄(NO₃)₈・16H₂Oの合成と物性
九大院理，JST-CREST^A，阪大院基礎工^B，北大院理^C，東大新領域^D　大坪主弥，北川宏^A，若林裕助^B，大原潤^C，山本昌司^C，松崎弘幸^D，岡本博^D

7

四角柱型MX錯体[Pt(en)(bpy)I]₄(NO₃)₈・16H₂Oの白金価数配列
阪大基礎工，九大理^A　若林裕助，大坪主弥^A，北川宏^A

8

4角柱MX錯体の多彩な電子相
北大院理　大原潤，山本昌司

9

沃素架橋白金錯体チューブの光吸収スペクトル解析
北大院理，九大院理^A，東大院新領域^B　山本昌司，大原潤，大坪主弥^A，北川宏^A，岡本博^B

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27日　YG会場　27aYG　9:00〜12:15

領域7
フラーレン

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1

欠陥が入ったフラーレンにおける磁性発現に関する理論的検討
産総研ナノテク　針谷喜久雄

2

電子励起原子移動によるダイマーフラーレン合成の第一原理的研究
阪大基礎工，阪大産研^A　細谷直樹，花岡大輔，草部浩一，森川良忠^A，柳澤将^A，吉田博

3

多重並列孔C₇₀結晶ナノチューブの合成
筑波大工基礎，筑波大院数理^A，物材機構^B　徳峰隆行，藤井純^A，齋藤一真^A，宮澤薫一^B，木塚徳志^A

4

部分的に非晶質化させたフラーレンナノウィスカーの構造観察
物材機構^A，筑波大院^B　加藤良栄^A，斎藤一真^B，宮澤薫一^A

5

立方晶3次元C₆₀ポリマーの構造と電子物性
東工大理　山上雄一郎，斎藤晋

6

3次元C₆₀ポリマーの有限温度ダイナミクス
理研　飯高敏晃

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休憩　（10:30〜10:45)

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7

TDAE-C₆₀の有機強磁性に対する一軸性歪み効果II
首都大理工，産総研^A，Jozef Stefan Inst.^B，防衛大^C，岡大院自然^D　荒木理美，溝口憲治，坂本浩一，川本徹^A，D.Mihailovic^B，A.Omerzu^B，徳本圓^C，神戸高志^D

8

A15相Cs₃C₆₀の電子状態と構造安定性
東工大理，ミネソタ大^A　斎藤晋，是常隆，梅本幸一郎^A

9

Cs₃C₆₀の室温常圧下における光反射率測定
東北大金研，Univ. of Liverpool^A，Univ. of Durham^B　高野琢，A.Y.Ganin^A，高林康裕^B，M.J.Rosseinsky^A，K.Prassides^B，岩佐義宏

10

Na添加フラーレン化合物Na_xC₆₀(2
兵庫県大院物質理　木全希，金澤陽介，平郡諭，^○小林本忠

11

Na_xM_yC₆₀化合物の構造と物性
法政大マイクロナノセ^A，法政大生命科学^B　大波英幸^A，緒方啓典^B

12

Lu₂@C₈₀とLu₂C₂@C₈₀の紫外光電子スペクトル
愛媛大院理工，分子研^A，名大院理^B　宮崎隆文，青木雄祐，徳本頌治，隅井良平^A，沖本治哉^B，梅本久^B，赤池祐彦^B，伊藤靖浩^B，篠原久典^B，日野照純

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27日　YH会場　27aYH　9:00〜11:45

領域7
グラフェン・グラファイト関連

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1

Magnetic Effects of Adsorbed Oxygen on the ESR Line of Nanographite Network
Tokyo Inst. of Tech.　V.L. Joseph Joly，Kazuyuki Takai，Toshiaki Enoki

2

TEM-XESによるゼオライトカーボンの価電子状態の研究 II
東北大多元研　寺内正己，西原洋知，京谷隆

3

鉄触媒を用いた電気接触法によるカーボンナノカプセルの粒径と層構造
筑波大院数理，物材機構^A　藤井純，齋藤一真，加藤良栄^A，宮澤薫一^A，木塚徳志

4

六方晶窒化ホウ素へのLiインターカレーション
東大新領域　住吉篤郎，兵藤宏，木村薫

5

ストロンチウムカーボン化合物の磁気特性
兵庫県大院物質理　平郡諭，木全希，小林本忠

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休憩　（10:15〜10:30)

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6

CaC₆の超伝導ギャップと電子−格子相互作用：高分解能ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B　菅原克明^A，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B

7

グラファイト層間化合物を用いてつくられた多層グラフェンの磁気抵抗
広大先端　深田誠也，高原弘明，八木隆多

8

酸化グラフェン超薄膜の還元と電気伝導特性
東大院理，東大新領域^A，埼玉大院理工^B　小幡誠司，佐藤裕樹^A，白石淳子^A，服部功三^A，吉田雅史^B，上野啓司^B，斉木幸一朗^A

9

グラフェン素子加工プロセスと伝導特性の関係
東北大院理，東北大WPI^A　齊藤達也，野内亮^A，谷垣勝己^A

10

グラフェンナノリボンのキャリアドーピングによる磁性制御
金沢大理工^A，東大生研^B，筑波大計算科セ^C，NECナノエレ研^D　斎藤峯雄^A，B，澤田啓介^A，石井史之^A，岡田晋^C，河合孝純^D

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27日　TB会場　27pTB　13:30〜16:50

領域7シンポジウム
主題：物性解析技術の進歩と物質機能探索の融合を目指して

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1

はじめに
東大新領域　木村薫

2

遺伝的アルゴリズムによる放射光X線回折データを用いた未知構造決定
名大工　西堀英治

3

ナノチューブ試験管を通して見た物質機能
産総研　末永和知

4

収束電子回折法による静電ポテンシャル分布解析:物性との相関
東北大多元研　津田健治

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休憩　（15:05〜15:20)

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5

超高圧を用いた物性解析と機能探索
阪大極限セ　清水克哉

6

パルスμSR測定から見たスピンダイナミクス
理研　渡邊功雄

7

スピン流・スピン圧検出手法の進展
慶大理工・JSTさきがけ　齊藤英治

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27日　YF会場　27pYF　13:30〜17:30

領域7
dmit系，π-d系

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1

三角格子Mott絶縁体Pd(dmit)₂塩の分子内側サイト¹³C-NMR
京大人環，理研^A，東理大理工^B　伊藤哲明，山下和也，小山田明，西山昌秀，前川覚，久保和也^A，加藤礼三^A，田村雅史^B

2

EtMe₃X[Pd(dmit)₂]₂系における相転移の熱的研究(X = P，N，As，Sb)
東邦大^A，東邦大複合物性セ^B，理研^C，JST-CREST^D　高橋宏太朗^A，廣田敬幸^A，嶋雄大^A，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，加藤礼三^C，D

3

二次元三角格子反強磁性体EtMe₃Sb[Pd(dmit)₂]₂のスピン液体状態における熱輸送測定
京大理，理研^A　山下穣，中田宣人，千秋義紀，芝内孝禎，松田祐司，加藤礼三^A

4

圧力下におけるβ'-(Et₂Me₂P)[Pd(dmit)₂]₂の磁気転移II; ¹³C-NMR
学習院大理，理研^A　飯窪秀昭，鷹野芳樹，開康一，高橋利宏，加藤礼三^A

5

S=1/2分子性スピンラダー物質 Ni(dmit)₂の非磁性不純物による微細構造
神戸大院理，神戸大分子フォトセ^A，阪府大院理^B，阪府大ナノ研^C，北大電子研^D　朝倉淳，藤澤真士^A，大久保晋^A，太田仁^A，西原禎文^B，C，芥川智行^D，中村貴義^D，細越裕子^B，C

