領域9

18日　TG会場　18aTG　9:00～12:15

領域9
表面界面電子物性

1: 水素終端n型及びp型ケイ素（111）表面の化学反応性
理研，東大工^A，東大新領域^B　山田太郎，小澤秀樹^A，加藤浩之，飯高敏晃，川合真紀^B

2: 高エネルギー分光法による水素終端シリコン表面に作製した共役・非共役性有機自己組織化単分子膜の電子構造の解明
名大院理，名大物質国際研^A，名大エコトピア研^B，阪大院基礎工^C，名大院理，名大高等研究院^D　齋藤清範，隅井良平^A，金井要^A，岡野孝^B，荒正人^C，多田博一^C，大内幸雄，関一彦^D

3: マンガンフタロシアニン薄膜の強い分子間相互作用に関連した電子構造
千葉大工　片岡隆史，深川弘彦，細海俊介，解良聡，上野信雄

4: Tl/Ge(111)-(3×1)表面の原子構造および電子状態
京大院理，ISSP/東大^A，JASRI^B　加藤千尋，八田振一郎，高橋真，大友亮介，奥田太一^A，原沢あゆみ^A，木下豊彦^A，坂田修身^B，奥山弘，有賀哲也

5: Ni(111)表面準位の、スピン・角度分解光電子分光
東大物性研，チューリッヒ大^A　奥田太一，Jorge Lobo-Checa^A，Juerg Osterwalder^A，Thomas Greber^A

6: MBE成長したInAs(111)A表面におけるドナー型欠陥と二次元電子蓄積層
NTT物性基礎研^A，LPN-CNRS^B，東北大理^C，SORST-JST^D，東工大^E　蟹澤聖^A，Simon Perraud^A，B，平山祥郎^C，D，藤澤利正^A，E

休憩　（10:30～10:45)

7: 静電気力分光法を用いた絶縁性CaF₂(111)/Si表面の電子状態の測定
阪大院工　野村光，内藤賀公，影島賢巳，^○菅原康弘

8: Nb探針によるSTM観察
東大院理，東工大応セラ研^A　清水亮太，一杉太郎，福尾則学^A，島田敏宏，長谷川哲也

9: 窒素吸着銅(001)表面上のスズの表面構造と電子状態の研究
東大物性研　矢治光一郎，奈良裕樹，中辻寛，飯盛拓嗣，下山田篤史，石坂香子，辛埴，小森文夫

10: ポルフィリンへテロダイマーにおける分子内p-n接合のSTM/STS観察
横市大国際，NICT^A　西山文貴，横山崇，上門敏也^A，横山士吉^A，益子信郎^A

11: 極薄Si酸化膜上Geナノドットの伝導機構の研究
CREST-JST^A，東大理^B，東大物性研^C，東大工^D　中山泰生^A，吉本真也^B，山崎詩郎^B，平原徹^B，長谷川修司^B，松田巌^C，市川昌和^A，D

12: Quantum well states of Ag films growm on Si(111)-√3×√3-Au surface at room temperature
Dept. of Phys.，Univ. of Tokyo　K. He，I. Matsuda，T. Hirahara，S. Hasegawa

18日　WH会場　18aWH　9:00～12:15

領域9
ナノ構造量子物性

1: 電圧印加非接触原子間力分光法による２物体間結合力の共鳴的増大
筑波大学大学院数理物質科学研究科　新井豊子

2: Pd(111)表面上における酸化バナジウムナノメッシュへのビスマスナノドットのSTM観察
名大工，名大エコトピア^A　早崎真治，松井恒雄^A，柚原淳司

3: Ni(755)ステップ面上の1次元カリウム原子鎖の構造と電子状態の研究
立命館大理工　原田峻丞，藤澤信幸，中西康次，小川浩二，難波秀利

4: 円形Quantum Corralの電子状態
埼玉工大院　熊谷卓也，田村明

休憩　（10:30～10:45)

5: 複数の矩形Quantum CorralのSTM画像およびSTSの解析
埼玉工大院　光岡重徳，田村明

6: 金属表面に対する磁性原子の対吸着の電子相関効果
阪大院工，阪大ナノ研究推進機構^A，デ・ラ・サール大理^B　南谷英美，中西寛，Wilson Agerico Dino^A，B，笠井秀明

7: AFM探針によるタンパク質GFPの圧縮と蛍光消失のシミュレーション
早大院理工，東工大院生命理工^A　塚田捷，田上勝規，高〓（王+己）^A

8: Controlled Forward and Reverse Chain Reaction in 1D Molecular Line Growth on the Si(100)-(2×1)-H Surface
The Inst. of Phys. and Chem. Res.，RIKEN^A，The Univ. of Tokyo^B　Md. Zakir Hossain^A，Hiroyuki S. Kato^A，Maki Kawai ^A，B

9: 遷移金属安定化2重グラフェンシート構造のシリコン半導体超薄膜
産総研計算科学，産総研次世代半導体セ^A　宮崎剛英，金山敏彦^A

10: 歪みSi薄膜における有効質量異常：第一原理的研究
慶大理工　山内淳

18日　TG会場　18pTG　13:30～16:45

領域9
表面界面電子物性

1: ビスマス表面状態のスピン角度分解光電子分光
東大理^A，広大院理^B，東大物性研^C，物材機構^D，ユーリヒ研^E，DIPC^F，広大放射光セ^G　平原徹^A，宮本幸治^B，松田巌^A，C，門野利治^B，木村昭夫^B，長尾忠昭^D，G. Bihlmayer^E，E.V. Chulkov^F，喬山^G，島田賢也^G，生天目博文^G，谷口雅樹^G，長谷川修司^A

