領域9

25日　YG会場　25aYG　9:15～11:45

領域9
表面界面電子物性

1: 金属上への水吸着に対するファン・デル・ワールス力の影響
東北大WPI-AIMR，阪大産研^A　濱田幾太郎，森川良忠^A

2: Alq₃/金属界面における分子－基板間及び分子間の相互作用の精密計算
阪大産研^A，Rutgers Univ.^B，産総研^C　柳澤将^A，Kyuho Lee^B，森川良忠^A，C

3: 分子へのドーピングによる単一分子電気伝導，非弾性電流変化の解析
東大院工　中村恒夫

4: LaAlO₃/SrTiO₃超格子における局所電子分極率の第一原理計算
産総研計算科学^A，北陸先端大融合院^B，JST-CREST^C　石橋章司^A，C，寺倉清之^B，C

5: 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算－Si層の有効誘電率－
NTT物性基礎研　影島博之，藤原聡

休憩　（10:30～10:45)

6: ナノチューブ，ナノワイヤの多端子伝導に表れる量子干渉効果の研究
東大工　寺澤麻子，飛松啓司，多田朋史，山本貴博，渡邉聡

7: Edge states of epitaxially grown graphene on 4H-SiC(0001) studied by scanning tunneling microscopy and spectroscopy (STM/STS)
Grad. Sch. Sci.，Hiroshima Univ.^A，HSRC，Hiroshima Univ.^B，Dep. Phys.，Fudan Univ.^C　M. Ye^A，Y.T. Cui^B，Y. Nishimura^A，Y. Yamada^A，S. Qiao^C，A.Kimura^A，M. Nakatake^B，M. Sawada^B，H. Namatame^B，M. Taniguchi^A，B

8: DFT計算によるグラフェンシート上の吸着原子の安定性の研究
鳥取大院工^A，JST-CREST^B　中田謙吾^A，B，石井晃^A，B

9: 鉄フタロシアニンベースカーボンアロイ触媒における残存金属の電子構造
東大工^A，東大放射光機構^B，JASRI^C，北陸先端大^D，JAEA^E，群大院工^F，NEDO^G　小林正起^A，B，丹羽秀治^A，齋藤信^A，原田慈久^A，B，尾嶋正治^A，B，大渕博宣^C，寺倉清之^D，池田隆司^E，腰越悠香^F，尾崎純一^F，宮田清藏^G

25日　YH会場　25aYH　9:00～12:30

領域9
ダイナミクス

1: ¹³C-NMRによるグラフェン/C₆₀単層膜/グラフェン...中のC₆₀分子の運動状態の測定II
電通大量子物質，分子研^A，愛教大物理^B　井上大輔，桑原大介，鈴木勝，中村敏和^A，三浦浩治^B

2: STM探針によるC₆₀分子間の局所重合反応：重合度の制御
物材機構MANA^A，阪大院^B，筑波大院^C　中谷真人^A，桑原裕司^B，青野正和^A，中山知信^A，C

3: Rh(111)表面におけるシクロヘキサンの吸着状態とCH伸縮振動ソフトモード
東大物性研　小板谷貴典，吉本真也，向井孝三，吉信淳

4: Cu(111)表面に吸着した(CH₃S)₂の選択的分解反応のメカニズム
理研，東大新領域^A　金有洙，小原道昭^A，高見剛史^A，本林健太^A，岡田智成^A，川合真紀^A

5: Ge(001)表面における局所ホール注入によるGeダイマーの振動励起
東大物性研，ブレーメン大^A　富松宏太，Binghai Yan^A，中辻寛，山田正理，Chiyung Yam^A，Andreia Luisa da Rosa^A，Thomas Frauenheima^A，小森文夫

6: 電子線照射によるSn/Ge(111)-3×3表面構造の変化
東大物性研，九大総理工^A　白澤徹郎，栃原浩^A，高橋敏男

休憩　（10:30～10:45)

7: Si(001)表面における励起電子ダイナミクスの温度依存性II
阪大産研　田中慎一郎，谷村克己

8: H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程
東北大院理，理研^A，東北大融合研^B　加藤大樹，瀧川知昭，中矢博樹，山田太郎^A，粕谷厚生^B，須藤彰三

9: Construction of pump-probe time resolved optical sum frequency microscopy
Sch. of Materials Sci.，Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech. (JAIST)^A，Japan Sci. and Tech. Agency-Core Res. for Evolutional Sci.^B　Hien Thi Thu Khuat^A，Yoshihiro Miyauchi^A，B，Goro Mizutani^A，B

10: パルス光照射したH-Si(111)面の水素脱離のSH，SF顕微像の同時観察(II)
北陸先端大マテリアル^A，CREST^B，石川高専^C　宮内良広^A，B，佐野陽之^A，B，C，山下啓^A，岡田純一^A，水谷五郎^A，B

11: Au(111)に物理吸着した水素分子の表面拡散
東大生研　池田暁彦，松本益明，小倉正平，福谷克之，岡野達雄

12: 金属表面におけるプロトン移動の実空間観測
京大院理^A，JST-CREST^B，東北大WPI-AIMR^C，阪大産研^D　熊谷崇^A，海津政久^A，奥山弘^A，八田振一郎^A，B，有賀哲也^A，B，濱田幾太郎^C，森川良忠^D

13: パルス計数計測法を用いた単一W原子上のHe-Ne電界吸着機構の研究
阪市大院工　小林中，中村善典，谷野光平，熊谷寛

25日　RA会場　25pRA　13:30～16:15

領域3，領域9合同
表面磁性

1: 2層フタロシアニン・ランタノイド錯体で観察される単層膜規則構造と近藤効果
東北大多元研，東北大理院^A　一色弘成，Yan-Feng Zhang，米田忠弘，吉田祐輔^A，加藤恵一^A，宮坂等^A，山下正廣^A

2: 吸着分子の超構造形成に伴う表面近藤格子;Au(111)表面上の鉄(II)フタロシアニン分子
東大新領域^A，理研^B　塚原規志^A，伊藤彩夏^A，能登健一^A，白木将^A，高木紀明^A，川合眞紀^A，B

