領域7

25日　XA会場　25aXA　9:15～12:30

領域5，領域7合同
光誘起相転移

1: 有機伝導体α-(ET)₂I₃における高伝導状態と光誘起金属状態のテラヘルツ超高速応答
東北大院理^A，JST-CREST^B，分子研^C，情通機構^D　中屋秀貴^A，伊藤桂介^A，高橋良幸^A，岩井伸一郎^A，B，山本薫^C，薬師久弥^C，斎藤伸吾^D

2: ピコ秒時間分解振動分光による(EDO-TTF)₂PF₆光誘起相転移過程の観測
東工大院理工^A，東工大院総理工^B，東工大フロンティア^C，京大低物セ^D，名城大^E　清水実^A，石川忠彦^A，沖本洋一^A，腰原伸也^A，C，邵向鋒^D，中野義明^D，矢持秀起^D，斎藤軍治^E，恩田健^B

3: (EDO-TTF)₂PF₆における光誘起相転移のサブ20フェムト秒ダイナミクス
東工大院理工^A，ERATO/JST^B，京大低物セ^C，名城大^D，東大物性研^E，LBNL^F，東工大院総理工^G　荻原將^A，石川忠彦^A，沖本洋一^A，腰原伸也^A，B，邵向鋒^C，中野義明^C，矢持秀起^C，斎藤軍治^D，板谷治郎^B，E，F，恩田健^B，G

4: BEDT-TTF塩における光誘起絶縁体－金属転移
理研　田久保直子，田嶋尚也，加藤礼三

5: 2次元有機導体における光誘起ダイナミクス：α，θ，κ型ET塩の場合
東北大金研^A，分子研^B，東北大理^C，JST-CREST^D，総研大^E　宮下哲^A，B，田中康寛^B，岩井伸一郎^C，D，米満賢治^B，E

休憩　（10:30～10:45)

6: 電荷移動錯体TTF-CA薄膜結晶におけるフェムト秒時間分解透過分光
東工大院理工^A，東工大院総理工^B，東工大フロンティア^C　松原圭孝^A，吉田樹史^A，石川忠彦^A，恩田健^B，沖本洋一^A，腰原伸也^A，C

7: 20fsパルスによる光誘起中性－イオン性転移の超高速ダイナミクスの研究
東大院新領域^A，産総研 CERC^B，JST-CREST^C　浜本貴紀^A，上村紘崇^A，木村和輝^A，松崎弘幸^A，堀内佐智雄^B，岡本博^A，B，C

8: 有機1次元モット絶縁体における光キャリアの超高速ダイナミクスII
東大院新領域^A，JST，CREST^B　上村紘崇^A，松崎弘幸^A，岡本博^A，B

9: (TMTSF)₂PF₆スピン密度波ギャップスペクトルの光誘起変化と回復過程
東大理，東大院総合^A　渡邉紳一，近藤隆祐^A，鹿児島誠一^A，島野亮

10: 高強度テラヘルツ波パルス励起による(TMTSF)₂PF₆SDW相の伝導度変化
東大理，東大院総合^A　坪田翔悟，渡邉紳一，近藤隆祐^A，鹿児島誠一^A，島野亮

11: ハバード模型における光強励起非平衡状態の動的平均場解析
東大理　辻直人，岡隆史，青木秀夫

12: 1次元ドメイン形成動力学の有効モデルを用いた考察
物構研　岩野薫

25日　YC会場　25aYC　9:00～12:15

領域7
α型，β”型

1: 有機伝導体α(BEDT-STF)₂I₃の層間ホール効果
東邦大理^A，東邦大複合物セ^B，東理大理工^C，理研^D，阪市大院理^E　佐藤光幸^A，B，三浦克哉^A，遠藤里美^A，高山皓平^A，菅原滋晴^C，田嶋尚也^D，村田惠三^E，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B

2: 有機ゼロギャップ(?)伝導体α-(BEDT-STF)₂I₃の磁場中における電気伝導特性
東邦大理^A，東邦大複合物セ^B，東理大理工物^C，理研^D，阪市大院理^E　三浦克哉，佐藤光幸^A，B，遠藤里美^A，高山皓平^A，菅原滋晴^C，田嶋尚也^D，村田惠三^E，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B

3: α-(BEDT-TTF)₂I₃のゼロギャップ状態における擬スピン強磁性とKT転移
名大高等院，名大理^A，東理大理^B，Univ. Paris-Sud^C　小林晃人，鈴村順三^A，福山秀敏^B，Mark O. Goerbig^C

4: 分子性Dirac電子系における異常な電気的性質
理研，東邦大理^A　田嶋尚也，加藤礼三，西尾豊^A，梶田晃示^A

5: α-(BEDT-TTF)₂I₃のゼロギャップ状態における正の層間磁気抵抗の理論
京大基研　森成隆夫，樋村隆弘，遠山貴巳

6: α-(BEDT-TTF)₂I₃の層間磁気抵抗における圧力依存性
京大基研　樋村隆弘，森成隆夫，遠山貴己

休憩　（10:30～10:45)

7: ゼロギャップ有機伝導体における量子ホール効果
物材機構，筑波大物理^A　新井正男，初貝安弘^A

8: α-(BEDT-TTF)₂CsCd(SCN)₄の¹³C-NMR研究
学習院大理，東大院総合^A　高橋遼平，開康一，高橋利宏，近藤隆祐^A，鹿児島誠一^A

9: 静水圧化下におけるα'-(BEDT-TTF)₂IBr₂のSHG分布
分子研　山本薫，薬師久弥

10: β"型有機導体の電荷揺らぎ相の電子物性(II)
東大院総合文化，明大理工^A，筑波大院理^B　近藤隆祐，比嘉百夏，村田淳，鹿児島誠一^A，西川浩之^B

11: β"-(BEDT-TTF)(TCNQ)の低温超格子構造
岡山大院自然，分子研^A，理研^B　小椋美鈴，花咲徳亮，野上由夫，薬師久弥^A，山本浩史^B，加藤礼三^B

12: β"-(ET)(TCNQ)の室温SPMの研究
首都大理工，埼玉大理^A　森英一，臼井英正，溝口憲治，谷口弘三^A

13: 擬二次元有機導体θ-(ET)₂I₃の圧力下ゼロギャップ電子状態の¹³C-NMR
東大工^A，東理大理工^B　平田倫啓^A，宮川和也^A，田村雅史^B，鹿野田一司^A

25日　YD会場　25aYD　9:00～11:45

領域7
クラスレート・ゼオライト

1: Li添加したαホウ素の動的安定性
阪大産研，東北大^A，Ecole Polytechnique^B　出倉春彦，濱田幾太郎^A，柳瀬章，Nathalie Vast^B，白井光雲

2: プルシャンブルー格子の圧力誘起構造相転移
筑波大数理，南京大^A，JASRI/SPring-8^B　松田智行，劉暁俊^A，大石泰生^B，柴田恭幸，守友浩

3: 結晶水制御したしアノ錯体の静電ポテンシャル変化
JASRI/SPring8^A，島根大理工^B，RIKEN/SPring8^C，筑波大数理^D　金廷恩^A，田中宏志^B，加藤健一^C，高田昌樹^C，守友浩^D

4: クリストバライト型架橋シアノ錯体ホスト包接体の相転移
東大物性研，東大院総合^A　麻生慎太郎，山田武，南本陽子^A，段裕貴^A，錦織紳一^A，山室修

5: エレクトライド12CaO・7Al₂O₃の磁気測定およびラマン散乱
東洋大院工　町田陽平，諏佐友哉，和田昇，椿光太郎

休憩　（10:15～10:30)

6: ゼオライトLSX中のNa-Kクラスターのフェリ磁性強磁場磁化過程 III
阪大理，東大物性研^A　中野岳仁，ズオン・ティ・ハン，後藤輝生，松尾晶^A，金道浩一^A，野末泰夫