2: Pb超薄膜の電子輸送の振動現象
東大理　宮田伸弘，松田巌，堀越孝太郎，平原徹，長谷川修司

3: 光電子分光によるTl/Si(111)-(1×1)←→ (√3×√3)転移の研究
千葉大院自然，IFM Linkoping Univ.^A，九大総理工^B　坂本一之，P.E.J. Eriksson^A，水野清義^B，上野信雄，栃原浩^B，R.I.G. Uhrberg^A

4: Mn吸着したSi(111)√3×√3-Ag表面のSTMおよび光電子分光測定
東大理　高瀬恵子，松田巌，保原麗，宮田伸弘，長谷川修司

5: Si反転層中の2次元正孔ガスの角度分解光電子分光：光エネルギー依存性
奈良先端大物質創成^A，CREST-JST^B，広大院理^C，広大放射光セ^D，産総研^E　武田さくら^A，B，東直人^A，西出昌弘^A，大門寛^A，B，東口光晴^C，三浦雄一^C，飛田尚寿^C，崔小宇^C，島田賢也^D，相浦義弘^E，生天目博文^D，谷口雅樹^D

6: Si(111)-5×2-Au表面上における一次元プラズモンの研究
物材機構^A，ICORP JST^B，岩手大工^C　劉燦華^A，柳沼晋^A，稲岡毅^C，中山知信^A，B，長尾忠昭^A，B

休憩　（15:00～15:15)

7: Si(557)-Au表面に生ずる低次元プラズモン
岩手大工，物材機構^A，ICORP JST^B　稲岡毅，長尾忠昭^A，B

8: エバネッセント波による界面状態の励起について
お茶大理　小林功佳

9: 第一原理計算によるSiO₂/Si(001)界面のナノスケール誘電特性評価
電通大電子　涌井貞一，中村淳，名取晃子

10: 不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算
電通大電子　平山基，中村淳，名取晃子

11: スチレン分子列の伝導特性
物材機構，北京科技大^A　小田将人，W.T.Geng^A，奈良純，近藤恒，大野隆央

12: 金属表面への水素分子解離吸着過程におけるエネルギー障壁形成機構
明大理工　高木成幸，円谷和雄

18日　WH会場　18pWH　13:30～17:00

領域9，領域10合同シンポジウム
主題：ナノスコピック系の摩擦の物理：摩擦の素過程と制御

1: はじめに
青学大理工　松川宏

2: フラーレン分子ベアリングの超潤滑機構と制御
成蹊大理工　佐々木成朗

3: サブオングストローム振幅をもちいた原子スケールの摩擦計測
東大生産研　川勝英樹

4: 有限温度原子レベル摩擦機構～1次元Tomlinsonモデルによる解析～（理論）
電通大電子　中村淳

5: 有機分子マシンの摩擦の素過程と制御
産総研　三宅晃司

休憩　（15:10～15:20)

6: 表面吸着分子系の摩擦の素過程と制御
電通大量子　鈴木勝

7: ゲル界面の摩擦の素過程と制御
北大院理　川端和重

8: 束縛液体の摩擦の素過程と制御
東北大多元　栗原和枝

9: 量子凝縮系をモデルに用いた摩擦の素過程と制御
東大総合文化　前田京剛

19日　TG会場　19aTG　9:00～12:15

領域9
表面界面構造

1: トンネル電子による分子振動における選択則
理研，東大新領域^A　金有洙，小原通昭^A，川合真紀^A

2: Cu(110)に吸着したアセチレン単分子の研究
京大院理　熊谷崇，八田振一郎，奥山弘，有賀哲也

3: 低温でのCu(001)表面における酸素吸着のSTM観察
東大物性研　柳生数馬，Xiangdong Liu，中辻寛，小森文夫

4: Ir(111)表面上のAu島におけるEhrlich-Schwoebel障壁
東大生研　小倉正平，福谷克之

5: Ni(111)面上への硫黄吸着により生成するNiの3原子クラスター（2）
筑波大数理物質^A，東大物性研^B　山田正理^A，B，和泉健一^A，中村潤児^A

6: Ir(111)表面上のNO吸着構造の低速電子回折法動力学的解析
東大生研^A，阪大理^B　松本益明^A，小倉正平^A，福谷克之^A，岡野達雄^A，岡田美智雄^B

休憩　（10:30～10:45)

7: Si(111)7×7表面上のAg原子の吸着及びクラスター形成過程
東北大院理，学際セ^A　田鎖幸樹，冷清水裕子，Jacek Osiecki，早川美徳，粕谷厚生^A，須藤彰三

8: 硝酸酸化法と水素中熱処理で形成したSiO₂/SiC構造の表面・界面
阪大産研，科技振戦略基礎　高橋昌男，マダニモハマド，任星淳，アスハ，小林光

9: クラスター展開法を用いた合金表面の偏析・原子の規則化の第一原理計算：Cu₇₅Pt₂₅(111)表面
京大工（院生），京大工^A　弓削是貴，世古敦人，桑原彰秀^A，大場史康^A，田中功^A

10: Cu(001)面上のLi吸着系におけるストリーク強度に対する被覆率・温度相図
福岡教育大物理　弘中健治，^○三谷尚

11: RSOS-I模型におけるサーマル・ステップ・バンチングの相図（数値くりこみ群法）－吸着子の有る微斜面－
大阪電通大工　阿久津典子

12: RSOS-I模型における結晶平衡形およびシェイプ・エクスポーネント（数値くりこみ群法）－吸着子の有る微斜面－
大阪電通大工　阿久津典子

19日　WH会場　19aWH　9:15～12:15

領域9
表面局所光学現象

1: 電子線励起発光顕微法による表面プラズモンポラリトンの直接観察III
東工大院理工，JST-CREST　山本直紀，鈴木喬博

2: 1次元矩形構造のプラズモンモードII
東工大院理工，JST-CREST^A　鈴木喬博，山本直紀^A

3: 共鳴輻射力顕微分光の理論
CREST-JST，阪府大院工，阪府大ナノ研　飯田琢也，石原一

4: Si(111)表面上のInナノ構造からのSTM発光
東工大院理工，東工大院総合理工^A　横谷真樹，千葉綾子^A，今田裕，山本直紀

5: Si上のβ-FeSi₂ドットのSTM電場変調ナノ分光測定
東大工，JST-CREST　成瀬延康，目良裕，中村芳明，市川昌和，前田康二

休憩　（10:30～10:45)

