領域4

27日　VE会場　27aVE　9:30～12:30

領域4
微小接合

1: Bi2212固有ジョセフソン接合のスイッチング特性3
産総研^A，名大工^B　柏谷裕美^A，松本哲朗^A，柴田肇^A，吉田良行^A，永崎洋^A，川畑史郎^A，田仲由喜夫^B，柏谷聡^A

2: BiPb2212微小固有ジョセフソン接合におけるスイッチング確率分布
京大院工　濱田憲治，立木孝典，^○掛谷一弘，鈴木実

3: Bi2212系およびLa214系固有ジョセフソン接合におけるMQT挙動と接合間相互作用
青学大理工，東大院総合^A，超電導工研^B　北野晴久，太田健介^A，石川一樹，松下怜史，糸井充穂，今井良宗^A，前田京剛^A，町敬人^B，田辺圭一^B

4: LSCO固有ジョセフソン接合におけるスイッチング特性
物材機構^A，筑波大数理物質^B，東京農工大工^C，Hahn Meitner Inst.^D，山梨大クリスタル研^E　久保結丸^A，B，山口尚秀^A，上田真也^C，津田俊輔^A，A.T.M.N. Islam^D，田中功^E，高野義彦^A，B

休憩　（10:30～10:45)

5: 量子ビットにおけるiSWAPゲートを用いた効率的な純粋化プロトコル
東芝研開セ，理研^A，ニューヨーク州立大^B，ミシガン大^C　棚本哲史，丸山耕司^A，Y.X. Liu^A，X. Hu^B，F. Nori^A，C

6: フラクソン制御による超伝導磁束量子コンピュータの理論
広大院総合科　藤井敏之，松尾繁政，畠中憲之

7: 固有接合における巨視的量子現象の理論
産総研^A，JST-CREST^B　川畑史郎^A，B，柏谷裕美^A，柏谷聡^A

8: バリア高さを制御できる4接合磁束量子ビットのエネルギー分光
横国大工　島津佳弘，落合慧，前田憲宏，篠崎瑛二

9: Controllable persistent current in a superconducting flux qubit
NTT BRL，Tokyo Univ. of Sci.^A　Xioabo Zhu，Alexander Kemp，Seiichiro Kagei^A，Shiro Saito，Kouichi Semba

10: 超伝導磁束量子ビットにおけるテレグラフノイズの分光分析
NTT物性基礎研　齊藤志郎，Alexandre Kemp，仙場浩一

11: Investigating the activation barrier between the stable phases of oscillation in an electromechanical resonator
NTT Basic Res. Labs.　Imran Mahboob，Charline Froitier，Hiroshi Yamaguchi

27日　RD会場　27pRD　13:30～16:30

領域9，領域3，領域4合同シンポジウム
主題：超低速ミュオンが拓く表面・界面・薄膜の先端ナノサイエンス

1: はじめに
東工大理　西田信彦

2: J-PARCで実現される高輝度，大強度超低速ミュオン源
高エ研　三宅康博

3: 表面及びサブサーフェスにおける水素電子状態及びそのダイナミクス
東大　福谷克之

4: 低速ミュオン/ミュオニウム散乱
高エ研，理研，UCR　永嶺謙忠

休憩　（14:40～14:50)

5: 高分子・ソフトマター薄膜研究における低速ミュオンへの期待
京大化研　金谷利治

6: 超低速ミュオンでみる電池材料
豊田中研　杉山純

7: 超低速マイクロビームによるμSR実験の展開
原子力機構先端研　髭本亘

8: 分子性導体における強相関π電子の多様な可能性
理研　加藤礼三

9: スピントロニクスの課題と超低速ミュオンへの期待
東工大理工　吉野淳二

27日　TX会場　27pTX　13:30～17:15

領域4
量子ホール効果／半導体スピン物性

1: Proposal of nuclear spin quantum memory in group IV elemental and II-VI semiconductors
京都工繊大，JST　オズグルチャキュル，高河原俊秀