6

磁性有機導体(Me-3，5-DIP)[Ni(dmit)₂]₂の電子状態の圧力効果
筑波大数理物質^A，物材機構^B，埼玉大理^C，理研^D，CREST^E　硲香織^A，B，山口尚秀^B，木俣基^B，薩川秀隆^B，原田淳之^B，寺嶋太一^B，宇治進也^A，B，高坂洋介^C，E，山本浩史^D，E，加藤礼三^C，D，E

7

ジシアノ鉄フタロシアニン伝導体の強磁場ESR
物材機構^A，筑波大^B，北大理^C　木俣基^A，薩川秀隆^A，山口尚秀^A，寺嶋太一^A，宇治進也^A，B，今中康貴^A，高増正^A，内藤俊雄^C，稲辺保^C

8

PTMA_0.5[Fe (Pc)(CN)₂]・CH₃CN塩の磁気トルク
東大物性研，岡山大理^A，北大理^B　田島裕之，吉田剛介，松田真生，山浦淳一，花咲徳亮^A，内藤俊雄^B，稲辺保^B

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休憩　（15:30〜15:45)

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9

Isingスピンと結合した1/4-filledハバード鎖の電荷秩序相関
兵庫県大物質理，原子力機構播磨^A　大塚雄一，妹尾仁嗣^A

10

π-d系再考
京産大理　堀田知佐

11

λ(BETS)系における常磁性金属−反強磁性絶縁体転移
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，日大文理^C　秋葉宙^A，菅原洋紀^A，安藤洋介^A，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，周彪^C，小林昭子^C，小林速男^C

12

λ-(BETS)₂FeCl₄の金属−絶縁体転移の掃引速度依存性
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，日大文理^C　菅原洋紀^A，秋葉宙^A，安藤洋介^A，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，周彪^C，小林昭子^C，小林速男^C

13

λ-(BETS)₂FeCl₄の磁場誘起超伝導相での垂直磁場効果
物材機構^A，筑波大数理物質^B，日大文理^C　宇治進也^A，B，寺嶋太一^A，木俣基^A，薩川秀隆^A，原田淳之^A，硲香織^A，B，小林昭子^C，H. Cui^C，小林速男^C

14

単一成分分子性導体[M(tmdt)₂] (M=Pt，Ni)の¹H NMR
東大工，日大文理^A　宮川和也，吉村仁秀，鹿野田一司，周彪^A，小林速男^A，小林昭子^A

15

擬一次元有機導体TTM-TTP塩の分子内電荷秩序に対する多軌道効果
名大理　大森有希子，土射津昌久，鈴村順三

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27日　YG会場　27pYG　13:30〜16:15

領域7
中性イオン性転移，導電性高分子

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1

中性イオン性転移物質TTF-QBrCl₃における強誘電性・誘電緩和
ERATO-MF^A，産総研^B，東大工^C，理研CMRG^D　賀川史敬^A，堀内佐智雄^B，小野瀬佳文^A，C，十倉好紀^A，C，D

2

中性−イオン性転移物質TTF-QCl₄の圧力下NQR測定
東大工，分子研^A，東大新領域^B　細田雅之，宮川和也，鹿野田一司，岩瀬文達^A，岡本博^B

3

水素結合型強誘電体Phz-H₂baにおける強誘電転移とプロトン・分子振動ダイナミクス
東大工^A，産総研^B，ERATO-MF^C，東大理^D，理研CMRG^E　藤岡淳^A，堀内佐智雄^B，貴田徳明^C，島野亮^C，D，十倉好紀^{A，B，C，E}

4

電荷移動型有機錯体系におけるNI転移の量子モンテカルロ計算による研究
東大理，東大物性研^A　田村徳崇，加藤岳生^A

5

導電性高分子界面における超高速エキシトン電荷分離
東北大原子分子材料　田村宏之

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休憩　（14:45〜15:00)

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6

取　　消

7

立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体における光電流の光強度依存−PCBM濃度とアニール効果
名大院工　西川裕貴，鈴木章充，田中久暁，伊東裕，黒田新一

8

有機ラジカル二次電池の反応機構の解明
首都大理工，中大理工^A，京大工^B，村田製作所^C　林泰之，坂本浩一，溝口憲治，寺倉史晃^A，風間重雄^A，森田竜平^B，増田俊夫^B，芥川奈緒^C，佐藤正春^C

9

金属をドープしたDNAの電子状態の湿度依存性III
首都大理工，東北大^A　永鳥舞，溝口憲治，坂本浩一，尾島雅也，圓谷淳，柴田譲，松井広志^A

10

金属イオンをドープしたDNAの赤外分光測定
東北大院理^A，首都大理工^B　松井広志^A，永鳥舞^B，坂本浩一^B，溝口憲治^B，豊田直樹^A

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27日　YH会場　27pYH　13:30〜17:00

領域4，領域7合同
グラフェン量子効果

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1

Contact resistance in graphene-based devices
Dept. of Applied Phys.，The Univ. of Tokyo　Saverio Russo，^○Monica F. Craciun，Michihisa Yamamoto，Seigo Tarucha

2

Shot nosie in graphene based devices
The Univ. of Tokyo　Saverio Russo，Michihisa Yamamoto，Monica Craciun，Seigo Tarucha

3

グラフェンにおける伝導度ゆらぎの解析
千葉大院融合^A，千葉大工^B，ニューヨーク州立大電子工^C　氏家洋平^A，本岡正太郎^B，青木伸之^A，J.P.バード^C，落合勇一^A

4

グラファイト中のグラフェン磁気キャパシタンス振動
千葉大院理　吉田高英，音賢一

5

グラフェン量子ドットの単一電子輸送特性
物材機構，理研^A　森山悟士，津谷大樹，渡辺英一郎，森貴洋^A，山口智弘^A，石橋幸治^A，宇治進也

6

単層グラフェンのテラヘルツ電磁波応答
理研，JSTさきがけ^A　河野行雄^A，石橋幸治

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休憩　（15:00〜15:15)

---

7

磁場中honeycomb latticeにおけるゼロモード，ギャップ，量子ホール効果
東大物性研　江崎健太，佐藤昌利，甲元眞人

8

ドープされたZ₂トポロジカル絶縁体におけるクライン・トンネリングとアンドレーエフ反射
東北大理　井村健一郎，倉本義夫

9

スピン軌道相互作用のあるグラフェンにおける量子伝導現象
名大工　加藤貴志，大成誠一郎，井上順一郎

10

強磁場中のグラフェン量子ホール効果におけるランダムネスのレンジの効果
東邦大理，筑波大物理^A，東大理^B　河原林透，初貝安弘^A，青木秀夫^B

11

Anomalous quantum Hall steps in biased bilayer graphene
Max Planck Inst. PKS^A，Univ. do Porto^B　中村正明^A，Balazs Dora^A，Eduardo V. Castro^B

12

二層グラフェンにおける量子ホール強磁性
東北大理^A，NHMFL^B，シェルブルック大^C，テキサス大^D　野村健太郎^A，Yafis Barlas^B，Rene Cote^C，Allan H. MacDonald^D

