領域9

20日　XA会場　20aXA　9:00～12:45

領域9，領域3合同
表面磁性

1: RuドープLa_0.6Sr_0.4MnO₃の磁気異方性の変化と表面ナノドメインの形成
産総研，北大理^A，JST-ERATO^B，理研^C，東北大WPI^D，東大工^E　甲野藤真，山田浩之，小池和幸^A，川崎雅司^B，C，D，赤穗博司，十倉好紀^B，C，E

2: STM非弾性トンネル分光による単一分子スピンの計測
東大院新領域^A，理研^B，JST-CREST^C　能登健一^A，塚原規志^A，白木将^A，C，高木紀明^A，C，川合眞紀^A，B，C

3: 酸素吸着Fe(100)最表面の強磁場下スピン偏極計測
物材機構　倉橋光紀，圓谷志郎，山内泰

4: 深さ分解XMCD法を用いたNO/Fe/Cu(001)薄膜の磁気状態の観測
慶應大，千葉大^A，物構研^B　阿部仁，酒巻真粧子^A，雨宮健太^B

5: 金属表面および内部層における磁性と原子構造の温度依存性
高エ研，JST-CREST^A，千葉大院融合科学^B　雨宮健太^A，酒巻真粧子^B

6: 軟X線吸収磁気円二色性分光法による単原子層制御されたCr/Fe/Cu(001)の磁性の研究
広大院理^A，広大放射光セ^B　東方田悟司^A，沢田正博^B，柳楽未来^A，上野哲朗^A，田頭徹朗^A，木村昭夫^A，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B

休憩　（10:30～10:45)

7: Cu(001)表面上のFe薄膜の軟X線角度分解光電子分光
理研/SPring-8^A，JASRI/SPring-8^B，東大物性研^C　宮脇淳^A，高田泰孝^A，Chainani Ashish^A，竹内智之^A，大浦正樹^A，仙波泰徳^B，大橋治彦^B，辛埴^A，C

8: 強磁性半導体EuO薄膜の強磁性相転移による混成効果
名大院工^A，分子研 UVSOR^B，総研大物理^C，韓国成均館大^D　宮崎秀俊^A，B，伊藤孝寛^B，C，Im Hojun^D，B，寺嶋健成^B，加藤政彦^A，八木伸也^A，曽田一雄^A，木村真一^B，C

9: 白金微斜面上鉄鎖の電子状態と磁気異方性
金沢大自然　辻川雅人，小田竜樹

10: 共鳴X線磁気反射率法によるFe/Au二層膜のAu層誘起磁化の減衰長の評価
原子力機構放射光，奈良先端大物質^A　大河内拓雄，児玉謙司^A，^○細糸信好^A

11: MCD，XRDを用いた隕石由来L1₀型FeNi相の電子スピン状態の研究
JASRI/SPring-8，広大院理^A　小嗣真人，水牧仁一朗，大坂恵一，河村直己，鈴木基寛，石松直樹^A，圓山裕^A，渡辺義夫

12: 表面におけるRashba効果の第一原理計算 ll. Au(111)とAu(110)
広大院先端^A，IAMR^B　永野美貴^A，児玉彩香^A，獅子堂達也^A，小口多美夫^A，B

13: 表面におけるRashba効果の第一原理計算III. Bi/Si(111)
広大院先端^A，IAMR^B　児玉彩香^A，永野美貴^A，獅子堂達也^A，小口多美夫^A，B

14: GaAs(110)表面上のGa置換Mnナノワイヤの原子配置とスピン・電子状態
電通大電子^A，東大物性研^B　平山基^A，中村淳^A，B，名取晃子^A

20日　XB会場　20aXB　10:15～12:30

領域9，領域10合同シンポジウム
主題：Physics and applications of hydrogen absorption on Pd surfaces and nano particles

1: Introduction
Japan Atomic Energy Agency　Katsutoshi Aoki

2: Hydrogen dynamics in the Pd nano particle
Faculty of Science， Kyusyu University　Miho Yamauchi

3: Kinetics of the hydrogen absorption on the Pd surface and nano particle
Institute of Industrial Science， The University of Tokyo　Wilde Markus

休憩　（11:20～11:30)

4: Theoretical study of the hydrogen absorption on the Pd surface
Faculty of Engineering， Osaka University　Hiroshi Nakanishi

5: Application of the hydrogen sensor on the Pd surface
Faculty of Engineering， Niigata University　Syuji Harada

20日　XA会場　20pXA　13:30～16:45

領域9
結晶成長

1: ガス中蒸発法におけるSn-In超微粒子の結晶成長
岐阜高専専門基礎　大野武久

2: Si(111)√3×√3-B表面上のGeエピタキシャル成長のSTM観察
東工大総理工　関口津加，^○平山博之

3: Si(111)√3×√3-Ag表面上のAgの固相エピタキシー
日女大理　坂元香月，炭屋亜美，^○一宮彪彦

4: 新規の硝酸法によるSiO₂/Si構造の低温形成
阪大産研，科技振戦略基礎　柳瀬隆，高橋昌男，松本健俊，岩佐仁雄，寺川澄雄，小林光

5: 高温薄膜XRDによるSrZrO₃薄膜のエピタキシャルな結晶化プロセスの研究
東北大院工，東北大金研^A　佐多教子，野原佑太，田村奨，鶴井隆雄^A，長尾祐樹，井口史匡，湯上浩雄

6: サクシノニトリル-高分子系における固液界面パターンの研究
立命館大理工　高岸洋一，小山義昭，中田俊隆

休憩　（15:00～15:15)

7: THFクラスレートハイドレートの成長カイネティクス
産総研　灘浩樹

8: 粉砕攪拌による結晶と分子のカイラリティ転換のモデル
名大理　上羽牧夫

9: 粉砕過程を持つクラスタ形成の分析
名大理　勝野弘康，上羽牧夫

10: ヘテロエピタキシャル系における吸着物結晶の成長様式(II)
名大理，慶大理工^A　勝野弘康，上羽牧夫，齋藤幸夫^A

11: 不凍糖タンパク質による排除体積効果を考慮した2次元DLA成長
大阪電通大工　曽原崇史，阿久津典子

12: 二成分固溶体結晶の組成に対するモンテカルロシミュレーションと平均場近似
青山学院，京大^A，学習院^B　松本喜以子，北村雅夫^A，入澤寿美^B

20日　XB会場　20pXB　13:45～16:45

領域9，領域4
表面界面ダイナミクス

1: 低速電子線照射によるSi(001)表面の構造変化
東京大学物性研究所　白澤徹郎

2: STMによるGe(001)ダイマー表面におけるフリップフロップ運動の実時間測定
東大物性研　富松宏太，中辻寛，飯盛拓嗣，小森文夫

3: 高分解能低エネルギー電子線励起によるSi(111)7×7表面構造変化機構
阪大産研　金崎順一，谷村克己

4: Si(111)-7×7表面における光励起ボンド切断に対する温度の効果
阪大産研　成瀬延康，金崎順一，谷村克己

休憩　（15:00～15:15)