7: Kクラスターを吸蔵したゼオライトAの第一原理電子構造計算2
東大理，東大工^A　野原善郎，中村和磨^A，有田亮太郎^A

8: ゼオライトLSX中のNa-Kクラスターにおけるフェリ磁性・強磁性のK吸蔵量依存性とNa量依存性について
阪大理　グエン・ホアング・ナム，ズオン・ティ・ハン，荒木崇志，荒木新吾，中野岳仁，^○野末泰夫

9: アルカリ金属を吸着したソダライトのNMR(III)
群馬高専，阪大理^A，物材機構^B　五十嵐睦夫，中野岳仁^A，後藤敦^B，端健二郎^B，清水禎^B，花澤宏文^A，野末泰夫^A

10: アルカリクラスター充填ソーダライトの第一原理有効模型構築と磁性解析
東大工，東工大理^B　中村和磨，是常隆^A，有田亮太郎

25日　YE会場　25aYE　10:45～12:00

領域7
ナノチューブ構造

1: 金属基板上で変形したカーボンナノチューブの電荷移動と電子物性
岩手大工　長谷川正之，西館数芽

2: カーボンナノチューブに生成した5-7員環の対の回復のシミュレーション
横浜創英短大^A，横市大国際総合^B，金沢大理^C　若生啓^A，B，小田竜樹^C，橘勝^B，小島謙一^A，B

3: 三量体ピリジン型欠陥をもつカーボンナノチューブの構造安定性と電子構造
東工大理　藤本義隆，斎藤晋

4: 細いカイラルナノチューブの詳細構造の系統的研究
東工大理　加藤幸一郎，斎藤晋

5: ドープされたCNTヘテロ構造のDC伝導
阪大院理　赤井久純，小倉昌子

25日　YC会場　25pYC　13:30～17:00

領域7
電荷秩序，電荷揺らぎ，非線形伝導

1: β-(BEDT-TTF)₂I₃の一軸性圧縮効果
名大院工応物，京大低物セ^A，名城大総研^B　丹羽政文，伊東裕，田中久暁，黒田新一，矢持秀起^A，齋藤軍治^B

2: 有機超伝導体における一軸性圧縮効果
名大工　鈴木丈夫，大成誠一郎，丹羽政文，石原哲夫，伊東裕，田仲由喜夫

3: 有機超伝導体の転移温度に対する長距離斥力の効果
名大工　本杉友佳里，鈴木丈夫，大成誠一郎，丹羽政文，石原哲夫，伊東裕，田仲由喜夫

4: 2次元等方的三角格子上の電子格子系におけるフォノンのソフト化と低温相の状態
阪市大工　三好健太，寺井章

5: 長距離クーロン相互作用を介した交換プロセスによる電荷秩序不安定性の研究
東大理，東京医歯大教養^A，東大物性研^B　湯川英美，吉見一慶^A，前橋英明^B，加藤岳生^B，小形正男

6: 異方的三角格子模型における一様電荷不安定性に関する理論解析
東京医歯大教養，東大物性研^A　吉見一慶，加藤岳生^A，前橋英明^A

休憩　（15:00～15:15)

7: 二次元電荷秩序系における電流下での非平衡定常状態の理論
分子研^A，総研大^B　田中康寛^A，米満賢治^A，B

8: 巨大磁気抵抗を示すθ-(BEDT-TTF)₂CsZn(SCN)₄の電子スピン共鳴下電気伝導
物材機構，東京農工大工^A，名大工^B，理研^C　山口尚秀，木俣基，宇治進也，久保結丸，津田俊輔，高野義彦，上田真也^A，石井聡^B，山本浩史^C

9: Thermopower in the nonlinear regime of θ-(BEDT-TTF)₂CsZn(SCN)₄
Waseda Univ.，Univ. of Tokyo^A，Tokyo Inst. Tech.^B　M. Abdel-Jawad，I. Terasaki，H. Mori^A，T. Mori^B

10: α-(BEDT-TTF)₂I₃における非線形伝導特性
筑波大院数理物質^A，物材機構^B，分子研^C　小玉恒太^A，B，山口尚秀^B，寺嶋太一^B，木俣基^B，薩川秀隆^B，原田淳之^B，硲香織^A，B，宇治進也^B，A，山本薫^C，薬師久彌^C

11: 有機電荷移動錯体K-TCNQの非線形伝導状態における光学応答
名大院工^A，JST CREST^B　伊藤敦哉^A，岸田英夫^A，B，中村新男^A

12: DCNQI誘導体における非線形伝導とβ""-(BEDT-TTF)₃(HSO₄)₂における電圧振動
東工大院理工　脇田斉，大澤辰彦，田村幸三，坂東祥匡，川本正，森健彦

13: 強相関有機絶縁体の非線形伝導領域におけるESR測定
物材機構^A，筑波大^B，理研^C　木俣基^A，山口尚秀^A，寺嶋太一^A，宇治進也^A，B，今中康貴^A，高増正^A，山本浩史^C，加藤礼三^C

25日　YD会場　25pYD　13:30～16:30

領域7
クラスレート1

1: 金ナノ粒子－ポルフィリン誘導体からなる集積体の電気伝導挙動
北大院環境科学，北大電子研　野田祐樹，芥川智行，野呂真一郎，中村貴義

2: バッファガス導入による正二十面体B₁₂H_n⁺クラスターの水素数制御
東大新領域，産総研ナノ電子デバイスセ^A　大石佑治，山口政晃，木村薫，内田紀行^A，金山敏彦^A

3: 銀酸化物クラスレートAg₆O₈AgX(X=NO₃，HF₂)のNMRIII
阪大院基礎工，青学大理工^A　成輪啓史，金武史弥，椋田秀和，北岡良雄，川島健司^A，石井勝^A，秋光純^A

4: コドーピングSnベースクラスレートの電子構造計算
山口大理工，デンソー^A，山口大メディア基盤セ^B　河野欣^A，赤井光治^B

5: シリコンおよびゲルマニムクラスレート物質のフォノンと電子状態
東北大WPI・院理　谷垣勝己，佐藤一美，Jing Ju，Ju Tang

6: Ba_1-xSr_xSi₂の結晶構造とエネルギーギャップ
物材機構　今井基晴，佐藤晃

休憩　（15:00～15:15)

7: 構造I型スズ・クラスレートRb₈Sn₄₄の高圧ラマン散乱
岐阜大工，ミュンヘン工科大^A　久米徹二，今井隆彦，清水宏晏，佐々木重雄，A. Kaltzoglow^A，T.F. Fassler^A

8: 取　　消

9: クラスレート化合物Eu₈Ga₁₆Ge₃₀におけるナノ秒格子ダイナミクス
神戸大院理，広大院先端物質^A　山内崇弘，秦豪均，兒山友香，守安毅，岡村英一，河本敏郎，末國晃一郎^A，鬼丸孝博^A，高畠敏郎^A

10: 取　　消

11: クラスレート化合物Ba₈Ga₁₆Sn₃₀のNMRによる研究III
神戸大院理，広島大先端研^A　園田寛智，小手川恒，藤秀樹，末國晃一郎^A，高畠敏郎^A

25日　YE会場　25pYE　13:30～17:15

領域7
フラーレン

1: TDAE-C₆₀の有機強磁性に対する一軸性歪み効果III
首都大理工，産総研^A，Josef Stefan Inst^B，防衛大^C，岡大院自然^D　荒木理美，溝口憲治，坂本浩一，川本徹^A，D.Mihailovic^B，A.Omerzu^B，徳本圓^C，神戸高志^D

2: Na_xM_yC₆₀化合物(M = H，N)の構造と物性
法政大マイクロナノセ^A，法政大生命科学^B　大波英幸^A，緒方啓典^B

3: Na添加フラーレン化合物Na_xC₆₀のESR
兵庫県大院物質理，兵庫県大理^A　木全希，金澤陽介^A，平郡諭，^○小林本忠

4: TEM-SXESによるC60ポリマーの価電子帯の研究
東北大多元研，広大工^A　寺内正己，土谷公平，山中庄司^A

5: A15相Cs₃C₆₀の電子構造の圧力依存性
東工大理，ミネソタ大^A　斎藤晋，梅本幸一郎^A

6: アルカリ金属ドープフラーレンの電子格子相互作用
東工大理　是常隆，斎藤晋

7: C₆₀フラーレンナノウィスカー：電気伝導への電磁波等照射効果
千葉大自然，千葉大工^A，千葉大融合^B　土井達也，小山恭平^A，青木伸之^B，落合勇一^B

8: フラーレンナノウィスカーの成長における温度と水の影響
物材機構　堀田賀洋子，宮澤薫一

休憩　（15:30～15:45)