7: 金属ナノ粒子系のプラズモンダイナミクス：　近接場イメージングによる研究
分子科学研究所　岡本裕己

8: Ni(110)-(2×1) Oの局所振動分光
東北大通研，物材機構^A，北陸先端大^B　上原洋一，平田侑治，片野諭，坂本謙二^A，潮田資勝^B

9: 炭酸ガスレーザ照射によるSi(100)表面の酸化膜成長過程 II
東北大院理，富士通研^A　木村大介，泉水一紘，瀧川知昭，須藤彰三，金田寛^A，棚橋克人^A

10: Alq3の表面電位を利用したKFMプローブの伝達関数測定とSNOM-KFM
理研^A，CREST-JST^B　尾笹一成^A，B，根本茂幸^A，礒島隆史^A，伊藤英輔^A，前田瑞夫^A，原正彦^A

19日　TG会場　19pTG　13:30～16:45

領域9
結晶成長

1: MBE法によるMgO(001)基板上におけるCr薄膜成長の初期過程2
関学大理工　田中憲喜，阪上潔，寺内暉，高橋功

2: NiOおよび安定化ZrO₂ナノ粒子の成長
立命大理工　熊本明仁，弥永英臣，新宅正行，木村勇気，墻内千尋

3: カーボン－金属混合膜からの炭素質物質の結晶化における雰囲気依存性
立命館大理工　木村勇気，墻内千尋

4: プラズマCVDおよびCat-CVDによるSiCの低温成長機構
東理大理^A，諏訪東理大機械システム^B　金子聰^A，泰井まどか^A ，菅俊介^A，長田英樹^A，宮川宣明^B

5: ガス中蒸発法におけるIn-Bi超微粒子の結晶成長
岐阜高専　大野武久，宇納千裕

6: 動的光散乱法による希薄溶液からの高分子結晶成長の研究
京大人環　田口健，宮本嘉久

休憩　（15:00～15:15)

7: PdドープしたTaSe₂微結晶の新構造形態
北大工　豊嶋剛司，石岡準也，熊谷元気，原淳，丹田聡

8: エピタキシャル系における転位を含む吸着層上での核生成
名大理，慶大理工^A　勝野弘康，上羽牧夫，齋藤幸夫^A

9: Becker-Doringモデルに基づいたクラスター成長の各時間スケールでの分析(1)
名大院理　小山克信，上羽牧夫

10: 不純物分子を含むLennard-Jones(111)面の融液成長シミュレーション
立命館大理工　高岸洋一，本同宏成，久保貴資，中田俊隆

11: 脱離異方性に導かれる結晶成長形
慶大理工　齋藤幸夫，河崎亮

12: 不凍蛋白質が吸着した氷界面の分子動力学シミュレーション
産総研，北大低温研^A　灘浩樹，古川義純^A

19日　WH会場　19pWH　13:20～17:00

領域9，領域5合同シンポジウム
主題：Atom Dynamics and Formation of Nano-objects by Electronic Excitations

1: Opening remarks
富山大工　上羽弘

2: Atomistic Dynamics and Controlled Excitations in STM Atom/Molecule Manipulation
Dept. of Phys. & Astronomy Ohio Univ.　HlaSaw-wai

3: Electronic-Excitation-induced Structural Conversion in Carbon Materials
東大工　前田康二

4: Atomic Manipulation Through Tunneling Carrier Injection on Clean Ge(001)
東大物性研　中辻寛

休憩　（15:15～15:25)

5: Ultrashort Light Pulses as “Nanoscale Glass-Worker”
京大国際融合創造センター　下間靖彦

6: Ultrafast Electron/Phonon Dynamics in Layered Semimetallic Materials
物材機構　北島正弘

7: Theoretical Study of Dynamical Structure Transformation on Semiconductor Surface Excited by Tunneling Electrons
九大理　河合伸

8: Current Stage of the Density-functional Approach Toward Atom Dynamics upon Electron Excitation
筑波大物理　押山淳

20日　PS会場　20aPS　10:00～12:00

領域9
領域9ポスターセッション

1: Al₇₂Co₁₆Ni₁₂二次元準結晶表面上のCo準周期薄膜のSTM観察
名大院工^A，名大エコトピア^B，東北大多元研^C　佐藤真^A，松井恒雄^A，B，蔡安邦^C，柚原淳司^A

2: Si(111)表面上の半金属Biナノ薄膜の成長及び電子状態の研究II
物材機構，筑波大院数理物質^A，ICORP-JST^B，金沢大院自然^C，DIPC^D，Jülich研^E　柳沼晋^A，長岡克己^B，長尾忠昭^B，斎藤峯雄^C，Yu. M. Koroteev^D，G. Bihlmayer^E，E.V. Chulkov^D，中山知信^A，B

3: Si(001)微斜面のバンチングでのカイネティク係数の効果
金大総合メ，金大理^A，金大自然^B　佐藤正英，出浦香織^A，井川健太^B

4: 拡散係数に差がある系におけるドリフトによるステップの不安定化
金大自然，金大総合メ^A　井川健太，佐藤正英^A

5: Ni₃Al(111)上アルミナ超薄膜のトンネル分光
筑波大物理，学際物質セ^A　新山雄，迫坪行広，大木泰造，大塚洋一^A

6: 低温STMを用いたNi(111)表面電子状態の研究
広大理^A，広大放射セ^B　西村洋祐^A，成田尚司^A，掛谷満^A，仲武昌史^B，木村昭夫^A，生天目博文^B，谷口雅樹^A