2: 核スピンバス中における単一NV中心のスピンコヒーレンス
筑波大図書館情報メディア^A，シュトゥットガルト大物理^B，東京ガス^C，エレメントシックス^D，産総研ダイヤモンド研セ^E，産総研ナノテク^F，JSTさきがけ^G　水落憲和^A，G，P. Neumann^B，F. Rempp^B，J. Beck^B，V. Jacques^B，P. Siyushev^B，中村和郎^C，D. Twichen^D，渡辺幸志^E，山崎聡^F，F. Jelezko^B，J. Wrachtrup^B

3: 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用
ICORP-JST^A，NTT物性基礎研^B，東大物理工^C，東北大通研^D　寺岡総一郎^A，天羽真一^A，羽田野剛司^A，久保敏弘^A，都倉康弘^A，B，大野裕三^D，大野英男^D，樽茶清悟^A，C

4: RF電場により誘起された電子スピンドメイン振動による核スピン共鳴
東北大理^A，NTT物性基礎研^B，NTT-AT^C，ERATO核スピンエレクトロニクス^D　五十嵐玄^A，渡辺信嗣^A，小林嵩^A，B，宮下宣^C，熊田倫雄^B，平山祥郎^A，D

5: Al核スピンによるナノ構造の直接観察
新潟大自然，新潟大工^A，JST-ERATO^B，慶応大理工^C，東北大理^D　工藤将倫，西森将志，佐々木進^A，B，松本佳宣^C，渡辺信嗣^D，平山祥郎^B，D

6: 量子ホール系ν=1近傍における核スピン位相緩和
東大生産研^A，理研^B，PRESTO-JST^C，東大物性研^D，東大ナノ量子機構^E　川村稔^A，B，C，山下達也^A，高橋裕之^A，増渕覚^A，橋本義昭^D，勝本信吾^D，E，町田友樹^A，E

7: 2層系ν=1量子ホール状態におけるナイトシフト測定
NTT物性基礎研　熊田倫雄，村木康二

休憩　（15:15～15:30)

8: 大きいスピン軌道相互作用を示す高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガスの異方的面内伝導
北陸先端大ナノセ　新田峻介，山田省二

9: Experimental study of spin interference phenomena in InGaAs/InAlAs rectangular loop arrays
GSIST and CRIS，Hokkaido Univ.^A，NTT BRL，NTT Corp.^B　Sebastien Faniel^A，Takaaki Koga^A，Yoshiaki Sekine^B

10: 微視的反転対称性を有する化合物半導体量子井戸におけるドレッセルハウス場の制御
北大院工　村田匡彦，土家琢磨

11: 狭ギャップ半導体共鳴トンネル素子のスピン依存伝導における界面構造の影響
神戸大院工　相馬聡文，小川真人

12: 高分解能スピン分解光電子分光によるBi1-xSbx量子スピンホール相の研究
東大物性研，阪大産研^A　西出聡悟，武市泰男，奥田太一，柿崎明人，中辻寛，小森文夫，Alexey Taskin^A，安藤陽一^A，松田巌

13: 多端子デバイス中のアンチドットによる共鳴スピンホール効果
慶大理工　横山知大，江藤幹雄

14: Spin Hall conductance fluctuations in quantum spin Hall systems
上智大理工，阪大理工^A　小林浩二，大槻東巳，K. Slevin^A

27日　VE会場　27pVE　13:30～17:15

領域4
量子井戸・超格子・光応答

1: 第一原理計算によるシリコン超薄膜の電界発光の研究
日立基礎研，日立中研^A，SORST^B　諏訪雄二，斎藤慎一^A，B

2: InGaAsP系量子井戸レーザーにおける利得吸収スペクトルの温度依存性評価
東大物性研　稲田智志，秋山英文

3: 異なるドープ構造を有した電流注入T型量子細線における発光特性の比較
東大物性研，Alcatel-Lucent Bell Labs.^A　岡野真人，秋山英文，Loren Pfeiffer^A，Ken West^A

4: 散乱理論による1次元励起子の考察
防衛大応物　迫田誠治

5: 超極薄AlAs層挿入によるGaAs量子井戸のサブバンド間吸収線幅の制御
名大院工，東大生研^A　高田宗一朗，鵜沼毅也，酒瀬川洋平^A，平川一彦^A，中村新男

