領域4

20日　YF会場　20aYF　9:00～12:15

領域4
量子ドット・量子ホール効果

1: 量子ドット系の非平衡輸送の時間依存密度行列繰り込み群による解析
東大理，東大物性研^A　桐野俊輔，藤井達也^A，趙継澤^A，上田和夫^A

2: 電流・熱流のゆらぎの定理と非線形ケルヴィン・オンサーガー関係式
東大物性研，東大理^A　伊與田英輝，内海裕洋，加藤岳生，齊藤圭司^A

3: 2端子量子ドットAB干渉計における揺らぎの定理
東大物性研，東大理^A　内海裕洋，齋藤圭司^A

4: 2次元量子閉じ込め場における二電子基底状態とその電子相関
早大先進理工　根岸佑樹，奥西拓馬，武田京三郎

5: 結合3重量子ドットにおける2電子・3電子状態の励起スペクトル
ICORP-JST^A，NTT物性基礎研^B，NRC^C，東大物理工^D　天羽真一^A，羽田野剛司^A，田村浩之^B，寺岡総一郎^A，久保敏弘^A，都倉康弘^A，B，D.G.Austing^C，樽茶清悟^A，D

6: 3つのリード線に接続された3重量子ドットの基底状態と輸送現象：NRGとフェルミ液体による解析
阪市大理　西川裕規，小栗章

休憩　（10:30～10:45)

7: 量子ホール効果のブレークダウンにおけるランダウ準位間電子移動と緩和時間
北大工　明楽浩史

8: Conductance at the metal-quantum spin Hall insulator transition
上智大理工，京大理^A，阪大理工^B　小林浩二，小布施秀明^A，大槻東巳，K. Slevin^B

9: 金属－量子スピン・ホール絶縁体転移における共形不変性
京大理，理研^A，UCSB^B，PSI^C　小布施秀明，古崎昭^A，笠真生^B，C. Mudry^C

10: ビスマス薄膜における量子スピンホール相とエッジ状態の理論
東工大理　村上修一

11: ビスマスにおける量子ネルンスト効果
お茶大理，東大物性研^A，横国大工^B，核融合研^C，埼玉大院^D，東大生研^E　松尾まり，遠藤彰^A，白崎良演^B，杉原硬，中村浩章^C，長谷川靖洋^D，羽田野直道^E

12: 量子ホール系における拡散熱電能の測定
東大物性研，横国大工^A，核融合研^B，埼玉大院^C，東大生研^D，お茶大理^E　藤田和博，^○遠藤彰，白崎良演^A，杉原硬，中村浩章^B，長谷川靖洋^C，羽田野直道^D，松尾まり^E，勝本信吾，家泰弘

20日　YK会場　20aYK　9:00～12:15

領域4
量子井戸・超格子・光応答

1: 半導体量子細線レーザーの利得スペクトルにおけるクーロン増強および抑制効果
東大物性研，上海応用物理学研^A，阪大院理^B，アルカテル・ルーセント・ベル研^C　吉田正裕，岡野真人，秋山英文，懐平^A，浅野建一^B，小川哲生^B，Loren Pfeiffer^C，Ken West^C

2: ハートリーフォック近似計算を用いた中性及び非中性電子－正孔系における光学利得の解析
東大物性研，上海応用物理研^A，阪大理^B，Alcatel-Lucent Bell Labs.^C　岡野真人，吉田正裕，秋山英文，懐平^A，小川哲生^B，Loren N. Pfeiffer^C，Ken W. West^C

3: 量子井戸の界面ラフネスによる励起子の弱局在と発光励起スペクトルピークの非対称形状
東大物性研，ルーセント・ベル研^A　丸山俊，井原章之，伊藤弘毅，吉田正裕，秋山英文，Loren N. Pfeiffer^A，Ken W. West^A

4: ドープ量子井戸におけるKennard-Stepanov関係式
東大生研^A，東大物性研^B，CREST-JST^C，ルーセント・ベル研^D　井原章之^A，C，丸山俊^B，C，吉田正裕^B，C，秋山英文^B，C，Loren N. Pfeiffer^D，Ken W. West^D

5: 二次元電子系発光ピーク分裂エネルギーの電子密度依存性
筑波大数理^A，NTT物性研^B，NTT-AT^C，東北大理^D，ERATO-JST^E　野村晋太郎^A，B，山口真澄^B，田村浩之^B，赤崎達志^B，丸山達朗^C，宮下宣^C，平山祥郎^D，E

6: GaAs/AlAs超格子におけるシュタルク階段状態特有の重い正孔－軽い正孔励起子量子ビート
阪市大院工，阪府大院理^A　長谷川尊之，溝口幸司^A，中山正昭

休憩　（10:30～10:45)

7: YbドープGaAs/AlGaAsへテロ構造の電気伝導特性の磁場依存性
物材機構　海津利行，高増正，竹端寛治，今中康貴

8: SiO₂/(100)Si/SiO₂量子井戸に形成される二次元正孔系の磁気抵抗の閉じ込めポテンシャル依存性
NTT物性基礎研^A，東北大理^B　新井田佳孝^A，B，高品圭^A，西口克彦^A，小野行徳^A，藤原聡^A，平山祥郎^B，藤澤利正^A