7: Au(788) 表面上に構築した3d遷移金属ナノ構造の磁性
東大工^A，理研^B，東大新領域^C，JASRI^D　白木将^A，藤澤英樹^B，古川雅士^C，広瀬正明^D，Usman Brianto^D，南任真史^D，川合真紀^D，中村哲也^D，大沢仁志^D，室隆桂之^D

8: 高エネルギー分解能型2次元光電子分光器の開発
奈良先端大物質，立命館SRセ^A，立命館理工^B　高橋伸明，浜田洋司^A，中西康司^A，小川浩二^B，難波秀利^B，松井文彦，大門寛

9: 電界電子放射により先端原子に働く力の第一原理計算 II
東理大理，CREST-JST　洗平昌晃，渡辺一之

10: 金属蒸着したシリコン表面上の電気伝導度異方性
東大理　沖野泰之，松田巌，山崎詩郎，保原麗，長谷川修司

11: Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターにおける局所表面状態と光電子分光測定
横市大理　望月出海，根岸良太，重田諭吉

12: ペンタセン超薄膜の電子構造
千葉大院自然，東大院理^A，物材機構^B　角田治哉，平原徹^A，松田巌^A，長尾忠昭^B，長谷川修司^A，上野信雄，坂本一之

13: Si(111)表面上に形成したDyシリサイド薄膜の電子構造
千葉大院自然，東北大院理^A，東大物性研^B　今井彩子，馬渡健児^A，角田治哉，原沢あゆみ^B，奥田太一^B，上野信雄，坂本一之

14: 角度分解光電子分光によるSi(111)6.3×6.3-Ga表面下のホールサブバンドの分散測定
奈良先端大^A，JST-CREST^B　森田誠^A，武田さくら^A，B，加藤有香子^A，桑子敦^A，吉川雅章^A，大門寛^A，B

15: Si(111)4×1-In表面下の反転層サブバンドの角度分解光電子分光
奈良先端大^A　吉川雅章^A，森田誠^A，加藤有香子^A，桑子敦^A，武田さくら^A，B，大門寛^A，B

16: 超高真空電子顕微鏡用を用いた電気伝導その場計測
東京農工大工　箕田弘喜，籏野慶佑

17: In/Si(111)における構造因子の温度依存性
岡理大工，岡理大総情^A　長永伸剛，加地博子，矢城陽一郎^A，垣谷公徳

18: Si(100)表面の理論研究：トンネルコンダクタンスと局所トンネル障壁高さ
日大理工^A，東大工^B，科技機構CREST^C　戸塚英臣^A，C，渡邉聡^B，C

19: 第一原理電気伝導特性計算を用いたC₂H₂分子吸着Si(001)表面におけるSTM像解析
阪大工，日本学術振興会特別研究員DC^A　江上喜幸^A，小野倫也，広瀬喜久治

20: 水素吸着TiO₂(110)荷電表面における酸素の結合エネルギー変化；第一原理計算に基づく検証
千葉大自然，理研^A，東大新領域^B　梶田晴司，中山隆史，湊丈俊^A，加藤浩之^A，川合真紀^A，B

21: Si(111)表面上のAu膜の内殻光電子分光および電気伝導測定
東大理，Yonsei Univ.　山崎詩郎，松田巌，平原徹，W.H. Choi^A，H.W. Yeom^A，沖野泰之，守川春雲，長谷川修司

22: Electronic structures of cyclic and acyclic molecules on metal by first-principles calculations
JST-KFPT^A，同志社大工^B，産総研^C　Rachid Belkada^A，B，白川善幸^B，香山正憲^C，日高重助^B，田中真悟^C

23: 取　　消

24: スズ吸着銅（001）表面の蒸着量依存構造変化
東大物性研　奈良裕樹，^○矢治光一郎，飯盛拓嗣，中辻寛，小森文夫

25: Fabrication and characterization of MnN superstructure on Cu(001) surfaces
ISSP，Univ. of Tokyo　Bin Lu，Xiangdong Liu，Fumio Komori，^○Takushi Iimori，Kan Nakatsuji

26: Ga/Cu(001)-p(5×1)表面の構造及びc(10×2)への相転移
京大院理，JASRI^A　本多潤，八田振一郎，加藤千尋，坂田修身^A，奥山弘，有賀哲也

27: YH_x薄膜の表面構造と振動解析
東大生研　田口祥，松本益明，WildeMarkus，福谷克之，岡野達雄

28: MBE法によるZnO成膜における基板エッチングの効果
岩手大院工，JSTサテライト岩手^A，ライトム^B　佐々木駿，入宇田啓樹，大場辰則，関美緒，目黒和幸^A，後藤俊介^B，中西良樹，吉澤正人

29: 超音波照射法により作成したAu-Pdナノ微粒子表面近傍の電子状態の陽電子消滅測定
大阪府大院，東大原総研^A，産総研ユビキタス^B　堀史説，田口昇，岩井岳夫^A，秋田知樹^B，田中真悟^B

30: Cs原子吸着で誘起されるSi(111)-7×7表面構造変化の第二高調波による研究
理研^A，横国大^B，防衛大^C　井上大輔^A，B，Dongmei Deng^A，田中正俊^B，鈴木隆則^A，C

31: 円偏光軟X線Auger.光電子回折を用いたEtOH／Si（111）7×7の三次元的構造解析
奈良先端大物質創成，JASRI／SPring-8^A，CREST-JST^B　成川隆史，松井文彦^B，加藤有香子，稲地加那子，酒井智香子，松下智裕^A，郭方准^A，大門寛^B