5: ダイヤモンドと水晶，サファイヤの摩擦帯電のすべり速度依存性
学習院大理物理　三浦崇，細渕絵理，荒川一郎

6: タングステン表面からのポジトロニウム負イオンの自発的放出
東理大理　長嶋泰之，坂井隆彦，凾館俊秀，宮本あやか，満汐孝治

7: ハイゼンベルグ運動方程式より導出されたレート方程式によるイオン中性化確率の計算
長崎大工，立命館大理工^A　近藤慎一郎，山田耕作^A

8: フェムト秒パルスレーザー照射金属からのイオン放出機構
京大化研　難波伸，升野振一郎，橋田昌樹，時田茂樹，阪部周二

9: 純オルソ水素ビームを用いたAg(111)表面におけるオルソ・パラ転換の研究
東大生研　二木かおり，杉本敏樹，福谷克之，岡野達雄

10: 氷表面での水素のオルト－パラ転換における同位体効果
東大生研　杉本敏樹，二木かおり，松本益明，福谷克之

21日　TA会場　21aTA　10:30～12:30

領域9，領域7合同
グラフェン・グラファイトの形成と評価II

1: 遷移金属で安定化したグラフェンシート状単一シリコン原子層の構造モデル
産総研計算科学，産総研ナノ電子デバイス^A　宮崎剛英，内田紀行^A，金山敏彦^A

2: フラーレン封入グラファイト系基板の摩擦特性
愛教大物理，JSTプラザ東海^A，成蹊大理工^B　細見斉子，天野淳二^A，石川誠^A，佐々木成朗^B，三浦浩治

3: カーボンナノチューブのナノスケール接着，引き剥がしのその場観察
JSTプラザ東海，愛教物理^A，成蹊大理工^B　石川誠，細見斉子^A，天野淳二，佐々木成朗^B，三浦浩治^A

4: カーボンナノ構造のナノスケール接着，引き剥がしのシミュレーション
成蹊大理工，愛教大物理^A，JSTプラザ東海^B　佐々木成朗，岡本英哲，豊田有洋，板村賢明，三浦浩治^A，B

5: フラーレン封入グラファイト系のベアリング効果のシミュレーション
成蹊大理工，愛教大物理^A，JSTプラザ東海^B　板村賢明，三浦浩治^A，B，佐々木成朗

6: 化学的薄片剥離を用いたグラフェン薄膜形成手法の比較検討
埼玉大院理工，東大院新領域^A　吉田雅史，斉木幸一朗^A，^○上野啓司

7: Pt(111) 面上に成長したナノグラフェンのエッジ状態
東大新領域^A，東大理^B　山本麻由^A，小幡誠司^B，^○斉木幸一朗^A，B

8: グラフェン引き裂きにおける原子スケール端構造の安定性：分子動力学シミュレーション
NECナノエレ研^A，筑波計科セ^B，CREST-JST^C　河合孝純^A，岡田晋^B，C，宮本良之^A，C，日浦英文^A

21日　XA会場　21aXA　9:00～12:30

領域9，領域7合同
ナノチューブ・ナノワイヤ

1: ナノキャパシタの電気容量における静電遮蔽の効果
東大物工　内田和之，押山淳

2: 電極表面上のカーボンナノチューブの電子状態への界面散乱効果の観測
理研，東大新領域^A　金有洙，Hyung-Joon Shin^A，Sylvain Clair^A，川合真紀^A

3: カーボンナノチューブのフォノン散乱が引き起こす拡散伝導現象
産総研計算科学^A，筑波大数物^B，NECナノ研^C，文科省次世代スパコン^D　石井宏幸^A，B，D，小林伸彦^B，D，広瀬賢二^C，D

4: 大規模シミュレーションを活用したカーボンナノチューブの量子伝導解析
高度情報科学技術研究機構　中村賢，飯塚幹夫，中村壽

5: 単原子・分子接合における電流誘起局所加熱
阪大産研，JST-さきがけ^A　筒井真楠，庄司昴平，谷口正輝^A，川合知二

6: 単一分子接合の非弾性トンネル分光とラマン分光の相関
阪大産研^A，JST-さきがけ^B　谷口正輝^A，B，筒井真楠^A，庄司昂平^A，横田一道^A，川合知二^A

休憩　（10:30～10:45)

7: 分子ワイヤの伝導における電子・フォノン相互作用の理論計算
NECナノエレ研，筑波大物工^A　広瀬賢二，小林信彦^A

8: 単分子接合における電子伝導特性へのフォノンの励起効果
北大院理^A，JSTさきがけ^B　木口学^A，B，村越敬^A

9: 水素を吸着したAu単原子接合の振動スペクトル計測
北大院理^A，JSTさきがけ^B　中住友香^A，橋本邦男^A，^○木口学^A，B，村越敬^A

10: 溶液内水素発生条件下における特異的金属単一原子接合構造の形成
北大院理^A，JSTさきがけ^B　小西達也^A，木口学^A，B，村越敬^A

11: 極低温水素雰囲気下におけるPd単原子接合の電気伝導度と振動スペクトルの同時計測
北大院理^A，JSTさきがけ^B　橋本邦男^A，木口学^A，B，村越敬^A

12: 鉄含有シリコンナノワイヤーの作製と構造解析
阪大基礎工，阪大ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構^A　梶原薫，荒正人^A，多田博一

13: Nonlinear optical properties of Pt/Cu bimetallic nanowire arrays
Sch. of Materials Sci.，Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech.　T. Nguyen，G. Mizutani