9: Nd添加カルコゲナイド非晶質半導体のf-f遷移における圧力効果III
筑波大院数物　松井一生，松石清人

10: 希薄混晶InGaN薄膜における励起子発光ダイナミクス
阪市大院工　坂口薫，中山正昭

11: g因子制御量子井戸構造における量子輸送の光応答特性
CREST-JST，東北大通研^A，理研^B　桑原真人，今野貴支^A，久津輪武史，大野圭司^B，三森康義^A，小坂英男^A，枝松圭一^A

12: 自己形成量子ドットを用いた単電子トランジスタ構造における光電流，発光の制御
東大ナノ量子機構^A，東大生研^B　中岡俊裕^A，B，渡邉克之^A，熊谷直人^A，荒川泰彦^A，B

20日　PS会場　20aPS　10:00～12:00

領域4
領域4ポスターセッション

1: 捩れ量子リングにおける捩率誘起型永久電流
北大院工　平久夫，島弘幸

2: 1次元長距離相関不規則系における量子グレイドン状態
北大院工　西野信也，矢久保考介，島弘幸

3: SiナノドットのオーダーN電子状態計算
筑波大数理^A，理研^B　野村晋太郎^A，B，飯高敏晃^B

4: 量子ドット列における励起子の固有値表現を用いた熱緩和過程
分子研　久保田陽二，信定克幸

5: 任意形状の2次元量子ドットに於ける1電子波動関数の厳密解
早大先進理工　木下健志，武田京三郎

6: 2次元ナノ構造における電子波束の時間発展と摂動依存性
成蹊大理工　露木大祥，富谷光良，坂本昇一，西川昌輝

7: ABリングに埋め込まれた量子ドット系の熱電特性
東大院物工^A，ICORP^B，京大院理^C　阪野塁^A，樽茶清悟^A，B，川上則雄^C

8: 結合量子ドットにおける非断熱位相制御による電流操作
阪府大院工　野場賢一

9: 量子ドットにおけるショット雑音測定
京大化研　山内祥晃，橋坂昌幸，中村秀司，知田健作，葛西伸哉，小林研介，小野輝男

10: 多端子構造を持つ量子ドット系における有限バイアスでの輸送特性
NTT物性基礎研^A，東理大^B，ICORP-JST^C　市古雄城^A，B，都倉康弘^A，B，C，久保敏弘^C

11: Bi2201固有ジョセフソン接合のスイッチング特性2
産総研^A，名大工^B　柏谷裕美^A，松本哲朗^A，柏谷聡^A，柴田肇^A，永崎洋^A，吉田良行^A，川畑史郎^A，田仲由喜夫^B

12: 量子メディア変換構造における荷電励起子のゲート電界制御II
東北大通研^A，CREST-JST^B　上野若菜^A，小坂英男^A，B，久津輪武史^B，桑原真人^B，三森康義^A，B，枝松圭一^A

13: n-(Cd，Mn)Te/(Cd，Mg)TeにおけるFaraday rotation
東大物性研，Inst. of Physics，Polish Academy of Sci.^A　平山康博，嶽山正二郎，G. Karczewski^A，T. Wojtowicz^A，J. Kossut^A

14: 磁性半導体SmSにおける強磁場効果
名大院理，東大物性研^A，物材機構^B　井村敬一郎，松林和幸^A，鈴木博之^B，高増正^B，今中康貴^B，竹端寛治^B，出口和彦，佐藤憲昭

15: バルク量子ホール系の示す量子ネルンスト効果
東大物性研，山形大理^A　菅健一，金道浩一，大西彰正^A，佐々木実^A

16: Ga，As核を用いたGlover algorithmの検討
東北大理，NSEP(ERATO)^A　高道洋行，平山祥朗^A

20日　XB会場　20pXB　13:45～16:45

領域9，領域4
表面界面ダイナミクス

1: 低速電子線照射によるSi(001)表面の構造変化
東京大学物性研究所　白澤徹郎

2: STMによるGe(001)ダイマー表面におけるフリップフロップ運動の実時間測定
東大物性研　富松宏太，中辻寛，飯盛拓嗣，小森文夫

3: 高分解能低エネルギー電子線励起によるSi(111)7×7表面構造変化機構
阪大産研　金崎順一，谷村克己

4: Si(111)-7×7表面における光励起ボンド切断に対する温度の効果
阪大産研　成瀬延康，金崎順一，谷村克己

休憩　（15:00～15:15)