32: 表面X線回折法を用いたSi(111)-Au表面構造の研究
東大物性研，名大院工^A，高エ研PF^B　岩沢勇作，関口浩司，野島健大，新井大輔，橋本光博，高橋敏男，秋本晃一^A，杉山弘^B

33: Ge(111)-Sn系における相転移のLEEDによる研究
九大総理工　東相吾，白澤徹郎，水野精義，栃原浩

34: Pb/Ge(111) 相転移の解析
岡山理大総合情報，岡山理大工^A　矢城陽一朗，垣谷公徳^A，加地博子^A，長永伸剛^A

35: Si(775)表面上に形成されたAu/Si(111)5×2構造の安定性評価
東大工^A，科技振興機構CREST^B，MIT^C　野田真史^A，B，C. Fischer^C，門平卓也^A，B，G. Ceder^C，渡邉聡^A，B

36: 有効遮蔽体法によるSi(001)表面の構造安定性計算
東大物性研　中島紳伍，大谷実，吉本芳英，杉野修

37: Al/Si(113)表面構造の研究
名大院工，豊工大^A，日女大理^B　美濃匡志，中原仁，齋藤弥八，鈴木秀俊^A，一宮彪彦^B

38: Si(111)7×7表面へのNO吸着反応サイトのサイト選択性および温度依存性 II
奈良先端大物質創成，CREST-JST^A　宮内國男，服部賢^A，大門寛^A

39: 広域観察TEM-STMホルダーの開発
東工大院理工^A，CREST-JST^B　金秀鉉^A，谷城康眞^A，B，高柳邦夫^A，B

40: Si(111)表面上にRDE成長したFeシリサイドのSTM観察その2
奈良先端大物質創成^A，CREST-JST^B　澤田大輔^A，服部賢^A，B，大門寛^A，B

41: 液中におけるマイカ表面のnc-AFM像シミュレーション
早大院ナノ理工　田上勝規，塚田捷

42: UV/オゾン処理およびアニーリングによるSiO₂表面状態の変化
東大新領域　圓谷志郎，池田進，斉木幸一朗

43: C₆₀単層膜にドープされたアルカリ金属の安定性
科技機構^A，物材機構^B，筑波大数物^C　塚本茂^A，B，中山知信^A，B，C

44: GaAs (001)上へのMnAsの界面形成過程の観察
東工大院理工　荒井俊昭，岡林潤，植野友理子，吉野淳二

45: Si(111)表面上にSPE成長した多結晶Feシリサイド相の構造と磁気特性
奈良先端大物質創成^A，CREST-JST^B　片山泰斗^A，服部梓^A，服部賢^A，B，大門寛^A，B

46: Co:TiO₂(110)におけるバルク吸収波長領域での磁化誘起SHGの観測
北陸先端大マテリアル，防衛大^A，理研^B，東工大応セラ研^C　渡邊亮輔，湯浅真擁，八幡佳成，水谷五郎，鈴木隆則^A，瀬川勇三郎^B，松本祐司^C，山本雄一^C，鯉沼秀臣^C

47: Spin polarization study of benzene molecules adsorbed on Fe(100) surface with density functional calculation
Nat. Inst. Materials Sci.^A，PRESTO-JST^B　X.Sun^A，T.Suzuki^A，B，M.Kurahashi^A，Z.P.Wang^A，Y.Yamauchi^A

48: 偏極He⁺イオン源における準安定He*原子(2³S₁)の偏極率評価方法の再検討
物材機構^A，JSTさきがけ^B　鈴木拓^A，B，山内泰^A

49: Dynamics Calculations on Hydrogen-Pt(111) Surface Reactions
Osaka Univ.　Nelson Buntimil Arboleda Jr.，Do Ngoc Son，Hideaki Kasai，Wilson Agerico Diño，Hiroshi Nakanishi

50: 低速電子線によるSi(001)表面ダイマー系の振動励起
九大理　森嶋大輔，河合伸

51: 第一原理計算による自己組織化量子ドットに関する理論的研究
阪大工　松中大介，尾方成信，渋谷陽二

52: 接触モードAFMに現れる引き剥がし位置のカオス性（実験）
愛教大物理，成蹊大理工^A，JSTプラザ東海^B　原田竜一，宮田正樹^A，金田祥江，加藤美穂，石川誠^B，佐々木成朗^A，三浦浩治

53: グラファイト基板における原子スケール摩擦からフレーク摩擦への転移
愛教大物理，成蹊大理工^A，JSTプラザ東海^B　金田祥江，寺田一揮^A，原田竜一，加藤美穂，石川誠^B，佐々木成朗^A，三浦浩治

54: 液中でのnc-AFMのシミュレーション
早大理工　原田昌紀，塚田捷

55: グラファイト基板における原子スケール摩擦からフレーク摩擦への転移（理論）
成蹊大理工，愛教大物理^A　寺田一揮，板村賢明，三浦浩治^A，^○佐々木成朗

56: 接触AFMに現れる引き剥がし位置のカオス性の予測（理論）
成蹊大理工，愛教大物理^A　宮田政樹，板村賢明，三浦浩治^A，^○佐々木成朗

57: 自己形成ビスマスナノライン上に成長する銀ナノ構造に関する第一原理計算
物材機構　古賀裕明，大野隆央

58: 正方形および三角形QuantumCorralの電子状態
埼玉工大院　橋本哲志，熊谷卓也，田村明

59: 原子点接触構造のキャパシタンスとコンダクタンス
東大工，科技機構CREST　田中倫子，古家真之介，渡邉聡

60: 電極間分子架橋系の電流特性における溶媒効果に関する理論的研究
東大工^A，科技機構CREST^B　俵有央^A，松山登志也^A，多田朋史^A，B，渡邉聡^A，B