21日　XB会場　21aXB　9:15～12:30

領域9
表面界面ダイナミクス，表面ナノ構造量子物性

1: 超音速希ガス原子衝突を利用した表面分子摩擦の研究
東北大学多元研　高岡毅

2: アルカリ吸着銅表面での超高速時間分解第2高調波測定
京大院理^A，分子研・総研大^B　渡邊一也^A，松本吉泰^A，B

3: 単分子異性化反応のトンネルダイナミクス
京大院理，阪大産研^A　熊谷崇，海津政久，八田振一郎，奥山弘，有賀哲也，浜田幾太郎^A，森川良忠^A

4: 貴金属表面における水素分子の解離吸着機構
明大理工　押原弘明，円谷和雄

5: アルミニウム表面への酸素分子の解離吸着時における電荷移動
明大理工　鹿内智治，円谷和雄

6: H:Si(111)-(1×1)表面の酸化過程の研究II
東北大院理，理研^A，東北大融合研^B　瀧川知昭，中矢博樹，山田太郎^A，粕谷厚生^B，須藤彰三

休憩　（11:00～11:15)

7: フェムト秒レーザーによる金属表面周期構造の自己形成機構
京大化研，京大院理　阪部周二，橋田昌樹，時田茂樹，難波伸，岡室皇紀，升野振一郎，井上峻介，廣兼麻友

8: 単一の遷移金属酸化物ナノシートの電子状態
高エ研，東大物性研^A，物材機構^B，JASRI^C　小野寛太，^○小谷佳範，谷内敏之^A，長田実^B，佐々木高義^B，郭方准^C，小嗣真人^C，渡辺義夫^C

9: Si(111)表面上にelectronic growthしたAg超薄膜の臨界膜厚制御
東工大総理工　宮崎優，^○平山博之

10: Si(111)-4×1-In表面における一次元電子ガスの仲介した間接相互作用によるコバルト原子の自己直列化
物材機構　劉燦華，内橋隆，中山知信

11: Siキャップ層の発光特性に及ぼすGe_1-xSn_xナノドットの構造・組成変化の効果
東大工　中村芳明，藤ノ木紀仁，市川昌和

21日　TA会場　21pTA　13:30～17:00

領域7，領域4，領域9合同シンポジウム
主題：グラフェン研究の焦点　－新しい挑戦－

1: はじめに
東北大金研　岩佐義宏

2: ナノグラフェンの作製と化学修飾による電子物性設計
東工大院理工　高井和之

3: ベンゼン環からグラフェンエッジ(ラジカル)状態を作る
阪大院理　久保孝史

4: グラフェンにおける特異なナノスケール効果と電子物性
広大院先端物質　若林克法

5: 光電子分光によるグラフェンおよび関連物質の電子構造の解明
東北大院理　菅原克明

休憩　（15:14～15:24)

6: 単層・多層グラフェンにおける光学特性
東工大院理工　越野幹人

7: グラフェンのランダウ準位観測
東大院理　松井朋裕

8: グラフェンの擬スピンとは何か?
東北大院理　佐々木健一

9: 室温におけるグラフェン薄膜へのスピン注入とスピン操作
阪大院基礎工　白石誠司

21日　XA会場　21pXA　13:30～17:00

領域9，領域7合同
ナノチューブ・ナノワイヤ

1: コンダクタンスを帰還制御した銀ナノ接点の構造と強度
筑波大院数理　増田秀樹，門奈広祐，松田知子，木塚徳志

2: コンダクタンスを帰還制御した金ナノ接点の構造と強度
筑波大院数理　松田知子，門奈広祐，木塚徳志

3: その場電子顕微鏡法による銅ナノ接点のエレクトロマイグレーション観察
筑波大院数理　青木久徳，松田知子，木塚徳志

4: その場電子顕微鏡法による白金原子ワイヤーの電流－電圧特性の解析
筑波大院数理　門奈広祐，松田知子，木塚徳志

5: 金ナノワイヤにおける(111)面に沿ったエレクトロマイグレーションの観察
東工大総理工^A，JST-PRESTO^B，東工大院理工^C，JST-CREST^D　大島義文^A，B，久留井慶彦^C，高柳邦夫^C，D

6: TEM-STMによる金原子鎖のコンダクタンス揺らぎ計測
東工大院理工^A，東工大総理工^B，JST-PRESTO^C，JST-CREST^D　久留井慶彦^A，大島義文^B，C，高柳邦夫^A，D

休憩　（15:00～15:15)

7: 原子架橋系の電気伝導度とフリーデルの総和則
兵庫県大院物質理　小谷祐介，馬越健次，島信幸

8: 5d金属原子鎖の電子輸送特性に関する第一原理計算
阪大工　小野倫也

9: Si原子鎖の第一原理電子輸送解析
筑波大院数理物質　日下裕幸，小林伸彦

10: アルカンチオール自己組織化膜に対するSTM-IETS：膜厚依存性と同位体効果
東北大多元研^A，CREST-JST^B　岡林則夫^A，B，今田洋平^A，米田忠弘^A，B

11: 超高真空中で作製したアルカンジチオール単一分子接合の電子伝導特性
北大院理^A，JSTさきがけ^B　関口信郎^A，木口学^A，B，村越敬^A

12: 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性－分子電極間相互作用の役割－
物材機構　近藤恒，奈良純，木野日織，大野隆央

13: Au-アミンおよびPt-アミン接合を有する単分子接合の形成およびその電気伝導度計測
北大院理^A，JSTさきがけ^B　高橋拓也^A，小西達也^A，^○木口学^A，B，村越敬^A

21日　XB会場　21pXB　13:30～16:55

領域9，領域12合同シンポジウム
主題：ソフトコンデンスドマターの結晶成長

1: はじめに
学習院大計セ　横山悦郎

2: バイオミネラリゼーションによる無機/有機複合薄膜の構築
東大院工　加藤隆史

3: 高分子薄膜の結晶成長とその階層構造解析
JASRI/理研播磨研/SPring-8　佐々木園

4: 宇宙でのたんぱく質結晶の成長速度
東北大院理　塚本勝男

休憩　（15:00～15:15)

