領域9

23日　RJ会場　23aRJ　9:00～12:30

領域9
表面界面ダイナミクス

1: 量子開放系クラスターモデルによる表面吸着種の光誘起振動励起過程の核波束ダイナミクス
分子研，総研大　安池智一，信定克幸

2: 水素分子の解離吸着時における電荷移動－Al(111)の場合－
明大理工　鹿内智治，円谷和雄

3: Pauli反発はエネルギー障壁を誘起するか－Cu(111)面上の水素分子を例として－
明大理工　押原弘明，円谷和雄

4: Ru(0001)表面における水素引き抜き反応の温度依存性
九州工大　山内貴志，中嶋泰成，並木章

5: N/Rh(111)表面でのNOダイマーの形成
東大物性研，東大院理^A　紅谷篤史，近藤寛^A，向井孝三，吉信淳

6: 水ダイマーにおける水素結合交換の観測
京大院理，阪大産研^A　熊谷崇，海津政久，八田振一郎，奥山弘，有賀哲也，浜田幾太郎^A，森川良忠^A

休憩　（10:30～10:45)

7: フェムト秒レーザー光励起によるグラファイト表面原子層の剥離
阪大産研，高エネ研^A　金崎順一，谷村克己，那須奎一郎^A

8: フェムト秒レーザー光励起によるグラファイト表面構造変化 IV
阪大産研　稲見栄一，金崎順一，谷村克己

9: 二準位存在する場合のイオン中性化確率の数値計算
長崎大工，立命館大理工^A　近藤慎一郎，山田耕作^A

10: 金属表面に吸着した分子振動子の量子摩擦－電子相関の効果－
千葉大理　茂野洋一，中山隆史

11: NaCl(100)表面上CO₂の赤外吸収分光－結合バンドの表面増強現象
東大院工　山川紘一郎，福谷克之，Wilde Markus

12: 準安定励起原子衝突2次元電子分光法による有機分子超薄膜の電子構造と立体ダイナミクスの研究
東北大院理，東北大理^A　岸本直樹，工藤翔，扇悠輔，工藤泰彦^A，大野公一

13: Si(001)-(2×1)表面上のimage-potential共鳴状態 II
阪大産研　市林拓，谷村克己

23日　TD会場　23aTD　9:30～12:30

領域9
表面ナノ構造量子物性，微粒子クラスタ

1: 不純物を含む矩形Quantum Corral内のSTM画像およびSTS
埼工大院　光岡重徳，田村明

2: Quantum Corral内電子の寿命
埼工大院　熊谷卓也，田村明

3: ケルビン力顕微鏡の探針に働く力の第一原理計算
東大工，科技機構CREST　柴田紗知子，多田朋史，渡邉聡

4: Si基板上に形成したGeSn量子ドットの電子状態と発光特性のドットサイズ依存性
東大院工，CREST-JST^A　中村芳明^A，藤ノ木紀仁，正田明子，市川昌和^A

5: Pb/Si(111)系における渦糸状態の低温STM観察とサイズ依存性
東大物性研，東理大基礎工^A，東理大理^B　西尾隆宏，安東秀，野村淳士^A，宮地浩輔，江口豊明，坂田英明^B，長谷川幸雄

休憩　（10:45～11:00)

6: Chain Reaction of Ketone Molecules for Producing 1D Molecular Assembly on the H-terminated Si(100) Surface
RIKEN^A，The Univ. of Tokyo^B　Md. Zakir Hossain^A，Hiroyuki S. Kato^A，Maki Kawai^A，B

7: ステンレス鋼SUS430(111)表面上へのクロム偏析とSTM観察
名大工　柚原淳司，松井恒雄

8: 収差補正TEM法による酸素原子を含む金ナノ粒子／ルチルの界面構造の観察
東工大院理工^A，CREST^B，日本電子^C　田中崇之^A，B，佐野健太郎^A，安藤雅文^A，沢田英敬^B，C，細川史生^B，C，近藤行人^B，C，高柳邦夫^A，B

9: 完全に孤立した金属微粒子のSTM発光分光
東北大通研，北陸先端大^A　道又淳一，片野諭，上原洋一，潮田資勝^A

10: グラフェン上に吸着したPtクラスターの原子構造
JST-CREST^A，阪大産研^B，産総研ユビキタス^C　岡崎一行^A，森川良忠^A，B，前田泰^C，秋田知樹^C，田中真悟^C，香山正憲^A，C

11: マイクロクラスターにおける高速拡散現象の拡散機構
立命館大理工，九州大情報基盤セ^A，関西学院大理工^B　新山友暁，渡辺将也，清水寧，小林泰三^A，澤田信一^B，池田研介