61: 第一原理計算による単分子架橋系の伝導特性－非弾性過程－
東大生研^A，物材機構^B　近藤恒^A，B，大野隆央^B，A

62: Proton Transport through a Nafion Membrane
Kasai Lab.，Dept. of Applied Phys.，Graduate Sch. of Eng.，Osaka Univ.　Do Ngoc Son，Hideaki Kasai

63: Fe-Pt合金クラスターの第一原理計算とモンテカルロシミュレーション
横国大院工　三角祐司，石井聡，大野かおる

64: Co Nanoplatelets on Ag (√3 by √3)/Si(111) Surface Studied by STM
Grad. Sch. of Sci. Hiroshima Univ.，HSRC^A　Y.T. Cui，T. Xie^A，S. Qiao^A，A. Kimura，H. Namatame^A，M. Taniguchi

65: Alq3薄膜における分子配向の製膜法依存性
理研局所時空間　礒島隆史，伊藤英輔，尾笹一成，原正彦

66: Spectroscopy of Copper Nanowire Structures: Experiment and Theory
JAIST^A，JAIST 21st COE Program^B　Kitsakorn Locharoenrat^A，B，Haruyuki Sano^A，Goro Mizutani^A，B

67: Transition metal nanowires inside single-walled carbon nanotubes on metal surfaces－ A first principles calculations investigation
Osaka Univ.　Melanie David，Tomoya Kishi，Masanori Kisaku，Hiroshi Nakanishi，Hideaki Kasai

68: Current Induced Forces on Adatoms on Carbon Nanotubes
Dept. of Phys.，Tokyo Univ. of Science^A，CREST，Japan Sci. and Tech. Agency^B　Yvan Girard^A，B，Takahiro Yamamoto^A，B，Kazuyuki Watanabe^A，B

69: MgO基板上のPtナノワイヤの作製
北陸先端大マテリアル，北陸先端大ナノセ^A，日立基礎研^B，沖縄科技研基盤整備機構^C　高瀬彩穂，巌哲央，林夏生，Kitsakorn Locharoenrat，水谷五郎，東嶺孝一^A，菅原昭^B，C

70: ゲート電圧によるカーボンナノチューブの電気伝導制御
東理大理，CREST-JST　中澤義基，山本貴博，渡辺一之

71: グラファイトリボンの電気伝導におけるゲート電極の効果
神戸大工^A，東理大理^B，CREST-JST^C　相馬聡文^A，C，小川真人^A，山本貴博^B，C，渡辺一之^B，C

72: 3d遷移金属テープポルフィリンの電気伝導性および分子吸着特性
阪大院工　宮本敬太，Eben Dy Sy，中西寛，笠井秀明

73: 表面合金系における水素侵入に関する理論的研究
阪大院工　花房真浩，Arboleda Nelson Jr. Buntimil，中西寛，笠井秀明

74: レーザー共鳴誘起蛍光法による外部磁場下での水素分子のオルソ・パラ転換の測定
東大生研　元島勇太，二木かおり，岡野達雄，福谷克之

75: 吸着分離を用いた純オルソ水素生成装置作成
東大生研　二木かおり，河内泰三，福谷克之，岡野達雄

20日　TG会場　20pTG　13:30～16:45

領域9
水素ダイナミクス，微粒子・クラスタ，表面磁性

1: 低速陽電子ビームによるNi(111)水素吸着表面での再放出陽電子
東学大物理　有井新之助

2: 強束縛近似による水素終端シリコン表面の原子間力顕微鏡像のシミュレーション
東大工，早大理工^A　真砂啓，渡邉聡，田上勝規^A，塚田捷^A

3: Si結晶電極による水素発生過程の解析
東北大学際セ　須田茂之，伊藤隆，粕谷厚生

4: In₂S₃ナノ粒子の光電気化学特性
東北大学際セ　米澤裕亮，伊藤隆，粕谷厚生

5: ナノギャップ電極を用いた単電子トンネリングの電気特性とその構造評価
科技振^A，物材研^B，分子研^C　根岸良太^A，長谷川剛^A，B，田中啓文^C，小澤寛晃^C，寺部一弥^A，B，小川琢治^C，青野正和^A，B

6: レーザーアニールによるシリコン酸化膜中でのシリコンナノ結晶ドット形成過程
筑波大数理，物材機構^A　内田紀行，岡見威，金藤浩史，深田直樹^A，村上浩一

休憩　（15:00～15:15)

7: 水溶液中で作製した(CdSe)_nの光吸収
東北大学際セ　野口航，粕谷厚生

8: NMRによる(CdSe)₃₄粒子の解析
東北大学際セ，東北大工^A　野田泰斗，前川英己^A，粕谷厚生

9: In Situ ATR-SEIRA Spectroscopy for the Analysis of the Adsorption and Desorption Process of Au nanoparticles on the SiO2/Si Surface
NIMS，ICORP-JST　Dominik Enders，Tadaaki Nagao，Tomonobu Nakayama

10: Ni磁性薄膜のスピン配向転移と原子層分解磁気構造解析
奈良先端大物質，JASRI/SPring-8^A　松井文彦，松下智裕^A，加藤有香子，稲地加那子，酒井智香子，成川隆史，郭方准^A，大門寛

11: 準安定He原子線によるFe(100)に吸着したXeのスピン偏極測定
物材機構^A，JSTさきがけ^B　山内泰^A，倉橋光紀^A，孫霞^A，鈴木拓^A，B，王中平^A

12: Fe/Cu(110)(2×1)Oの構造と磁性
広大院理，広大放射光セ^A，東大物性研^B　柳楽未来，沢田正博^A，上野哲郎，矢治光一郎^B，望戸力，木村昭夫，生天目博文^A，谷口雅樹