13

単層および二層グラフェンにおける分数量子ホール状態の階層構造
東北大理　柴田尚和，野村健太郎

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28日　YF会場　28aYF　9:00〜12:30

領域7
κ-ET系

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1

κ-(MDT-TTF)₂AuI₂とκ-(BEDT-TTF)₂Xの物性比較
埼玉大院理　谷口亜梨早，眞鍋葉子，谷口弘三，佐藤一彦

2

κ-(d[4,4];BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Brの¹³C-NMRによる磁性研究
東大工^A，CREST^B，ERATO^C　古川哲也^A，黒崎洋輔^A，羽柴寛^A，賀川史敬^A，C，宮川和也^A，B，鹿野田一司^A，B

3

κ-(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃におけるT*近傍での静磁化測定
東北大金研^A，JST-CREST^B　米山直樹^A，B，佐々木孝彦^A，B，小林典男^A

4

BEDT-TTF系有機導体へのエックス線照射効果
東北大金研^A，JST-CREST^B　佐々木孝彦^A，B，米山直樹^A，B，小林典男^A

5

エックス線照射したモット系有機導体におけるホール効果測定
東北大金研，JST-CREST^A　佐野康一郎，米山直樹^A，佐々木孝彦^A，小林典男

6

κ-ET塩におけるモット絶縁相と電荷秩序相の競合
京大院理，阪大極限セ^A，名城大^B，京大低物セ^C，レンヌ大^D，阪市大院理^E，分子研^F　前里光彦，安藤慎一郎，坂田雅文^A，吉田幸大^B，矢持秀起^C，齋藤軍治^B，Lahcene Ouahab^D，瀬能夕貴^E，村田惠三^E，売市幹大^F，薬師久弥^F

7

β'-(BEDT-TTF)₂ICl₂の圧力下μSR II
埼玉大院理工^A，原子力機構先端研^B，コロンビア大^C，TRIUMF^D　佐藤功一^A，谷口弘三^A，佐藤一彦^A，伊藤孝^B，髭本亘^B，後神達郎^C，D

---

休憩　（10:45〜11:00)

---

8

κ-(BEDT-TTF)₂Cu(NCS)₂および κ-(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃の第一原理有効模型
東大工^A，東大理^B，東大物性研^C，CREST-JST^D　中村和磨^A，D，小杉太一^B，吉本芳英^C，有田亮太郎^A，D，今田正俊^A，D

9

異方的三角格子スピン系の変分モンテカルロ計算II
東大理　林勇太，小形正男

10

三角格子モット絶縁体にドープされた系，κ-(ET)₄Hg_2.89Br₈，における圧力下非接触電気抵抗測定
東大工，埼玉大理^A，阪市大院理^B　大池広志，宮川和也，鹿野田一司，谷口弘三^A，村田惠三^B

11

ドープ型有機伝導体κ-(BEDT-TTF)₄Hg_2.78Cl₈の圧力下ホール効果
埼玉大，理研^A　田村圭，谷口弘三，佐藤一彦，田嶋尚也^A，加藤礼三^A

12

κ-(BEDT-TTF)₄Hg_2.78Cl₈の圧力下交流磁化率測定
埼大院理工，埼玉大理^A　渡辺純也，佐藤秀之^A，田村圭，谷口弘三，佐藤一彦

13

κ型ET塩に対する静電キャリアドーピングII
埼玉大理工^A，理研^B，産総研^C　川椙義高^A，B，山本浩史^B，田嶋尚也^B，福永武男^B，塚越一仁^C，加藤礼三^A，B

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28日　YG会場　28aYG　9:00〜12:00

領域7
ゼオライト

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1

μSRで見たソーダライト中のアルカリ金属クラスターの反強磁性秩序
阪大理，理研^A，PSI^B，ISIS^C　中野岳仁，末廣龍一，花澤宏文，渡邊功雄^A，鈴木栄男^A，川股隆行^A，A. Amato^B，F.L. Pratt^C，野末泰夫

2

アルカリ金属を吸着したソダライトのNMR(II)
群馬高専，阪大理^A，物材機構^B　五十嵐睦夫，中野岳仁^A，後藤敦^B，端健二郎^B，清水禎^B，野末泰夫^A

3

ゼオライトLSX中のNa-Kクラスターのフェリ磁性VI
阪大理　Duong Thi Hanh，中野岳仁，野末泰夫

4

Kクラスターを吸蔵したゼオライトLTAの第一原理電子構造計算
東大理，東大工^A　野原善郎，中村和磨^A，有田亮太郎^A

5

ヨウ素挿入ゼオライトの電気伝導度測定
東洋大工　井上徹人，和田昇

6

カリウムを吸蔵したゼオライトLSXの電気伝導特性(II)
阪大理　荒木新吾，大脇章弘，Nguyen Hoang Nam，野末泰夫

7

アルカリ金属を吸蔵したゼオライトAの電気伝導度
阪大理　Nguyen Hoang Nam，久保洋輔，大脇章弘，Truong Cong Duan，荒木新吾，野末泰夫

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休憩　（10:45〜11:00)

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8

結晶水制御したシアノ錯体の電子密度レベルでの構造変化
JASRI/SPring8^A，RIKEN/SPring8^B，筑波大数理^C　金廷恩^A，加藤健一^B，高田昌樹^B，柴田恭幸^C，守友浩^C

9

Co-Feシアノ錯体の構造のカチオン濃度依存性
筑波大院数理^A，JASRI/SPring-8^B　五十嵐一泰^A，松田智行^A，金廷恩^B，守友浩^A

10

プルシアンブルー界面を利用した電圧誘起磁性制御
筑波大院数理　柴田恭幸，五十嵐一泰，守友浩

11

プルシアンブルー格子の熱応答のスケール則
筑波大数理，JASRI/SPring-8^A，東北大金研^B　松田智行，金延恩^A，大山研司^B，守友浩

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28日　YH会場　28aYH　9:00〜11:45

領域7，領域9合同
グラフェン構造・表面物性

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1

Pt-グラフェン間の相互作用に対する欠陥や添加物の効果
阪大工，阪大産研^A，産総研^B　岡崎一行，森川良忠^A，田中真悟^B，香山正憲^B

2

傾斜SiC表面上のグラフェン形成機構
九大院工，九大院総理工^A，東大物性研^B，NTT基礎研^C　田中悟，森田康平，林賢二郎^A，水野清義^A，小森文夫^B，中辻寛^B，日比野浩樹^C

3

SiC表面分解グラフェンにおける界面の構造
名大エコ研，JFCC　乗松航，楠美智子

4

球面収差補正TEM及びEELSによるグラフェンの研究
東工大院理工^A，CREST-JST^B　安部悠介^A，田中崇之^A，B，高柳邦夫^A，B

5

TEM回折法によるグラフェン格子定数の決定
産総研エレ，産総研エネルギー半導体エレ^A　岩田康嗣，富田かな子，松畑洋文^A

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休憩　（10:15〜10:30)

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6

単層および多層グラフェンの作成と高分解能ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B　伊勢一樹^A，菅原克明^A，高山あかり^A，相馬清吾^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B

7

剥離グラフェン薄膜の局所電子状態
高エ研，物材機構MANA^A，東大物性研^B，JASRI^C，JST-CREST^D　小野寛太，小谷佳範，長田実^A，D，谷内敏之^B，小嗣真人^C，渡辺義夫^C，佐々木高義^A，D

8

数層グラフェン電子状態のSTMによる研究
東大物性研，九大院工^A，九大院総理工^B　中辻寛，新倉涼太，柴田祐樹，森田康平^A，水野清義^B，田中悟^A，^○小森文夫