3: NO等の吸着によるFe/Cu(001)の表面磁性変化とその構造
慶應大，千葉大^A，高エネ機構物構研^B　阿部仁，酒巻真粧子^A，雨宮健太^B，近藤寛

4: 窒化物半導体／ホウ素化合物界面の第一原理計算
東大理　合田義弘，常行真司

5: Fe3O4(100)最表面スピン偏極と水素吸着効果II
物材機構，中国科技大^A　倉橋光紀，孫霞^A，山内泰

休憩　（14:45～15:00)

6: 間接交換結合Fe/Au多層膜におけるAu誘起磁気分極層のエネルギ依存共鳴X線磁気反射率
奈良先端大物質，JASRI^A　山岸隆一郎，細糸信好，児玉謙司^A，小池崇

7: 磁性薄膜における原子構造と磁気異方性の対応(1)：Co/Ru(0001)
高エ研物構研，JST-CREST，理研SPring-8^A，千葉大院融合^B，慶応大理工^C　雨宮健太，宮脇淳^A，酒巻真粧子^B，阿部仁^C，佐古恵理香

8: STM/バリアハイト像を用いたAu(001)上bcc Co薄膜初期成長過程の観察
大阪教育大　川越毅，若林絵里佳，村澤裕子，坂田俊樹

9: MgO被覆された垂直磁化薄膜における磁気異方性の電界効果に関する第一原理計算
金沢大自然，東北大^A　辻川雅人，三浦良雄^A，白井正文^A，^○小田竜樹

10: 人工創製された隕石由来L10-FeNi超格子薄膜の磁区構造観察
JASRI/SPring-8，東北大^A　小嗣真人，水口将樹^A，高梨弘毅^A，渡辺義夫

25日　YB会場　25pYB　13:30～16:15

領域6，領域9，領域4
準結晶

1: 準結晶表面のSTM観察とクラスター構造
物材機構　下田正彦

2: STEM直接観察によるAlNiCo理想準結晶中の点欠陥分布解析II
東大工，ORNL^A　阿部英司，関岳人，S.J.Pennycook^A

3: 第一原理計算によるAlNiCoクラスター構造の最適化
東大工，ORNL^A　関岳人，溝口照康，阿部英司，S.J.Pennycook^A

4: ドデカゴナル準結晶タイリングの構造転移
近大理工　堂寺知成

休憩　（14:45～15:00)

5: 正10角形クラスター占有領域デカゴナル準結晶の超構造ゆらぎ
中央大理工，物材機構^A　加藤和幸，山本昭二^A

6: i-ZnMgHoの中性子短距離秩序磁気散漫散乱の解析 II
物材機構　山本昭二

7: 特異連続スペクトルを持つ格子系の構成とその準周期性
早大理　田島昌征，田崎秀一

8: 電子線分光法によるB2構造Al-遷移金属合金の電子構造の研究
東北大多元研　越谷翔悟，寺内正己，蔡安邦

9: 正20面体準結晶の高温内部摩擦測定
東大生産研，東理大基礎工^A　肖英紀，佐藤峻，森隆浩^A，枝川圭一，田村隆治^A

25日　YG会場　25pYG　13:30～14:15

領域9
ナノ構造

1: 酸素導入による金ナノ粒子／ルチルの界面の状態変化
東工大院理工^A，日本電子^B，JST-CREST^C　田中崇之^A，B，佐野健太郎^A，安藤雅文^A，沢田英敬^B，C，細川史生^B，C，奥西栄治^B，C，近藤行人^B，C，高柳邦夫^A，B

2: Pd(111)表面上の酸化バナジウムナノメッシュにおける金属ナノドットの創製と構造評価
名大工，名大エコトピア^A　柚原淳司，早崎真治，松井恒雄^A

3: 電界誘起エッチングにより先鋭化したナノ探針
九大総理工　小野田穣，水野清義

25日　YK会場　25pYK　13:30～17:15

領域10，領域9合同
格子欠陥・ナノ構造

1: SiC結晶成長の第一原理計算
関西学院大理工　西谷滋人，金子忠昭

2: SiC表面エネルギーの第一原理計算
関西学院大理工　戸賀瀬健介，西谷滋人，金子忠昭

3: 水蒸気プラズマ処理によるInGaNの発光増大
岡山大院工　上浦洋一，竹中俊明，朝日淳平，石山武，山下善文

4: Si中Pt-H欠陥の局在振動に対する一軸性応力効果
岡山大院工　上浦洋一，檜垣圭，水川英之，石山武，山下善文

5: シリコン結晶育成時のシード・結晶界面でのミスフィット転位発生
東北大金研　太子敏則，大野裕，徳本有紀，^○米永一郎

6: 高濃度ホウ素添加CZシリコン中の拡張欠陥
東北大金研　大野裕，太子敏則，米永一郎

7: ゲルマニウム中の転位の運動速度
東北大金研　村尾優，大野裕，太子敏則，徳本有紀，米永一郎

休憩　（15:15～15:30)

格子欠陥・ナノ構造

8: 高濃度ドープしたSiにおける熱平衡原子空孔の高温その場観測
原子力機構先端研　河裾厚男，前川雅樹

9: ボロン添加FZシリコンの弾性定数の磁気異方性
新潟大院自然，東北大金研^A，新潟大物質量子セ^B　馬場正太郎，永井勇太，赤津光洋，小松悟，渡邊肇，三本啓輔，小川貴史，根本祐一，中村慎太郎^A，金田寛^B，後藤輝孝

10: シリコン中原子空孔の大規模第一原理計算
金沢大理^A，東大生研^B，富士通^C，東邦大理^D，NIMS^E　斎藤峯雄^A，B，居波哲^A，山崎隆浩^B，C，山本武範^B，D，大野隆央^B，E

11: シリコン原子空孔における電子相関－電子フォノン非断熱効果と弾性ソフト化II
新潟大院自，新潟大理^A　山川洋一，山田武見，大野義章^A

12: シリコン原子空孔におけるスピン軌道相互作用と電子フォノン相互作用の効果
新潟大院自然，新潟大理^A　山田武見，山川洋一，大野義章^A

13: クラスタードーピングの理論
横国大院工　Hannes Raebiger

14: Si中の多面体Bクラスターの第一原理的研究
慶大理工　山内淳

25日　ZK会場　25pZK　13:30～17:00

領域9，領域5，領域7合同シンポジウム
主題：分光学的手法による有機薄膜研究の最先端

1: はじめに
千葉大院融合　坂本一之

2: 化学修飾半導体表面に吸着したアクセプター分子の電荷移動
東大物性研　吉信淳

3: 有機半導体のエピタキシャル成長と温度可変・角度分解光電子分光
東大院理　島田敏宏

4: 有機機能性分子の物質設計と界面設計
岡山大RCIS　金井要

5: 界面電気二重層の起源と理論予測
阪大産研　森川良忠

休憩　（15:10～15:25)