5: ダイヤモンドと水晶，サファイヤの摩擦帯電のすべり速度依存性
学習院大理物理　三浦崇，細渕絵理，荒川一郎

6: タングステン表面からのポジトロニウム負イオンの自発的放出
東理大理　長嶋泰之，坂井隆彦，凾館俊秀，宮本あやか，満汐孝治

7: ハイゼンベルグ運動方程式より導出されたレート方程式によるイオン中性化確率の計算
長崎大工，立命館大理工^A　近藤慎一郎，山田耕作^A

8: フェムト秒パルスレーザー照射金属からのイオン放出機構
京大化研　難波伸，升野振一郎，橋田昌樹，時田茂樹，阪部周二

9: 純オルソ水素ビームを用いたAg(111)表面におけるオルソ・パラ転換の研究
東大生研　二木かおり，杉本敏樹，福谷克之，岡野達雄

10: 氷表面での水素のオルト－パラ転換における同位体効果
東大生研　杉本敏樹，二木かおり，松本益明，福谷克之

20日　YF会場　20pYF　13:30～17:15

領域4
量子ドット

1: Noble Kondo decoherence: determining the spin of magnetic impurities in metals
CNRS， Neel研究所(フランス)　Bauerle Christpher

2: 横結合2重量子ドットにおける近藤－ファノ効果
NTT物性基礎研，NTT-AT^A　佐々木智，田村浩之，宮下宣^A，丸山達朗^A，赤崎達志，藤澤利正

3: 半導体量子ドットの近藤効果における電極のスピン蓄積効果
NTT物性基礎研^A，東理大理^B　小林俊之^A，鶴田尚英^A，B，佐々木智^A，藤澤利正^A，都倉康弘^A，赤崎達志^A，B

4: 横結合型量子ドットにおける励起状態の観測
東大物性研　大塚朋廣，阿部英介，家泰弘，勝本信吾

5: InAs単一自己形成量子ドットにおけるスピン軌道相互作用の定量的評価
東大工^A，東大理^B，ICORP-JST^C，JST-CREST^D，東大生研^E，東大ナノ量子機構^F　高橋駿^A，五十嵐悠一^B，R.S. Deacon^A，大岩顕^A，C，D，柴田憲治^E，平川一彦^D，E，F，樽茶清悟^A，C，F

休憩　（15:00～15:15)

6: 自己形成InAs量子ドット／超伝導接合系における超伝導電流の観測
東大工^A，ICORP-JST^B，東大生研^C，JST-CREST^D，東大ナノ量子機構^E　金井康^A，Russell.S.Deacon^A，吉田勝治^B，柴田憲治^C，平川一彦^C，D，E，大岩顕^A，B，D，樽茶清悟^A，B，E

7: 金属ナノギャップ間に挟まれたCdSe半導体ナノ結晶の電気伝導2
東理大理^A，理研^B，東大生産研^C，JST-CREST^D　伊藤雅浩^A，B，川村稔^B，C，大野圭司^B，D，池畑誠一郎^A，河野公俊^B

8: 並列結合ダブルドットにおけるAharonov-Bohm効果
ICORP^A，NTT物性基礎研^B，東大工^C　羽田野剛司^A，都倉康弘^A，B，天羽真一^A，寺岡総一郎^A，久保敏弘^A，樽茶清悟^A，C

9: 二重結合量子ドットを用いた高速キャパシタンス測定
NTT物性基礎研　太田剛，林稔晶，藤澤利正

10: 電荷計による，縦型単一，二重量子ドットの電子数検出
東大物工^A，Quantum Computing Univ. of Waterloo^B，ICORP-JST^C，東大ナノ量子機構^D，ERATO-JST^E　木村啓太^A，財津光一郎^A，Jonathan Baugh^B，吉田勝治^C，山本倫久^A，E，樽茶清悟^A，D

11: 静電的ゆらぎによる二重量子ドット電荷量子ビットのデコヒーレンス
NTT物性基礎研^A，東工大院物性物理^B，SORST-JST^C　新海剛^A，B，太田剛^A，林稔晶^A，藤澤利正^A，B，C

12: 微小磁石を集積した量子ドットにおける選択的ラビ振動
ICORP-JST^A，NTT物性基礎研^B，東工大応セラ研^C，PRESTO-JST^D，東大工^E　小幡利顕^A，ミシェルピオロラドリエル^A，都倉康弘^A，B，申潤錫^A，久保敏弘^A，吉田勝治^A，谷山智康^C，D，樽茶清悟^A，E

13: 互いに異なるg因子を持った二重量子ドットにおけるスピンブロッケードと核スピン効果
理研^A，東工大理工^B，東大物工^C，ICORP-JST^D，CREST-JST^E　高橋諒^A，B，河野公俊^A，B，樽茶清悟^C，D，大野圭司^A，E

20日　YK会場　20pYK　13:30～17:00

領域4
量子ホール効果

1: アンチドット周りにおけるエッジ状態のスクリーニング効果
東大物性研　加藤雅紀，遠藤彰，勝本信吾，家泰弘

2: 走査トンネルスペクトロスコピーによる二次元電子系の波数空間観察
ハンブルグ大^A，東北大理^B，JST-ERATO^C，ウォーリック大^D，琉球大理^E，アーヘン大^F　橋本克之^A，B，C，C. Sohrmann^D，稲岡毅^E，J. Wiebe^A，平山祥郎^B，C，R.A. Römer^D，R. Wiesendanger^A，M. Morgenstern^F