23日　RJ会場　23pRJ　13:30～17:00

領域9シンポジウム
主題：実在表面・機能表面の物理

1: はじめに
原子力機構　高橋正光

2: エピタキシャル成長を熱力学で考える
農工大　纐纈明伯

3: 第一原理計算によるSION膜のデザインと実現
東芝　加藤弘一

4: ナノエピタキシーの物理的理解
三重大　伊藤智徳

5: kＭＣ表面ダイナミクスシミュレーション～第一原理計算とナノスケール結晶成長～
鳥取大　石井晃

休憩　（15:15～15:30)

6: ダイナミックXAFSによる燃料電池触媒のリアルタイム解析
東大　唯美津木

7: 光触媒反応の物理
神戸大　大西洋

8: 電極表面の第一原理シミュレーション
東大物性研　大谷実

23日　TD会場　23pTD　13:30～15:15

領域9，領域10合同
表面局所光学現象

1: 不均質誘電体の表面プラズモンに伴うCasimirエネルギー
兵庫県大工　乾徳夫

2: Ni(110)上に吸着した酸素原子のSTM発光振動分光（同位体効果）
東北大通研，北陸先端大^A　上原洋一，潮田資勝^A

3: 電子線励起発光法による表面プラズモン分散の測定
東工大院理工，JST-CREST^A　山本直紀^A，鈴木喬博

4: フェムト秒時間分解光電子顕微鏡による銀表面プラズモンポラリトンの超高速ダイナミクス
JSTさきがけ^A，ピッツバーグ大物理^B　久保敦^A，B，Hrvoje Petek^B

休憩　（)

水素ダイナミクス

5: 氷表面における水素のオルソ・パラ変換
東大生研　杉本敏樹，二木かおり，福谷克之

6: トンネル状態にあるプロトンの中性子散乱関数
中大理工　八島大樹，青木新太郎，杉本秀彦

7: 共鳴核反応法を用いた水素顕微鏡の開発II
筑波大加速器，東北大核理研^A，高知工大電光シス^B，東大生産研^C，三菱重工^D，東大院工^E，JST-CREST^F　関場大一郎，米村博樹^A，根引拓也^B，マーカス・ヴィルデ^C，小倉正平^C，松本益明^C，岡野達雄^C，笠木治郎太^B，成沢忠^C，岩村康弘^D，伊藤岳彦^D，松崎浩之^E，福谷克之^C

24日　RJ会場　24aRJ　9:00～12:30

領域9，領域3合同シンポジウム
主題：反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道

1: はじめに
阪大産研　森川良忠

2: 表面吸着系における巨大Rashba効果
京大院理　有賀哲也

3: 表面におけるRashba効果
広大院先端　小口多美夫

4: Bi超薄膜におけるRashba効果と量子サイズ効果
東大院理　平原徹

5: V族半金属表面の超高分解能角度分解光電子分光
東北大院理　佐藤宇史

6: 空間反転対称性の破れとスピン偏極電子
広大院理　木村昭夫

休憩　（10:45～11:00)

7: スピン軌道結合により分裂したTl/Si(111)の表面電子バンド
千葉大院融合　坂本一之

8: スピン軌道結合で分裂した表面電子バンドと表面緩和による磁気異方性変化
金沢大自然　小田竜樹

9: レーザー誘起光電子による磁気二色性とドメイン観察
分子研　中川剛志

10: 深さ分解XMCD法による磁性薄膜の表面・界面の観察と三次元マイクロXMCD法への展開
高エ研　雨宮健太

24日　TD会場　24aTD　9:00～12:30

領域9
表面界面ダイナミクス，表面界面構造

1: C₆₀分子ベアリング超低摩擦の走査方向依存性の計算
成蹊大理工，愛教大物理^A，JSTプラザ東海^B　板村賢明，原田竜一^A，B，石川誠^A，B，加藤美穂^A，B，三浦浩治^A，B，佐々木成朗

2: カーボンナノチューブのナノスケール接着・引き剥がし（理論）
成蹊大理工，愛教大物理^A，JSTプラザ東海^B　佐々木成朗，豊田有洋，斎藤漠興，板村賢明，原田竜一^A，B，石川誠^A，B，加藤美穂^A，B，三浦浩治^A，B

3: カーボンナノチューブのナノスケール接着、引き剥がし（実験）
愛教大物理，JSTプラザ東海^A，成蹊大理工^B　原田竜一，石川誠^A，豊田有洋^B，板村賢明^B，佐々木成朗^B，^○三浦浩治

4: STMを用いた銅表面吸着一酸化炭素分子の動力学
東大新，理研^A　岡田智成，金有洙^A，川合眞紀^A

5: 電界放射共鳴を用いたSi(111)表面のSTM観察
物材機構　鷺坂恵介，藤田大介

6: H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程の研究
東北大院理，理研^A，東北大金研^B，東北大融合研^C　木村大介，^○瀧川知昭，田岡琢己，山田太郎^A，P.Murgan^B，川添良幸^B，粕谷厚生^C，須藤彰三

休憩　（10:30～10:45)