5: 結晶性高分子の高次構造形成
広大院総合科　戸田昭彦

6: 高分子秩序化過程の分子動力学シミュレーション
京工繊大院工芸　藤原進

7: 荷電コロイドの結晶化
名古屋市立大薬　山中淳平

8: 水素結合性液体のガラス化と結晶化の競合
北大院理　野嵜龍介

22日　XA会場　22aXA　9:00～12:15

領域9
表面界面電子物性

1: 角度分解2光子光電子分光法によるSi(111)-(7×7)表面電子構造の高分解測定
阪大産研　市林拓，谷村克己

2: Au/Ge(001)表面の電子状態
東大物性研　中辻寛，柴田祐樹，小森文夫

3: Bi/Ge(111)-(√3×√3)R30°表面の電子状態とRashba効果
京大院理^A，JST CREST^B，東大物性研^C　大坪嘉之^A，宮本早苗^A，八田振一郎^A，B，原沢あゆみ^C，奥田太一^C，松田巌^C，奥山弘^A，有賀哲也^A，B

4: V族(111)表面におけるスピン分裂バンドの直接観測
広大放射光セ，広大理^A　宮本幸治，門野利治^A，西村良祐^A，叶丸孝治^A，木村昭夫^A，島田賢也，生天目博文，喬山，谷口雅樹

5: 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態
横国大工，東大物性研^A　大野真也，寅丸雅光，飯田貴則，佐藤和成，青木健志，山崎紀明，中山史人，市川雄一，山崎貴彦，首藤健一，田中正俊，奥田太一^A，原沢あゆみ^A，松田巌^A，柿崎明人^A

6: Sn/Ge(111)-3×3表面の構造と基底状態
延世大物理　守川春雲，YEOM Han Woong

休憩　（10:30～10:45)

7: Si(111)√3×√3-Ag表面の吸着子周囲に誘起される定在波
お茶大理，理研^A，東大物性研^B　小林功佳，小野雅紀^A，江口豊明^B，長谷川幸雄^B

8: エネルギー分析型LEEMを用いた銀表面の顕微分光
東北大金研，IBM^A　藤川安仁，櫻井利夫，R.M. Tromp^A

9: 表面状態電気伝導測定によるSn/Si(111)の基底状態の研究
東大理　Yan Gu，^○平原徹，長谷川修司

10: Pb超薄膜電気伝導度のbilayer振動－バンド構造からの考察－
東大理，中央研究院^A，東大物性研^B　宮田伸弘，魏金明^A，平原徹，長谷川修司，松田巌^B

11: Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果II
東大理，Inha大^A，東大物性研^B　永村直佳，芝崎剛豪，沖野泰之，山崎詩郎^B，Y.K.Kim^A，平原徹，松田巌^B，G.S.Lee^A，長谷川修司

12: Si(111)上へのNa，Mg吸着初期過程のリアルタイムモニタリング
奈良先端大物質創成　武田さくら，松田和久，島和也，安井伸太郎，酒井智香子，桑子敦，大門寛

22日　XB会場　22aXB　9:00～12:30

領域9
微粒子・クラスタ

1: 収差補正TEM法による金ナノ粒子／ルチルの界面構造の差異の観察
東工大院理工^A，JST-CREST^B，日本電子^C　田中崇之^A，B，佐野健太郎^A，安藤雅文^A，沢田英敬^B，C，細川史生^B，C，近藤行人^B，C，高柳邦夫^A，B

2: 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の自己再生機構の解明
阪大産研，阪大基礎工^A　魚住昭文，濱田幾太郎，柳瀬章，森川良忠，吉田博^A

3: マイクロクラスターの高速拡散機構II
立命館大理工，九大情報基盤セ^A，関西学院大理工^B　新山友暁，渡辺将也，清水寧，小林泰三^A，澤田信一^B，池田研介

4: 種々の基板上に形成された金超微粒子の電子状態
立命館大理工　橘堂恭昌，岩本章信，^○光原圭，岡沢哲晃，西村智朗，城戸義明

5: (CdSe)₃₄ナノ粒子の表面Seの不活性化による発光効率の向上
東北大院工^A，東北大融合研^B　山同精一朗^A，野田泰斗^A，粕谷厚夫^B，前川英己^A

6: 単一表面サイトからなる中空な(CdSe)_nナノ粒子
東北大工，東北大融合研^A　野田泰斗，山同精一朗，粕谷厚生^A，前川英己

休憩　（10:30～10:45)

表面界面構造

7: 金属表面におけるAuの拡散とフラクタル成長
東大生研　小倉正平

8: 窒素吸着銅(001)表面上のC₆₀吸着構造 II
東大物性研^A，千葉大院融合^B，ケベック大INRS-EMT^C　Lu Bin^A，^○飯盛拓嗣^A，坂本一之^B，中辻寛^A，Federico Rosei^A，C，小森文夫^A

9: N/Cu(001)表面の自己組織化構造の理論解析
東大院理　古家真之介，常行真司

10: Alナノクラスター表面相上のCoクラスターの原子・電子構造研究IV
東大物性研，広大放セ^A，広大理^B　成田尚司，仲武昌史^A，何珂，崔芸涛^A，木村昭夫^B，生天目博文^A，谷口雅樹^A，奥田太一，松田巌

11: 表面組成制御によるAl72Co16Ni12二次元準結晶の構造解析
名大工^A，名大エコトピア^B，東北大多元研^C　柚原淳司^A，佐藤真^A，松井恒雄^A，B，蔡安邦^C

12: Cu(001)上のBi吸着系の回折スポットとストリークの温度依存性
福教大物理　三谷尚

22日　VA会場　22pVA　13:30～16:55

領域11，領域3，領域4，領域9合同シンポジウム
主題：第一原理計算手法に基づくマルチスケールシミュレーションの展望

1: はじめに
東大院理　常行真司

2: 第一原理計算とマルチカノニカル法でみる物質構造相変化
東大物性研　吉本芳英

3: 生体系における拡張アンサンブル分子動力学法の発展:マルチカノニカル法を越えて
ラトガース大　奥村久士

4: 有効遮蔽媒質法による大規模第一原理分子動力学計算
産総研　大谷実

休憩　（15:10～15:25)