3: 磁気光学効果による量子ホールデバイス中の電子スピン分極イメージング
千葉大院理，東北大院理^A，ERATO^B，NTT物性基礎研^C　稲葉龍，山田哲也，音賢一，室清文，平山祥郎^A，B，熊田倫雄^C，山口浩司^C

4: 2色ポンプ・プローブカー回転測定による量子ホール電子のスピンダイナミクス
千葉大院理，東北大院理^A，NTT物性基礎研^B，ERATO-JST^C　福岡大輔，音賢一，室清文，平山祥郎^A，C，熊田倫雄^B，山口浩司^B

5: 量子ホール効果ブレークダウンを利用した歪みによる電気四重極分離の観測
東大生産研^A，東大物性研^B，東大ナノ量子機構^C　山下達也^A，高橋裕之^A，川村稔^A，橋本義昭^B，勝本信吾^B，C，町田友樹^A，C

6: 二次元正孔系のスピン共鳴
ICORP-JST^A，NTT物性基礎研^B，東大物理工^C，東北大通研^D　寺岡総一郎^A，天羽真一^A，羽田野剛司^A，久保敏弘^A，都倉康弘^A，B，大野裕三^D，大野英男^D，樽茶清悟^A，C

休憩　（15:00～15:15)

7: 1次元周期的変調による分数量子ホール効果消失の機構
東大物性研　遠藤彰，家泰弘

8: 動的核スピン偏極によるν=2/3分数量子ホール状態のスピン相転移点シフト
東大生産研^A，東大物性研^B，東大ナノ量子機構^C　川村稔^A，小野雅司^A，橋本義昭^B，勝本信吾^B，C，町田友樹^A，C

9: ν=2/3分数量子ホール状態における核スピン偏極の光検出
東北大理^A，NTT物性基礎研^B，PRESTO-JST^C，NTT-AT^D　早川純一朗^A，川村昂^A，Lea Hildebrandt Rossander^A，桑野信^A，小野満恒二^B，宮下宣^D，藤澤利正^B，遊佐剛^A，B，C

10: 抵抗検出NMR法を用いたスカーミオンによる核スピン緩和異常の観測
東北大理^A，NTT物性基礎研^B，JST-ERATO^C　渡辺信嗣^A，橋本克之^A，熊田倫雄^B，平山祥郎^A，C

11: シリコン2次元電子系におけるランダウ準位交差と擬スピン非偏極状態の可能性
東大理，武蔵工大総研^A　岡本徹，當山清彦，佐々木恒平，枡富龍一，澤野憲太郎^A，白木靖寛^A

12: 傾斜磁場を用いた二層ν_T=1量子ホール状態における真性ギャップの測定
NTT物性研　P. Giudici，^○村木康二，熊田倫雄，藤澤利正

13: 2層系量子ホール状態における磁気抵抗のマイクロ波応答
京大院理，兵庫医大^A，東北福祉大^B，京大低物セ^C，NTT物性基礎研^D，東北大院理^E　小笠原良晃，福田昭^A，津田是文，岩田一樹^B，新井敏一^C，関川貴史，熊田倫雄^D，平山祥郎^E，江澤潤一^E，澤田安樹^C

21日　YF会場　21aYF　9:00～12:30

領域4
量子ドット

1: T字型ダブルドット系における長距離的な近藤効果
理研，京大理^A，阪市大理^B　田中洋一，川上則雄^A，小栗章^B

2: 軌道縮退量子ドット系の拡張スレーブボゾン平均場近似による解析：軌道間クーロン相互作用の効果
筑波大物理　小口悠，谷口伸彦

3: 超伝導／常伝導リードに繋がれた量子ドット系における非平衡定常状態での近藤効果
京大理，理研^A　山田康博，田中洋一^A，川上則雄

4: 並列結合2重量子ドット系における近藤効果
ICORP^A，NTT物性基礎研^B，東大工^C　久保敏弘^A，都倉康弘^A，B，樽茶清悟^A，C

5: ABリングに埋め込まれた量子ドットにおける近藤効果のスケーリング解析
慶大理工　吉井涼輔，江藤幹雄

6: 量子ドット－ジョセフソン接合系における電流保存とWard恒等式
阪市大理　小栗章，西川裕規

休憩　（10:30～10:45)

7: 数nmサイズSi量子ドットの大規模第一原理計算
筑波大計科セ，東大物工^A　岩田潤一，白石賢二，押山淳^A

8: 電磁波中のABリングの伝導特性の数値解析
千葉大基セ，成蹊大理工^A　植田毅，富谷光良^A，坂本昇一^A

9: 横型二重量子ドットにおけるチャージポンピングとベリーの位相
JST-CREST^A，産総研ナノテク^B，東北大通研^C　余越伸彦^A，B，今村裕志^B，A，小坂英男^C，A