9: 金属内包フラ-レンSc₃N@C₇₈の電子状態と内包クラスターの構造
愛媛大院理工，千葉大院自然^A，分子研^B，名大院理^C　宮崎隆文，青木雄祐，鰐田憲彦^A，加藤真之^A，隅井良平^B，沖本治哉^C，梅本久^C，赤地祐彦^C，伊藤靖浩^C，篠原久典^C，^○日野照純

10: ニッケルフラーレンナノウィスカーを用いた内包カーボンナノカプセルの合成
筑波大院数理，物材機構^A　赤川朗，宮澤薫一^A，木塚徳志

11: 鉄フラーレンナノウィスカーを用いた内包カーボンナノカプセルの合成
筑波大院数理，物質材料研究機構^A　藤井純，宮澤薫一^A，木塚徳志

12: 電子顕微鏡法によるフラーレンナノファイバーの断面構造観察
物材機構　加藤良栄，宮澤薫一

13: その場電子顕微鏡法によるC₇₀ナノチューブの曲げ変形観察
筑波大院数理，物材機構^A　徳峰隆行，宮澤薫一^A，木塚徳志

14: 3次元C₆₀ポリマーのGPU加速量子分子動力学
理研基幹研　飯高敏晃

25日　ZK会場　25pZK　13:30～17:00

領域9，領域5，領域7合同シンポジウム
主題：分光学的手法による有機薄膜研究の最先端

1: はじめに
千葉大院融合　坂本一之

2: 化学修飾半導体表面に吸着したアクセプター分子の電荷移動
東大物性研　吉信淳

3: 有機半導体のエピタキシャル成長と温度可変・角度分解光電子分光
東大院理　島田敏宏

4: 有機機能性分子の物質設計と界面設計
岡山大RCIS　金井要

5: 界面電気二重層の起源と理論予測
阪大産研　森川良忠

休憩　（15:10～15:25)

6: 放射光を用いて有機/金属界面の構造と電子状態の相関を探る
分子研　山根宏之

7: 有機太陽電池材料における金属界面の電子状態と電気特性の相関
筑波大院数物　櫻井岳暁

8: 光電子収量分光による有機薄膜・単結晶の任意雰囲気下の電子構造観測
千葉大先進　石井久夫

9: 共鳴オージェ分光法によるDNAリン酸骨格のアト秒電子移動と伝導性
産総研　池浦広美

26日　YC会場　26aYC　9:00～12:30

領域7
κ型，輸送測定，中性―イオン性転移

1: 有機導体(BEDT-TTF)(TCNQ)の圧力下結晶合成
埼大院理工　天川智之，谷口弘三，佐藤一彦

2: 超高圧下ESR装置の開発とβ'-(BEDT-TTF)₂ICl₂の電子状態
首都大理工^A，産総研^B，埼玉大^C　谷口尚^A，坂本浩一^A，溝口憲治^A，竹下直^B，谷口弘三^C

3: κ-(BEDT-TTF)₂Xの第一原理有効模型の数値解析
東大工，JST-CREST　品岡寛，中村和磨，今田正俊

4: (MeDH-TTF)₂AsF₆の¹³C NMR
東大工，筑波大院理^A　宮川和也，鹿野田一司，西川浩之^A

5: ドメイン構造を有する有機超伝導体κ_L-(DMEDO-TSeF)₂[Au(CN)₄](THF)の角度依存性磁気抵抗
東工大院理工，物材機構^A，NHMFL^B，愛媛大^C，長岡技科大^D　川本正，森健彦，山口尚秀^A，宇治進也^A，David Graf^B，James S. Brooks^B，白旗崇^C，今久保達郎^D

6: 擬2次元有機伝導体の磁気抵抗効果
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，東理大理工物^C，日大文理^D　鈴木勝博^A，戸井田靖宏^A，佐藤光幸^A，B，菅原磁晴^C，小林速男^D，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B

休憩　（10:30～10:45)

7: κ-(BEDT-TTF)₂Cu(NCS)₂の角度分解熱電能測定
埼玉大院理工　箭内敏典，谷口弘三，佐藤一彦

8: κ-(BEDT-TTF)₂Cu(NCS)₂の超伝導相におけるFFLO状態の探索
物材機構^A，筑波大数理物質^B，兵庫県大^C，NHMFL^D　宇治進也^A，B，木俣基^A，原田淳之^A，山田順一^C，D. Graf^D，J.S. Brooks^D

9: τ型有機導体の熱電性能指数Z II
阪市大院理，理論・物理化学研(ギリシャ)^A，電通大量子物質工^B　吉野治一，石田啓一，G.C. Papavassiliou^A，相澤啓仁^B，黒木和彦^B，村田惠三

10: τ型有機導体における高い熱電能のプリン型バンドによる解釈
電通大量子物質工，阪市大院理^A　相澤啓仁，黒木和彦，吉野治一^A，村田惠三^A

11: Visualization of the charge transfer in TTF-CA by an experimental electrostatic potential analysis
Univ. of Tokyo^A，RIKEN SPring-8 Center^B，JASRI^C，Univ. Henri Poincare，Nancy 1，France^D　S. Ha^A，K. Kato^B，J. Kim^C，P. Garcia^D，S. Dahaoui^D，C. Lecomte^D，M. Takata^A，B，C

12: TTF-QCl₄の高圧下輸送特性の測定
東大工，東大新領域^A　竹原陵介，宮川和也，鹿野田一司，岡本博^A

13: TTF-QCl₄における中性－イオン性転移の高圧下NQR測定
東大工，分子研^A，東大新領域^B　細田雅之，宮川和也，鹿野田一司，岩瀬文達^A，岡本博^B

26日　YD会場　26aYD　9:00～12:00

領域7
界面・分子デバイス1

1: 立体規則性ポリヘキシルチオフェン／脂肪酸混合LB膜の作製とFET特性評価
名大院工　田中久暁，立松義裕，石原健二，渡辺峻一郎，黒田新一

2: 電界発光性高分子ポリフェニレンビニレン誘導体におけるキャリアのESR観測とFET特性
名大院工応物　尾藤芳彦，渡辺峻一郎，田中久暁，伊東裕，黒田新一

3: 立体規則性ポリヘキシルチオフェン超薄膜を用いたFETデバイスの電場誘起ESR観測
名大院工応物，名大院工応化^A　渡辺峻一郎，田中久暁，伊東裕，黒田新一，戸田章雄^A，永野修作^A，関隆広^A

4: 立体規則性ポリチオフェン／可溶性フラーレン複合体における光キャリアの4分子再結合過程
名大院工　黒田新一，横井佑樹，田中久暁

5: Tunable polarons in ZnO Electric-Double-Layer Transistors by Ionic-Liquid Gating
IMR Tohoku Univ.^A，CREST-JST^B，WPI-AIMR Tohoku Univ.^C　H.T. Yuan^A，B，H. Shimotani^A，B，A. Ohtomo^A，A. Tsukazaki^A，M. Kawasaki^A，B，C，Y. Iwasa^A，B

6: Ambient Induced Electron Traps in Organic Single Crystal Transistors
Inst. for Materials Res.，Tohoku Univ.^A，PRESTO-JST^B，Kyoto Inst. Tech.^C，CREST-JST^D　Satria Zulkarnaen Bisri^A，Taishi Takenobu^A，B，Yohei Yomogida^A，Satoshi Tsuda^A，Takeshi Yamao^C，Shu Hotta^C，Yoshihiro Iwasa^A，D