6: 放射光を用いて有機/金属界面の構造と電子状態の相関を探る
分子研　山根宏之

7: 有機太陽電池材料における金属界面の電子状態と電気特性の相関
筑波大院数物　櫻井岳暁

8: 光電子収量分光による有機薄膜・単結晶の任意雰囲気下の電子構造観測
千葉大先進　石井久夫

9: 共鳴オージェ分光法によるDNAリン酸骨格のアト秒電子移動と伝導性
産総研　池浦広美

26日　QL会場　26aQL　9:00～12:30

領域11，領域4，領域8，領域9，領域12合同シンポジウム
主題：第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待

1: はじめに
東大院工　今田正俊

2: 第一原理電子状態計算のフロンティア
東大院理　常行真司

3: コンピュータサイエンスとの連携
筑波大システム情報工学　高橋大介

休憩　（10:10～10:25)

4: 強相関電子系の第一原理電子状態計算
産総研　三宅隆

5: ナノスケール伝導現象―第一原理計算からのアプローチ―
阪大工　小野倫也

6: 大規模シミュレーションによる生体反応の理解
神戸大人間発達環境学　田中成典

7: 産業界での第一原理計算の利活用
文科省/東芝　伊藤聡

8: 次世代スパコンプロジェクトに期すること
北陸先端大　寺倉清之

26日　YG会場　26aYG　9:00～12:00

領域9
表面界面電子物性

1: Si(111)-(7×7)の表面電子構造：再訪
阪大産研　金崎順一，市林拓，谷村克己

2: 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態II
横国大工，東大物性研^A　大野真也，山崎紀明，中山史人，市川雄一，佐藤和成，青木健志，首藤健一，田中正俊，奥田太一^A，原沢あゆみ^A，松田巌^A，柿崎明人^A

3: Al原子を吸着させたSiON/SiC(0001)表面系の電子状態計算
東大院理^A，東大物性研^B　安藤康伸^A，合田義弘^A，常行真司^A，B

4: 取　　消

5: 分子吸着Cu表面における光電子の振動励起非弾性散乱過程
東大新領域^A，科技振興機構さきがけ^B，理研^C　山本真祐子^A，^○荒船竜一^B，高木紀明^A，川合眞紀^A，C

6: フェムト秒2光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学
阪大産研　市林拓，^○谷村克己

休憩　（10:30～10:45)

7: 多重量子井戸ヘテロ界面の2次元電子ガスからの電界電子放射
東大生研　板倉祥哲，松本益明，福谷克之，岡野達雄，平川一彦

8: InAs(111)A表面における不規則ポテンシャル誘起電子トラップの低温走査トンネル顕微鏡観測
NTT物性基礎研　蟹澤聖，村木康二

9: 磁性ダイマー吸着系におけるSTSスペクトルの磁場依存性
阪大院工，阪大院理^A　南谷英美，中西寛，Wilson Agerico Dino^A，笠井秀明

10: STM非弾性トンネル分光によるスピン計測
東大院新領域^A，理研^B，JST-CREST^C，東大工^D　能登健一^A，太田奈緒香^D，伊藤彩夏^A，塚原規志^A，白木将^A，C，高木紀明^A，C，川合眞紀^A，B，C

11: 高周波測定対応STMの開発と表面電子スピンの検出について
理研，東大新領域^A　小野雅紀，花栗哲郎，高木英典^A

26日　YH会場　26aYH　9:00～12:15

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ

1: 引っ張り過程における金<111>，<100>コンタクトの構造とコンダクタンス
東工大院総理工^A，JST-PRESTO^B，東工大院理工^C， JST-CREST^D　大島義文^A，B，久留井慶彦^C，高柳邦夫^C，D

2: 金(111)面および(110)面のトンネルからコンタクトへの遷移のその場観察
東工大院総理工，JST-PRESTO　大島義文

3: その場電子顕微鏡法による銀ナノ接点の電流－電圧特性の解析
筑波大院数理　増田秀樹，木塚徳志

4: 金ナノ接点のエレクトロマイグレーション観察
筑波大院数理　松田知子，木塚徳志

5: ゲルマニウム－金合金ナノ接点の電気伝導特性
筑波大院数理　加瀬俊一，松田知子，木塚徳志

6: 金原子ワイヤーのコンダクタンスの長さ依存性
筑波大工基^A，筑波大院数理^B　児玉智志^A，松田知子^B，木塚徳志^B

休憩　（10:30～10:45)

7: 時間依存非平衡グリーン関数法によるナノ構造体の過渡電流解析
東大院工　笹岡健二，山本貴博，渡邉聡

8: フリーデル総和則を満たす位相のずれと金属原子架橋系の電気伝導度
兵庫県大物質理　小谷祐介，島信幸，馬越健次

9: 電極表面上のカーボンナノチューブの電子状態
筑波大数物　竹本整司，小林伸彦

10: 第一原理伝導計算による金属電極に挟まれたSi原子鎖の電子輸送特性解析
筑波大院数理物質　日下裕幸，小林伸彦

11: 取　　消

12: 分子架橋系の伝導特性に対する分子電極間相互作用の役割
東大生研^A，物材機構^B　近藤恒^A，奈良純^B，大野隆央^B，A

26日　YG会場　26pYG　13:30～14:30

領域9
ダイナミクス

1: ハイブリッド量子古典シミュレーションにおける量子領域間相互作用の考慮
豊田中研^A，名工大院(創成シミュ)^B，JST-CREST^C　大庭伸子^A，B，C，尾形修司^B，C，兵頭志明^A，C