10: 量子ドットよりなる量子ビット系の有効ハミルトニアンの導出と設計
東大院総合文化　國分直明，清水明

11: 電子ガス・量子ドット結合系における電子状態
筑波大院数物　高田幸宏，村口正和，野村晋太郎，白石賢二

12: 電子ガス－量子ドット結合系における電子ダイナミクス
筑波大院数物，日立中研^A　村口正和，高田幸宏，櫻井蓉子，野村晋太郎，斎藤慎一^A，白石賢二

13: 電子ガス－量子ドット結合系におけるC-V特性
筑波大院数物，広大先端研^A　櫻井蓉子，野村晋太郎，白石賢二，池田弥央^A，牧原克典^A，宮崎誠一^A

21日　YK会場　21aYK　9:00～12:30

領域4
磁性半導体

1: 取　　消

2: Ga_1-xMn_xAsの内殻吸収磁気円二色性による磁気的相互作用の研究
原子力機構/SPring-8^A，東大工^B，物材研/SPring-8^C，京産大理^D，東大理^E，広大先端^F，東工大理工^G　竹田幸治^A，小林正起^B，岡根哲夫^A，大河内拓雄^A，岡本淳^A，斎藤祐児^A，小林啓介^C 山上浩志^A，D，藤森淳^E，田中新^F，岡林潤^G，尾嶋正治^B，大矢忍^B，ファムナムハイ^B，田中雅明^B

3: 磁性半導体Ti_1-xCo_xO_2-σ薄膜のX線磁気円二色性の組成およびキャリア濃度依存性
東大新領域^A，東大工^B，東大理^C，NSRRC^D，ERATO-MF^E，東北大金研^F，東北大WPI材料機構^G，CREST-JST^H　坂本勇太^A，小林正起^B，片岡隆史^A，宋敬錫^C，藤森淳^A，C，F.-H. Chang^D，L. Lee^D，H.-J. Lin^D，D.J. Huang^D，C.T. Chen^D，豊崎秀海^E，福村知昭^F，川崎雅司^F，G，H

4: 光照射によるTi_1-xCo_xO₂の電子状態変化
東大新領域，東大理^A，東北大金研^B，東北大WPI材料機構^C，JST-CREST^D　山下直飛人，須田山貴亮^A，田久保耕^A，溝川貴司，豊崎秀海^B，福村知昭^B，川崎雅司^B，C，D

5: 酸化物希薄磁性半導体Zn_1-xCo_xOの軟X線磁気円二色性による研究：反強磁性相互作用と強磁性
東大工^A，理研^B，東大新領域^C，東大理^D，JAEA^E，JASRI^F，阪大産研^G　小林正起^A，石田行章^B，黄鐘日^C，長船義敬^D，藤森淳^D，竹田幸治^E，寺井恒太^E，藤森伸一^E，岡根哲夫^E，斎藤祐児^E，小林啓介^F，佐伯洋昌^G，川合知二^G，田畑仁^G

6: 光電子分光および軟X線磁気円二色性から見たZn_1-xFe_xOナノ粒子の室温強磁性の起源
東大新領域，東大工^A，東大理^B，NSRRC^C，原子力機構/SPring-8^D，京産大^E，BARC^F，IIT^G，IITB^H，高エ研/PF^I　片岡隆史，小林正起^A，宋敬錫^B，坂本勇太，藤森淳^B，D，F.-H. Chang^C，H.-J. Lin^C，D.J. Huang^C，C.T. Chen^C，大河内拓雄^D，竹田幸治^D，岡根哲夫^D，斎藤祐児^D，山上浩志^D，E，D. Karmakar^F，S.K. Mandal^G，I. Dasgupta^H，朝倉大輔^I，小出常晴^I

7: 希薄磁性半導体In₂O₃:(Mn，Fe)における磁性元素の局所環境解析
早大理工，九州シンクロトロン光研究セ^A　日下部泰之，川島由匡，岡島敏浩^A，山本知之

休憩　（10:45～11:00)

8: 第一原理計算によるanti-bixbyite構造をベースにした強磁性物質の理論設計
阪大ナノ機構　下司雅章

9: 窒化物半導体における陽イオン空孔による磁性
東大工-CREST　合田義弘，押山淳

10: 高濃度にドナーとアクセプター不純物を注入したGaAs膜における電子間相互作用
北陸先端大マテリアル　Jung D.W.，Noh J. P.，Islam A.Z.M. Touhidul，大塚信雄

11: CdTe/CdMnTe分数層超格子における異方的な磁気光学特性のMn組成分布依存性
神戸大院工，甲南大理工^A，CNRS^B　原田幸弘，喜多隆，和田修，安藤弘明^A，H. Mariette^B

12: 希薄磁性半導体から半導体量子ドットへのスピン注入メカニズム
東北大多元研，リンショーピン大^A　村山明宏，古田稔明，押野成人，相馬出，D. Dagnelund^A，I.A. Buyanova^A，W.M. Chen^A