6: 取　　消

7: レーザー駆動半導体Wannier-Stark階段におけるFloquet状態のカオス散乱
筑波大数理物質^A，筑波大計算科学セ^B　久々宇篤志^A，日野健一^A，B，前島展也^A，B，^○仝暁民^A，B，戸嶋信幸^A

休憩　（15:15～15:30)

8: 極低温近接場光学顕微鏡を用いた2次元電子系境界の光応答マッピング
筑波大数理物質，産総研^A　伊藤宙陛，柴田祐輔，柏谷聡^A，大塚洋一，野村晋太郎

9: 格子状表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル
NTT物性基礎研，筑波大物質創成^A　山口真澄，野村晋太郎^A，田村浩之，赤崎達志

10: YbドープAlGaAs /GaAs2次元電子系の強磁場電気伝導特性の励起エネルギー依存性
物材機構　海津利行，高増正，竹端寛治，今中康貴

11: 量子ドット-2次元電子結合系のサイクロトロン共鳴
物材機構，Univ. of Nottingham^A　竹端寛治，今中康貴，高増正，M. Henini^A，L. Eaves^A

12: 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトル
筑波大数理物質^A，NTT物性基礎研^B，NTT-AT^C，東北大理^D，ERATO-JST^E　野村晋太郎^A，B，山口真澄^B，田村浩之^B，赤崎達志^B，丸山達朗^C，宮下宣^C，平山祥郎^D，E

13: 光照射下における二次元電子系の伝導及び発光特性の研究
東北大理^A，NTT物性基礎研^B，PRESTO-JST^C　早川純一朗^A，川村昂^A，桑野信^A，小野満恒二^B，藤澤利正^B，遊佐剛^A，B，C

14: GaAs系量子ドットと量子ポイントコンタクトを用いた磁場下での単一光子検出
東大工^A，ICORP-JST^B，SONY^B，東大ナノ量子機構^D　大岩顕^A，B，lessandro Pioda^A，浅山徹哉^A，C，木山治樹^A，藤田高史^A，Giles Allison^A，樽茶清悟^A，B，D

27日　YH会場　27pYH　13:30～17:00

領域4，領域7合同
グラフェン量子効果

1: Contact resistance in graphene-based devices
Dept. of Applied Phys.，The Univ. of Tokyo　Saverio Russo，^○Monica F. Craciun，Michihisa Yamamoto，Seigo Tarucha

2: Shot nosie in graphene based devices
The Univ. of Tokyo　Saverio Russo，Michihisa Yamamoto，Monica Craciun，Seigo Tarucha

3: グラフェンにおける伝導度ゆらぎの解析
千葉大院融合^A，千葉大工^B，ニューヨーク州立大電子工^C　氏家洋平^A，本岡正太郎^B，青木伸之^A，J.P.バード^C，落合勇一^A

4: グラファイト中のグラフェン磁気キャパシタンス振動
千葉大院理　吉田高英，音賢一

5: グラフェン量子ドットの単一電子輸送特性
物材機構，理研^A　森山悟士，津谷大樹，渡辺英一郎，森貴洋^A，山口智弘^A，石橋幸治^A，宇治進也

6: 単層グラフェンのテラヘルツ電磁波応答
理研，JSTさきがけ^A　河野行雄^A，石橋幸治

休憩　（15:00～15:15)

7: 磁場中honeycomb latticeにおけるゼロモード，ギャップ，量子ホール効果
東大物性研　江崎健太，佐藤昌利，甲元眞人

8: ドープされたZ₂トポロジカル絶縁体におけるクライン・トンネリングとアンドレーエフ反射
東北大理　井村健一郎，倉本義夫

9: スピン軌道相互作用のあるグラフェンにおける量子伝導現象
名大工　加藤貴志，大成誠一郎，井上順一郎

10: 強磁場中のグラフェン量子ホール効果におけるランダムネスのレンジの効果
東邦大理，筑波大物理^A，東大理^B　河原林透，初貝安弘^A，青木秀夫^B

11: Anomalous quantum Hall steps in biased bilayer graphene
Max Planck Inst. PKS^A，Univ. do Porto^B　中村正明^A，Balazs Dora^A，Eduardo V. Castro^B