7: 分子間力に起因するステップ間引力によるステップバンチングの探索－異方的表面自由エネルギーのDMRG計算（RSOS模型）－
大阪電通大工　阿久津典子

8: Ni(110)表面上のCuの成長と原子混合
阪市大院工，阪府大総合^A　福田常男，岩元央一，梅澤憲司^A，中山弘

9: Ni(111)面上への硫黄吸着により生成するNiの3原子クラスター（3）
筑波大数理物質^A，東大物性研^B　山田正理^A，B，平島秀水^A，北田暁彦^A，和泉健一^A，中村潤児^A

10: Cu(001)表面上のMnN超構造の成長過程
東大物性研　Xiangdong Liu，Bin Lu，^○飯盛拓嗣，中辻寛，小森文夫

11: 低温でのCu(001)表面における酸素吸着のSTM観察(3)
東大物性研　柳生数馬，X. Liu，中辻寛，小森文夫

12: 電界誘起酸素エッチングによる電界放出電子源の先鋭化II
九大総理工　Faridur Rahman，小野田穣，今泉幸治，^○水野清義

13: HCN溶液によるシリコン表面上の吸着銅の完全除去と表面形態制御
阪大産研，科技振・戦略基礎　高橋昌男，劉イェリン，成田比呂晃，小林光

24日　TD会場　24pTD　14:30～17:15

領域9
結晶成長

1: タウマチン結晶構造への塩の影響
阪大産研　堀信康，^○須藤孝一，岩崎裕

2: ELAMOD法におけるペロブスカイト型酸化物薄膜のエピタキシャル成長
産総研　中島智彦，土屋哲男，熊谷俊弥

3: Fe(001)上に成長したNaCl(001)薄膜の界面結晶成長
筑波大物工　中積誠，柳原英人，喜多英治

4: MBE法によるFe(001)/Cr(001)超格子の作製、及び、構造評価
関西学院大理工　有本知弘，阪上潔，高橋功，寺内暉

休憩　（15:30～15:45)

5: タンパク質結晶成長におけるモデル不純物の提案 -デンドリマーの不純物効果-
立命館理工，北大農学院^A　佐々木國智，松並功記，高岸洋一，本同宏成^A，中田俊隆

6: Lennard-Jones過冷却融液から核形成過程における不純物効果
立命館大理工　高岸洋一，久保貴資，中田俊隆

7: 二成分完全固溶体結晶のステップ間核形成
学習院大計セ，京大^A　松本喜以子，入澤寿美，北村雅夫^A

8: フェーズフィールド・モデルによる均一核生成と成長における時間スケールについて
武蔵工大知識工　岩松雅夫

9: 表面拡散場中でのステップ列の形態不安定性
金大総合メディアセンター　佐藤正英

24日　PSA会場　24pPSA　13:30～15:30

領域9
領域9ポスターセッション

1: 大気圧プラズマCVDによるSiエピタキシャル成膜過程の解明－表面拡散に影響をおよぼす表面温度の解析－
阪大院工，阪大工^A　稲垣耕司，田代崇^A，広瀬喜久治，安武潔

2: 長距離相互作用する粒子の1次元核生成
名大理，慶大理工^A　勝野弘康，上羽牧夫，齋藤幸夫^A

3: First principles investigation on atomic structure and stability of Pt monolayer on Fe(001)
Dept. of Precision Sci. & Tech. and Applied Phys. Grad. Sch. of Eng., Osaka University　Mary Clare Sison Escano，Hiroshi Nakanishi，Hideaki Kasai

4: TEM-EELS法による金薄膜プラズモンの観察
東工大院理工，東工大院総理工^A，さきがけ^B，CREST^C　橋本豊，大島義文^A，B，谷城康眞^C，高柳邦夫^C

5: スズ吸着銅(001)表面の構造と電子状態
東大物性研　中山龍一，矢治光一郎，中辻寛，飯盛拓嗣，小森文夫

6: Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果
東大理，Inha大^A　芝崎剛豪，沖野泰之，山崎詩郎，Y.K. Kim^A，永村直佳，^○平原徹，松田巌，G.S. Lee^A，長谷川修司

7: STM探針からのキャリア注入によるSi吸着Ge(001)表面の構造遷移II
東大物性研　富松宏太，中辻寛，飯盛拓嗣，山田正理，小森文夫

8: Alナノクラスター表面相上のCoクラスターの原子・電子構造研究III
東大物性研，広大放射光^A，広大理^B　成田尚司，仲武昌史^A，何珂，崔芸涛^A，松田巌，木村昭夫^B，生天目博文^A，谷口雅樹^A，奥田太一，柿崎明人

9: 5d遷移金属/Ge(001)表面の電子状態
東大物性研　中辻寛，小森文夫

10: 第一原理計算によるSi(111)-2×1表面ステップ構造とバイアス依存STM像
鳥取大工^A，JST-CREST^B　谷川雅一^A，小田泰丈^A，星健夫^A，B，石井晃^A