5: 変形のマルチスケールモデリングとシミュレーション
阪大基礎工　尾方成信

6: order-N KKR法による磁性薄膜の第一原理シミュレーション
阪大理　小倉昌子

7: OpenMXにおけるオーダーN第一原理シミュレーション
北陸先端大　尾崎泰助

22日　PSA会場　22pPSA　13:30～15:30

領域9
領域9ポスターセッション

1: 金ステップの二次非線形感受率成分間の位相差の測定
北陸先端大マテリアル　前田洋次郎，^○水谷五郎，宮崎大輔，宮武繁，藤井啓史，佐竹祥彦

2: 第一原理に基づくナノ構造体における電気伝導特性計算手法の開発
長大工，阪大院工^A　江上喜幸，小野倫也^A，広瀬喜久治^A

3: (1+1')REMPIの開発と水素分子のオルソーパラ転移
東大生研　樫福亜矢，二木かおり，福谷克之

4: 磁性体吸着した金属表面Si(111)-√7×√3-Inの電気伝導
東大理　高瀬恵子，平原徹，長谷川修司

5: Sb吸着Si(111)表面のスピン分解ARPES
広大院理^A，広大放射セ^B，復旦大物理^C　叶丸孝治^A，宮本幸治^A，門野利治^A，西村良祐^A，木村昭夫^A，島田賢也^B，生天目博文^B，喬山^C，谷口雅樹^A，B

6: Si(001)表面におけるTiシリサイド形成過程へのサーファクタント効果の検討
横国大工，東大物性研^A　山崎紀明，中山史人，大野真也，寅丸雅光，市川雄一，山崎貴彦，飯田貴則，佐藤和成，青木健志，西岡広明，首藤健一，田中正俊，奥田太一^A，原沢あゆみ^A，松田巌^A，柿崎明人^A

7: SrSi₂/Si(111)の角度分解光電子分光
広大院理，広大放射光^A　間曽寛之，栗原秀直，○佐藤仁^A，仲武昌史^A，生天目博文^A，谷口雅樹

8: 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究
東大物性研，九大総理工^A，SAGA-LS^B，JASRI/SPring-8^C，RIKEN/SPring-8^D，九大院工^E　白澤徹郎，吉田学史^A，森田康平^A，小林英一^B，室隆桂之^C，原田慈久^D，水野清義^A，田中悟^E，高橋敏男，辛埴，木下豊彦^C，栃原浩^A

9: Pb吸着Si(100)表面の角度分解光電子分光
奈良先端大物質創成^A　谷川洋平^A，武田さくら^A，森田誠^A，大杉拓也^A，加藤有香子^A，松本拓^A，大西洋平^A，大門寛^A

10: REM-M4PP法による表面原子ステップの電気伝導度の研究II
東京農工大工^A，JST-CREST^B　矢澤博之^A，箕田弘喜^A，B

11: 有機自己組織化膜絶縁層とゲート電極の界面電子状態
和歌山大シス工，物材機構^A　小田将人，奈良純^A，大野隆央^A

12: n型InAs表面キャリア蓄積層形成過程でのサブバンド構造の変化
琉球大理，岩手大工^A　稲岡毅，讃岐圭人^A，庄司正拓^A

13: 超高真空プローバによるSrTiO₃ (110) 表面の金属的電子状態の測定 II
産総研^A，茨大理^B，理工貿易^C　阪東寛^A，佐藤知也^A，B，相浦義弘^A，浦田篤浩^C，西原美一^B

14: アミノ酸薄膜におけるイオウ－金属界面結合状態に関するNEXAFS解析
原子力機構　本田充紀，関口哲弘，馬場祐治，下山巌，平尾法恵，成田あゆみ

15: オリゴチオフェン超薄膜の表面差分反射分光による評価
横浜国大工，横浜市大国際総合科学^A　浅利友隆，西山文貴^A，脇田創，横山崇^A，大野真也，田中正俊

16: Pd合金表面及び表面内部における水素原子の挙動II
阪大院工　尾澤伸樹，中西寛，笠井秀明

17: パルス光照射によるH-Si(111)面の水素脱離のSH，SF顕微像の同時観察
北陸先端大マテリアル^A，石川高専^B，CREST^C　宮内良広^A，C，佐野陽之^A，B，C，山下啓^A，C，岡田純一^A，水谷五郎^A，C

18: マイクロ秒時間分解光電子分光によるSi(111)√3×√3-Ag表面の光誘起起電力効果の研究
佐賀大SLセ　高橋和敏，東純平，鎌田雅夫

19: 固体酸化物中のイオン伝導における表面／界面効果の第一原理シミュレーション
東大院工　笠松秀輔，多田朋史，渡邉聡

20: NiAl(110)上におけるアルミナ絶縁薄膜形成の観察
横浜市大国際総合　井關寛美，横山崇

21: 改良型電子－電子－イオンコインシデンス分光装置の開発とサイト選択的イオン脱離研究への応用
愛媛大院理工，横国大院工^A，高エ研物構研^B，広大院工^C　垣内拓大，藤田斉彦^A，橋本章吾^A，^○間瀬一彦^B，大下浄治^C，長岡伸一，田中正俊^A

22: 第一原理分子動力学によるカーボンアロイ触媒の反応サイト探索
原子力機構放射光，筑波大計科セ^A，北陸先端大^B，東大工^C，群大院工^D　池田隆司，Mauro Boero^A，寺倉清之^B，尾嶋正治^C，尾崎純一^D

23: 六極磁子による三重項酸素分子ビームの状態選別と偏極反転
物材機構　倉橋光紀，山内泰

24: 取　　消

25: AlおよびNaポイントコンタクトの電気伝導特性の第一原理計算
日大理工，東大院理^A，東大院工^B　田中倫子，古家真之介^A，渡邉聡^B

26: 球面収差補正TEM法によるグラフェンのエッジ構造の観察
東工大院理工^A，CREST-JST^B　安部悠介^A，田中崇之^A，B，高柳邦夫^A，B

27: 基板上ポルフィリン分子のSTM/AFM/KFM単一分子スケール観測
情通機構神戸，広大先端物質研^A　田中秀吉，上門敏也，鈴木仁^A

28: 電極間分子架橋系の電流特性における溶媒効果に関する理論的研究IV
東大院工　俵有央，多田朋史，渡邉聡

29: サファイア結晶表面の原子・電子構造
筑波大数物，東大物工^A　栗田貴宏，押山淳^A

30: 走査トンネル顕微鏡による2不純物近藤効果観察
阪大院工，阪大院理^A　南谷英美，中西寛，Wilson Agerico Din^~o^A，笠井秀明

31: TEM-STMによる金電極ファセット・エッジ局所仕事関数の計測
東工大院理工^A，東工大総理工^B，JST-PRESTO^C，JST-CREST^D　久留井慶彦^A，大島義文^B，C，高柳邦夫^A，D