9

グラファイト超薄膜FETにおける輸送特性への気体吸着効果
東工大理工　佐藤慶明，高井和之，榎敏明

10

アルゴンクラスターとグラフェンの衝突シミュレーション
兵庫県立大　乾徳夫，持地広造，盛谷浩右

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28日　TB会場　28pTB　13:30〜17:00

領域7シンポジウム
主題：界面パイ電子系の物理と有機トランジスタ（Physics of low-dimensional pi-electron systems at interfaces and their functions for organic transistors）

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1

はじめに
阪大院理　竹谷純一

2

有機半導体研究の温故知新
九大院　筒井哲夫

3

Mechanisms of conduction at organic interfaces
University of Geneva　MorpurgoAlberto

4

有機モットFETの新展開
理研　山本浩史

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休憩　（15:15〜15:30)

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5

強電界におけるグラフェンのバンドギャップ
産総研ナノテクノロジー　塚越一仁

6

有機トランジスタにおける界面キャリヤ輸送
産総研光技術　長谷川達生

7

電気2重層トランジスタと電界誘起超伝導
東北大金研　岩佐義宏

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28日　VD会場　28pVD　13:30〜16:15

領域5，領域7合同
光誘起相転移

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1

三角格子ダイマーモット型絶縁体κ-(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃における超高速光応答
東北大院理^A，JST-CREST^B，東北大金研^C　川上洋平^A，三浦雅樹^A，深津猛^A，岩井伸一郎^A，B，米山直樹^C，佐々木孝彦^B，C，小林典男^C

2

(TMTSF)₂PF₆スピン密度波相の光融解ダイナミクス
東大理，東大院総合^A　渡邉紳一，近藤隆祐^A，鹿児島誠一^A，島野亮

3

有機電荷移動錯体(EDO-TTF)₂XF₆(X=P，As，Sb) における光誘起状態の時間分解赤外分光
京大院理^A，京大iCeMS^B，京大低物セ^C　林優二郎^A，篠北啓介^A，広理英基^B，邵向鋒^C，中野義明^B，C，村田剛志^B，C，矢持秀起^C，田中耕一郎^A，B

4

2次元電荷秩序系における超高速光誘起ドメイン形成
物構研　岩野薫

5

2次元有機導体における光誘起ダイナミクス
東北大金研^A，分子研^B，総研大^C　宮下哲^A，B，田中康寛^B，米満賢治^B，C

6

有機1次元モット絶縁体における光キャリアの超高速ダイナミクス：電子格子相互作用の効果
東大院新領域^A，産総研^B，JST，CREST^C　上村紘崇^A，松崎弘幸^A，高橋幸裕^B，長谷川達生^B，岡本博^A，B，C

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休憩　（15:00〜15:15)

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7

15 fs パルスを用いた一次元PtI錯体の光誘起電荷密度波−モットハバード相転移の研究
東大院新領域^A，東北大院理^B，JST-CREST^C　太田康公^A，上村紘崇^A，松崎弘幸^A，高石慎也^B，山下正廣^B，C，岡本博^A，C

8

π共役性光捕集アンテナを有するデンドリマーの高速エネルギー伝達II
熊大衝撃セ，阪市大院理^A，信州大繊維^B　赤井一郎，宮成邦明，島本知茂，藤井淳浩，鐘本勝一^A，唐沢力^A，橋本秀樹^A，木村睦^B

9

化学ドープしたポリチオフェンのZ-scan法による非線形感受率スペクトル
名大院工　日比野健一，岸田英夫，中村新男

10

ポリチオフェン薄膜における直流電圧印加下の電場変調分光
名大院工，東工大資源研^A　近藤明裕，岸田英夫，中村新男，飯島孝幸^A，佐藤貴夫^A，山本隆一^A

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28日　YF会場　28pYF　13:30〜17:15

領域7
TMTSF/TMTTF系

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1

HMTSF-TCNQの8GPaまでの高圧下電子相
阪市大院理，Univ. de Paris-sud^A，Copenhagen Univ.^B　瀬能夕貴，村田惠三，Natarajan Rani Tamilselvan，吉野治一，Denis Jerome^A，Pascale Senzier，Klaus Bechgaard^B

2

擬一次元超伝導体(TMTSF)₂ClO₄の高磁場超伝導状態における磁場角度効果
京大院理，Univ. Paris-Sud (フランス)^A，Univ. of Copenhagen(デンマーク)^B　米澤進吾，草場壽一，P. Auban-Senzier^A，C. Pasquier^A，前野悦輝，K. Bechgaard^C，D. Jerome^A

3

(TMTSF)₂ClO₄の超伝導状態の解明
物材機構，兵庫県大^A　薩川秀隆，木俣基，原田淳之，寺嶋太一，宇治進也，山田順一^A

4

擬1次元有機導体(TMTSF)₂ClO₄におけるトリプレット超伝導
名大院理，名大高等院^A　水野佑亮，小林晃人^A，鈴村順三

5

擬1次元有機導体におけるシングレットおよびトリプレット超伝導状態の競合
名大理，Univ. de Sherbrooke^A　梶原和人，土射津昌久，鈴村順三，C. Bourbonnais^A

6

2鎖ハバード模型のハーフフィリング近傍における基底状態および低エネルギー励起の解析：位相ハミルトニアンに対する変分法
東北大金研　横山健

7

(TMTSF)₂ClO₄の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定とホール効果II
東大物性研　鴻池貴子，内田和人，長田俊人

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休憩　（15:15〜15:30)

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8

(TMTSF)₂ClO₄の磁場誘起スピン密度波と陰イオン整列
熊本大教育，兵庫県大物質理^A　岸木敬太，長谷川泰正^A

9

(TMTTF)₂Xの電荷秩序温度近傍での熱的性質と転移温度に対する異方的圧力効果
東電大工，北大工^A，北大理^B　長澤光晴，長澤時子，市村晃一^A，野村一成^B

10

(TMTTF)₂SbF₆の異方伝導特性と圧力効果
青学大^A，理研^B，東大物性研^C，琉球大^D，分子研^E　糸井充穂^A，北野晴久^A，石井康之^B，松林和幸^C，上床美也^C，辺土正人^D，中村敏和^E

11

(TMTTF)₂SbF₆の高圧下電子物性
分子研^A，総研大^B　岩瀬文達^A，杉浦晃一^B，古川貢^A，B，中村敏和^A，B

12

(TMTTF)₂TaF₆のNMR測定
分子研^A，総研大^B　岩瀬文達^A，杉浦晃一^B，古川貢^A，B，中村敏和^A，B

13

1次元系有機伝導体(DMEDO-TTF)₂AsF₆の相転移
東工大院理工^A　白鳥啓太，白旗崇^A，川本正^A，森健彦^A

14

有機導体(CHTM-TTP)₂TCNQの赤外分光
京大院理^A，京大iCeMS^B，愛媛大院理工^C　鈴木達也^A，毛利真一郎^B，御崎洋二^C，田中耕一郎^B，石津謙一^C，白旗崇^C

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28日　YG会場　28pYG　13:30〜17:00

領域7
クラスレート・高圧

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1

クラスレート化合物Ba₈Ga₁₆Sn₃₀のGa-NMRによる研究 II
神戸大院理，広大先端研^A　園田寛智，小手川恒，藤秀樹，末國晃一郎^A，高畠敏郎^A

2

銀酸化物クラスレートAg₆O₈AgX(X=NO₃，HF₂)のNMR II
阪大院基礎工，青学大理工^A　成輪啓史，金武史弥，椋田秀和，北岡良雄，川島健司^A，石井勝^A，秋光純^A

3

クラスレート化合物Sr₈Ga₁₆Si_30-xGe_xの弾性率
広島大院先端物質，新潟大自然^A　鈴木孝至，岡田千佳，藤田貴弘，石井勲^A，末國晃一郎，M.A.Avila，高畠敏郎