2: グラフェン剥がしのフォースディスタンスカーブ
愛教大物理，成蹊大理工^A　石川誠，板村賢明^A，佐々木成朗^A，三浦浩治

3: Pdクラスター表面近傍における量子様態の解析
阪大院工　尾澤伸樹，中西寛，笠井秀明

4: 同時ドーピング法による半導体をベースとする水素貯蔵材料のデザイン
阪大基礎工　富永隆介，吉田博，佐藤和則

26日　YH会場　26pYH　13:30～14:45

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ

1: SiCナノワイヤ/Auナノ粒子ネットワークにおける抵抗スイッチング
阪大理物　森祐揮，河野日出夫，竹田精治

2: 電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン／カーボンナノチューブ変換
阪大院理，阪大ナノ機構^A，東北大金研^B　河野日出夫，野上隆文，市川聡^A，大野裕^B，竹田精治

3: 置換基の位置の異なるベンゼンジアミン単分子接合の電気伝導度計測
北大院理^A，東工大院理工^B，JSTさきがけ^C　高橋拓也^A，B，木口学^B，C，村越敬^A

4: 極低温水素雰囲気下におけるCo単原子接合の電気伝導度と振動スペクトルの同時計測
北大院理^A，東工大院理工^B，JSTさきがけ^C　中住友香^A，木口学^B，C

5: 金属電極間に架橋したパイ共役単分子の電気伝導特性
東工大理工^A，JSTさきがけ^B　木口学^A，B

26日　PSA会場　26pPSA　13:30～15:30

領域9
領域9ポスターセッション

59: RHEEDロッキング曲線連続計測による，Ag(001)表面上のホモエピタキシー過程のその場観察
山梨大教育　長島礼人

60: 窒化ガリウムのMBE成長における島の自己組織化の解析
阪大院工，阪大工^A　小林泰典，土井祐介^A，中谷彰宏^A

61: DFT計算によるGe(111)表面上Auの吸着構造の研究
鳥取大院工　小田泰丈，石井晃

62: アナターゼ型TiO₂薄膜の作製
横市大院国総科　押野健一，木下郁雄

63: 下地層とサーファクタント層を用いたTiO₂薄膜の構造制御
東大生研，韓国光云大工^A　神子公男，青谷和明，河在根^A，山本良一

64: トポロジカル絶縁体 Bi₂Se₃ の結晶育成とフェルミ準位制御
東工大応セラ研　五十嵐九四郎，中島裕司，片桐隆雄，笹川崇男

65: 拡散係数の異なる構造が共存する結晶表面の形態不安定性－蒸発の効果－
金沢大メディア　佐藤正英

26日　PSB会場　26pPSB　15:30～17:30

領域9
領域9ポスターセッション

1: Investigation of Alkyl Self Assembly Monolayers (SAMs) by using Sum Frequency Microscopy (SFM)
Sch. of Material Sci.，Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech. (JAIST)^A，JST-CRES，Japan Sci. and Tech. Agency-Core Res. for Evolutional Sci. and Tech.^B，Ishikawa Nat'l. Col. of Tech.^C　A.B. EL Basaty，^○Y. Miyauchi^A，H. Nakayama^B，H. Sano^C，G. Mizutani^D

2: STMジャンクションによる分子のコンダクタンス計測
東大新領域^A，東大工^B，理研^C　八百篤史^A，平岡諒一^B，白木将^A，高木紀明^A，川合眞紀^A，B，C

3: Cu(100)表面上の物理吸着酸素分子の強磁場下スピン偏極測定
物材機構，中国科技大^A　倉橋光紀，孫霞^A，山内泰

4: 高分解能角度分解光電子分光によるGaSb(001)表面近傍の電子状態
奈良先端大物質創成，半導体理工学セ(STARC)^A　小池潤一郎，武田さくら，森田誠，山中佑一郎，大井秀夫，服部賢，大門寛，吉丸正樹^A，今村健^A

5: 角度分解光電子分光法によるSb/Ge(111)-(2×1)表面の電子状態の研究
京大院理　八田振一郎，奥山弘，有賀哲也

6: Bi吸着Si(001)表面の構造と電子状態
奈良先端大物質創成，半導体理工学セ(STARC)^A　森田誠，武田さくら，小池潤一郎，山中祐一郎，中野晃太郎，橋本美絵，大門寛，吉丸正樹^A，今村健^A

7: NiSi₂/Si(111) 薄膜単結晶の角度分解光電子分光
広大院理，広大放射光^A　飛松浩明，間曽寛之，^○佐藤仁^A，仲武昌史^A，有田将司^A，生天目博文^A，谷口雅樹

8: 二次元モノレイヤーMoS₂上の吸着子の電子構造
鳥取大院工^A，JST-CREST^B　中田謙吾^A，B，石井晃^A，B

9: 第一原理計算によるSi(111)2×2表面でのN原子及びO原子吸着
奈良先端大物質創成，阪大産研^A　稲葉雄一，安居麻美，服部賢，大門寛，柳澤将^A，森川良忠^A

10: Si(111)表面反転層ホールサブバンドの構造：歪みの効果
琉球大理　稲岡毅

11: 非接触領域における極低温ナノスケール摩擦の研究
慶應大理工　齋藤広大，柴山義行，白濱圭也

12: 超高真空プローバによるSrTiO₃(110)表面の金属的電子状態の測定III
茨大理^A，産総研^B，理工貿易^C　佐藤知也^A，B，阪東寛^B，相浦義弘^B，浦田篤浩^C，西原美一^A，B

13: 基板上グラフェンナノリボンの電子状態
金沢大自然　澤田啓介，石井史之，齋藤峯雄

14: カーボンアロイ触媒の活性点の構造とその安定性
北陸先端大，原子力機構放射光^A，東大工^B，群大院工^C， NEDO^D　S.-F. Huang，^○寺倉清之，尾崎泰助，池田隆司^A，M. Boero，尾嶋正治^B，尾崎純一^C，宮田清藏^D

15: 第一原理分子動力学によるカーボンアロイ触媒の酸素還元反応過程の解析
原子力機構放射光，北陸先端大^A，東大工^B，群大院工^C，NEDO^D　池田隆司，M. Boero^A，S.-F. Huang^A，寺倉清之^A，尾嶋正治^B，尾崎純一^D，宮田清藏^D