12: 二層グラフェンにおける量子ホール強磁性
東北大理^A，NHMFL^B，シェルブルック大^C，テキサス大^D　野村健太郎^A，Yafis Barlas^B，Rene Cote^C，Allan H. MacDonald^D

13: 単層および二層グラフェンにおける分数量子ホール状態の階層構造
東北大理　柴田尚和，野村健太郎

27日　PSB2会場　27pPSB　15:30～17:30

領域4
領域4ポスターセッション

51: グラフェン量子ホール不規則系における光学ホール伝導度とプラトー構造
東大理，筑波大物理^A　森本高裕，初貝安弘^A，青木秀夫

52: グラフェンの高次のランダウ準位における基底状態の相図
東北大理　東達也，柴田尚和

53: Decoherence of coupled spin qubit system
名大理　板倉利文

54: 多端子対称ナノ構造体の基底状態の理論
阪市大理　西川裕規，小栗章

55: 軌道自由度を持つ量子ドットと強磁性リードの接合系における輸送特性
阪大工　善積仁志，菅誠一郎

56: ナノプローブ歪によるInGaAs量子ドットの間接遷移化
理研，埼玉大^A　尾笹一成，前田瑞夫，原正彦，栫井洋希^A，Lixia Xu^A，Yuan-Fua Liang^A，荒居善雄^A

57: 極低温下における高感度の量子雑音測定系の開発
京大化研　橋坂昌幸，知田健作，山内祥晃，中村秀司，葛西伸哉，小野輝男，小林研介

58: メゾスコピック三端子素子における電流相関測定の試み
京大化研　知田健作，橋坂昌幸，山内祥晃，中村秀司，葛西伸哉，小林研介，小野輝男

59: 金属ナノリングにおける磁気ドットによる量子干渉効果
慶大理工　鹿海敦，後藤穣，山口明哲，宮島英紀

60: ZnO単結晶とナノ粒子の熱処理によるClドーピング効果
大工大ナノ材研セ，大工大電子情報通信^A　藤元章，原田義之，福井仁史^A，淀徳男^A

61: キャリアコントロールしたPbSにおける磁気輸送物性
阪大産研　江藤数馬，楠瀬尚史，瀬川耕司，安藤陽一

62: GaNの可視発光における温度変化
大阪教育大　上田大，川中純平，中田博保

63: 局所光励起による磁気フォーカス効果のイメージング
千葉大院理　新谷晃世，音賢一，室清文

64: 希薄磁性半導体(Zn_1-xTM_x)Oの電子状態と強相関効果
新潟大院自然，新潟大理^A　鈴木良，山川洋一，大野義章^A

28日　TX会場　28aTX　9:15～12:00

領域4
量子ホール効果

1: 電子スピン分極イメージングによる量子ホールデバイス中の電流分布測定
千葉大院理，千葉大理^A，東北大^B，ERATO^C，NTT-BRL^D　稲葉龍，山田哲也，最首祐樹^A，松田貴治^A，音賢一，室清文，平山祥郎^B，C，熊田倫雄^D，山口浩司^D

2: 量子ホール電子系の磁気光カー回転スペクトル
千葉大院理，東北大院理^A，NTT物性基礎研^B，ERATO-JST^C　伊藤裕紀，福岡大輔，永山達也，音賢一，室清文，平山祥郎^A，C，熊田倫雄^B，山口浩司^B

3: ν=1量子ホール状態近傍における量子ホール電子系のスピンダイナミクス
千葉大院理，東北大院理^A，NTT物性基礎研^B，ERATO-JST^C　福岡大輔，永山達也，音賢一，室清文，平山祥郎^A，C，熊田倫雄^B，山口浩司^B

4: 量子ホール状態における電子波束伝播の時間分解測定
NTT物性基礎研^A，東工大院物性物理^B　鎌田大^A，B，太田剛^A，村木康二^A，藤澤利正^B

5: Magnetotransport studies between filling factor 2/3 and 3/5
NTT Basic Res. Labs.　Gerardo Gamez，Koji Muraki

休憩　（10:30～10:45)