4

SiクラスレートBa₈Si₄₆の生成過程のその場観察
物材機構，高エネ研^A　今井基晴，亀卦川卓美^A

5

高圧力下における構造I型Ge系クラスレートの粉末X線回折およびラマン散乱
岐阜大工，京都大院^B，SPring8/JASRI^C　久米徹二，大野聡，矢嶋一平，佐々木重雄，清水宏晏，岡本範彦^B，田中克志^B，乾晴行^B，大石泰生^C

6

I型クラスレートSr₈Al₁₁Si₃₅単結晶の熱電物性
広大院先端物質^A，広大先進セ^B　末國晃一郎^A，間野覚文^A，高畠敏郎^A，B

7

クラスレートK₈Ga₈Sn₃₈単結晶の熱電・格子物性
広大院先端，広大先進セ^A，広大院工^B　田中智雄，鬼丸孝博，末國晃一郎，高畠敏郎^A，福岡宏^B，山中昭司^B

8

シリコンクラスレートにおける比熱の時間依存性について
東北大院理，Univ. of Lyon^A　佐藤一実，綿引正倫，松岡英一，Alfonso San Miguel^A，谷垣勝己

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休憩　（15:30〜15:45)

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9

Structure study of Layered SrAl₂Ge₂ Alloy
Dept. of Phys.，Grad. Sch. of Sci. Tohoku Univ.　Jun Tang，Jing Ju，Zhaofei Li，Ryotaro Kumashiro，Kazumi Sato，Masanori Watahiki，Katsumi Tanigaki

10

ダイヤモンド分子の単結晶育成と基礎物性
東工大応セラ研，Molecular Diamond Technologies^A，Stanford Univ.^B　岩佐昭生，J.E. Dahl^A，R.M.K. Carlson^A，Z.-X. Shen^B，笹川崇男

11

リン，ハロゲン，カルコゲン高圧固体における変調構造，電荷密度波と超伝導
阪大基礎工，愛媛大理^A，関大システム理工^B　長柄一誠，石河孝洋^A，草部浩一，鈴木直^B

12

高圧力下におけるXeハイドレートsI相の弾性的性質
岐阜大工　佐々木重雄，丹羽一朗，久米徹二，清水宏晏

13

CsCl構造CaNの構造安定性
阪大ナノ機構，阪大院基礎工^A　下司雅章，長柄一誠^A

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28日　YH会場　28pYH　13:30〜17:15

領域7
グラフェン電子物性

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1

グラフェンナノリボンの電子伝導特性におけるエッジ乱れの効果
広大院先端物質^A，JSTさきがけ^B　若林克法^A，B，山本真幸^A

2

乱れのあるアームチェアナノリボンにおける特異なシングルチャネル伝導
広大院先端研^A，JSTさきがけ^B　山本真幸^A，高根美武^A，若林克法^A，B

3

ナノグラフェンの電子輸送物性
東工大院理工　西村康寛，高井和之，榎敏明

4

AFMリソグラフィーにより作製したグラフェンナノリボンの量子輸送特性
東大生産研^A，東大ナノ量子機構^B　小野雅司^A，増渕覚^A，吉田健治^A，平川一彦^A，B，町田友樹^A，B

5

ジグザグ端グラフェンリボンを介した直流ジョセフソン効果
早大先進理工　中林淳，栗原進

6

グラフェンナノリボンにおけるスピン偏極した電気伝導
名大理　熊崎秀樹，平島大

7

アームチェア・ナノグラファイトリボンにおける平坦バンド遍歴強磁性
Nat'l Tsing-Hua Univ.，北大理^A，Academia Sinica^B，物材機構^C　Hsiu-Hau Lin，^○引原俊哉^A，Horng-Tay Jeng^B，Bor-Luen Huang，Chung-Yu Mou，胡暁^C

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休憩　（15:15〜15:30)

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8

グラフェン端近傍における局所電子構造の高分解能測定
東工大院理工　酒井謙一，高井和之，福井賢一，榎敏明

9

ナノグラフェン接合系の電気伝導
奈良女大院人間文化　望月よね子，吉岡英生

10

グラフェン電界効果型トランジスタの金属電極接合効果
東北大WPI，東北大院理^A　野内亮，齊藤達也^A，谷垣勝己

11

単層グラフェンの低温磁場中電気伝導
広大先端^A，広大総合科^B　八木隆多^A，高原弘明^A，深田誠也^A，荻田典男^B，宇田川真行^B

12

グラフェン上のサイクロトロン共鳴に対する多体効果
阪大理，東工大院理工^A　浅野建一，安藤恒也^A

13

多層グラフェンの電気伝導における電界効果
東工大理，Lancaster Univ.^A　越野幹人，Edward McCann^A

14

1層から3層グラフェンにおける伝導のゲート電圧依存性
広島大先端物質^A，広島大総合科^B　高原弘明^A，深田誠也^A，荻田典男^B，宇田川眞行^B，八木隆多^A

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29日　YF会場　29pYF　13:30〜17:45

領域7
α-ET系，輸送現象

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1

α-(BEDT-TTF)₂I₃の金属絶縁体転移に伴う電荷移動の直接観測
理研　吉田芙美子，加藤健一，高田昌樹

2

Dielectric Properties of Organic Conductor α-(BEDT-TTF)₂I₃
RIKEN　Mohamad M. Ahmad，Naoya Tajima，Reizo Kato

3

α-(BEDT-TTF)₂I₃の非線形伝導と巨大磁気抵抗
東大物性研^A，東邦大^B，分子研^C　森英一^A，B，浅野友徳^A，新関彰一^A，高橋一志^A，森初果^A，西尾豊^B，梶田晃示^B，山本薫^C，薬師久弥^C

4

α-(BEDT-TTF)₂I₃の非線形伝導と自発電圧振動
東工大院理工　田村幸三，大澤辰彦，坂東祥匡，川本正，森健彦

5

α-(BEDT-TTF)₂CsCd(SCN)₄の構造物性
東大院総合文化，高エネ研^A，名大理^B　近藤隆祐，鹿児島誠一，中尾朗子^A，澤博^B

6

有機ゼロギャップ電子系におけるゼロモード効果II
理研，東大物性研^A，東邦大理^B　田嶋尚也，菅原滋晴^A，加藤礼三，西尾豊^B，梶田晃示^B

7

ゼロギャップ電気伝導体α-(BEDT-TTF)₂I₃の層間ホール効果
東邦大理，東邦大複合物セ，東大物性研^A，理研^B，阪市大院理^C　佐藤光幸，三浦克哉，西尾豊，梶田晃示，菅原滋晴^A，田嶋尚也^B，加藤礼三^B，村田惠三^C

8

α型ET₂I₃の類似系物質のNMR II
学習院大理，理研^A，北大創成^B　荒井健一，鷹野芳樹，開康一，原田史朗，高橋利宏，田嶋尚也^A，加藤礼三^A，内藤俊雄^B

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休憩　（15:30〜15:45)

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9

α-(BEDT-TTF)₂I₃系の面間磁気抵抗理論
京大基研　森成隆夫，樋村隆弘，遠山貴巳

10

α-(BEDT-TTF)₂I₃のゼロギャップ状態における動的誘電応答−Diracコーンの傾きの効果
名大理，名大高等院^A　西根達郎，小林晃人^A，鈴村順三

11

α-(BEDT-TTF)₂I₃のゼロギャップ状態における磁場下での電子間斥力の効果
名大高等院，名大理^A，東理大理^B　小林晃人，鈴村順三^A，福山秀敏^B

12

α-(BEDT-TTF)₂KHg(SCN)₄における電場磁場下電気伝導
東大物性研　熊谷篤，鴻池貴子，内田和人，長田俊人

13

ゼロギャップ状態を持ついくつかのバンド構造
東工大院理工　森健彦

14

有機伝導体における角度依存磁気抵抗効果とフェルミ面
東邦大理^A，東邦大複物セ^B，日大文理^C　森慶祐^A，鈴木勝博^A，佐藤光幸^A，B，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，小林速男^C