16: 取　　消

17: A DFT Study on Adsorption of NO on Various Functional Molecular Nanowires
Dept. of Precision Sci. & Tech. and Applied Phys.，Grad. Sch. of Eng.，Osaka Univ.　Tien Quang Nguyen，Hiroshi Nakanishi，Hideaki Kasai

18: NOとCOの共吸着Ir(111)表面のSTM観察
東大生研　松本益明，池田暁彦，福谷克之，岡野達雄

19: 磁場中及び無磁場中蒸着によるポリエチレンナフタレート有機膜上のニッケル薄膜に関する研究
北大電子研，阪大産研^A　海住英生，小野明人，川口敦吉，近藤憲治，元鍾漢^A，平田秋彦^A，石丸学^A，弘津禎彦^A，石橋晃

20: Si(110)表面へのPb吸着構造のRHEED観察
奈良先端大物質創成，半導体理工学研究セ(STARC)^A　山中佑一郎，武田さくら，森田誠，小池潤一郎，中野晃太郎，大門寛，吉丸正樹^A，今村健^A

21: GaN(0001)基板表面清浄化手法の開発2
阪大院工，奈良先端大物質創成^A　服部梓，河村史郎，吉村政志，北岡康夫，森勇介，服部賢^A，大門寛^A

22: Si(111)-3×1-Ag表面上Au吸着に伴う√21×√21超構造の形成
東大物性研　中村史一，成田尚司，松田巌

23: Si(111)表面上へのアルカリ金属原子(K，Cs)吸着で生成するクラスターのSTM観察
防衛大^A，横国大^B　西岡広明^B，藤原賢一^A，北嶋武^A，井上大輔^B，大野真也^B，田中正俊^B，鈴木隆則^A

24: Si(001)表面上に成長した鉄シリサイド三次元細長島の構造II
奈良先端大物質創成　服部賢，染田政明，前谷健，大門寛

25: 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態
九大院工^A，NTT基礎研^B，東大物性研^C，九大院総理工^D　森田康平^A，日比野浩樹^B，中辻寛^C，小森文夫^C，水野清義^D，田中悟^A

26: 非線型光学応答に反映されるSi(111)7×7表面へのアルカリ金属原子(Cs)吸着プロセスの温度依存性
防衛大応物　藤原賢一，鈴木隆則

27: Si(001)表面上のアルカリ金属吸着脱離過程のリアルタイム解析
横国大工，防衛大応物^A　森本真弘，大野真也，鈴木隆則^A，田中正俊

28: オリゴチオフェン超薄膜成長過程の表面差分反射分光による解析
横国大工，横市大国際総合^A　井上慧，脇田創，浅利友隆，西山文貴^A，横山崇^A，大野真也，田中正俊

29: Si(001)表面の反射率差分光スペクトル構造の温度依存性
横国大工，防衛大応物^A　落合俊之，大野真也，鈴木隆則^A，田中正俊

30: 構成原子数まで揃った1nm-CdSeナノ粒子の成長に伴う発光強度の顕著な増大
東北大工，東北大融合研^A，京大理^B　野田泰斗，粕谷厚生^A，武田和行^B，前川英己

31: Structures of Pb on high-index Si surfaces
東大物性研，名大工^A，KEK PF^B　W. Voegeli，白澤徹郎，阿部誠，廣江拓，高橋敏男，秋本晃一^A，杉山弘^B

32: Pb初期吸着過程におけるSi(111)表面構造変化のリアルタイムモニタリング
奈良先端大物質創成　中野晃太郎，武田さくら，大西洋平，山中祐一郎，橋本美絵，大門寛

33: 超高真空電子顕微鏡用低温ステージの開発
農工大院工　藤村倫子，箕田弘喜

34: 取　　消

35: グラファイト (0001) 面上の平面性トリアミド分子から成る水素結合ネットワークの幾何・電子構造
東京農工大工，横市大院国際総合科学^A　山崎俊弥，佐々木良祐，坂本健太，末吉祐介，松本圭司，尾崎弘行，遠藤理，塚田秀行^A

36: グラファイト(0001)面上の atomic sash 極薄膜の電子分光
東京農工大工，北里大理^A　佐々木良祐，山崎俊弥，坂本健太，栖原正典，勝亦伸之，前野悠美，尾崎弘行，遠藤理，真崎康博^A

37: 光電子ホログラフィー：円偏光励起時の原子像への影響
高輝度セ，奈良先端^A　松下智裕，松井文彦^A，大門寛^A

38: 透過電子顕微鏡による固液界面構造観察法の開発
東京農工大工^A，JST-CREST^B　箕田弘喜^A，B，稲吉悠里^A

39: Bi(001)原子スケール薄膜の第一原理計算
金沢大自然　小鷹浩毅，斎藤峯雄，石井史之

40: 両面スラブモデルによる固液界面酸化還元反応の第一原理解析
物材機構WPI-MANA^A，JSTさきがけ^B，慶大理工^C　館山佳尚^A，B，渡辺剛志^C，栄長泰明^C

41: 低速Hラジカル照射下におけるSi(001)2×1表面H被覆率の第一原理計算
阪大　稲垣耕司，金井良太，広瀬喜久治，安武潔

42: 第一原理計算によるTiO₂表面上への水分子吸着過程の解析2
阪大院工　足立駿介，中西寛，笠井秀明

43: Rh(111)面におけるNO分子：第一原理電子構造計算
岩手大工，慶大理工^A　西館数芽，近藤寛^A，長谷川正之

44: 硫化銀原子スイッチの伝導特性およびナノフィラメント生成過程に関する第一原理計算
東大院工マテリアル^A，現東北大WPI^B　高木勇児^A，王中長^A，B，谷廷坤^A，多田朋史^A，渡邉聡^A