32: その場電子顕微鏡法による銀ナノ接点の弾性変形観察
筑波大院数理　増田秀樹，木塚徳志

33: コンダクタンスを帰還制御した白金ナノ接点の構造と強度
筑波大学院数理　門奈広祐，松田知子，木塚徳志

34: PAW法擬ポテンシャルを用いた一次元Al原子ワイヤーの磁気構造
阪大院工　太田督，小野倫也，広瀬喜久治

35: ブレークジャンクション法を用いた極低温下真空中におけるAu等の量子伝導測定
九大院工　家永紘一郎，豊増良太，稲垣祐次，河江達也

36: Siナノワイヤーの伝導特性に関する第一原理解析
京大工　池田裕治，福島啓悟，瀬波大土，立花明知

37: 密度汎関数強束縛法を用いた4端子測定のシミュレーションII
東大工　寺澤麻子，多田朋史，渡邉聡

38: カーボンフラーレン分子電極間移動に関する電極間距離・バイアス依存性の観察
東工大総理工^A，JST-PRESTO^B，東工大院理工^C，JST-CREST^D　大島義文^A，B，久留井慶彦^C，高柳邦夫^C，D

39: 個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン
阪大院理，東北大金研^A　野上隆文，河野日出夫，大野裕^A，竹田精治

40: グラフェンアドアトムの動的過程と集合
金沢大院自然　浦元勇輝，橋知史，斎藤峯雄

41: 光照射による半導体CNTの電気伝導制御
東理大理　早川健，山本貴博，渡辺一之

42: グラフェンナノリボン素子におけるスピン輸送に関する理論解析
神戸大工^A，東理大理^B　相馬聡文^A，小川真人^A，山本貴博^B，渡辺一之^B

43: 少数分子で架橋した超伝導ナノリンクの電気伝導II
筑波大数理　乾由美子，浦野敬太，大塚洋一

22日　PSB会場　22pPSB　15:30～17:30

領域9
領域9ポスターセッション

1: Synthesis and charaterization of graphene epitaxially grown on vicinal surface of SiC(0001) with scanning tunneling microscopy
Grad. Sch. Sci.，Hiroshima Univ.^A，HSRC，Hiroshima Univ.^B，Dep. Phys.，Fudan Univ.^C　M. Ye^A，Y.T. Cui^B，S. Qiao^C，A.Kimura^A，M. Sawada^B，H. Namatame^B，M. Taniguchi^A，B

2: コンペイトウ型SiC粒子の生成：ナノワイヤ成長からの遷移
阪大理，阪大ナノ機構^A　高尾修平，河野日出夫，市川聡^A，竹田精治

3: Si(001)表面上の銀薄膜成長過程のリアルタイム反射分光
横国大工，防衛大^A　落合俊之，大野真也，三戸部史岳，小泉順也，鈴木隆則^A，首藤健一，田中正俊

4: Si(111)微斜面上の構造転移温度付近における吸着原子の流れによるステップの蛇行－ステップ平行方向の流れによる影響－
金大自然，金大総合メ基盤セ^A　井川健太，佐藤正英^A

5: 長距離相互作用を伴う系での結晶成長
金大自然，金大総合メ基盤セ^A　出浦香織，佐藤正英^A

6: Ge/Si(001)エピタキシャル成長のKMCシミュレーション
阪大工　松中大介，土井嘉治，澁谷陽二

7: 光電子ホログラフィーの解析関数，散乱パターン関数の計算法
JASRI/SPring-8^A，奈良先端^B　松下智裕^A，松井文彦^B，大門寛^B

8: ガス導入TEMホルダーによるAu/TiO₂触媒のその場観察
東工大院理工^A，CREST-JST^B　佐野健太郎^A，田中崇之^A，B，高柳邦夫^A，B

9: ステンレス鋼SUS430(111)表面のCrNクラスターの表面偏析による自己形成
名大工，名大エコトピア^A　柚原淳司，松井恒雄^A

10: スズ吸着銅(001)表面のSTM観測II
京大院理，東大物性研^A　矢治光一郎，中山龍一^A，中辻寛^A，飯盛拓嗣^A，小森文夫^A

11: STM用W探針の簡易作製法の開発
北大理　田畑慶大，佐々木広器，松山秀生，小池和幸

12: Cu(001)表面における酸素の解離吸着
東大物性研　柳生数馬，Xiangdong Liu，中辻寛，小森文夫

13: Cu(110)におけるアセチレンの環化反応
京大院理，阪大産研^A　海津政久，八田振一郎，奥山弘，有賀哲也，濱田幾太郎^A，森川良忠^A

14: 金原子のエレクトロマイグレーションに関する第一原理計算
早大ナノ機構，早大理工^A，東北大WPI-AIMR^B　洗平昌晃，塚田捷^A，B

15: NaフラックスLPE法で作製した高品質GaN(0001)の表面超構造
阪大院工　服部梓，川村史朗，吉村政志，北岡康夫，森勇介，遠藤勝義

16: アルカリ金属原子(K，Cs)吸着で誘起されるSi(111)構造変化の走査トンネル顕微鏡による観察
防衛大応物，横国大工^A　井上大輔^A，^○西岡広明^A，藤原賢一，北嶋武，大野真也^A，田中正俊^A，鈴木隆則

17: Si(111)7×7表面へのNO初期吸着のSTM観察II
奈良先端大物質創成，CREST-JST^A　安居麻美，服部賢^A，大門寛^A

18: 周期的SiCナノ表面におけるグラフェン形成機構－基板表面構造依存性－
九大院工^A，九大院総理工^B　森田康平^A，林賢二郎^B，水野清義^B，田中悟^A

19: Nucleation of Si atoms on Si (111) surface
HSRC，Hiroshima Univ.^A，Grad. Sch. Sci. Hiroshima Univ. ^B，Dep. Phys. Fudan Univ. China^C　Y.T. Cui^A，M. Ye^B，A. Kimura^B，S. Qiao^A，C，M. Sawada^A，H. Namatame^A，M. Taniguchi^A，B

20: 収差補正STEMによる単原子観察
東工大院理工^A，JST-CREST^B　神保雄^A，谷城康眞^A，B，沢田英敬^B，高柳邦夫^A，B

21: 反射高速陽電子回折による貴金属吸着誘起Si(111)-√21×√21超構造の研究
原子力機構先端基礎研^A，東大物性研^B，日女大理^C　深谷有喜^A，松田巌^B，橋本美絵^A，成田尚司^B，河裾厚男^A，一宮彪彦^A，C