11: 少数層グラフェンのバンド構造と電場依存性－タイト・バインディング解析
岐阜大工　掛布亘，青木正人

12: C₂H₂分子吸着Si(001)表面におけるSTM像の理論的解析
長大工，阪大工^A　江上喜幸，小野倫也^A，広瀬喜久治^A

13: In／Si(111)金属表面超構造へのGd吸着
東大理　新沼優人，平原徹，長谷川修司

14: 超高真空試料冷却電気伝導度測定機構の開発
奈良先端大物質^A，CREST-JST^B　酒井智香子^A，桑子敦^A，吉川雅章^A，大西洋平^A，武田さくら^A，B，大門寛^A，B

15: 軟X線発光分光法による電極／溶液界面の水の電子状態の研究
SAGA-LS，産総研FC-Cubic^A，理研SPring-8^B，広大理^C，東大院工^D，JST-CREST^E，東大物性研^F　小林英一，八木一三^A，徳島高^B，堀川裕加^B，C，原田慈久^B，D，E，辛埴^B，F

16: 分子架橋のアドミッタンスに関するタイトバインディング計算
東理大理^A，JST-CREST^B，東大工^C　尾澤佳世^A，B，山本貴博^A，B，渡辺一之^A，B，渡邉聡^B，C

17: 準結晶の表面研究
物材機構，Liverpool Univ.^A，東北大多元研^B　下田正彦，H.R. Sharma^A，蔡安邦^B

18: タングステン針先構造の電界イオン顕微鏡と電流－電圧特性による評価
九大総理工　小野田穣，今泉幸治，Faridur Rahman，水野清義，栃原浩

19: 電界放出電子を用いた低速電子回折装置の開発
九大総理工　岩崎大悟，水野清義，栃原浩

20: Fe(111)表面の円偏光二次元光電子回折
奈良先端大，JST-CREST^A，SPring-8^B　後藤謙太郎，松井文彦^A，松下智裕^B，加藤有香子，大門寛^A

21: In蒸着Ge(001)表面のSTM・RHEED観察
東大物性研　根本直樹，中辻寛，山田正理，^○小森文夫

22: AFMによるP/Si(001)-(2×1)表面観察
阪大院工^A，PRESTO-JST^B　澤田大輔^A，並川峻^A，平垣倍弘^A，杉本宜昭^A，阿部真之^A，B，森田清三^A

23: 表面X線回折法を用いたSi(111)-5×2-Au表面の構造解析
東大物性研，名大院工^A，高エ研PF^B　岩沢勇作，Wolfgang VOEGELI，白澤徹郎，関口浩司，高橋敏男，秋本晃一^A，杉山弘^B

24: 表面X線回折のためのKossel線測定による結晶方位決定
高輝度セ　田尻寛男，豊川秀訓，坂田修身

25: 計算機シミュレーションによるDihydride-Si(001)表面の非接触原子間力顕微鏡像
東大工，早大理工^A　真砂啓，渡邉聡，田上勝規^A，塚田捷^A

26: Cu(110)基板表面に吸着した有機金属化合物の極低温STMによる測定
東大工^A，東大新領域^B，理研^C　能登健一^A，塚原規志^B，小原通昭^B，高木紀明^A，B，川合真紀^A，B，C

27: 有機分子ユニットの逐次蒸着による超分子構造作成
情通機構神戸，広大先端物質研^A　田中秀吉，上門敏也，照井通文，鈴木仁^A

28: Au電極表面におけるSe系3脚分子の吸着状態に関する研究
東大工^A，東大新領域^B，理研^C，阪大産研^D　八百篤史^A，高木紀明^B，川合眞紀^A，B，C，廣瀬智哉^D，家裕隆^D，安蘇芳雄^D

29: 水晶振動子を用いた極低温走査プローブ顕微鏡の開発
慶應大理工　齋藤広大，林賢一，柴山義行，白濱圭也

30: 基板の歪みを考慮した表面自己組織化構造の理論解析
東大院理　古家真之介，常行真司

31: First Principles Studies on the Effects of Vacancy on H2 Dissociative Adsorption on the Pt(111) Surface
Osaka Univ.　Nelson Buntimil Arboleda Jr.，Hideaki Kasai，Hiroshi Nakanishi

32: 固体表面における酸素分子の解離吸着に関する量子ダイナミクス
阪大院工，阪大院理^A　藤尾孝郎，Mary Clare Sison Escano，Wilson Agerico Tan Dino^A，笠井秀明

33: Pt/γ-Al₂O₃上でのNOとOの振る舞いに関する第一原理計算
阪大院工　近石匡裕，Nguyen Tien Quang，国方伸一，中西寛，笠井秀明

34: Theoretical study of the initial oxidation of the SiC(0001) surface
Univ. of Tokyo，Nagoya Univ.^A　W. Voegeli，T. Takahashi，K. Akimoto^A