20日　WH会場　20pWH　13:30～16:45

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ

1: 金[110]ナノワイヤのコンダクタンス定量解析
東工大院理工^A，東工大総理工^B，日立機械研^C，JST-CREST^D　久留井慶彦^A，大島義文^B，D，岡本政邦^C，高柳邦夫^A，D

2: Pd原子ワイヤーの力‐コンダクタンス応答
筑波大数理，筑波大物質工^A，科技機構^B　松田知子，木塚徳志^A^B

3: 原子サイズSi接点のコンダクタンス
京大工，阪府大^A，ユニソク^B，京大IIC^C　岩成朋紀，坂田東洋^A，宮武優^B，黒川修^C，^○酒井明^C

4: 金属原子鎖におけるコンダクタンスの鎖長依存性
兵庫県大院理　大塚泰弘，島信幸，馬越健次

5: 第一原理グリーン関数法による単一分子接合のSTM-NMRシミュレーション
東大院工，CREST　多田朋史，渡邉聡

6: 分子軌道法による単一分子電気伝導と非断熱相互作用の効率的計算方法とプログラム開発
東大工　中村恒夫

休憩　（15:00～15:15)

7: 種々の単一分子系の第一原理伝導計算
NEC基礎環境研^A，筑波大物工^B，CREST-JST^C　広瀬賢二^A，C，小林伸彦^B，C

8: 分子ブリッジにおけるIV特性の理論解析：キャリア－分子振動カップリングの効果
キャノン先端融合研，早大院理工^A　光武邦寛，^○塚田捷^A

9: フラーレン振動による電気伝導の直接観察
東工大総理工^A，東工大院理工^B，CREST^C　大島義文^A，C，久留井慶彦^B，吉田誠^B，高柳邦夫^B，C

10: 単一分子架橋金属ナノギャップの電気伝導度測定ならびにラマンスペクトル同時測定の試み
北大院理　小西達也，^○木口学，村越敬

11: 電気化学電位制御下におけるAuナノワイヤのshell効果の観察
北大院理　関口信郎，木口学，村越敬

12: 金属電極間に架橋した1,4-二置換ベンゼン単分子の電気伝導度の置換基依存性
北大院理　三浦進一，^○木口学，原賢二，澤村正也，村越敬

21日　TG会場　21aTG　9:00～12:15

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤー，表面界面構造

1: 合金ナノチューブの創製
原子力機構　北澤真一

2: 応力変化に伴う金ナノワイヤの構造変化
東工大院理工^A，東工大理^B，JST-CREST^C　赤堀千明^A，大橋宣宏^B，谷城康眞^A，C，高柳邦夫^A，C

3: Au, Ag, Cu電極に架橋したC60単分子のin-situ伝導度計測
北大院理^A，JSTさきがけ^B　木口学^A，B，村越敬^A

4: ナノ細線の局所発光特性
物材機構^A，JST ICORP^B　櫻井亮^A，B，王玉光^A，B，青野正和^A，B

5: 新奇ポリ20面体Siナノワイヤーの自己組織化シミュレーション
産総研計算科学　西尾憲吾，森下徹也，篠田渉，三上益弘

6: 走査型トンネル顕微鏡探針によるジアセチレン分子多層膜の連鎖重合反応誘起
ICORP(JST)^A，物材機構^B　高城大輔^A，B，大川祐司^A，B，長谷川剛^A，B，青野正和^A，B

休憩　（10:30～10:45)

7: カーボンナノチューブ生成における合金触媒の電子顕微鏡観察
阪大院理，CREST/JST　内山徹也，吉田秀人，河野日出夫，竹田精治

8: INTERACTION BETWEEN SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBES AND ORGANIC MOLECULES ON METAL SURFACES
東大新領域^A，理研^B　Caroline Rabot^A，B，Sylvain Clair^A，Yousoo Kim^B，Maki Kawai^A，B

9: 酸素吸着グラフェンの構造双安定性の第一原理計算
電通大電子　伊藤潤，中村淳，名取晃子

10: Pt(111)上に作製したナノグラフェンのSTM観察
東大院新領域　山本麻由，圓谷志郎，池田進，斉木幸一朗

11: グラフェン上のPtクラスターの原子・電子構造
JST-CREST^A，阪大産研^B，産総研ユビキタス^C　岡崎一行^A，森川良忠^B，秋田知樹^C，田中真悟^C，香山正憲^C

12: Cu(110)表面上におけるマンガノセンの吸着構造
東大新領域^A，JST さきがけ^B，理研^C　卞太寿^A，USMAN BRIANTO^A，小原通昭^A，荒船竜一^B，白木將^A，高木紀明^A，川合真紀^A，C

21日　WH会場　21aWH　9:00～12:00

領域9
表面界面ダイナミクス

1: NEGF-based ab initio 法に基づいた単一分子の非弾性電気伝導に関する理論的研究
産総研　島崎智実，浅井美博

2: アルケン分子／Si(001)表面系の化学吸着における「マルコフニコフ則」
東大院理，JST-CREST^A　赤木和人^A，常行真司

3: STM探針からのキャリア注入によるSn吸着Ge(001)表面の構造遷移III
東大物性研　富松宏太，飯盛拓嗣，中辻寛，小森文夫

4: H/Si(001) 2x1表面における低エネルギー電子線誘起結合切断機構
阪大産研　市橋数理，^○金崎順一，谷村克己

5: パルス光照射したH-Si(111)面からの水素脱離の非線形光学顕微像観察
北陸先端大マテリアル^A，学振特別研究員^B　宮内良広^A，B，佐野陽之^A，山下啓^A，岡田純一^A，水谷五郎^A