15

τ型有機導体の熱電性能指数Z
阪市大院理，理論・物理化学研(ギリシャ)^A　吉野治一，森本旭紘，G.C. Papavassiliou^A，村田惠三

16

β型有機超伝導体における一軸性圧縮効果
名大工　鈴木丈夫，大成誠一郎，丹羽政文，伊東裕，田仲由喜夫

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29日　YG会場　29pYG　13:30〜18:00

領域7，領域8合同
界面デバイス

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1

Differential Capacitance of the Electric Double Layer in Ionic Liquids: Influence of Potential，Ion Size and Temperature
東北大金研^A，CREST-JST^B　袁洪涛^A，B，^○下谷秀和^A，B，H. Aliah^A，岩佐義宏^A，B

2

Water Effect and Proton Enhanced ZnO Electric-Double-Layer Transistors by Ionic-Liquid Gating
IMR Tohoku Univ.^A，CREST-JST^B，WPI-AIMR Tohoku Univ.^C　H.T. Yuan^A，B，H. Shimotani^A，B，A. Ohtomo^A，A. Tsukazaki^A，M. Kawasaki^B，C，Y. Iwasa^A，B

3

電気化学的手法によるYBa₂Cu₃O_y膜のキャリア制御−電子系・ホール系の特性比較
東北大金研　野島勉，多田大樹，中村慎太郎，下谷秀和，岩佐義宏，小林典男

4

バイアス電圧下の強相関電子系における非平衡超伝導の理論
東大理　岡隆史，青木秀夫

5

イオン液体を用いた有機FETにおける固体／液体界面の研究
電中研，阪大院理^A　小野新平，三輪一元，関志朗，竹谷純一^A

6

アルカリドープ芳香族多環縮合炭化水素化合物の超伝導
岡山大院自然，北陸先端大^A，首都大東京^B　三橋了爾，^○久保園芳博，神戸高志，池田直，太田洋平，山成悠介，鈴木雄太，藤原明比古^A，真庭豊^B

7

絶縁膜界面ならびに電極界面の修飾によるピセンFETデバイスの特性変化
岡山大理，JAIST^A　李雪松，川崎菜穂子，三橋了爾，久保園芳博，藤原明比古^A

8

仕事関数の異なる種々の金属ならびに導電性高分子をソース・ドレイン電極とするピセン薄膜FETの特性
岡山大院自然，北陸先端大^A　川崎菜穂子，三橋了爾，加地由美子，久保園芳博，藤原明比古^A

---

休憩　（15:30〜15:45)

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9

C₆₀FETにおけるチャンネルへのキャリア注入
北陸先端大，岡山大自然^A　藤原明比古，末清雅人，仕幸英治，久保園芳博^A

10

伝導性高分子電極を用いた有機薄膜FETの特性
岡山大理，北陸先端大^A　加地由美子，久保園芳博，川崎菜穂子，藤原明比古^A

11

C₆₀/ピセンpnヘテロ接合の形成と光照射効果
岡山大院自然，北陸先端大^A　河相暢幸，久保園芳博，三橋了爾，李雪松，川崎菜穂子，黒田朋子，永田知子，山成悠介，鈴木雄太，真栄田大介，早川弘毅，神戸高志，池田直，藤原明比古^A

12

有機単結晶トランジスタにおける第二ゲート変調を用いた接触抵抗の低減効果
阪大院理^A，大阪府立産技研^B，JST-さきがけ^C　植村隆文^A，中山健吾^A，山岸正和^A，富成征弘^A，宇野真由美^A，B，竹谷純一^A，C

13

有機半導体単結晶の表面キャリアドープ層と金属電極の界面接触抵抗とその電界効果
阪大院理　山岸正和，富成征弘，西川尚男，岡田悠悟，中山健吾，植村隆文，竹谷純一

14

低電圧駆動有機単結晶トランジスタ
阪大理　西川尚男，富成征弘，竹谷純一

15

有機導体薄膜結晶の伝導測定
青学大理工　小林夏野，内田直樹，熊谷淳，坂本大樹，石倉広大，三井敏之

16

有機薄膜成長における電極付近のイオン挙動
青学大理工　石倉広大，内田直樹，熊谷淳，小林夏野，三井敏之

17

走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの注入障壁の局所評価
千葉大院融合　青木伸之，松埼一孝，矢萩達朗，須藤公平，落合勇一

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29日　YH会場　29pYH　13:30〜17:30

領域7
ナノチューブ電子物性

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1

単層カーボンナノチューブに内包された酸素の第一原理電子状態計算
首都大理工^A，CREST-JST^B，RIST^C　原田啓太郎^A，花見圭一^A，松田和之^A，真庭豊^A，B，手島正吾^A，中村壽^A

2

単層カーボンナノチューブにおける¹³C-NMR測定
Univ. Paris-Sud，Budapest Univ. of Tec. Eco.^A　井原慶彦，Pawel Wzietek，Henri Alloul，Ferenc Simon^A

3

カーボンナノチューブ伝導でのフォノン効果の計算−拡散領域・バリスティック領域と位相緩和−
産総研^A，CEA/グルノーブル^B，筑波大物工^C，NECナノエレ研^D　石井宏幸^A，C，Stephan Roche^B，小林伸彦^C，広瀬賢二^D

4

金属的ナノチューブにおけるフォノンのソフト化
広島大先端研，東北大理^A，MIT^B　佐々木健一，齋藤理一郎^A，Hootan Farhat^B，Mildred Dresselhaus^B，Jing Kong^B

5

MWNT磁気抵抗の磁場角度依存性II
千葉大院融合，Univ. at Buffalo^A　木田理夫，^○富樫祐子，中村義英，羽鳥哲矢，青木伸之，落合勇一，J.P.Bird^A

6

金属・半導体ナノチューブの磁気伝導特性
東北大金研，産総研ナノテク^A，CREST-JST^B　大島勇吾，竹延大志，柳和宏^A，B，宮田耕充^A，片浦弘道^A，B，岩佐義宏，野尻浩之

7

温度勾配をもつカーボンナノチューブにおける質量輸送
東理大理，Inst. de Ciencia de Materials de Barcelona^A　志賀拓麿，西村史生，高橋徹，Eduardo R.Hernandez^A，渡辺一之

8

非平衡分子動力学法によるピーポッドと多層カーボンナノチューブの熱伝導度計算
東理大理，東大工^A　西村史生，高橋徹，渡辺一之，山本貴博^A

9

第一原理計算によるカーボンナノチューブの熱伝導率III
産総研　伏木誠，石橋章司

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休憩　（15:45〜16:00)

---

10

カーボンナノチューブの仕事関数II
東工大理　加藤幸一郎，斎藤晋

11

窒素ドープ多層カーボンナノチューブの低温磁気伝導
千葉大院融合　羽鳥哲矢，木田理夫，中村義英，富樫祐子，清野篤郎，青木伸之，落合勇一

12

単層カーボンナノチューブ内の電子移動における置換型不純物の影響
成蹊大理工　坂本昇一，露木大祥，富谷光良

13

マイクロ波プラズマCVDによるボロンドープCNTの合成と特性評価
物材機構^A，筑波大院数物^B，名大量子工^C　渡邊徹^A，B，石井聡^C，津田俊輔^A，山口尚秀^A，高野義彦^A，B