35: 低速電子線による低温Si(001)表面振動励起と回折強度時間依存性
九大院理　森嶋大輔，河合伸

36: Cu(111)表面上におけるAlq₃分子の吸着構造のSTM観察
横浜市大国際総合　井關寛美，篠崎一英，横山崇

37: Au(887),(443)の光第二高調波分光
北陸先端大マテリアル　前田洋次郎，^○水谷五郎，宮崎大輔，宮武繁，藤井啓史，佐竹祥彦，岩井哲也

38: 摂動論を用いた矩形Quantum CorralのSTM画像およびSTS
埼工大院　野中一成，熊谷卓也，田村明

39: 強磁性金属表面上の微小磁性体におけるスピン配向と磁気励起
阿南高専，山形大教育^A　中村厚信，野々山信二^A

40: Interaction of Co Atoms with Si (111) Surface Studied by Scanning Tunneling Microscopy II
HSRC, Hiroshima Univ.^A，Grad. Sch. Sci. Hiroshima Univ.^B，ISSP, Univ. Tokyo^C　Y.T. Cui^A，M. Ye^B，H. Narita^C，^○A. Kimura^B，M. Kakeya^B，Y. Nishimura^B，T. Xie^A，S. Qiao^A，M. Nakatake^A，H. Namatame^A，M. Taniguchi^A，B

41: ポルフィリンアレイ分子のUHV-STM観察
情通機構　照井通文，大友明，上門敏也，内藤幸人

42: 金属－酸化物ヘテロ接合ナノ粒子の生成と歪解析
産総研ナノテク，Univ. of Texas at El Paso^A　古賀健司，D. Zubia^A

43: 鉄白金クラスターの原子構造および磁気異方性
金沢大自然　横尾康弘，辻川雅人，細川明彦，小田竜樹

44: 超音波照射法により作成したコアシェルAu-Pdナノ微粒子の表面・界面構造と電子状態
大阪府大工，東大院工^A，産総研ユビキタス^B　堀史説，田口昇，岩瀬彰宏，岩井岳夫^A，秋田知樹^B，田中真悟^B

45: 極薄Si酸化膜上にエピタシャル成長したFe₃Siナノドットの構造評価
CREST-JST^A，名大エコ研^B，東大院工^C　趙星彪^A，B，中村芳明^B，C，福田憲二^C，田中信夫^A，B，市川昌和^B，C

46: フェムト秒レーザーを用いた磁化誘起光第二高調波観測システムの構築
北陸先端大マテリアル，防衛大^A，理研^B，東工大応セラ研^C　渡邊亮輔，田邨光規，湯浅真擁，八幡佳成，水谷五郎，鈴木隆則^A，瀬川勇三郎^B，松本祐司^C，山本雄一^C，鯉沼秀臣^C

47: Defect-induced spin-polarized electric current in carbon nanotubes
Dept. of Phys., Tokyo Univ. of Sci.^A，CREST，Japan Sci. and Tech. Agency^B　Yvan Girard，Takahiro Yamamoto，Kazuyuki Watanabe

48: 第一原理に基づくフラーレンポリマーの電気伝導特性計算
阪大工　北島秀樹，江上喜幸，広瀬喜久治，小野倫也

49: 電流および電磁場中のSiナノワイヤーに対する第一原理計算
京大工，阪大基礎工^A　池田裕治，福島啓悟，土井謙太郎^A，瀬波大土，立花明知

50: [110]方向に成長するシリコンナノワイヤの構造と電子状態
三重大院工　秋山亨，中村浩次，伊藤智徳

51: 石英基板上に成長させたカーボンナノチューブからの第二高調波発生
横浜国大^A，横浜市大^B，防衛大^C　工藤雅史^A，丸山有希子^B，加藤健一^B，橘勝^B，田中正俊^A，鈴木隆則^C

52: 多層カーボンナノチューブとナノピーポッドの熱伝導に関する非平衡分子動力学計算
東理大理^A，CREST-JST^B，Inst. de Ciencia de Materials de Barcelona^C　西村史生^A，B，斉田卓也^A，山本貴博^A，B，渡辺一之^A，B，E.R.Hernandez^C

53: 多層カーボンナノチューブの熱伝導に関する波束打ち込みシミュレーション
東理大理^A，CREST-JST^B　高橋徹^A，B，山本貴博^A，B，渡辺一之^A，B

54: カーボンナノチューブの光誘起電気伝導計算
東理大理^A，CREST-JST^B　早川健^A，B，山本貴博^A，B，渡辺一之^A，B

55: Pd表面及び内部における水素原子貯蔵状態の第一原理計算による解析
阪大院工^A，デラサール大理^B　尾澤伸樹^A，Nelson B. Arboleda Jr.^A，B，下地伸明^A，中西寛^A，笠井秀明^A