休憩　（10:30～10:45)

7: 層状物質を用いた電気二重層トランジスタの作製と伝導特性
東北大金研　井上誠之，J.T.Ye，H.T.Yuan，下谷秀和，岩佐義宏

8: Co-Feシアノ錯体のカチオンの伝導経路
筑波大数理^A，JASRI^B，島大理工^C　守友浩^A，五十嵐一泰^A，金廷恩^B，田中宏志^C

9: シアノ錯体界面を通じたカチオン移動
筑波大数理　柴田恭幸，守友浩

10: 有機半導体を用いた伝導界面の作製と評価
青学大理工　小林夏野，坂本大樹，三井敏之

11: 有機半導体単結晶FETにおける界面修飾が両極性に与える影響
東北大院理，東北大WPI-AIMR^A　Wang Yan，^○熊代良太郎，谷垣勝己^A

26日　YE会場　26aYE　9:00～12:00

領域7
ナノチューブ物性

1: ナノカーボン系の量子伝導における不純物とフォノン散乱効果
東大理^A，CEA/グルノーブル^B，筑波大数物^C，NECナノエレ研^D　石井宏幸^A，C，Stephan Roche^B，小林伸彦^C，広瀬賢二^D

2: コロネン内包ナノチューブの電子構造
筑波大数理　岡田晋

3: 金属カーボンナノチューブの交流応答とその低周波等価回路
東大院工，東理大理^A　山本貴博，笹岡健二，渡邉聡，渡辺一之^A

4: 単層カーボンナノチューブへの水分子吸着効果に対する赤外分光評価
熊大自然，熊大工^A，産総研ナノチューブ応用セ^B　横井裕之，布井啓也^A，岡部史典，早水裕平^B，畠賢治^B

5: SWNT-compositeの合成と構造
法政大院工，法政大生命科^A　庄司真雄，佐藤陽平，緒方啓典^A

6: MWNT磁気伝導の磁場角度依存性III
千葉大院融合，SUNYバッファロー^A　木田理夫，富樫祐子，清野篤朗，青木伸之，J.P.バード^A，落合勇一

休憩　（10:30～10:45)

7: 金属型単層カーボンナノチューブの¹³C-NMR
首都大理工^A，産総研ナノテク^B，CREST-JSTB^C　松田和之^A，福岡智子^A，鵜戸口浩樹^A，鷺谷智^A，柳和宏^A，C，真庭豊^A，C，片浦弘道^B，C

8: 酸素を内包したカーボンナノチューブの構造と物性
首都大理工，産総研ナノテク^A　花見圭一，土居直弘，梅崎智之，松田和之，柳和宏，門脇広明，真庭豊，片浦弘道^A

9: 太い単層カーボンナノチューブに内包された水分子の相転移
首都大理工，産総研ナノテク^A，産総研ナノチューブ応セ^B　八尋瞳，客野遥，福岡智子，松田和之，真庭豊，片浦弘道^A，斎藤毅^B，大嶋哲^B，湯村守雄^B，飯島澄男^B

10: カーボンナノチューブ中のC₆₀一次元配列の構造相転移
東工大理　山上雄一郎，斎藤晋

11: 層間相互作用によるカーボンナノチューブ原子空孔の再構成転移
東大院工　西川満，押山淳

26日　RH会場　26pRH　13:30～17:00

領域8，領域7合同シンポジウム
主題：「炭素系，及びその周辺小数キャリア系超伝導体の新展開」

1: はじめに
東理大　福山秀敏

2: Bulk superconductivity at 38Kin Cs3C60
University of Durham　KosmasPrassides

3: ホウ素ドープカーボンナノチューブの超伝導
青学大理工　春山純志

4: ホウ素ドープダイヤモンドのNMR
阪大基礎工　椋田秀和

5: ワイドギャップ半導体SiCの超伝導
青学大理工　村中隆弘

休憩　（15:10～15:20)

6: 電子ドープ芳香族炭化水素化合物の超伝導
岡山大院自然　久保園芳博

7: 層状窒化物へのキャリアドーピングと超伝導
理研CMRG　田口康二郎

8: 酸化物半導体の電界誘起超伝導
東北大WPI材料機構　上野和紀

9: グラファイト層間化合物の超伝導理論
東大物性研　高田康民

26日　YC会場　26pYC　13:30～17:30

領域7
ナノチューブ

1: カーボンナノチューブにおける発光のサテライトピークの起源
京大化研　松永隆佑，宮内雄平，松田一成，金光義彦

2: 単層カーボンナノチューブの励起子発光における電場効果
名大工　長澤嘉明，^○岸田英夫，中村新男

3: 取　　消

4: カーボンナノチューブバンドルのフェムト秒発光ダイナミクス
名大院工　小山剛史，谷川将司，彦坂直輝，岸田英夫，中村新男

5: キャリアドープされた単層カーボンナノチューブの発光特性・ダイナミクス
京大化研　松田一成，宮内雄平，金光義彦

6: 高純度半導体単層カーボンナノチューブにおける緩和ダイナミクス
甲南大理工^A，甲南大量子ナノ研^B，情通機構^C，名大院理^D，産総研ナノテク^E　市田正夫^A，B，中野匡^A，齋藤伸吾^C，宮田耕充^D，馮叶^E，片浦弘道^E，安藤弘明^A，B

7: 共鳴励起下におけるミセル化金属ナノチューブの非線形光学応答
名大院工，産総研^A　加茂考史，彦坂直輝，小山剛史，岸田英夫，斎藤毅^A，中村新男

8: PFO-単層カーボンナノチューブのパルス強磁場磁気光学
東大物性研，東大工^A　鈴木弘郁^A，沈睿，村上陽一^A，塩見淳一郎^A，丸山茂夫^A，小嶋映二，嶽山正二郎

休憩　（15:30～15:45)

9: カーボンナノチューブにおける励起子のファミリーパターン
東工大院理　安藤恒也

10: カーボンナノチューブにおける光伝導の励起子効果
東理大理，東大工^A　小鍋哲，山本貴博^A，渡辺一之

11: 有限長金属カーボンナノチューブの低周波光吸収
産総研，東工大理^A　中西毅，安藤恒也^A

12: 半導体カーボンナノチューブにおける明暗励起子のエネルギー準位
北大工　大島剛志，鈴浦秀勝

13: 不純物をもつ半導体カーボンナノチューブの励起子と光学応答
北大工　冨尾祐，鈴浦秀勝

14: 単層カーボンナノチューブにおけるフォトルミネッセンス強度
東大工，東北大理^A　佐藤健太郎，丸山茂夫，齋藤理一郎^A

15: カーボンナノチューブにおける反電場効果の再考
阪大光科学セ　安食博志

26日　YD会場　26pYD　13:30～16:30

領域7
クラスレート2

1: I型クラスレートBa₈Ga₁₆Sn₃₀(n-type，p-type)の弾性特性
広大院先端物質　石井勲，末冨靖彦，藤田貴弘，末國晃一郎，M.A.Avila，高畠敏郎，鈴木孝至

2: 単結晶Ba8Ga16Ge30におけるガンマ比熱とキャリア濃度の関係
東北大院理　佐藤一実，唐軍，谷垣勝己

3: Electronic structure of type III clathrate Ba24IV100 studied by soft x-ray XPS
WPI^A，Dept. of Phys.，Grad. Sch. of Sci.，Tohoku Univ.^B，SPring-8^C，Yamaguchi Univ.^D　J. Tang^A，B，R. Kumashiro^A，F.Z. Guo^C，K. Kobayashi^C，K. Akai^D，K. Tanigaki^A，B

4: 対称性の破れた type-I クラスレート化合物における低温比熱の理論研究
京大基研，豊田理研^A　兼下英司，中山恒義^A

5: 対称性の破れた type-I クラスレート化合物における熱伝導の理論研究
京大基研，豊田理研^A　兼下英司，中山恒義^A

6: B-VおよびB-Zr系アモルファス半導体の金属結合－共有結合転換II
東大新領域，東大工^A，東理大基礎工^B，JASRI^C　田辺健治，細井慎，大隅一聡，山口秀史^A，曽我公平^B，宇留賀朋哉^C，木村薫