22: 立体原子写真法によるInP(001)表面の研究
奈良先端大物質創成，JASRI/SPring-8^A　松本拓，松井文彦，松下智裕^A，後藤謙太郎，大門寛

23: 酸化グラフェン積層物質の構造安定性
電通大電子^A，東大物性研^B　江口俊輔^A，中村淳^A，B，名取晃子^A

24: X線回折を用いたα-β構造相転移に伴う，水晶の表面構造の変化の研究
関学大理工，JASRI^A　熊谷毅，田中才工，坂田修^A，田尻寛男^A，寺内暉，高橋功

25: Au(111)表面上におけるポルフィリンダイマー自己組織化配列のSTM観察
横市大国際総合，NICT^A　西山文貴，横山崇，上門敏也^A，横山士吉^A，益子信郎^A

26: 重水素部分置換アルカンチオールの合成と金表面への吸着
東北大多元研^A，CREST-JST^B　今田洋平^A，岡林則夫^A，B，米田忠弘^A，B

27: グラファイト (0001) 面上のシアヌル酸分子から成る平面ネットワークの幾何・電子構造
東京農工大工，横浜市大院国際総合^A　尾崎弘行，山崎俊弥，栖原正典，南和宏，遠藤理，塚田秀行^A

28: NO_X浄化触媒表面におけるNO酸化反応過程
阪大院工，いすゞ中央研^A　近石匡裕，Nguyen Tien Quang，国方伸一，中西寛，笠井秀明，田代欣久^A，大角和生^A，前川弘吉^A

29: Auナノロッドの液相調製と光電子分光
神戸大院工　松本昌士，田中章順，保田英洋

30: 鉄白金クラスターの電子状態および磁気異方性の第一原理計算
金沢大自然　横尾康弘，辻川雅人，小田竜樹

31: 第一原理による(CdSe)₃₄クラスターの光吸収スペクトル計算
横国大工，物材機構^A，東北大国際高等融合領域研^B　長岡桃子，石井聡，野口良史^A，粕谷厚生^B，大野かおる

32: Cu(001)表面上に形成した窒化鉄薄膜のXMCD測定
分子研　高木康多，伊佐美恭平，中川剛志，横山利彦

33: 超高真空低温型表面磁気光学カー効果測定装置の開発
東大理　平原徹，新沼優人，長谷川修司

34: 鉄(110)表面上に積層したC₆₀のスピン偏極
物材機構　圓谷志郎，倉橋光紀，山内泰

35: 表面プラズモン共鳴を利用した光電子発生
原子力機構　國枝雄一，河内哲哉，長谷川登，永島圭介

36: Si(111)7×7構造からのSTM発光
東工大院理工^A，JST-CREST^B　太田将志^A，今田裕^A，山本直紀^A，B

37: 時間依存密度汎関数法による分子解離ダイナミクス
東理大理　田口恵太，春山潤，小鍋哲，^○渡辺一之

23日　XA会場　23aXA　9:00～12:00

領域9
表面界面電子物性

1: 酸素分子のPd(111)への解離吸着過程における電荷移動
明大理工　伊藤雅人，高木成幸，円谷和雄

2: Cu(110)表面における光電子の非弾性的散乱によるフォノン励起過程
東大新領域^A，科技機構－さきがけ^B，理研^C　山本真祐子^A，荒船竜一^B，高木紀明^A，川合真紀^A，C

3: 2光子光電子分光法による鉛フタロシアニン薄膜/HOPGの電子励起状態の観測
阪大院理^A，分子研^B　渋田昌弘^A，山本勇^B，山本亮太^A，山田剛司^A，宮久保圭介^A，宗像利明^A

4: π共役系分子／グラファイトの界面での振動状態：HREELSおよびRaman分光法による研究
千葉大自然，千葉大融合^A，Inst. für Physik，Technische Univ. Chemnitz^B　藤井邦治，解良聡^A，C. Himcinschi^B，M. Toader^B，D.R.T. Zahn^B，上野信雄^A

5: 貴金属－カルコゲン分子接合における界面電子状態
阪大産研　横田一道，谷口正輝，川合知二

6: 第一原理電子状態計算による分子スイッチ機構の研究
阪大産研　實宝秀幸，名兒耶彰洋，濱田幾太郎，森川良忠

休憩　（10:30～10:45)

7: 電圧印加非接触原子間力分光法による探針－試料間電子状態解析
北陸先端大マテリアル，金沢大院自然^A　串田修学，富取正彦，清原恒成^A，新井豊子^A

8: STM探針による異種分子間ナノ接合の形成
物材機構^A，阪大院^B，MANA^C，筑波大院^D　中谷真人^A，桑原裕司^B，青野正和^A，C，中山知信^A，D

9: SiON/SiC(0001)表面での電子状態の深さ依存性とその起源
東大院理，東北大WPI^A，東大物性研^B，九大総理工^C　安藤康伸，藤原弘康，赤木和人^A，常行真司，白澤徹郎^B，栃原浩^C

10: エチレン終端Si(100)基板に蒸着したF4-TCNQの電子状態：NEXAFSと内殻光電子分光による研究
東大物性研，慶應大理工^A　向井孝三，大久保悠，坂口裕二，片山哲夫，紅谷篤史，小口和博，古橋匡幸，吉信淳，近藤寛^A

11: Si(111)表面に化学吸着したアルキル分子単層膜の電気伝導特性と絶縁破壊
東大物性研　古橋匡幸，大村彩子，山下良之，吉信淳

23日　XB会場　23aXB　9:00～12:30

領域9
表面界面構造

1: GaAs(001)-(2×4)-Sb吸着構造の再検討
物材機構，電通大^A　大竹晃浩，平山基^A，中村淳^A，名取晃子^A

2: Si(111)7×7表面へのBi初期吸着における多段階秩序形成過程
奈良先端大物質創成　大西洋平，武田さくら，吉川雅章，酒井智香子，大門寛

3: Si表面上におけるRuの拡散と表面構造の観察
横国大工，NHK技研^A　小林直人，寅丸雅光，大野真也，首藤健一，宮本泰敬^A，河村紀一^A

4: Si(111) 7×7表面上における極薄Auの成長過程
立命館大理工^A，神奈川大理^B，岡山大理^C　星野靖^A，B，橘堂恭昌^A，岩見基弘^C，城戸義明^A