56: Ag表面上に物理吸着した水素分子のオルソ・パラ転換：同位体効果と酸素共吸着表面
東大生研　二木かおり，元島勇太，河内泰三，松本益明，福谷克之，岡野達雄

25日　TD会場　25pTD　13:30～17:30

領域9
表面界面電子物性

1: 硝酸酸化法による低リーク電流を持つ極薄SiO₂/Si(111)超平坦界面構造の創製(Formation of atomically smooth SiO₂/Si(111) structure with low leakage current density by nitric acid oxidation method)
阪大産研　金佑柄，松本健俊，小林光

2: 硬X線光電子分光法によるゲートスタック構造内のポテンシャル分布の直接観測
物材機構^A，CREST-JST^B，早大ナノテク研^C　山下良之^A，B，大毛利健治^C，吉川英樹^A，小林啓介^A，知京豊裕^A

3: SiO₂/Si(001)界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算
電通大電子　涌井貞一，中村淳，名取晃子

4: 表面光反射分光によるSi(001)表面反応の解析
横浜国大工，防衛大^A　大野真也，三戸部史岳，小泉順也，為谷亮太，滝澤純一，首藤健一，鈴木隆則^A，田中正俊

5: 軟X線吸収及び発光分光法によるSiON/SiC(0001)超薄膜の元素選択的電子状態の研究
東大物性研，九大総理工^A，JASRI/SPring-8^B，RIKEN/SPring-8^C，広大院理^D　白澤徹郎，林賢二郎^A，森健太郎^A，高山透^A，室隆桂之^B，為則雄祐^B，原田慈久^C，徳島高^C，堀川裕加^C，D，高橋敏男，辛埴^C，木下豊彦^B，栃原浩^A

6: SiON/SiC(0001)表面系における電子状態の理論的解析
東大理^A，東大物性研^B，九大総理工^C　安藤康伸^A，藤原弘康^A，赤木和人^A，常行真司^{A ，B}，白澤徹郎^B，栃原浩^C

7: 超高真空プローバによるSrTiO₃(110)表面の金属的電気伝導の測定
産総研，茨大理^A，ISD^B　阪東寛，相浦義弘，佐藤知也^A，小西一平^A，浦田篤浩^B，西原美一^B

8: 第一原理計算によるLaAlO₃/SrTiO₃積層構造の電子状態の研究
産総研計算科学，北陸先端大融合研^A　石橋章司，寺倉清之^A

休憩　（15:30～15:45)

9: 密度汎関数強束縛法を用いた四端子測定のシミュレーション
東大工，CREST-JST　寺澤麻子，多田知史，渡邉聡

10: ポルフィリンヘテロダイマーにおける配位金属に対応した電子状態変化のSTM/STS測定
横市大国際，NICT^A　西山文貴，横山崇，上門敏也^A，横山士吉^A，益子信郎^A

11: 低温STMによるアルカンチオール自己組織化膜の電気伝導特性
東北大多元研^A，CREST-JST^B　岡林則夫^A，B，今田洋平^A，米田忠弘^A，B

12: Cu(110)の光電子の振動励起非弾性過程によるエネルギー損失
東大工，科技機構-さきがけ^A，東大新領域^B，理研^C　山本真祐子，荒船竜一^A，高木紀明^B，川合真紀^B，C

13: エネルギー障壁と電荷移動の関係
明大理工　高木成幸，円谷和雄

14: 酸素分子のPt(111)への解離吸着過程における電荷移動
明大理工　伊藤雅人，高木成幸，円谷和雄

15: SO₂/Ni(100)における軟X線発光スペクトルの第一原理計算
東大院理^A，理研SPring-8^B，東大物性研^C　袖山慶太郎^A，徳島高^B，常行真司^A，C，辛埴^B，C

25日　TE会場　25pTE　13:30～17:30

領域9
表面界面構造

1: 金ナノ触媒の反応中構造変化のTEMその場観察
名大院工，PREST^A，名大エコトピア^B　川崎忠寛^A，長谷川準，上田浩大，丹司敬義^B

2: TEM及びCs補正STEMによるAu/TiO₂表面構造の観察II
東工大院理工，CREST-JST^A　佐野健太郎，田中崇之^A，高柳邦夫^B

3: 分子－金属界面における局所電子状態；C₆H₅SH，C₆H₅SeH/Pt(111)
東大院総合，阪大産研^A　青木優，鎌田豊弘，佐々木恵太，増田茂，森川良忠^A

4: エチレン終端Si(100)基板におけるF₄-TCNQのSTM観察
東大物性研　小口和博，^○向井孝三，利田祐麻，山下良之，吉信淳

5: Si(100)表面における1,4-シクロヘキサジエンの吸着状態と温度依存性
東大院理　赤木和人，常行真司

6: 水素終端Si(100)-2×1表面上での磁性分子列の形成：理論ならびに実験
NINT^A，産総研ナノテク^B，アルバータ大物理^C，NRC^D　下位幸弘^A，B ，G.A. DiLabio^A，S. Dogel^C，S. Lin^D，K.U. Ingold^D