6: 表面二次元電子の抵抗測定でみるFe/InAs(110)表面上のスピングラス
東大理　望月敏光，枡富龍一，岡本徹

7: ダブルゲートSi MOSFET中の電子・正孔移動度とSi/SiO₂界面状態
NTT物性基礎研^A，東北大理^B　新井田佳孝^A，B，高品圭^A，小野行徳^A，藤原聡^A，平山祥郎^B，村木康二^A

8: 高ランダウ準位におけるストライプ・バブル相のフォトルミネセンス
NTT物性基礎研　村木康二，山口真澄

9: 平均値がゼロ及び正のランダム磁場下のGaAs/AlGaAsヘテロ界面二次元電子系の磁気抵抗III
中大理工　梅鶯健太，和田卓，若林淳一

10: 細線型閉じ込めによるスカーミオン由来の低周波電子スピン揺らぎの抑制
NTT物性基礎研^A，東北大院理^B，ERATO核スピンエレクトロニクスプロジェクト^C　小林嵩^A，B，熊田倫雄^A，太田剛^A，佐々木智^A，B，平山祥郎^B，C

28日　VE会場　28aVE　9:15～12:15

領域4
量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果

1: Surface acoustic wave single-electron pumping with nanosecond pulse modulation.
Cavendish Lab. Univ. of Cambridge　H. Kakemoto，M. Kataoka，R.P.G. McNeil，C.J.B. Ford，C.H.W. Barnes，D. Anderson，G.A.C. Jones，I. Farrer，D.A. Ritchie

2: ポイントコンタクト間隙のSGM画像の数値解析
千葉大総メディア　植田毅

3: 量子細線における0.7構造の類似現象
千葉大院融合，理研^A，ニューヨーク州立大バッファロー校^B　遠藤孝，湯本昇，森本崇宏^A，岩田朋大，青木伸之，落合勇一，J.P.バード^B

4: 電流誘起型Aharonov-Bohm振動
北大院工　平久夫，島弘幸

5: 飛行電荷量子ビットを用いたABリングにおける位相シフト観測
東大工^A，CNRS，ニール研究所^B，ICORP-JST^C　山本倫久^A，Christopher Bauerle^A，B，樽茶清悟^A，C

休憩　（10:30～10:45)

6: 極低温における位相緩和時間のdisorder依存性
CNRS-Neel研（フランス）^A，東北大理^B　新見康洋^A，B，Laurent Saminadayar^A，Christopher Bauerle^A

7: 高電圧を印加した近接量子ポイントコンタクトによる量子ドットの近藤コンダクタンスの減少
東大理，東大工^A，ICORP-JST^B　日達研一，大岩顕^A，B，樽茶清悟^A，B

8: 量子ドット電荷検出計と結合した並列結合2重量子ドットにおける量子干渉効果
ICORP-JST^A，NTT 物性基礎研^B，東大工^C　久保敏弘^A，都倉康弘^A，B，羽田野剛司^A，天羽真一^A，樽茶清悟^A，C

9: ABリング系における近藤温度のリングサイズ依存性
筑波大物理　磯崎健太，小口悠，谷口伸彦

10: ABリングに埋め込まれた量子ドットの近藤効果におけるリングサイズ依存性
慶大理工　吉井涼輔，江藤幹雄

11: 3重量子ドット系の近藤効果：3角形配列の歪の影響
阪市大理，Imperial College^A　小栗章，西川裕規，A.C. Hewson^A

28日　RF会場　28pRF　13:30～16:50

領域10，領域4，領域8合同シンポジウム
主題：「高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決」

1: はじめに
金沢大理工　斎藤峯雄

2: Siへの高濃度Bドーピング:理論からのアプローチ
慶大理工　山内淳

3: Siへの高濃度Bドーピング:実験からのアプローチ
東芝セミコンダクター社　水島一郎

4: 磁性半導体におけるスピノーダル分解の予測と材料設計
阪大産研　佐藤和則

5: 半導体における磁性元素の高濃度ドーピングと非一様分布
筑波大　黒田真司

休憩　（15:35～15:50)