休憩　（15:00～15:15)

7: 原子内包正二十面体B₁₂クラスターの安定性に関するDFT計算
東大新領域　大石佑治，山口政晃，木村薫

8: Li，Mg，Vドープβ菱面体晶ボロンの核磁気共鳴
首都大理工，東理大基礎工^A，東大新領域^B　神谷謙光，松田和之，真庭豊，兵藤宏^A，金泓基^B，木村薫^B

9: TEM-EELSによるLiドープ処理alpha-rhombohedral-boronの電子構造の研究
東北大多元研^A，東大新領域^B，東理大基礎工^C，　佐藤庸平^A，寺内正己^A，永地健紀^B，兵藤宏^C，曽我公平^C，木村薫^B

10: 取　　消

11: 高分解能EELSによるMgB₄の電子構造の研究
東北大多元研，長岡技科大^A　土谷公平，佐藤庸平，寺内正己，齋藤広樹^A，武田雅敏^A

26日　YE会場　26pYE　13:30～17:30

領域7，領域4合同
グラフェン電子物性

1: 2層グラフェンにおける面垂直偏向光吸収の理論
東工大院理　安藤恒也，越野幹人

2: グラフェンにおける磁場の遮蔽効果と鏡像効果
東工大理　越野幹人，有村泰典，安藤恒也

3: 磁場中グラフェンにおけるトポロジカル励起と乱れの効果
東北大理^A，UCバークレー^B　野村健太郎^A，笠真生^B，D.H. Lee^B

4: 単層および多層グラフェンの磁気抵抗測定
広大先端　八木隆多，深田誠也，新谷由美，高原弘明

5: グラフェン電界効果型トランジスタ特性の電極幅依存性
東北大WPI，東北大院理^A　野内亮，齊藤達也^A，谷垣勝己

6: グラフェンにおける電気伝導の層数効果II
筑波大物理^A，物材機構^B，CREST(JST)^C　田中翔^A，C，後藤秀徳^A，C，友利ひかり^A，C，大塚洋一^A，塚越一仁^B，C，神田晶申^A，C

7: バリスティックグラフェン接合の作製と電気伝導測定
筑波大物理^A，物材機構^B，CREST(JST)^C　友利ひかり^A，C，後藤秀徳^A，C，田中翔^A，C，大塚洋一^A，塚越一仁^B，C，神田晶申^A，C

休憩　（15:15～15:30)

8: グラフェンスピンバルブ素子におけるスピン輸送特性と素子劣化機構
阪大院基礎工^A，JSTさきがけ^B　白石誠司^A，B，村本和也^A，三苫伸彦^A，野崎隆行^A，新庄輝也^A，鈴木義茂^A

9: 電場下における多層グラフェンの特異な近接効果誘起超伝導転移
筑波大物理^A，秋田大教育文化^B，奈良女大理^C，物材機構^D，CREST(JST)^E　神田晶申^A，E，林正彦^B，吉岡英生^C，後藤秀徳^A，E，友利ひかり^A，E，田中翔^A，E，大塚洋一^A，塚越一仁^D，E

10: 単層グラフェンの超伝導近接効果
筑波大物理^A，物材機構^B，CREST(JST)^C　後藤秀徳^A，C，友利ひかり^A，C，田中翔^A，C，大塚洋一^A，塚越一仁^B，C，神田晶申^A，C

11: ナノグラフェン接合系の電気伝導II
奈良女大院人間文化　望月よね子，吉岡英生

12: 磁場中honeycomb latticeにおけるゼロエネルギーエッジ状態に対する異方性の効果
東大物性研，Harvard Univ.^A　江崎健太，佐藤昌利，甲元眞人，Bertrand I. Halperin^A

13: 光誘起ホール効果と非線形光学応答
東大理　岡隆史，青木秀夫

14: グラフェン2層系の擬ゼロモード・ランダウ準位と集団励起
京大基研　静谷謙一

15: 強磁場中グラフェンにおける電子相関の効果
東北大理　東達也，柴田尚和

27日　YC会場　27aYC　9:00～12:15

領域7
TMTTF系／TMTSF系

1: ¹³C-NMRのための片側¹³C置換のTMTCF(C=Se，S)分子の作成
北大院理　三沢雅輝，下原直樹，河本充司，松永悟明，野村一成

2: 擬一次元有機導体(TMTTF)₂Xのスピン密度波相における誘電率
北大院理，北大院工^A　宮澤雅臣，秋田知範，松永悟明，野村一成，市村晃一^A，河本充司

3: 擬一次元有機導体(TMTTF)₂AsF₆の¹³C-NMR
北大院理　松永悟明，下原直樹，河本充司，市村晃一，野村一成

4: 擬一次元有機導体（TMTTF）₂Iの電子状態研究
総研大^A，分子研^B　杉浦晃一^A，古川貢^A，B，岩瀬文達^B，中村敏和^A，B

5: (TMTTF)₂SbF₆のマイクロ波電気伝導度測定
青学院理工，分子研^A　竹腰秀甫，糸井充穂，北野晴久，中村敏和^A

6: 擬一次元有機導体(TMTTF)₂SbF₆の圧力下磁化率測定
青学大理工，理研^A，東大物性研^B，分子研^C　糸井充穂，石井康之^A，松林和幸^B，上床美也^B，中村敏和^C

休憩　（10:30～10:45)

7: (TMTTF)₂SbF₆の高圧下¹³C-NMR
分子研^A，総研大^B　岩瀬文達^A，杉浦晃一^B，古川貢^A，B，中村敏和^A，B

8: (TMTTF)₂SbF₆の高圧下での¹H-NMR
物材機構^A，学習院大理^B，分子研^C，総研大^D，筑波大数理物質^E　薩川秀隆^A，開康一^B，高橋利宏^B，古川貢^C，中村敏和^C，D，松本武彦^A，木俣基^A，寺嶋太一^A，宇治進也^A，E

9: 密度汎関数法を用いた(TMTTF)₂X 電荷秩序状態に対する理論的研究
産総研ナノテク，物構研^A　下位幸弘，岩野薫^A

10: 擬一次元電子系の電荷秩序・スピンパイエルス相における鎖間ホッピングの効果
東北大金研　横山健

11: 有機導体混晶のSEM/EDX分析
岡大自然　大嶋孝吉，味野道信，金美淑

12: (TMTTF)₂Brの1軸圧縮による超伝導発現
阪市大院理，分子研^A，フロリダ大NHMFL^B　横川敬一，吉野治一，中村敏和^A，James S. Brooks^B，村田惠三

27日　YD会場　27aYD　9:00～12:00

領域7
界面・分子デバイス2

1: C₆₀/picene及びPCBM/picene接合系のキャリヤ輸送特性
岡山大院自然　河相暢幸，永田知子，浜尾志乃，高橋庸祐，久保園芳博，神戸高志，池田直，

2: 有機芳香族分子電界効果トランジスタの低電圧駆動と界面制御
岡山大院自然，倉元製作所^B，JAIST^C　久保園芳博，加地由美子，李雪松，川崎菜穂子，菅原保幸^A，伊藤章夫^A，及川昌平^A，藤原明比古^B

3: Alq3類物質蒸着膜の巨大表面電位の裏面からの測定
理研　岡林洋一，伊藤英輔，礒島隆史，伊藤裕美，原正彦

4: (BEDT-TTF)(TCNQ)配向結晶FETのチャネル内電子／正孔伝導に見られる相転移的振舞い
千葉大院工　酒井正俊，伊藤裕哉，高原知樹，石黒雅人，中村雅一，工藤一浩

5: 低温・強磁場中のCEILIV測定
東大物性研　田島裕之，安井基陽

6: 低温ESRを用いたペンタセン薄膜トランジスタのトラップ分布解析
産総研^A，東大新領域^B，理研^C，RRC Kurchatov Inst.^D　松井弘之^A，B，Andrei S. Mishchenko^C，D，長谷川達生^A