14

ボロンドープ単層ナノチューブ薄膜の磁化特性：マイスナー効果と圧力
青学大理工^A，東大物性研^B，クレムソン大^C　中村仁^A，松平将治^A，伊藤俊輔^A，春山純志^A，B，江口豊明^B，西尾隆宏^B，長谷川幸雄^B，J.Reppert^C，A.M.Rao^C

15

ボロンドープ単層ナノチューブFETの電気特性：超伝導との相関
青学大理工^A，東大物性研^B，クレムソン大^C　清水台生^A，瀬谷謙太^A，岩原正典^A，春山純志^A，B，佐野浩孝^B，家泰弘^B，江口豊明^B，西尾隆宏^B，長谷川幸雄^B，J.Reppert^C，A.M.Rao^C

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30日　YF会場　30aYF　9:30〜12:30

領域7
θ-ET系等，電荷秩序，非線形伝導

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1

θ-(BEDT-TTF)₂I₃の¹³C-NMR
東大工^A，東理大理工^B　平田倫啓^A，宮川和也^A，田村雅史^B，鹿野田一司^A

2

θ-(BEDT-TTF)₂MZn(SCN)₄ (M=Cs,Rb)の低温電荷秩序構造
岡山大院自然^A，CREST-JST^B，東北大院多元研^C，早大理工^D，原研J-PARCセ^E，JASRI^F，東大物性研^G，東工大院工^H　野上由夫^A，B，山本健一郎^A，柿沼光之^A，小椋美鈴^A，横田研太郎^A，花咲徳亮^A，池田直^A，神戸高志^A，張宇^A，眞苅伸明^A，立石拓麻^A，渡邉真史^C，小山内雅人^C，野田幸男^C，寺崎一郎^D，稲田太一^D，大西祐也^D，伊藤崇芳^E，豊川秀訓^F，大隅寛幸^F，森初果^B，G，森健彦^H

3

θ-(BEDT-TTF)₂MZn(SCN)₄ (M=Cs，Rb)の非線形誘電率と電荷秩序ギャップ
早大理工，岡山大院自然^A，東北大院工^B，東大物性研^C，東工大院工^D　寺崎一郎，稲田太一，田崎秀一，野上由夫^A，渡邉真史^B，森初果^C，森健彦^D

4

β""-(DODHT)₂PF₆の電荷揺らぎ相の電子物性
東大院総合文化，筑波大院理^A　比嘉百夏，村田淳，近藤隆祐，鹿児島誠一，西川浩之^A

5

有機伝導体β-(meso-DMBEDT-TTF)₂PF₆における常圧下磁気抵抗効果
東大物性研，物構研^A　新関彰一，高橋一志，森中直紀，森初果，中尾朗子^A，土岐睦^A，澤博^A

6

有機超伝導体β-(meso-DMBEDT-TTF)₂PF₆の非線形伝導
東邦大理^A，東邦大複合物セ^B，東大物性研^C　井田康典^A，長谷川巧^A，佐藤光幸^A，B，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，森初果^C

---

休憩　（11:00〜11:15)

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7

有機伝導体β-(BEDT-TTF)₂PF₆における室温下負性抵抗
東大物性研^A，東邦大理^B　浅野友徳^A，新関彰一^A，高橋一志^A，森英一^A，B，森初果^A，西尾豊^B，梶田晃示^B

8

非線形伝導を示すNT₃GaCl₄における電流発振現象とEPR
名大院理RCMS，名大院工^A　野村賢司，松下未知雄，水津理恵，阿波賀邦夫，岸田英夫^A

9

Hartree-Fock保存近似に基づく電荷秩序不安定性の研究
東大理^A，東大物性研^B　湯川英美^A，B，吉見一慶^A，B，前橋英明^A，B，加藤岳生^A，B，小形正男^A

10

電荷秩序転移近傍の揺らぎに起因した相分離現象の理論研究
東大物性研　吉見一慶，加藤岳生，前橋英明

11

ダイマーモット絶縁体と電荷秩序絶縁体
青学大理工，京産大理^A　伊藤英俊，堀田知佐^A，久保健

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30日　YG会場　30aYG　9:00〜12:30

領域7
界面・分子デバイス

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1

HMTTF高移動度薄膜トランジスタの開発(II)
産総研PRI　山田寿一，松井弘之，Simon HAAS，長谷川達生

2

Modulation spectroscopy on Pentacene thin-film devices
Photonics Res. Inst.，AIST^A，Univ. of Tokyo^B　Simon Haas^A，Hiroyuki Matsui^A，B，Toshi Yamada^A，Tatsuo Hasegawa^A

3

フッ素系絶縁膜を用いた両極性単結晶トランジスタ
東北大金研^A，CREST^B，京都工繊大^C，九大未来科学^D　蓬田陽平^A，竹延大志^A，B，S. Z. Bisri^A，山尾健史^C，堀田収^C，八尋正幸^D，安達千波矢^D，岩佐義宏^A，B

4

ルブレン単結晶の電子構造の光電子分析
千葉大先進^A，千葉大融合科学^B，千葉大工^C，理研^D，産総研^E　中山泰生^A，町田真一^B，久保卓也^C，舟越亮博^B，小川尚記^C，三成剛生^D，塚越一仁^E，野口裕^A，B，石井久夫^A，B

5

ルブレン単結晶のフェムト秒分光：光キャリア生成の励起エネルギー依存性
東大新領域^A，産総研光技術^B，阪大院理^C，JST-CREST^D　田尾祥一^A，朴仁用^A，松崎弘幸^A，松井弘之^B，長谷川達生^B，富成征弘^C，竹谷純一^C，岡本博^A，B，D

6

ポリへキシルチオフェン／PCBM複合体の光伝導デバイスに対する光及び電場誘起吸収分光
阪市大院理^A，CREST-JST^B　尾形明彦^A，鐘本勝一^A，B，唐沢力^A，橋本秀樹^A，B

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休憩　（10:30〜10:45)

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7

ルブレン単結晶トランジスタの電子スピン共鳴における界面修飾効果
筑波大院数物，阪大院理^A，名大院工^B，東北大金研^C　丸本一弘，新井徳道，後藤博正，富成征弘^A，竹谷純一^A，田中久暁^B，黒田新一^B，嘉治寿彦^C，西川尚男^C，竹延大志^C，岩佐義宏^C

8

ペンタセンのMIS-FETデバイスにおける電場誘起キャリアのESR観測
名大院工，筑波大院数物^A，東北大金研^B　金子和晃，渡辺峻一郎，田中久暁，伊東裕，丸本一弘^A，黒田新一，竹延大志^B，岩佐義宏^B

9

立体規則性ポリヘキシルチオフェンMISデバイスにおける電場誘起ESRの温度依存性
名大院工，筑波大院数物^A　黒田新一，伊藤圭哉，渡辺峻一郎，田中久暁，伊東裕，丸本一弘^A

10

パリレン絶縁膜を用いた立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体MISデバイスの電場誘起ESR
名大院工応物，筑波大院数物^A，名大院工電気^B　渡辺峻一郎，伊藤圭哉，田中久暁，伊東裕，丸本一弘^A，黒田新一，森竜雄^B

11

高移動度ポリマートランジスタにおけるESRスペクトルの運動による尖鋭化
産総研^A，東大工^B，NHK技研^C　松井弘之^A，B，熊木大介^C，時任静士^C，長谷川達生^A