13: ミリ波サブミリ波帯におけるCdMnTe量子ホール系の磁気透過測定
物材機構，ポーランド科学アカデミー^A　今中康貴，竹端寛治，高増正，木戸義勇，G.Karczewski^A，T.Wojtowicz^A，J.Kossut^A

21日　TA会場　21pTA　13:30～17:00

領域7，領域4，領域9合同シンポジウム
主題：グラフェン研究の焦点　－新しい挑戦－

1: はじめに
東北大金研　岩佐義宏

2: ナノグラフェンの作製と化学修飾による電子物性設計
東工大院理工　高井和之

3: ベンゼン環からグラフェンエッジ(ラジカル)状態を作る
阪大院理　久保孝史

4: グラフェンにおける特異なナノスケール効果と電子物性
広大院先端物質　若林克法

5: 光電子分光によるグラフェンおよび関連物質の電子構造の解明
東北大院理　菅原克明

休憩　（15:14～15:24)

6: 単層・多層グラフェンにおける光学特性
東工大院理工　越野幹人

7: グラフェンのランダウ準位観測
東大院理　松井朋裕

8: グラフェンの擬スピンとは何か?
東北大院理　佐々木健一

9: 室温におけるグラフェン薄膜へのスピン注入とスピン操作
阪大院基礎工　白石誠司

22日　TA会場　22aTA　9:00～12:00

領域4，領域7合同
グラフェン・量子効果

1: マルチバンドモデルによるグラフェンの量子ホール効果
物材機構，筑波大物理^A　新井正男，初貝安弘^A

2: 磁場中グラフェンのボンド秩序相におけるエンタングルメント・エントロピー
筑波大院数理，東大理^A，茨城大理^B　有川晃弘，青木秀夫^A，福井隆裕^B，初貝安弘

3: 有限ゲート電圧下の多層グラフェンにおける量子ホール効果とde Haas van Alphen効果
Max-Planck Inst.PKS　中村正明，Balazs Dora

4: KKR法によるグラフェンの電子状態計算
東北大理　中島龍也

5: ゼロ磁場極限におけるディラック粒子の量子ホール効果
東北大理^A，KITP^B，東工大理^C，PSI^D，理研^E　野村健太郎^A，笠真生^B，越野幹人^C，C. Mudry^D，古崎昭^E

6: トポロジカル絶縁体における秩序変数
東北大理　井村健一郎，倉本義夫

休憩　（10:30～10:45)

7: グラフェンの高次のランダウ準位におけるCDW構造
東北大理　東達也，柴田尚和

8: 二層グラフェンにおける分数量子ホール状態
東北大理　柴田尚和，野村健太郎

9: グラフェンランダウ準位におけるランダムネスの効果
東邦大理，筑波大物理^A，東大理^B　河原林透，初貝安弘^A，青木秀夫^B

10: 完全透過チャネルを持つ乱れた量子細線におけるコンダクタンス
広大院先端　高根美武，若林克法

11: グラフェンにおける低温伝導特性
千葉大院融合，ニューヨーク州立大^A　氏家洋平，本岡正太郎，湯本昇，青木伸之，J.P.バード^A，落合勇一

22日　YF会場　22aYF　9:00～11:30

領域4
量子細線

1: 一次元ハバード鎖の輸送特性における多体相関効果
オークリッジ国立研^A，原子力機構先端研^B，テネシー大^C　大西弘明^A，B，E. Dagotto^A，C

2: 朝永-Luttinger液体における共鳴トンネリング現象の数値的研究
東大理，東大物性研^A　濱本雄治，加藤岳生^A

3: 量子細線-ABリング結合系における2電子干渉効果
東大工^A，ICORP-JST^B　山本倫久^A，小田穣^A，樽茶清悟^A，B

4: 並列量子ポイントコンタクトにおける量子干渉の有限バイアス効果
NTT物性基礎研^A，東理大理^B　小林俊之^A，鶴田尚英^A，B，佐々木智^A，田村浩之^A，赤崎達志^A，B

5: 取　　消

6: 量子ポイントコンタクトにおける量子雑音放射の熱的検出
京大化研　橋坂昌幸，山内祥晃，中村秀司，葛西伸哉，小林研介，小野輝男

休憩　（10:30～10:45)

7: 静電制御された量子ポイントコンタクトにおけるショット雑音
京大化研　中村秀司，橋坂昌幸，山内祥晃，葛西伸哉，小林研介，小野輝男

8: エッチングで作製したGaAs系量子ポイントコンタクトのSGM観察
千葉大院融合，アリゾナ州立大ナノ^A　青木伸之，A. Burke^A，R. Akis^A，D.K. Ferry^A，落合勇一

9: 量子細線における近藤効果のゲート形状依存性
千葉大工，ニューヨーク州大バッファロー校^A　遠藤孝，湯本昇，森本崇宏，岩田朋大，青木伸之，落合勇一，J.P.バード