5: Si(111)7×7表面へのNO初期吸着モデル
奈良先端大物質創成，CREST-JST^A　服部賢^A，宮内國男，安居麻美，大門寛^A

6: 清浄および室温酸化したSiC(0001)-3×3 表面の構造
立命館大理工^A，神奈川大情報科学^B　渋谷誠^A，星野靖^B，西村智朗^B，^○城戸義明^A

休憩　（10:30～10:45)

7: HCN水溶液による4H-SiC表面上の吸着金属の完全除去
阪大産研，科技振戦略基礎　高橋昌男，マダニ・モハマド，劉イェリン，岩佐仁雄，小林光

8: NC-AFMによるGe(001)ダイマー構造操作と応力場変化の観察
阪大院工　内藤賀公，木下幸則，李艶君，影島賢巳，菅原康弘

9: 低温AFMによるCu(110)-O表面での単原子操作
阪大院工　李承桓，内藤賀公，影島賢巳，^○菅原康弘

10: 水素原子で修飾したRh(111)表面における水分子の吸着
東大物性研　紅谷篤史，小板谷貴典，向井孝三，吉本真也，吉信淳

11: 低速陽電子を用いた水素吸着Ni(111)表面の水素吸着量の違いによる比較
東京学芸大，東大生産研^A，東大物性研^B　高石隼人，本田慈，駒形栄一，金沢育三，福谷克之^A，野沢清和^B，小森文夫^B

12: 酸化パラジウム薄膜の触媒機能に関する第一原理シミュレーション
阪大基礎工，東大物性研^A　草部浩一，原田和樹^A

13: Ag(110)上でのオリゴチオフェン分子のクラスター成長のSTM観察
横浜市大国際総合　横山崇

23日　XA会場　23pXA　13:30～17:00

領域9
表面界面電子物性

1: Fe/Si多層膜界面のSi厚の違いによる電子状態の変化
東北大多元研　後藤智宏，神野貴義，江島丈雄

2: Fe(111)の円偏光二次元光電子回折
奈良先端大物質創成，JASRI/SPring-8^A　後藤謙太郎，松井文彦，松下智裕^A，松本拓，大門寛

3: Cu/Co/Cu(100)表面におけるCo原子の近藤効果の量子変調
物材機構^A，キール大^B　内橋隆^A，B，J. Zhan^B，J. Kroeger^B，R. Berndt^B

4: 回折分光のサイト選択性と深さ分解能
奈良先端大物質創成，JASRI/SPring-8^A，物材機構^B　松井文彦，松下智裕^A，後藤謙太郎，松本拓，田中攻，加藤有香子^A，酒井智香子^B，成川隆史，大門寛

5: 金属表面上ステップのSTM画像およびSTS
埼工大院　光岡重徳，田村明

6: 遷移金属酸化物界面への乱れを伴わない系統的なドープ量制御法の理論的研究
東大工　平山元昭，今田正俊

休憩　（15:00～15:15)

7: 金属/TiO₂界面の構造とその特性の第一原理計算
産総研^A，JST，CREST^B，北陸先端大^C　田村友幸^A，B，石橋章司^A，B，寺倉清之^A，B，C，翁紅明^B，C

8: ZnOの極性面に吸着されたMg及びB原子の電子構造
岩手大工　小松優太，西館数芽，太田康治，馬場守，長谷川正之

9: ZnOの極性面に吸着された金属原子の第一原理電子構造計算
岩手大工　西館数芽，長谷川正之

10: 金属／InN界面におけるSchottky barrierの面方位依存性
千葉大自然，千葉大理^A　武井祐樹，中山隆史^A

11: 第一原理k.p摂動法によるSi薄膜電子状態の膜厚依存性研究
慶大理工　山内淳

12: TEM-STM同時観察システム開発と半導体物性の研究
東工大，CREST^A　金秀鉉，谷城康眞^A，高柳邦夫^A

13: 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算－膜厚の効果－
NTT物性基礎研　影島博之，藤原聡

23日　XB会場　23pXB　13:30～16:30

領域9
表面界面構造

1: 高励起原子（リドベルグ原子）を用いた極微弱表面電場計測手法の開発 I
立命館大物理　西村智朗，濱田遼介，多野治彦，松木征史，城戸義明

2: SiO₂上極薄Si層のディウェッティン過程の温度依存性
阪大産研　須藤孝一

3: STM探針からのキャリア注入によるフラーレンの構造制御
岡山大院自然，岡山大理^A　太田洋平，三橋了爾^A，久保園芳博

4: 第一原理計算によるSi/Ge膜中の転位の原子・電子構造
東大物工^A，筑波大計科セ^B，CREST-JST^C　藤本義隆^A，C，岩田潤一^B，押山淳^A，C

5: シリコンとゲルマニウムの四配位新物質
東大物工^A，東工大理^B，産総研計算科学^C，CREST-JST^D　藤本義隆^A，D，是常隆^B，三宅隆^C，D，斎藤晋^B，押山淳^A，D

6: 吸着子による熱的なステップ端上段/下段デコレーション：変形RSOS-Ising結合模型のモンテカルロ・シミュレーション
大阪電通大工，NTT物性基礎研^A，群馬大工^B　阿久津典子，日比野浩樹^A，山本隆夫^B

休憩　（15:00～15:15)

7: 点接触型ステップ間引力を持つRSOS模型のステップ・バンチング－異方的表面自由エネルギーのDMRG計算－
大阪電通大工　阿久津典子

8: ステップ付近でのRHEED電子強度分布
山梨大教育　川村隆明

9: MEED波動場による表面吸着構造解析
大同工大工　堀尾吉已，酒井大輔

10: 反射高速陽電子回折におけるエネルギー損失スペクトルの測定
原子力機構先端基礎研^A，日女大理^B　深谷有喜^A，橋本美絵^A，河裾厚男^A，一宮彪彦^A，B

11: 反射高速陽電子回折を用いた半導体表面上のSn原子吸着構造の低温相の研究
原子力機構先端基礎研^A，日女大理^B　橋本美絵^A，深谷有喜^A，河裾厚男^A，一宮彪彦^A，B