45: 電極間分子架橋系の電流特性における溶媒効果に関する理論的研究V
東大院工　俵有央，多田朋史，渡邉聡

46: 球面収差補正STEMによる低温炭素膜上の金属ナノ粒子観察
東工大院理工^A，JST-CREST^B　小柳聖^A，谷城康眞^A，B，高柳邦夫^A，B

47: 横振動摩擦力顕微鏡を用いた有機薄膜の粘弾性評価
日立材料研，日立基礎研^A　宮岡秀治，平家誠嗣^A

48: Ag(111)表面上での低温における酸素分子の吸着構造と磁気状態
東大生研　風間吉則，杉本敏樹，松本益明，福谷克之

49: カーボンナノチューブ表面への分子の物理吸着
東大生研，東北大院環境^A　岩田晋弥，小倉正平，岡野達雄，福谷克之，佐藤義倫^A，田路和幸^A

50: MgO基板上Ptナノワイヤーからの光第二高調波発生の偏光方位角依存性
北陸先端大マテリアル　尾形洋一，Nguyen Anh Tuan，高瀬彩穂，水谷五郎

51: 単一分子架橋系におけるスピンフリップ非弾性電流シミュレーション
東大院工　多田朋史，山本貴博，笹岡健二，渡邉聡

52: 非平衡開放系分子動力学シミュレーションによる単一分子架橋系のダイナミクスと伝導特性の解析
東大院工　稲塚大氣，俵有央，多田朋史，渡邉聡

53: ブレークジャンクション法を用いた金属細線内の量子伝導における磁性不純物効果
九大院工^A，金沢大教育^B　中尾貴史^A，家永紘一郎^A，稲垣祐次^A，河江達也^A，辻井宏之^B

54: AgおよびAuAg合金1G0接点の破断電圧
京大工　岩田圭市，三浦大輔，黒川修，^○酒井明

55: Si ナノワイヤーの酸化膜界面構造に関する研究：連続ランダムネットワークを用いたシミュレーション
産総研　美馬俊喜，西尾憲吾，三上益弘

56: カーボンナノチューブを用いた圧力センサーにおける電界の影響
神戸大院工　毛利真章，小川真人，相馬聡文

57: 多端子電気伝導シミュレータの開発とカーボンナノチューブの4端子抵抗計算
東大院工　飛松啓司，寺澤麻子，山本貴博，多田朋史，渡邉聡

58: Molecular-dynamics simulations on heat transport in carbon nano-structures under non-reflecting boundary conditions
Univ. of Tokyo　Derek A. Thomas，Takahiro Yamamoto，Satoshi Watanabe

59: ナノ構造体における電気伝導シミュレーションの開発
高度情報研究機構　中村賢，手島正吾，飯塚幹夫，志澤由久，中村壽

60: SPMによるDNAの構造解析
首都大理工　臼井英正，溝口憲治，坂本浩一，圓谷淳

61: 共鳴核反応法を用いた固体中の重水素測定
東大生産研，三菱重工^A　米村博樹，福谷克之，岩村康弘^A，伊藤岳彦^A

62: Ag表面上での水素分子のオルソ・パラ転換ダイナミクス
阪大院工　國貞雄治，中西寛，笠井秀明

27日　YG会場　27aYG　9:00～12:30

領域9
表面界面電子物性

1: Au/Ge(001)及び(111)表面の電子状態
東大物性研　中辻寛，新倉涼太，柴田祐樹，岩崎悠真，山田正理，飯盛拓嗣，小森文夫

2: 銀ストライプ表面における一次元的定在波のSTM観察
物材機構^A，お茶大理^B　内橋隆^A，小林功佳^B，中山知信^A

3: 積層欠陥を含むAg(111)ストライプ薄膜の電子状態
お茶大理，物材機構^A　小林功佳，内橋隆^A

4: ミニモットスピン検出器の開発とV族半金属表面のRashba効果の観測
東北大院理^A，東北大WPI^B，CREST-JST^C　高山あかり^A，相馬清吾^B，菅原克明^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B，C

5: W(110)のBi微量吸着系におけるスピン偏極電子状態の研究
広大放セ^A，広大院理^B　宮本幸治^A，木村昭夫^B，西村良祐^B，叶丸孝治^B，黒田健太^B，門野利治^B，島田賢也^A，生天目博文^A，谷口雅樹^A，B

6: 4/3原子層鉛吸着したGe(111)表面のスピン分裂した電子状態
京大院理^A，JST CREST^B，広大放射光^C，広大院理^D　矢治光一郎^A，B，大坪嘉之^A，B，八田振一郎^A，B，奥山弘^A，宮本幸治^C，奥田太一^C，木村昭夫^D，生天目博文^C，谷口雅樹^C，D，有賀哲也^A，B

休憩　（10:30～10:45)

7: Bi/Ge(111)-""2×1"" 表面の原子構造と電子状態
京大院理^A，JST CREST^B，東大物性研^C　大坪嘉之^A，矢治光一郎^A，八田振一郎^A，B，原沢あゆみ^C，奥田太一^C，松田巌^C，奥山弘^A，有賀哲也^A，B

8: 2次元光電子バンドマッピングによるRashba系表面状態と量子井戸状態の相互作用研究
東大理，東大物性研^A，Istituto di Struttura della Materia，Consiglio Nazionale delle Ricerche，Trieste， Italy^B，Int'l. Centre for Theoretical Phys.(ICTP)，Italy^C　小河愛実，原沢あゆみ^A，Paolo Moras^B，Dinesh Topwal^C，Carlo Carbone^B，松田巌^A

9: トポロジー絶縁体Bi1-xSbx合金(x=0.04，0.13)電子状態のSbドープ量依存に対する研究
東大物性研，阪大産研^A，広大放射光^B，分子研UVSOR^C，名大院工^D　西出聡悟，武市泰男，Alexey.A.Taskin^A，Ke He，奥田太一^B，中辻寛，小森文夫，宮崎秀俊^C，伊藤孝寛^D，木村真一^C，安藤陽一^A，柿崎明人，松田巌

10: BiSb合金超薄膜の電子状態及び輸送特性
東大理，東大物性研^A　平原徹，坂本裕介，奥田太一^A，松田巌^A，長谷川修司

11: 強磁場下独立駆動型多端子装置によるBi/Ag超薄膜の反局在効果の研究
東大理，東大物性研^A　宮田伸弘，^○成田尚司^A，平原徹，小河愛美^A，長谷川修司，松田巌^A

12: キャリアドープしたモット絶縁体表面の電気伝導
東大理^A，延世大^B　小森田拓^A，平原徹^A，Yan Gu^A，守川春雲^B，長谷川修司^A

13: 希薄磁性表面での抵抗異常：近藤効果とRKKY相互作用の競合
東大理　高瀬恵子，芝崎剛豪，平原徹，^○長谷川修司

27日　YH会場　27aYH　9:00～12:00

領域9，領域5
結晶成長

1: 結晶成長に於ける流体効果のフェイズフィールド理論
京大理　高江恭平，小貫明

2: 不凍糖タンパク質による排除体積効果を考慮した氷の2次元DLA成長II--不純物パーコレーションと氷成長の競合--
大阪電通大工　曽原崇史，^○阿久津典子，竹居正登