22日　TA会場　22pTA　13:30～18:00

領域7，領域4合同
グラフェン・電子物性

1: Aharonov-Bohm effect in graphene
Dept. of Applied Phys.，Univ. of Tokyo^A，Kavli Inst. of Nanosci.，Delft Univ. of Tech.，The Netherlands^B　S. Russo^A，J.B. Oostinga^B，D.Wehenkel^B，S. Sobhani^B，L.M.K. Vandersypen^B，A.F. Mopurgo^B

2: Tunable Band-structure in Double-Gated Graphene Trilayer
Dept. of Applied Phys.，The Univ. of Tokyo^A，Kavli Inst. of Nanosci.，Delft Univ. of Tech.^B　M.F.Craciun^A，S.Russo^A，B，M.Yamamoto^A，J.B.Oostinga ^B，A.F.Morpurgo^B，S.Tarucha^A

3: 電圧印加による2層グラフェンの再金属化
産総研，筑波大^A　大谷実，岡田晋^A

4: 数層グラフェンの強電場下における電気伝導
産総研^A，JST-CREST^B，東工大総理工^C，筑波大物理^D，理研^E　宮崎久生^A，B，小高隼介^A，C，田中翔^D，後藤秀徳^B，D，神田晶申^B，D，塚越一仁^A，B，E，大塚洋一^D

5: 多層グラフェンにおける電気伝導の層数効果
筑波大物理^A，産総研^B，東工大総合理工^C，CREST-JST^D　田中翔^A，後藤秀徳^A，D，長井超星^A，神田晶申^A，D，大塚洋一^A，宮崎久生^B，D，小高隼介^B，C，D，塚越一仁^B，D，青柳克信^B，C，D

6: 2層グラフェンの磁気抵抗
広大院先端　高原弘明，深田誠也，八木隆多

7: グラフェンにおける光誘起異常ホール効果とその幾何学的起源
東大理　岡隆史，青木秀夫

8: 単層グラフェンのホール効果と磁気抵抗
広大先端　八木隆多，高原弘明，深田誠也

休憩　（15:30～15:45)

9: グラフェンナノリボンにおける磁気的な輸送現象
名大理　熊崎秀樹，平島大

10: グラフェンナノリボンにおける量子輸送現象への不規則なボンディングの影響
広大院先端物質^A，JSTさきがけ^B　山本真幸^A，若林克法^A，B

11: ポテンシャル障壁のあるグラフェンリボンにおける選択的透過性
早大先進理工　中林淳，山下大輔，栗原進

12: グラフェンリボンのバリスティック熱コンダクタンス
電通大　山口翔，中村淳，^○名取晃子

13: グラフェンナノディスクの電子物性
東大工　江澤雅彦

14: Co電極を持つグラフェン薄膜トランジスタにおける異常な伝達特性
東北大WPI，阪大院基礎工^A，JST-PRESTO^B　野内亮，白石誠司^A，B，鈴木義茂^A

15: グラフェン系スピンバルブにおける注入スピンのスピン偏極率
阪大院基礎工^A，JSTさきがけ^B　白石誠司^A，B，大石恵^A，野内亮^A，野崎隆行^A，新庄輝也^A，鈴木義茂^A

16: 取　　消

17: グラフェン上の強磁性／超伝導接合におけるアンドレーエフ反射
北大工，名大工^A，トウェンテ大^B　浅野泰寛，吉田敏寛，田仲由喜夫^A，A.A.Golubov^B

22日　VA会場　22pVA　13:30～16:55

領域11，領域3，領域4，領域9合同シンポジウム
主題：第一原理計算手法に基づくマルチスケールシミュレーションの展望

1: はじめに
東大院理　常行真司

2: 第一原理計算とマルチカノニカル法でみる物質構造相変化
東大物性研　吉本芳英

3: 生体系における拡張アンサンブル分子動力学法の発展:マルチカノニカル法を越えて
ラトガース大　奥村久士

4: 有効遮蔽媒質法による大規模第一原理分子動力学計算
産総研　大谷実

休憩　（15:10～15:25)

5: 変形のマルチスケールモデリングとシミュレーション
阪大基礎工　尾方成信

6: order-N KKR法による磁性薄膜の第一原理シミュレーション
阪大理　小倉昌子

7: OpenMXにおけるオーダーN第一原理シミュレーション
北陸先端大　尾崎泰助

22日　YF会場　22pYF　13:30～17:45

領域4
微小接合

1: ジョセフソン伝送線路におけるブリーザー間相互作用
広大先端研，広大院総合科^A　西田宗弘，古川善己，藤井敏之^A，畠中憲之^A

2: スピンフィルター効果を用いてπ接合を実現できるか?
産総研^A，JST-CREST^B，北大工^C，名大工^D　川畑史郎^A，B，浅野泰寛^C，田仲由喜夫^D，柏谷聡^A

3: NMRイメージング法による磁束量子ビットの個別制御理論
広大院総合科　藤井敏之，松尾繁政，畠中憲之

4: Coupling superconducting flux qubits at optimal point via dynamic decoupling with the quantum bus
NTT Basic Res. Lab.　Ying-Dan Wang，^○Kouichi Semba