休憩　（10:30～10:45)

7: イオン液体を用いた電界効果による電荷移動錯体の低温輸送特性の制御
阪大院理　岡田悠悟，吉住昌将，所のぞみ，中澤康浩，竹谷純一

8: テトラキス（チアジアゾール）ポルフィラジン薄膜のnキャリア光伝導
名大院工，名大院理^A　伊東裕，山田晃史，黒田新一，三吉康仁^A，吉川浩史^A，阿波賀邦夫^A

9: 有機単結晶貼り合わせ界面における伝導層
東北大院理，東北大WPI^A　渡辺裕樹，野内亮^A，谷垣勝己^A

10: ヨウ素気相ドーピングされたルブレン単結晶の電子スピン共鳴
筑波大院数物，阪大院理^A，産総研ナノテク^B，名大院工^C，東北大金研^D　丸本一弘，新井徳道，後藤博正，村上浩一，富成征弘^A，竹谷純一^A，下位幸弘^B，田中久暁^C，黒田新一^C，嘉治寿彦^D，西川尚男^D，竹延大志^D，岩佐義宏^D

11: piceneならびに関連誘導体を使ったFETの特性
倉元製作所，岡山大院自然^A　菅原保幸，伊藤彰夫，及川昌平，岩渕修，李雪松^A，加地由美子^A，川崎菜穂子^A，久保園芳博^A

27日　YE会場　27aYE　9:15～12:00

領域7
グラフェン電子物性

1: グラフェン上への蜂の巣状ナノ細孔アレイ形成とエッジ状態の評価
青学大理工　中村仁，清水台生，及川進規，榎本翔太，春山純志

2: 酸化グラフェンナノシートの面間電導特性
東大院理^A，東大院新領域^B　金森由男^A，小幡誠司^A，斉木幸一朗^A，B

3: 酸化グラフェン超薄膜の還元と電気伝導特性 II
東大院理^A，東大新領域^B　小幡誠司^A，佐藤裕樹^B，田中弘成^A，斉木幸一朗^A，B

4: プラズマCVD法で作製されたグラファイト薄膜の構造評価
横市大院国総科　吉村博史，吉村昭彦，小島謙一，橘勝

5: プラズマCVD法により作製されたグラファイト薄膜の電気伝導特性
横市大国際総合　山田重樹，吉村博史，橘勝

休憩　（10:30～10:45)

6: グラフェンFETにおける金属電極からの電荷移動効果
東北大院理，東北大WPI^A　齊藤達也，野内亮^A，谷垣勝己^A

7: グラファイトの負性層間磁気抵抗とH点ホールの3次元Dirac粒子性
東大物性研　長田俊人，中原大介，内田和人，鴻池貴子

8: 超薄膜グラファイトの量子振動とバンド特異性
東大物性研　中原大介，内田和人，鴻池貴子，長田俊人

9: ナノリボンジャンクションにおける電気伝導
物材機構^A，JSTさきがけ^B　山本真幸^A，若林克法^A，B

10: 2層グラフェンにおける超伝導近接効果
秋田大教育文化^A，筑波大物理^B，奈良女大院人間文化^C，JST-CREST^D　林正彦^A，D，神田晶申^B，D，吉岡英生^C

27日　YC会場　27pYC　13:30～17:15

領域7，領域4，領域5，領域8
TMTSF系，一次元系

1: 1次元励起子の厳密解とその応用
防衛大　迫田誠治

2: 1/4充填近傍の1次元電子系におけるソリトン
東邦大理　廣川健一，小野嘉之

3: HMTSF-TCNQにおける強磁場，低温下における量子振動下の履歴現象
阪市大院理，フロリダ大NHMFL ^A，東北大金研^B，コペンハーゲン大^C，バリ南大^D　村田惠三，横川敬一，J.S. Brooks^A，A. Kismarahardja^A，E. Steven^A，狩野みか^A，瀬能夕貴，N.R. Tamilselvan，吉野治一，佐々木孝彦^B，K. Bechgaard^C，D. Jerome^D

4: 擬一次元系超伝導(TMTSF)₂ClO₄の単一単結晶比熱測定
京大院理，Univ. Paris-Sud (フランス)^A， Univ. of Copenhagen(デンマーク)^B　米澤進吾，P. Auban-Senzier^A，C. Pasquier^A，前野悦輝，K. Bechgaard^B，D. Jerome^A

5: 擬1次元磁場誘起超伝導体における軌道効果
名大院理，名大高等研究院^A　水野佑亮，小林晃人^A，鈴村順三

休憩　（15:00～15:15)

6: ボゾン化法による擬1次元分子性導体の理論的研究
奈良女子大理　吉岡英生

7: くりこみ群からみた擬一次元超伝導の磁場依存性
阪大基礎工　伏屋雄紀，三宅和正

8: 擬一次元有機導体(TMTSF)₂Xにおける磁場下超伝導状態の競合
電通大量子物質工，名大工^A　相澤啓仁，黒木和彦，田仲由喜夫^A

9: 横磁場による磁場誘起スピン密度波相の不安定化
青学大理工，Boston Col.^A，NYU^B　小林夏野，J.-I. Oh^A，M. J. Naughton^A，P. M. Chaikin^B

10: Se-NMRによる(TMTSF)₂Xの磁性－非磁性転移の研究
兵庫県大院物質理，P. N. Lebedev Phys. Inst.^A，Sonoma State Univ.^B　水戸毅，西山功兵，小山岳秀，上田光一，小原孝夫，山田順一，圷広樹，A. Kornilov^A，V.M. Pudalov^A，J.S. Qualls^B

11: (TMTSF)₂Xの磁場誘起スピン密度波
熊本大教育，兵庫県大物質理^A　岸木敬太，長谷川泰正^A

12: (TMTSF)₂FSO₃の圧力下電子状態：⁷⁷Se- および ¹⁹F-NMR
学習院大理，物材機構^A，Ewha Womans Univ.^B，Sunchon Univ.^C　谷島章雄，薩川秀隆^A，開康一，高橋利宏，Y.J. Jo^B，Woun Kang^B，O.H. Chung^C

27日　YD会場　27pYD　13:30～18:00

領域7
界面・分子デバイス3

1: カーボン電極を用いた有機トランジスタ
東工大院理工　和田拓，井上隼一，^○森健彦

2: 疎水処理基板を用いたn型C₆₀FETの大気曝露効果
北陸先端大，東北大金研^A，岡山大自然^B　藤原明比古，末清雅人，仕幸英治，蓬田陽平^A，竹延大志^A，岩佐義宏^A，久保園芳博^B

3: Co電極を有するルブレン単結晶トランジスタの伝導特性
阪大院基礎工^A，JSTさきがけ^B，東北大金研^C　小椋裕介^A，田邉真一^A，野崎隆行^A，関剛斎^A，高野琢^A，新庄輝也^A，鈴木義茂^A，白石誠司^A，B，竹延大志^C，B，S.Z.Bisri^C，岩佐義宏^C

4: 金属間架橋オリゴチオフェンの電気伝導における接合界面効果
阪大産研^A，JST-さきがけ^B　横田一道^A，筒井真楠^A，谷口正輝^A，B，川合知二^A

5: 走査型ゲート顕微法による有機半導体FETにおける注入障壁の局所評価II
千葉大院融合　青木伸之，矢萩達郎，松崎一孝，須藤紘平，落合勇一

6: 単分子接合におけるMCBJ-IETSの実験パラメータ依存性
阪大産研，JST-さきがけ^A，阪大産研^B　谷口正輝^A，筒井真楠^B，横田一道^B，川合知二^B

7: Dipaphthothienothiophene薄膜トランジスタのホール効果
阪大院理，広大院工^A　山岸正和，岡田悠悟，添田淳史，植村隆文，西川尚男，土井伊織^A，瀧宮和男^A，竹谷純一