6: 高濃度ドープダイヤモンドでのボロン複合物のNMRによる微視的構造
阪大基礎工　椋田秀和

7: ダイヤモンドにおける高濃度ドープボロンのつくる欠陥:理論
広大院先端　小口多美夫

28日　TX会場　28pTX　13:30～16:45

領域4
若手奨励賞

1: 選考結果の説明
慶大理工　江藤幹雄

2: 半導体メゾスコピック系における電子のコヒーレンスと多体効果の制御に関する研究
京大化研　小林研介

3: グラフェンにおけるディラック粒子の量子輸送現象
東北大理　野村健太郎

休憩　（14:40～15:00)

量子ホール効果

4: DMRGによる分数量子ホール効果のエッジ状態の研究
東大院総合　細井亮，吉岡大二郎

5: ビスマスの量子ネルンスト効果：電子・ホール共存とフォノンドラッグの寄与
お茶大理，物性研^A，横国大工^B，核融合研^C，生産研^D，埼玉大院^E　松尾まり，遠藤彰^A，白崎良演^B，中村浩章^C，羽田野直道^D，杉原硬，長谷川靖洋^E

6: アンダーソン弱局在領域における有効質量補正
島根大総合理工　山根陽子，伊藤正樹

7: Finite Size Scaling Analysis of the Chalker-Coddington Model
Osaka Univ.，Sophia Univ.^A　Keith Slevin，Tomi Ohtsuki^A

8: Curvature of groundstate energy in disordered system with density functional theory
阪大院理　原嶋庸介，Keith Slevin

9: Conductance distributions at the quantum Hall transitions
上智大理工，阪大理^A，東邦大理^B　大槻東巳，Keith Slevin^A，河原林透^B

10: 電磁波中の2次元電子系における伝導特性の数値的解析
成蹊大理工，千葉大基セ^A　富谷光良，植田毅^A，坂本昇一

29日　TX会場　29pTX　13:30～16:45

領域4，領域5合同シンポジウム
主題：光で探る半導体スピンダイナミクス

1: 趣旨説明
理研　川村稔

2: 量子ドット中の電子スピンダイナミクスと緩和
筑波大数理　舛本泰章

3: 希薄磁性半導体から量子ドットへのスピン注入ダイナミクス
北大院情報科学　村山明宏

4: 磁気光カー効果でみる量子ホール系のスピンダイナミクス
千葉大院理　福岡大輔

5: TlおよびBi吸着Ge(111)表面における巨大ラシュバ効果
京大院理　八田振一郎

休憩　（15:15～15:30)

6: 半導体核スピンのコヒーレント制御と光検出
東北大通研ナノ･スピン実験施設　大野裕三

7: 強磁性半導体(Ga，Mn)Asにおける磁化の光誘起才差運動
東工大像情報，NHK技研　橋本佑介

8: 光の偏光から電子スピンへのコヒーレンス転写とスピン状態トモグラフィ
東北大通研情報デバイス研究部門，CREST-JST　小坂英男

30日　TX会場　30aTX　9:00～12:30

領域4
量子ドット・量子干渉

1: 量子ドット系の交流応答と緩和抵抗の理論的研究
東大理，東大物性研^A　濱本雄治，加藤岳生^A

2: 量子ドット系における電子格子相互作用の効果
原子力機構先端研，オークリッジ国立研^A，テネシー大^B　大西弘明，E. Dagotto^A，B

3: 取　　消

4: 量子ドット伝導についての揺らぎの定理における環境の影響
東大物性研　内海裕洋

5: Aharonov-Bohm ringにおける非線形伝導
京大化研　中村秀司，山内祥晃，橋坂昌幸，知田健作，葛西伸哉，小野輝男，小林研介

6: Aharonov-Bohm ringを用いたゆらぎの定理の検証
京大化研　山内祥晃，中村秀司，橋坂昌幸，知田健作，葛西伸哉，小野輝男，小林研介

休憩　（10:30～10:45)