3: 氷結晶の気相成長過程の高分解光学顕微観察
北大低温研，学習院大計算セ^A　佐崎元，Salvador Zepeda，中坪俊一，横山悦郎^A，古川義純

4: 二成分理想固溶体結晶の組成に対する表面拡散依存
学習院大計セ，京大理^A　松本喜以子，入沢寿美，北村雅夫^A

5: 結晶平衡形ファセット端の異常な振る舞いに潜むユニバーサルな振る舞い－p-RSOS模型の密度行列繰り込み群計算より－
大阪電通大工　阿久津典子

6: インクルージョンを含むエピタキシャル成長の島状構造変化
神戸大連携創造，神戸大分子フォト^A，名大理^B　勝野弘康，太田仁^A，上羽牧夫^B

休憩　（10:30～10:45)

7: UHV in-situ TEMによる極薄Si酸化膜付Si基板上に成長するGeナノドットの歪み評価-II
名大院工^A，名大エコ研^B　趙星彪^A，藤林裕明^A，田中信夫^A，B

8: Siホールサブバンドの有効質量
奈良先端大物質創成，STARC^A　武田さくら，谷川洋平，森田誠，小池潤一郎，山中佑一郎，大門寛，吉丸正樹^A，今村健^A

9: 光放射圧によるグリシンの結晶化と結晶成長制御
奈良先端大物質創成　杉山輝樹

27日　YG会場　27pYG　13:30～16:15

領域9
表面界面構造

1: C₆₀-Pt(111)系の局所電子状態：金属波動関数の漸近特性
東大院総合文化，阪大産研^A　青木優，十河真生，坂本雄一，増田茂，柳澤将^A，森川良忠^A

2: Rh(111)表面上におけるBi及びPbによる二次元合金の創製と原子配列
名大工^A，名大エコトピア^B　横山昌^A，松井恒雄^A，B，柚原淳司^A

3: Bi(001)薄膜表面の原子間力顕微鏡／静電気力分光測定
阪大院工　神森康樹，内藤賀公，影島賢巳，菅原康弘

4: 銅(001)基板上のc(2×2)－窒化ニッケル単原子層の構造
東大物性研　飯盛拓嗣，橋本陽一郎，中辻寛，小森文夫

5: 高分解能イオン散乱と第1原理計算による NiAl(110)表面の構造・ダイナミクスの解析
立命館大理工^A，法政大工^B，産総研関西セ^C　小北哲也^A，西村智朗^B，香山正憲^C，^○城戸義明^A

休憩　（14:45～15:00)

6: 電界放出型低速電子回折パターンへの探針形状の影響に関する研究
九大総理工　姉川賢太，岩崎大悟，水野清義

7: Cu(001)面上のBi吸着系のストリークおよびスポット強度の被覆率・温度依存性
福岡教育大物理　三谷尚，弘中健治

8: Al(111)表面の第一原理局所応力計算
産総研計算科学，東大生研，産総研ユビキタス^A，産総研計算科学^B　椎原良典，香山正憲^A，石橋章司^B

9: Rh(100)表面上における酸化亜鉛超薄膜の表面構造
名大工^A，名大エコトピア^B　加藤大輔^A，松井恒雄^A，B，柚原淳司^A

10: 反射高速陽電子回折を用いた金属薄膜表面における表面プラズモン励起の研究
原子力機構先端研　深谷有喜，河裾厚男，一宮彪彦

11: GaAs(001)ホモエピタキシャル成長中のRHEED強度振動の起源
山梨大　川村隆明

27日　YH会場　27pYH　13:30～15:00

領域9，領域7合同
有機分子・半導体・その他

1: 6H-SiC(0001)再構成表面における水素脱離特性
東工大総理工　青木悠樹，平山博之

2: 有機薄膜成長における分子の異方性と結晶成長機構
東北大金研　藤川安仁，A. Al-Mahboob，J.T. Sadowski，櫻井利夫

3: 第一原理計算によるペンタセン／貴金属界面に関する理論的研究
阪大産研^A，パナソニック^B，Rutgers Univ.^C，産総研^D　豊田健治^A，B，中野洋輔^A，濱田幾太郎^A，Kyhoo Lee^C，柳澤将^A，森川良忠^A，D

4: 電極接続ナノカーボン系の電子状態と電気伝導計算
NECナノエレ研，筑波大物工^A　広瀬賢二，小林伸彦^A

5: アルカンチオール自己組織化膜に対する非弾性電子トンネル機構
東北大多元研^A，CREST-JST^B　岡林則夫^A，B，今田洋平^A，米田忠弘^A，B

6: 単分子接合の応力破断機構
阪大産研，JST-さきがけ^A　筒井真楠，谷口正輝^A，川合知二

28日　YG会場　28aYG　9:00～12:15

領域9
表面界面構造

1: 多周波数原子間力顕微鏡法の開発とGe(001)の表面弾性に関する研究
阪大工　内藤賀公，馬宗敏，影島賢巳，菅原康弘

2: Si(111)-√3×√3-Ag表面上に形成された鉄シリサイドのXMCD測定
分子研^A，総研大^B　高木康多^A，B，伊佐美恭平^B，山本勇^A，中川剛志^A，B，横山利彦^A，B

3: Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果III --interplay factor の温度変化を取り入れたmodified RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算--
大阪電通大，群馬大院工^A，NTT物性基礎研^B　阿久津典子，山本隆夫^A，日比野浩樹^B

4: Si(111)-√3×√3-Ga表面における円二色性光電子回折リングの解析
奈良先端大物質創成，SPring-8/JASRI^A　橋本美絵，松井文彦，松下智裕^A，加藤有香子，大門寛

5: 取　　消

6: 球面収差補正TEM法によるグラフェン単原子直接観察
東工大院理工^A，CREST-JST^B　安部悠介^A，田中崇之^A，B，高柳邦夫^A，B

休憩　（10:30～10:45)