12

金属モット絶縁体界面での整流作用の抑制：非平衡グリーン関数によるアプローチ
分子研，総研大　米満賢治

13

スピン分極ドナー中性結晶における巨大磁気抵抗と電子構造
東大院総合，名大院理^A　松下未知雄^A，小松英司，菅原正

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30日　YH会場　30aYH　9:00〜12:30

領域7
ナノチューブ光物性

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1

単一カイラリティを濃縮したカーボンナノチューブのX線回折
産総研ナノテク^A，JST-CREST^B，首都大理工^C　宮田耕充^A，柳和宏^A，B，真庭豊^B，C，片浦弘道^A，B

2

カーボンナノチューブの局在電磁場応答
阪府大工　瓜生誠司

3

単一カーボンナノチューブにおけるブライト及びダーク準位間の励起子分布
京大化研　松永隆佑，松田一成，金光義彦

4

単層カーボンナノチューブの励起子輻射寿命の温度依存性
京大化研，京大iCeMS^A　宮内雄平，松永隆佑，広理英基^A，松田一成，金光義彦

5

単層カーボンナノチューブにおける位相緩和時間III
甲南大理工^A，甲南大量子ナノ研^B，情通機構^C，産総研ナノテク^D　市田正夫^A，B，齋藤伸吾^C，宮田耕充^D，片浦弘道^D，安藤弘明^A，B

6

イメージング分光法を用いた単層カーボンナノチューブにおける励起子拡散の観測
京大化研　吉川晃平，松田一成，金光義彦

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休憩　（10:30〜10:45)

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7

単層カーボンナノチューブの近赤外発光ダイナミクス
名大院工　谷川将司，小山剛史，岸田英夫，中村新男

8

単層カーボンナノチューブの超強磁場下近赤外光吸収
熊大院自然，東大物性研^A，産総研ナノテク^B　横井裕之，小嶋映二^A，嶽山正二郎^A，南信次^B

9

紫外線領域に於ける単層カーボンナノチューブのバンド間遷移
筑波大計科セ，CREST　高木祥光，岡田晋

10

単層カーボンナノチューブ紫外吸収の環境による変化
東大工　村上陽一，丸山茂夫

11

ナノチューブの励起子発光における環境効果
東北大理，東大工^A　齋藤理一郎，佐藤健太郎，塩見淳一郎^A，丸山茂夫^A

12

C₈₄ピーポッドのフェムト秒非線形光学応答
名大院工，産総研^A　細岡大介，小山剛史，岸田英夫，安坂幸師，齊藤弥八，中村新男，大嶋哲^A，斎藤毅^A

13

カーボンナノチューブと内包β-カロテン間の超高速エネルギー移動
東北大理^A，産総研ナノテク^B，CREST-JST^C　阿部健太^A，塚越弘冶^A，柳和宏^B，C，宮田耕充^B，C，片浦弘道^B，C，吉澤雅幸^A

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30日　YF会場　30pYF　13:30〜16:00

領域7
若手奨励賞受賞記念講演

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1

若手奨励賞(領域7)の選考結果について
名大院理　鈴村順三

2

不整合格子系有機超伝導体の構造と電子物性
東工大院理工　川本正

3

マイクロカンチレバーを用いた微小トルク測定法の開発と分子性導体への応用
神戸大院理　大道英二

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休憩　（14:40〜15:00)

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α'-ET系，電荷秩序

4

常磁性電荷秩序状態におけるNMRの考察
北大院理　河本充司，河合拓真，広瀬真史

5

α'-(BEDT-TTF)₂IBr₂における強誘電相の不均一分布
分子研　山本薫，Kowalska Aneta，中野千賀子，薬師久弥

6

Order-disorder phase transition of α'-(ET)₂IBr₂
総研大^A，分子研^B，北大理^C　Y. Yue^A，B，C. Nakano^A，K. Yamamoto^A，B，M. Uruichi^A，K. Yakushi^A，B，A. Kawamoto^C

7

α'-(ET)₂IBr₂の高圧下の電子状態
分子研，総研大，北大理　薬師久弥^A，B，楽悦^A，B，中野千賀子^A，山本薫^A，B，売市幹大^A，R. ヴォイチェコフスキー^A，井口眞^A，河本充司^C

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30日　YG会場　30pYG　14:45〜17:00

領域7
クラスレート

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1

ボロンナノベルトの構造解析
東大新領域，産総研ナノテク^A，東理大基礎工^B　兵藤宏，桐原和大^A，曽我公平^B，川口建二^A，清水禎樹^A，佐々木毅^A，越崎直人^A，木村薫

2

B₄Cにおける高圧下での微細構造変化
岡理大理，東大院新領域^A　藤井竜也，南慶典，森嘉久，兵藤宏^A，木村薫^A

3

水素化ボロンクラスターの正二十面体構造から平面構造への遷移エネルギー障壁
東大新領域，産総研次世代半導体RC^A　大石佑治，山口政晃，木村薫，内田紀行^A，金山敏彦^A

4

α菱面体晶ボロンの高純度化とLiドープによる超伝導探索
東大新領域，東理大基礎工^A，東北大多元研^B　永地健紀，兵藤宏，曽我公平^A，佐藤庸平^B，寺内正己^B，木村薫

5

Li添加したα-boronの電子格子相互作用
阪大産研，Laboratoire des Solides IrradiesEcole Polytechnique^A　出倉春彦，白井光雲，Nathalie Vast^A，濱田幾太郎

6

Liドープβ菱面体晶ボロンの核磁気共鳴
首都大理工，東大新領域^A　神谷謙光，松田和之，真庭豊，兵藤宏^A，木村薫^A

7

VとMgを共ドープしたβ菱面体晶ボロンの構造と電気物性
東理大基礎工，東大新領域^A　井関博行，山口道隆，田辺健治^A，兵藤宏^A，金泓基^A，曽我公平，木村薫^A

8

Vドープβ菱面体晶ボロンのホール効果測定
東理大基礎工，東大新領域^A，物材機構^B　山口道隆，國本佳恵，中田裕一，生田翔一，兵藤宏^A，細井慎^A，金泓基^A，田中高穂^B，曽我公平，木村薫^A

9

クラスレート形成における振動エントロピの寄与
明大理工　中村佳史，伴野秀和，円谷和雄

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30日　YH会場　30pYH　14:45〜16:30

領域7
ナノチューブ構造・欠陥

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1

sp²-sp³ネットワーク構造を持つ炭素ナノ物質の電子構造
東工大理　櫻井誠大，斎藤晋

2

炭素ナノワイヤーのエネルギー論
筑波大計科セ　岡田晋

3

急速温度変化法を用いたACCVD法による単層カーボンナノチューブの合成と構造評価(II)
法大院工，法大生命科学^A　庄司真雄，緒方啓典^A

4

格子欠陥を含むSWCNTの構造緩和のシミュレーション
広大院総合科^A，熊大院自然^B　藤井俊行^A，宗尻修治^A，下條冬樹^B，星野公三^A

5

カーボンダイマーの衝突によるカーボンナノチューブの構造欠陥の回復のシミュレーション
横浜創英短大^A，横浜市大国際総合^B，金沢大理^C　若生啓^A，B，小田竜樹^C，橘勝^B，小島謙一^A，B

6

基盤上で変形した単層カーボンナノチューブの電荷移動と仕事関数
岩手大工　長谷川正之，西館数芽

7

第一原理電子状態計算による張力下におけるカーボンナノチューブの水素吸着特性
NECナノエレ研　河合孝純，宮本良之

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