5: 超伝導量子ビットにおける効率的なone-way computing
東芝^A，理研^B，ニューヨーク州立大^C，ミシガン大^D　棚本哲史^A，Y.X. Liu^B，X. Hu^C，F. Nori^B，D

6: 超伝導伝送線路共振器を用いた機械振動系の微小変位検出
NTT物性基礎研　山田義春，角柳孝輔，仙場浩一

休憩　（15:00～15:15)

7: メゾスコピック超伝導における臨界磁場近傍の異常抵抗
物材機構^A，筑波大数理物質^B　原田淳之^A，榎本健悟^A，矢ヶ部太郎^A，木俣基^A，硲香織^B，薩川秀隆^A，寺嶋太一^A，宇治進也^A，B

8: 半導体2次元電子系とキャパシタンス結合した超伝導単電子トランジスタの電荷状態
東大物性研　阿部英介，橋本義昭，家泰弘，勝本信吾

9: 超伝導マイクロ波共振器を用いた磁束量子ビットの状態読み出し
理研基幹研^A，NECナノエレ研^B，CREST-JST^C　猪股邦宏^A，渡部道生^A，山本剛^A，B，C，中村泰信^A，B，C，蔡兆申^A，B，C

10: ジョセフソン接合を持つ超伝導マイクロ波共振器の非線形領域特性
理研基幹研^A，NECナノエレ研^B，CREST-JST^C　渡部道生^A，猪股邦宏^A，山本剛^A，B，C，中村泰信^A，B，C，蔡兆申^A，B，C

11: Bi2212微小固有ジョセフソン接合のスイッチング特性におけるサイズ効果
青学大理工^A，東大院総合^B　北野晴久^A，石川一樹^A，糸井充穂^A，太田健介^B，前田京剛^B

12: 固有ジョセフソン接合における接合間の相互作用効果
東大院総合，超電導工研^A，青学大理工^B　太田健介，今井良宗，前田京剛，町敬人^A，田辺圭一^A，石川一樹^B，糸井充穂^B，北野晴久^B

13: ジョセフソン分岐増幅による超伝導磁束量子ビット読み出しの試み
NTT物性基礎研，東理大^A　角柳孝輔，影井誠一郎^A，鯉渕良太^A，仙場浩一

14: 磁束量子ビット間可変結合のON/OFF比の評価
理研基幹研^A，CREST-JST^B，VTT^C，NECナノエレ研^D　吉原文樹^A，Khalil Harrabi^B，Antti O. Niskanen^C，Pierre M. Billangeon^A，中村泰信^A，B，D，蔡兆申^A，B，D

15: LSCO固有ジョセフソン接合における脱出確立の接合数依存性
物材機構^A，筑波大数理物質^B，東京農工大工^C，山梨大クリスタル研^D　久保結丸^A，B，田中孝尚^A，上田真也^C，石井聡^A，津田俊輔^A，山口尚秀^A，田中功^D，A.T.M.N. Islam^D，高野義彦^A，B

16: Experimentally Realizable C-NOT Gate in an Architecturally-Scalable Flux Qubit/Resonator System
Nat'l. Inst. of Informatics^A，NTT Basic Res. Lab.^B　Todd Tilma，Simon J. Devitt，Kae Nemoto^A，Shiro Saito，Koichi Semba^B

22日　YK会場　22pYK　13:30～15:45

領域4
半導体スピン物性

1: 面内ポテンシャルに起因するスピン軌道相互作用を用いた三端子スピンフィルタ
広大院先端物質，Jacobs Univ. Bremen^A　山本真幸，Bernhard Kramer^A

2: 三次元Z2量子スピンホール絶縁体における乱れの解析
理研，東工大^A　進藤龍一，村上修一^A

3: 量子ドットからの断熱的スピンポンピングにおける近藤効果
阪大院基礎工　服部公則

4: 半導体アンチドット構造における外因性スピンホール効果
慶大理工　江藤幹雄

5: ナノスピントロニクス素子によるスピンフィルタ
NTT物性基礎研^A，Ben-Gurion大^B，東大物性研^C　都倉康弘^A，Amnon Aharony^B，Ora Entin-Wohlman^B，勝本信吾^C

6: 高In組成 InGaAs/InAlAsヘテロ接合におけるRashba効果の界面歪み依存性
北陸先端大ナノセ　Choi Hyonkwan，新田峻介，山田省二

休憩　（15:00～15:15)

7: 高In組成InGaAs/InAlAs逆ヘテロ接合におけるRashba効果のInAlAs cap依存性
北陸先端大ナノセ　新田峻介，Choi Hyonkwan，山田省二

8: ナノスケール強磁性電極を有する電子フォーカシング素子における不均一磁場効果の観測
東大物工^A，ICORP-JST^B，東工大応セラ研^C，PRESTO-JST^D，東大物性研^E，東大ナノ量子機構^F　李相潤^A，ミシェルーピオロラドリエル^B，吉田勝治^B，小幡利顕^B，申潤錫^B，谷山智康^C，D，勝本信吾^E，樽茶清悟^A，B，F