8: ジアリールエテン－金ナノ粒子複合系のSET特性と光照射効果
情報通信研究機構^A, 九大院工^B, 京大院工^C, 千葉大先端セ^D　照井通文^A, 山口英裕^A，B，C, 野口裕^D, 上田里永子^A, 大友明^A, 松田建児^B，C

休憩　（15:30～15:45)

9: ルブレン単結晶における励起子・光キャリアダイナミクスの温度依存性
東大新領域^A，阪大院理^B，産総研光技術^C，JST-CREST^D　田尾祥一^A，松崎弘幸^A，富成征弘^B，竹谷純一^B，岡本博^A，C，D

10: Charge and electric-field modulation spectroscopy in organic field-effect devices
PRI / AIST^A，Univ. of Tokyo^B　Simon Haas^A，Hiroyuki Matsui^A，B，Toshikazu Yamada^A，Tatsuo Hasegawa^A

11: 酸化鉄化合物/C₆₀接合系におけるPN接合と光学特性
岡山大院自然，産総研筑波^A　永田知子，浜尾志乃，高橋庸祐，真栄田大介，河相暢幸，久保園芳博，明渡純^A，朴載赫^A，神戸高志，池田直

12: 電荷移動錯体系ナローギャップ半導体による光電変換
産総研光技術　堤潤也，山田寿一，松井弘之，Simon HAAS，長谷川達生

13: 表面X線回折法によるルブレンFET表面構造の観測
阪大基礎工，阪大理^A　若林裕助，竹谷純一^A，木村剛

14: CuPc単結晶の電界効果特性
鹿大院理工^A，PRESTO^B　田中哲也^A，堀田涼平^A，奥田哲治^A，B

15: サイズ選別した直線炭化水素分子の光学特性
近畿大理工　若林知成，^○才川真央，和田資子，手柴雅臣

16: 極薄ゲート絶縁膜を有する有機単結晶トランジスタの高密度キャリア注入
阪大理　西川尚男，富成征弘，高槻有一，添田敦史，山岸正和，植村隆文，竹谷純一

17: π共役高分子MEH-PPVを用いたEL素子におけるデバイス変調吸収分光
阪市大院理^A，CREST-JST^B　大河内裕太^A，鐘本勝一^A，B，唐沢力^A，橋本秀樹^A，B

27日　YE会場　27pYE　13:30～17:30

領域7
グラフェン電子物性

1: SiC上グラフェンの高分解能透過型電子顕微鏡観察
名大エコ研，JFCC　乗松航，楠美智子

2: SiC(0001)表面上のグラフェンエッジの価電子帯回折分光
奈良先端大物質創成，高輝度セ^A　松井文彦，西嘉山徳之，後藤謙太郎，松本拓，田中攻，畑山智亮，松下智裕^A，加藤有香子^A，大門寛

3: SiC(0001)表面上のグラフェンエッジの円偏光光電子回折
奈良先端大物質創成，高輝度セ^A　西嘉山徳之，松井文彦，後藤謙太郎，松本拓，田中攻，畑山智亮，松下智裕^A，加藤有香子^A，大門寛

4: SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性
NTT物性基礎研　影島博之，日比野浩樹，永瀬雅夫，山口浩司

5: Pt吸着によるグラフェン上のエッジ状態
筑波大計科セ^A，CREST^B　高木祥光^A，B，岡田晋^A，B

6: グラフェンの高品質化と高分解能ARPES
東北大WPI^A，東北大院理^B　菅原克明^A，高山あかり^B，相馬清吾^A，佐藤宇史^B，高橋隆^A，B

7: CVD法による窒素ドープしたグラフェンの成長と電子状態
東大院理^A，東大院新領域^B　今村岳^A，斉木幸一朗^A，B

休憩　（15:15～15:30)

8: グラファイトインターカレーション超伝導体CaC₆の共鳴光電子分光
岡山大院自然^A，JST-CREST^B，JASRI/SPring-8^C，物材機構^D，大分大工^E　岡崎宏之^A，B，吉田力矢^A，岩井啓介^A，野網健吾^A，室隆桂之^C，中村哲也^C，脇田高徳^A，B，村岡祐治^A，B，平井正明^A，高野義彦^D，冨岡史明^D，竹中麻美^E，豊田昌宏^E，横谷尚睦^A，B

9: 端構造に依存したグラフェンのラマン分光
東工大理工，広大院先端物質^A，JSTさきがけ^B　森貴紀，高井和之，佐々木健一^A，B，若林克法^A，B，榎敏明

10: グラフェンナノリボンにおけるコーンアノマリー
広島大先端研，東工大^A，PRESTO/JST^B，東北大理^C　佐々木健一，山本真幸，村上修一^A，B，齋藤理一郎^C，若林克法^B

11: 水素中で加圧したナノグラファイトのラマンスペクトル
新潟大超域，新潟大理^A，上教大^B，NIMS^C　中山敦子，田中悠揮^A，西山保子^B，中野智志^C，山田裕^A

12: Non-equilibrium Magnetic Phase in Disordered Nanographitic Carbon
Tokyo Inst. of Tech.　V.L. Joseph Joly，Kazuyuki Takai，Toshiaki Enoki

13: 希土類金属－黒鉛層間化合物の磁性
兵庫県大院物質理　平郡諭，小林本忠

14: SbCl5-GICから作製したグラフェンの輸送特性
広大院先端，広大物理科^A　深田誠也，新谷由美^A，八木隆多

15:

27日　YH会場　27pYH　13:30～15:00

領域9，領域7合同
有機分子・半導体・その他

1: 6H-SiC(0001)再構成表面における水素脱離特性
東工大総理工　青木悠樹，平山博之

2: 有機薄膜成長における分子の異方性と結晶成長機構
東北大金研　藤川安仁，A. Al-Mahboob，J.T. Sadowski，櫻井利夫

3: 第一原理計算によるペンタセン／貴金属界面に関する理論的研究
阪大産研^A，パナソニック^B，Rutgers Univ.^C，産総研^D　豊田健治^A，B，中野洋輔^A，濱田幾太郎^A，Kyhoo Lee^C，柳澤将^A，森川良忠^A，D

4: 電極接続ナノカーボン系の電子状態と電気伝導計算
NECナノエレ研，筑波大物工^A　広瀬賢二，小林伸彦^A

5: アルカンチオール自己組織化膜に対する非弾性電子トンネル機構
東北大多元研^A，CREST-JST^B　岡林則夫^A，B，今田洋平^A，米田忠弘^A，B

6: 単分子接合の応力破断機構
阪大産研，JST-さきがけ^A　筒井真楠，谷口正輝^A，川合知二

28日　YC会場　28aYC　9:00～12:15

領域7
MX，含金属有機導体

1: 選択的重水素置換 (DMe-DCNQI)₂Cu系の比熱
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，阪電通大工^C，理研^D　松崎祐介^A，倉内彬雄^A，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，青沼秀児^C，加藤礼三^D

2: EtMe₃X[Pd(dmit)₂]₂ 系における相転移の熱的研究
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，理研^C，JST-CREST^D　高橋宏太朗^A，廣田敬幸^A，鈴木宏弥^A，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，加藤礼三^C，D

3: Et₂Me₂Sb[Pd(dmit)₂]₂の電荷整列の圧力制御
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，理研^C，JST-CREST^C　佐々木和彦^A，松崎祐介^A，田中友樹^A，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，加藤礼三^C

4: 三角格子Mott絶縁体Pd(dmit)₂塩の分子内側サイト¹³C-NMR II
京大人環，東北大院理^A，理研^B，東理大理工^C　伊藤哲明，山下和也，小山田明，西山昌秀，前川覚，久保和也^A，加藤礼三^B，田村雅史^C

5: 圧力下におけるβ'-(Et₂Me₂P)[Pd(dmit)₂]₂の磁気転移III; ¹³C-NMR
学習院大理，理研^A　飯窪秀昭，鷹野芳樹，開康一，高橋利宏，加藤礼三^A

6: EtMe₃Sb[Pd(dmit)₂]₂の低温熱容量
阪大院理，東邦大理^A，東理大理^B，理研^C　山下智史，山本貴，中澤康浩，西尾豊^A，田村雅史^B，加藤礼三^C