7: Si(001)表面上のMgO成長における界面Mg層および界面Si酸化膜の影響
東北大多元研　佐藤俊介，^○虻川匡司

8: NiAl(110)上に形成された極薄Al₂O_x膜の構造解析
立命館大理工　西村智朗，佐藤拓也，小北哲也，星野靖，岡沢哲晃，城戸義明

休憩　（15:30～15:45)

9: Si(001)c(2×2)-Fe表面のSTM・LEED観察
奈良先端大物質創成^A，CREST-JST^B　染田政明^A，服部賢^A，B，大門寛^A，B

10: 室温Si(111)7×7表面へのNO初期吸着のSTM観察
奈良先端大物質創成，CREST-JST^A　服部賢^A，宮内國男，安居麻美，大門寛^A

11: 反射高速陽電子回折を用いたIn/Si(111)表面における金属－絶縁体転移の研究
原子力機構先端基礎研^A，日女大理^B　橋本美絵^A，深谷有喜^A，河裾厚男^A，一宮彪彦^A，B

12: 表面X線回折法によるIn/Si(111)-(4×1)表面の相転移の研究
京大院理，JASRI^A　宮本早苗，大坪嘉之，田尻寛男^A，坂田修身^A，八田振一郎，奥山弘，有賀哲也

13: Inを吸着したSi（110）表面のRHEED及びSTM観察I
明治大院　藁谷剛司，市川禎宏

14: Si(100)表面に成長したInAs結晶の形態と構造
神戸大連携，神戸大工^A　松本公久，福幸正^A，保田英洋^A

15: Si(111)7×7表面上のAg原子の吸着及び協力的拡散によるクラスター形成過程
東北大院理，電通大電子^A，東北大融合研^B　冷清水裕子，泉水一紘，Jacek Osiecki，千葉朋^A，名取晃子^A，粕谷厚生^B，須藤彰三

26日　RJ会場　26aRJ　9:00～12:00

領域9
表面界面構造

1: Discriminating hydrogen structures on graphite
Osaka Univ. Div. of Precision Sci. & Tech. and Applied Phys.，Osaka Univ. Dept. of Phys.^A，Toyota Motor Corp.^B　Tanglaw Roman，Wilson Agerico Diño^A，Hiroshi Nakanishi，Hideaki Kasai，Kunihiro Nobuhara^B，Tsuyoshi Sugimoto^B，Kyouichi Tange^B

2: グラファイト(0001)面に形成した鎖状分子カラムパターン上のカリウムの特異な凝集構造
東京農工大工　遠藤理，堀越桐子，尾崎弘行

3: アルカリ金属表面とベンゼンの相互作用
東大院総合　十河真生，坂本雄一，青木優，増田茂

4: 反射高速陽電子回折における非弾性散乱過程の研究
原子力機構先端基礎研^A，日女大理^B　深谷有喜^A，橋本美絵^A，河裾厚男^A，一宮彪彦^A，B

5: RHEEDの表面原子位置に対する感度の理論的見積もり
山梨大教育　川村隆明

6: 光電子回折リングの円二色性と波数依存性
奈良先端大，JST-CREST^A，JASRI/SPring-8^B　松井文彦^A，松下智裕^B，後藤謙太郎，稲地加那子，加藤有香子，酒井智香子，成川隆史，大門寛^A

休憩　（10:30～10:45)

若手奨励賞受賞記念講演

7: （若手奨励賞）第2回若手奨励賞選考報告および授賞式
九大総理工　栃原浩

8: 走査トンネル顕微鏡による単一分子化学反応と分子運動制御の研究
理研　金有洙

9: 走査トンネル顕微鏡を用いたキャリアー注入によるGe(001)表面構造変化の研究
分子研　高木康多

26日　TD会場　26aTD　9:00～10:30

領域9
表面界面電子物性

1: MgB₂薄膜の生成ダイナミクスと界面構造についての理論的研究
岩手大工　西館数芽，吉澤正人，長谷川正之

2: Ti/Si(001)表面におけるシリサイド形成過程と局所電子状態の考察
横浜国大工，東大物性研^A　寅丸雅光，小間大弘，飯田貴則，佐藤和成，九鬼隆良，山崎紀明，中山史人，大野真也，首藤健一，田中正俊，奥田太一^A，原沢あゆみ^A，松田巌^A，柿崎明人^A