7: 遷移金属ジカルコゲナイドにおける円偏光二次元光電回折の解析
奈良先端大物質創成，SPring-8/JASRI^A，Dept. of Phys.，Univ. of California Davis^B　後藤謙太郎，松井文彦，松本拓，西嘉山徳之，松下智裕^A，加藤有香子^A，C.S. Fadley^B，大門寛

8: 第一原理計算を用いたS終端GaN(0001)表面担持型Pd触媒の研究
鳥取大院工，阿南高専^A　横山真美，塚本史郎^A，石井晃

9: 第一原理計算を用いたS終端GaAs(0001)表面担持型Pd触媒の研究
鳥取大院工，阿南高専^B　横山真美，浅野裕基，塚本史郎^A，石井晃

10: 大規模界面系計算における局所結合スペクトル解析
鳥取大院工，JST-CREST　星健夫

11: 98%硝酸で形成した低リーク電流を持つ極薄SiO₂/Si構造(Ultrathin SiO2/Si structure with a low leakage current density formed by 98wt% nitric acid solutions)
阪大産研　金佑柄，松本健俊，小林光

12: HCN水溶液によるSiO₂表面の吸着Ni除去機構
阪大産研，科技振戦略基礎　高橋昌男，東裕子，劉イェリン，岩佐仁雄，小林光

28日　YH会場　28aYH　9:00～12:25

領域9，領域12合同シンポジウム
主題：コロイド・巨大分子の結晶成長

1: 趣旨説明
北大低温研　佐崎元

2: 荷電コロイド系の結晶化とせん断配向
物材研　澤田勉

3: 遠心沈降法による密充填コロイド結晶の大型化
徳島大院ソシオ　鈴木良尚

4: 重力下における剛体球系結晶の成長と積層欠陥
徳島大院工　森篤史

5: 隕石中のマグネタイトのコロイド結晶
東北大院理　野澤純

6: ガラス転移・臨界現象と結晶化
東大生産研　田中肇

休憩　（10:50～11:05)

7: タンパク質溶液の相挙動と結晶成長
広大総合科　田中晋平

8: フェムト秒レーザー照射によるタンパク質核発生メカニズムの解明
阪大院工　村井良多

28日　YG会場　28pYG　13:30～16:15

領域9
表面界面構造

1: STM study of the redox properties of Ceria (111)
IMRAM，Tohoku Univ.　Syed Mohammad Fakruddin Shahed，Yasuyuki Sainoo，Tadahiro Komeda

2: 硝酸酸化法によるAl₂O₃/Al構造の室温形成
阪大産研，CREST-JST　岩田隆，^○松本健俊，寺川澄雄，小林光

3: 第一原理計算に基づいた貴金属・遷移金属酸化物薄膜における触媒機能の理論
阪大基礎工　草部浩一

4: Si(111)-(√3×√3)-Ag表面上に配列したオリゴチオフェン分子の低温STM観察
横浜国大工，横浜市大国際総合科学^A　浅利友隆，横山崇^A，大野真也，田中正俊

5: グラファイト(0001)面における直鎖アルカン吸着構造のC K-NEXAFSによる解析
東京農工大工，高エ研^A，分子研^B　遠藤理，隅井良平^A，雨宮健太^A，小杉信博^B，尾崎弘行

6: 取　　消

休憩　（15:00～15:15)

7: Layer-by-Layer法を用いた固体表面における金属錯体ナノ薄膜の作製と構造
九大院理，京大院理^A，JST-CREST^B，防衛大応化^C，高輝度光科学研^D　牧浦理恵^B，本山宗一郎，梅村泰史^C，坂田修身^B，D，北川宏^A，B

8: 微細構造基板上へのヘテロ吸着 1.並行溝基板
慶大理工，Oxford^A　齋藤幸夫，Olivier Pierre-Louis^A

9: 微細構造基板上へのヘテロ吸着2，ポスト基板
慶大理工，Oxford^A　高野幸一，齋藤幸夫，Olivier Pierre-Louis^A

10: DFT計算におけるグラファイト基板上のGaNの結晶成長の研究
鳥取大院工^A，JST-CREST^B　多谷孝明^A，B，浅野裕基^A，B，石井晃^A，B

28日　YH会場　28pYH　13:15～16:00

領域9
微粒子・クラスター

1: Pt/グラフェンへのCO吸着
阪大工，阪大産研^A，産総研ユビキタス^B　岡崎一行，森川良忠^A，香山正憲^B

2: アルカリハライドマイクロクラスターにおける高速拡散現象の分子動力学シミュレーションを用いた活性化エネルギー評価
立命館大理工，九州大情報基盤セ^A，関西学院大理工^B　新山友暁，渡辺将也，清水寧，小林泰三^A，澤田信一^B，池田研介

3: 準二次元系における表面融解のモデル化
北教大函　窪田佳祐，高橋伸幸

4: ナノサイズGa液滴の表面張力の分子動力学による計算
関西学院大理工　増田俊平，澤田信一

5: 収差補正STEMによるZコントラストイメージング
東工大院理工^A，JST-CREST^B　神保雄^A，谷城康眞^A，B，高柳邦夫^A，B，沢田英敬^B，奥西栄治^B

6: Evidence for hydrogen absorption in oxide-supported Pt nanoclusters
Univ. of Tokyo，CREST-JST　Markus Wilde，Katsuyuki Fukutani

休憩　（14:45～15:00)

7: Pt/CeO₂触媒のガス中環境TEM観察
阪大院理，産総研ユビキタス^A，首都大東京^B　吉田秀人，河野日出夫，秋田知樹^A，香山正憲^A，春田正毅^B，竹田精治

8: 金ナノ粒子とSrTiO3(001)およびTiO2(110)界面における電荷移動
立命館大理工^A，法政大工^B，産総研関西セ^C　光原圭^A，橘堂恭昌^A，松本悠志^A，Anton Visikovskiy^A，西村智朗^B，秋田知樹^C，城戸義明^A

9: その場実時間分割XAFS測定によるCO/NO雰囲気下Pd金属微粒子の動的構造及び形状変化
原子力機構量子ビーム，ダイハツ工業^A　松村大樹，岡島由佳，西畑保雄，水木純一郎，谷口昌司^A，上西真里^A，田中裕久^A

10: 取　　消