休憩　（10:30～10:45)

7: 取　　消

8: 単一成分分子性導体における配置間相互作用を考慮した第一原理計算
名大理，ENS-Lyon^A　土射津昌久，大森有希子，鈴村順三，Vincent Robert^A

9: 3角柱MX錯体の多彩な電子相
北大院理，横国大院工^A　山本昌司，大原潤^A

10: 光で観る3角柱MX錯体の基底状態
横国大院工，北大院理^A　大原潤，山本昌司^A

11: 3重らせん構造を有するMX-Triple-Strand錯体の合成と物性
九大院理，JST-CREST^A　大坪主弥，北川宏^A

12: Charge density study of photo-induced spin transition and linkage isomerism: Fe(abpt)₂(NCS)₂ using synchrotron radiation
Univ. of Tokyo^A，RIKEN^B，Nat'l. Taiwan Univ.^C，JASRI/SPring-8^D　Che Hsiu Shih^A，B，Chou Fu Sheu^C，Kunihisa Sugimoto^B，D，Yu Wang^C，Masaki Takata^A，B，D

28日　YD会場　28aYD　9:00～11:45

領域7
新物質・新物性・超伝導1

1: Rb_xpiceneの超伝導
岡山大院自然　三田村洋希，山成悠介，鈴木雄太，久保園芳博，神戸高志，池田直

2: K_xpiceneの超伝導
岡山大院自然　山成悠介，三田村洋希，鈴木雄太，久保園芳博，神戸高志，池田直

3: 光電子分光による芳香族多環縮合炭化水素ピセンの電子状態
岡山大院自然^A，JST-CREST^B，JASRI/SPring-8^C　岡崎宏之^A，B，室隆桂之^C，為則雄祐^C，脇田高徳^A，B，村岡祐治^A，B，平井正明^A，川崎菜穂子^A，加地由美子^A，久保園芳博^A，山成悠介^A，神戸高志^A，横谷尚睦^A，B

4: 多環芳香族炭化水素ピセンの超伝導
防衛大応物^A，首都大理工^B　清水文比古^A，菊地耕一^B，畑慶明^A，^○徳本圓^A

5: ピセン結晶の電子状態の第一原理計算
東大院理，産総研計算科学^A，東大院工^B，東大院理^C　小杉太一，三宅隆^A，石橋章司^A，有田亮太郎^B，青木秀夫^C

休憩　（10:15～10:30)

6: ナノダイヤモンド結晶の電子構造
東工大応セラ研^A，Stanford大^B　笹川崇男^A，B，Zhi-xun Shen^B

7: ナノダイヤモンドの低環境負荷精製と大型単結晶育成
東工大応セラ　岩佐昭生，笹川崇男

8: 固体水素の超高圧ラマン散乱
兵庫県大院物質理，物材機構^A　赤浜裕一，川村春樹，竹村謙一^A

9: 取　　消

10: メタンハイドレート“filled ice”相の高圧ラマン散乱
岐阜大工　佐々木重雄，大谷拓，大野祥希，久米徹二，清水宏晏

28日　YE会場　28aYE　9:15～12:00

領域7
グラフェン電子物性

1: 折り畳まれたグラフェンの電子構造
筑波大計科セ^A，CREST^B　高木祥光^A，B，岡田晋^A，B

2: ゲートによるグラファイトへの等方的キャリア注入
産総研，筑波大^A　大谷実，岡田晋^A

3: 第一原理計算による二次元BNC構造のスピン依存量子輸送特性の解明
阪大院工　太田督，広瀬喜久治，小野倫也

4: 埋め込まれたエッジ状態をもつグラフェン／酸化物界面構造の理論設計
阪大基礎工　草部浩一

5: グラフェンナノリボンにおけるスピンフィルター効果の第一原理計算
北陸先端大，産総研計算科学^A，物材機構^B　尾崎泰助，西尾憲吾^A，Hongming Weng，木野日織^B

休憩　（10:30～10:45)

6: グラフェンの電気伝導特性における格子欠陥の影響についての第一原理研究
長大工　江上喜幸

7: キャリヤドーピングによるアームチェアグラフェンナノリボンの磁性発現
金沢大自然　澤田啓介，石井史之，齋藤峯雄

8: 欠陥を持つグラフェンナノリボンのスピン偏極した電気伝導
名大理　熊崎秀樹，平島大

9: グラファイトの高圧における電気特性と超伝導
阪大産研　中江伸也，出倉春彦，白井光雲，柳瀬章

10: グラフェンナノリボン新固体相の電子状態
東工大理　櫻井誠大，斎藤晋

28日　YC会場　28pYC　13:30～16:00

領域7
π-d電子系，磁性

1: フタロシアニン分子系伝導体TPP[Fe(Pc)(CN)₂]₂の強磁場下磁化測定
岡山大院自然，東大物性研^A，熊本大院自然^B，北大院理^C　立石拓麻，花咲徳亮，野上由夫，徳永将史^A，松田真生^B，田島裕之^A，内藤俊雄^C，稲辺保^C

2: フタロシアニン分子系伝導体TPP[Fe(Pc)(CN)₂]₂における電荷秩序と磁気秩序
東大物性研，熊本大理^A，岡山大理^B，北大院理^C　森裕文，瀧川仁，松田真生^A，花咲徳亮^B，田島裕之，内藤俊雄^C，稲辺保^C

3: 一次元π-d系における電荷秩序と有限温度物性
理研基幹研^A，JST-CREST^B，東大院工^C　大塚雄一^A，B，妹尾仁嗣^A，B，求幸年^C

4: TPP[Fe(Pc)L₂]₂ (L=Br，Cl)の磁気トルク測定
東大物性研，熊大理^A，北大理^B，岡大理^C　井上心愛，鳥塚潔，田島裕之，松田真生^A，Derrick Ethelbhert C. Yu^B，内藤俊夫^B，稲辺保^B，花咲徳亮^C

5: V(TCNE)_x の強磁性発現機構の理論
阪大院基礎工，東理大^A　松浦弘泰，三宅和正，福山秀敏^A

休憩　（14:45～15:00)

6: 磁場誘起超伝導相の電子スピン共鳴
大島勇吾，野尻浩之^A，徳本貴久^B，J.S. Brooks^B，宇治進也^C，加藤礼三，崔亨波，小林昭子^D，小林速男^D　理研，東北大金研^A，NHMFL-FSU^B，物材機構^C，日大文理^D

7: 反強磁性絶縁体λ-(BETS)₂Fe_XGa_1-XCl₄系におけるショットキー比熱
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，日大文理^C　菅原洋紀^A，秋葉宙^A，安藤洋介^A，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，周彪^C，小林速男^C，小林昭子^C

8: 磁場中におけるλ(BETS)₂FeCl₄の基底状態
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，日大文理^C　秋葉宙^A，菅原洋紀^A，安藤洋介^A，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，周彪^C，小林昭子^C，小林速男^C

9: 金属性π-d系物質κ-(BDH-TTP)₂FeBr₄の磁気抵抗
東工大院理工，兵庫県大院物質理^A　杉井かおり，高井和之，市川俊^A，山田順一^A，榎敏明

28日　YD会場　28pYD　13:30～14:45

領域7
新物質・新物性・超伝導2

1: 高圧塩素の構造とその安定性
阪大ナノセ　下司雅章

2: 炭酸塩鉱物 ACO₃(A=Ca，Sr，Ba) の電子状態と複屈折の第一原理計算
広大院先端　岡村海志，獅子堂達也，小口多美夫

3: 選択重水素置換MeHPLN系に於けるメチル基の回転と反強誘電転移
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，神戸大理^C　油井巨樹，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，大山勝^C，持田智行^C

4: コドープされたα菱面体晶ホウ素の第一原理計算による研究
物材機構　速水渉，大谷茂樹

5: Cs₃C₆₀の超伝導
岡山大院自然　鈴木雄太，山成悠介，三田村洋希，久保園芳博，神戸高志，池田直