3: Ge/Si(111)-5×5-DAS表面上のAg吸着構造と電子状態
横市大総合科　望月出海，根岸良太，重田諭吉

4: 広領域観察可能なTEM-STMシステム開発と半導体物性の研究
東工大理^A，CREST^B　金秀鉉^A，谷城康眞^A，B，高柳邦夫^A，B

5: REM-M4PPによる表面原子ステップの電気伝導度の研究
東京農工大工^A，JST-CREST^B　箕田弘喜^A，B，籏野慶佑^A，矢澤博之^A

6: 極低密度2次元電子系のプラズモン分散：交換・相関と温度効果
岩手大工　稲岡毅，佐藤弘二

26日　RJ会場　26pRJ　13:30～16:45

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ

1: 非平衡グリーン関数法による単一分子接合系の超微細相互作用とNMR特性の検討
東大院工，CREST　多田朋史，渡邉聡

2: ナノサイズ架橋構造におけるコンダクタンスの電極接合部分による影響
富大工，兵庫県立大理^A　大塚泰弘，島信幸^A，馬越健次^A

3: 分子ワイヤの抵抗の理論－コンタクトと内部抵抗－
NECナノエレ研^A，筑波大物工^B，CREST-JST^C　広瀬賢二^A，C，小林伸彦^B，C

4: 電極間分子架橋系の電流特性における溶媒効果に関する理論的研究III
東大院工，科技機構CREST　俵有央，多田朋史，渡邉聡

5: 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性－接続原子依存性－
東大生研^A，物材機構^B　近藤恒^A，B，奈良純^B，木野日織^B，大野隆央^B，A

6: 超高真空極低温における単分子接合の非弾性トンネルスペクトル計測
北大院理^A，JSTさきがけ^B　木口学^A，B，村越敬^A

休憩　（15:00～15:15)

7: 応力印加による、金ナノワイヤの歪とコンダクタンス変化
東工大院理工^A，東工大総理工^B，JST-PREST^C，JST-CREST^D　久留井慶彦^A，大島義文^B，C，高柳邦夫^A，D

8: Au 1G0接点の電流誘起破断
京大工　三浦大輔，黒川修，^○酒井明

9: 帰還回路によってコンダクタンスを制御した金ナノ接点の原子配置と力学特性
筑波大院数理，筑波大物質工^A　松田知子，門奈広祐，木塚徳志^A

10: Evolution of a nano-gap structure fabricated by mechanically controlled breaking
南京大^A，北大院理^B，JSTさきがけ^C　Jianwei Zhao^A，B，Shuai Liang^A，Yan Guo^A，B，Manabu Kiguchi^B，C，Kei Murakoshi^B

11: 極低温真空中におけるPdナノワイヤー伝導挙動の水素導入効果
北大院理，JSTさきがけ^A　橋本邦男，木口学^A，村越敬

12: 第一原理計算によるSi原子鎖へのPドーピングの効果
科技機構^A，物材機構^B，筑波大数物^C　塚本茂^A，B，中山知信^A，B，C，青野正和^A，B

26日　TD会場　26pTD　13:30～16:45

領域9
表面界面電子物性

1: 3/8原子層スズ吸着した銅(001)表面の構造と電子状態
東大物性研　矢治光一郎，中山龍一，中辻寛，飯盛拓嗣，小森文夫

2: Bi(111)単結晶表面のスピン角度分解光電子分光
広大院理^A，広大放射セ^B　西村良祐^A，宮本幸治^A，門野利治^A，叶丸孝治^A，木村昭夫^A，喬山^B，島田賢也^B，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B

3: Ge(111)表面上のBi薄膜の成長と電子状態2
京大院理　大坪嘉之，宮本早苗，八田振一郎，奥山弘，有賀哲也

4: In-"1×1"/Si(111)のフェルミ面の温度変化
東北大院理^A，東北大WPI^B　田子豊^A，Sun Yujie^B，菅原克明^A，相馬清吾^A，B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B

5: Si(111)一次元表面超構造上に形成された金属薄膜の電子状態
東大物性研，イタリア国立研(CNR)^A　奥田太一，何珂，原沢あゆみ，武市泰男，Paolo MORAS^A，Dinesh TOPWAL^A，Carlo CARBONE^A，松田巌，柿崎明人

6: Ag/Si(111)表面の角度分解2光子光電子分光
佐賀大SLセ　高橋和敏，坪井伸子，宮野なつみ，東純平，鎌田雅夫

休憩　（15:00～15:15)

7: Ni(110)-(2×1) O表面のナノドメインの電子物性
東北大通研，物材機構^A，北陸先端大^B　平田侑治，上原洋一，坂本謙二^A，潮田資勝^B

8: 非接触型非線形誘電率顕微鏡によるフラーレン分子の観察
東北大通研　小林慎一郎，長康雄

9: 不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算II：STM像の不純物原子種依存性
電通大電子　平山基，中村淳，名取晃子

10: InAs(111)A表面再構成境界における電子状態定在波の低温STM観測
NTT物性基礎研　蟹澤聖，藤澤利正

11: 磁性原子ダイマー間の磁気的相互作用がSTSに及ぼす影響
阪大院工，阪大院理^A　南谷英美，中西寛，Wilson Agerico Din\~o^A，笠井秀明

12: 超伝導Nb探針を用いたFI-STM
東大院理，東工大応セラ研^A，日立基礎研^B　清水亮太，一杉太郎，福尾則学^A，村中伸滋，島田敏宏，橋詰富博^B，長谷川哲也