7: ポテンシャル構造を透過した波束の簡潔な近似表現～既存の近似式との比較および波束のトンネル確率の計算への応用～
福井大工　山田徳史

8: 開放型量子ドットにおける多電子散乱状態を用いた非平衡電流の解析
東大生研　西野晃徳，今村卓史，羽田野直道

9: 軌道縮退量子ドット系におけるクーロン相互作用の軌道非対称性と有限バイアス効果
筑波大物理　小口悠，谷口伸彦

10: 量子ドット系の非平衡輸送現象における強相関効果
東大理，東大物性研^A　桐野俊輔，藤井達也^A，上田和夫^A

11: 有限バイアスでの量子ドットにおけるマルチチャネル近藤効果
東大物性研　藤井達也

12: 有限バイアス電圧下における量子ドット系でのアンドレーエフ反射と近藤効果
京大理，理研^A　山田康博，田中洋一^A，川上則雄

13: Kondo correlations and Andreev conductance in self-assembled InAs quantum dots contacted with superconducting and normal leads
Dept. of Applied Phys.，Univ. of Tokyo^A，Quantum Spin Information Project，ICORP^B，JST-CREST^C，Inst. of Ind. Sci.，Univ. of Tokyo^D，INQIE^E　R.S. Deacon^A，A. Oiwa^A，B，C，K. Yoshida^B，K. Shibata^D，K. Hirakawa^C，D，E，S. Tarucha^A，B，E

30日　VE会場　30aVE　9:30～11:45

領域4
磁性半導体

1: 第一原理計算による4族半導体ベース磁性半導体のデザイン
阪大産研　原田邦彦，^○佐藤和則，吉田博

2: 磁性半導体における同時ドーピングによる高濃度磁性元素添加とアニーリング効果
阪大産研，阪大基工^A　藤井将，佐藤和則，吉田博^A

3: 磁性半導体(Ga，Mn)Asに対する量子モンテカルロ解析
東北大金研^A，CREST-JST^B，東大工^C　大江純一郎^A，友田良寛^A，Nejat Bulut^A，B，有田亮太郎^C，中村和磨^C，前川禎通^A，B

4: 窒化ガリウム複空孔におけるスピン分極と構造緩和の第一原理計算
東大理，東大工^A　合田義弘，押山淳^A

休憩　（10:30～10:45)

5: 軟X線磁気円二色性を用いたZn_1-xCr_xTe薄膜の電子状態に関する研究
東大理^A，東大新領域^B，NSRRC^C，筑波大物質工^D　山崎陽^A，片岡隆史^B，坂本勇太^B，藤森淳^A，F.-H. Chang^C，H.-J. Lin^C，D.J. Huang^C，C.T. Chen^C，石川弘一郎^D，黒田眞司^D

6: Cd_1-xMn_xTe/ZnTe自己形成量子ドットにおける電子スピンダイナミクス
筑波大物理，阪大院工^A，筑波大物質工^B　冨本慎一，野澤伸介，寺井慶和^A，黒田眞司^B，瀧田宏樹^B，舛本泰章

7: II-VI族希薄磁性半導体2次元電子系のサイクロトロン共鳴
物材機構，ポーランド科学アカデミー^A　今中康貴，竹端寛治，高増正，木戸義勇，G.Karczewski^A，T.Wojtowicz^A，J.Kossut^A

8: 光照射によるTi_1-xCo_xO₂の電子状態変化II
東大新領域，東大理^A，東北大金研^B，JST-ERATO^C，JST-PRESTO^D，東北大WPI材料機構^E，JST-CREST^F　山下直飛人，須田山貴亮^A，田久保耕^A，溝川貴司，山田良則^B，豊崎秀海^C，福村知昭^B，D，川崎雅司^B，E，F

30日　TX会場　30pTX　13:30～17:30

領域4
量子ドット

1: 電子ガス－量子ドット結合系における電子構造II
筑波大院数物^A，東北大学際セ^B，広大院先端研^C　高田幸宏^A，櫻井蓉子^A，村口正和^B，池田弥央^C，牧原克典^C，宮崎誠一^C，遠藤哲郎^B，野村晋太郎^A，白石賢二^A

2: 電子ガス－量子ドット結合系におけるC-V特性およびI-V特性のSweep Rate依存性
筑波大院数物，東北大学際セ^A，広大院先端研^B　櫻井蓉子，野村晋太郎，高田幸宏，白石賢二，村口正和^A，遠藤哲郎^A，池田弥央^B，牧原克典^B，宮崎誠一^B

3: 電子ガス－量子ドット結合系における電子ダイナミクスII
東北大学際セ，筑波大院数物^A，広大院先端研^B，日立中研^C　村口正和，遠藤哲郎，櫻井蓉子^A，野村晋太郎^A，高田幸宏^A，白石賢二^A，池田弥央^B，牧原克典^B，宮崎誠一^B，斉藤慎一^C

4: Effects of coupling to the leads on level crossings in a carbon nanotube quantum dot
NTT Basic Res. Labs.，Niels Bohr Inst.，Univ. of Copenhagen^A，Tokyo Inst. of Tech.^B　K. Grove-Rasmussen，H.I. Jorgensen^A，P.E. Lindelof^A，K. Muraki，T. Fujisawa^B

5: InAs単一自己形成量子ドットにおけるスピン軌道相互作用の定量的評価とその制御
東大工^A，東大理^B，ICORP-JST^C，JST-CREST^D，東大生研^E，東大ナノ量子機構^F　高橋駿^A，五十嵐悠一^B，R.S. Deacon^A，吉田勝治^C，大岩顕^A，C，D，柴田憲治^E，平川一彦^D，E，F，樽茶清悟^A，C，F

6: 横結合型量子ドットを用いたスピン偏極の検出
東大物性研　大塚朋廣，阿部英介，家泰弘，勝本信吾

7: 自己形成InAsドットを含む4ゲート縦型構造に形成された多重量子ドットの電気伝導特性
ICORP-JST^A，NTT物性基礎研^B，東大物理工^C　天羽真一^A，羽田野剛司^A，久保敏弘^A，寺岡総一郎^A，都倉康弘^A，B，樽茶清悟^A，C

休憩　（15:15～15:30)

8: Single electron sensing in a double-quantum dot integrating a micro-magnet
ICORP-JST^A，NTT-BRLB^B，Univ. of Tokyo^C　Y.-S Shin^A，M. Pioro-Ladriere^A，T. Obata^A，Y. Tokura^A，B，R. Brunner^A，T. Kubo^A，K. Yoshida^A，S. Tarucha^A，C

9: スピン閉塞状態での過渡現象
NTT物性基礎研，ICORP-JST^A，理研^B，東大工^C　都倉康弘^A，大野圭司^A，B，樽茶清悟^A，C

10: 半導体二重量子ドットにおけるスピン状態測定
JST-CREST^A，産総研ナノテク^B，東北大通研^C　余越伸彦^A，B，今村裕志^B，A，小坂英男^C，A

11: 二電子スピン状態のユニタリ回転とトモグラフィーの理論
京都工繊大　高河原俊秀

12: Electrically driven single electron spin manipulation in a double-quantum dot with split micro-magnets
ICORP-JST^A，NTT-BRL^B，Tokyo Inst. of Tech.^C，Tokyo Univ.^D　M. Pioro-Ladriere^A，^○R. Brunner^A，T. Obata^A，Y. Tokura^A，B，Y.-S. Shin^A，T. Kubo^A，K. Yoshida^A，T. Taniyama^C，S. Tarucha^A，D

13: 微小磁石集積型ESR量子ドットサンプルに見られる核スピンの動的分極効果
ICORP-JST^A，NTT物性基礎研^B，東工大応セラ研^C，PRESTO-JST^D，東大工^E　小幡利顕^A，ミシェルピオロラドリエル^A，都倉康弘^A，B，ロランドブルナー^A，申潤錫^A，久保敏弘^A，吉田勝治^A，谷山智康^C，D，樽茶清悟^A，E

14: g因子制御電界閉じ込め二重量子ドットにおける単一電子スピン共鳴とg因子検出
CREST-JST^A，理研^B，東北大通研^C　久津輪武史^A，桑原真人^A，大野圭司^B，小坂英男^C，A

15: 異なるg因子を持つ縦型二重量子ドットにおける核スピン効果とNMR応答
理研^A，東工大理工^B，東大物工^C，ICORP-JST^D，CREST-JST^E　高橋諒^A，B，河野公俊^A，B，樽茶清悟^C，D，大野圭司^A，E