6: D:Si(111)1×1の表面フォノン
東北大院理，理研^A，学際セ^B　加藤大樹，田岡琢巳，山田太郎^A，本谷宗^B，粕谷厚生^B，須藤彰三

休憩　（10:30～10:45)

7: 2光子光電子分光スペクトルにおけるSiバルク電子状態ピークの起源
阪大産研　市林拓，谷村克己

8: 低温におけるSi(001)表面の励起電子動力学II
阪大産研　田中慎一郎，市林拓，谷村克己

9: SiO2/Si(100)界面でのSi輸送過程
NTT物性基礎研　影島博之，植松真司

10: 2つのナノ構造島成長過程のシミュレーション
山梨大教育　川村隆明，鈴木麻里子

11: SrTiO₃(001)表面における三次元穴の緩和
阪大産研　山本真人，須藤孝一，岩崎裕

21日　TG会場　21pTG　13:30～16:45

領域9
表面界面構造

1: スタガードBCSOS模型の結晶平衡形およびシェイプ・エクスポーネント（数値くりこみ群法）－極性結晶におけるラフニング転移と結晶の形－
大阪電通大工，阪大院理^A　阿久津典子，阿久津泰弘^A

2: 臨界線近傍における数値くりこみ群（PWFRG）の固定点：RSOS-I模型におけるサーマル・ステップ・バンチング
大阪電通大工，群馬大工^A　阿久津典子，山本隆夫^A

3: In/Si(113)の表面再配列構造の研究 III
名大院工，日女大理^A，原研^A　田中淳，西岡秀雄，中原仁，一宮彪彦^A，齋藤弥八

4: オーダーN法第一原理計算によるGe/Si(001)3次元構造の安定性に対する研究
物材機構^A，Univ. College London^B　宮崎剛^A，B，D.R. Bowler^B，M.J. Gillan^B，大野隆央^A

5: Si(111)表面上に形成されたGeナノドットの表面構造の評価
CREST-JST^A，名大エコトピア^B，研名大院工^C　趙星彪^A，B，川野晋司^C，田中信夫^A，B，C

6: 6H-SiC(0001)-C終端3×3表面の構造と電子状態
立命館大理工^A，パリ第6・7大ナノサイエンス研^B　竹内史典^A，星野靖^B，西村智朗^A，^○城戸義明^A

休憩　（15:00～15:15)

7: エネルギーフィルター型反射高速陽電子回折装置の開発
原子力機構先端研^A，日女大理^B　深谷有喜^A，河裾厚男^A，一宮彪彦^A，B

8: 反射高速陽電子回折によるPb/Ge(111)表面の構造と相転移の研究
原子力機構先端研^A，日女大理^B　深谷有喜^A，橋本美絵^A，河裾厚男^A，一宮彪彦^A，B

9: 反射高速陽電子回折によるIn/Si(111)表面構造相転移の研究
原子力機構先端研^A，日女大理^B　橋本美絵^A，深谷有喜^A，河裾厚男^A，一宮彪彦^A，B

10: スパイラルへテロ構造を用いた高効率光電変換素子の可能性
北大電子研　五味田こず枝，M.D.ラハマン，川口敦吉，海住英生，石橋晃

11: SiC(0001)上にエピタキシャル成長した秩序SiON超薄膜
九大総理工，九大工院^A　白澤徹郎，林賢二郎，水野清義，田中悟^A，栃原浩

12: 表面最上層の励起原子衝突2次元電子分光
東北大院理^A，東北大理^B　岸本直樹^A，赤澤直史^B，Andriy Borodin^A，堀尾琢哉^A，大野公一^A

21日　WH会場　21pWH　13:30～16:45

領域9
表面界面ダイナミクス

1: 第一原理計算によるAl/Alq₃界面における構造と電子状態の解明
阪大産研^A，JST-CREST^B，産総研計算科学^C　竹内康祐^A，B，柳沢将^A，B，森川良忠^A，B，C

2: C₆₀分子間反応の局所制御
物材機構^A，ICORP JST^B，筑波大院^C，阪大院^D　中谷真人^A，中山知信^A，B，C，桑原裕司^B，D，青野正和^A，B

3: Cu(111)表面におけるIrPPY分子拡散の低温STM観察
横市大国際総合科学　高橋智威，篠崎一英，横山崇

4: Halogen-based copper/copper oxide etching
Div. of Precision Sci. & Tech. and Applied Phys.，Grad. Sch. of Eng.，Osaka Univ.^A，Dept. of Phys.， Grad. Sch. of Sci.，Osaka Univ.^B，Center for Promotion of Res. on Nanosci. and Nanotech.，Osaka Univ.^C，Col. of Science，De La Salle University^D　Tanglaw Roman^A，Wilson Agerico Diño^B，D，Hiroshi Nakanishi^A，Hideaki Kasai^A

5: Pt(111)上における孤立水分子の吸着挙動
東大新領域，学習院大理^A，理研^B　本林健太，松本周子^A，金有洙^B，川合真紀^B

6: 光電子の表面振動励起非弾性放出におけるエネルギー利得過程
JSTさきがけ^A，東北大工^B，東大新領域^C，理研^D，東北大通研^E，北陸先端大^F　荒船竜一^A，林慶^B，高木紀明^C，川合真紀^C，D，上原洋一^E，潮田資勝^F

休憩　（15:00～15:15)

7: 水／白金界面における電気化学反応の第一原理シミュレーション
阪大産研^A，東大物性研^B，NEC基礎環境研^C，産総研計算科学^D，JST-CREST^E　濱田幾太郎^A，E，大谷実^B，E，森川良忠^A，D，E，杉野修^B，E，岡本穏治^C，E，池庄司民夫^D，E

8: K/Pt(111)およびNa/Cu(111)におけるコヒーレント表面フォノンの励起メカニズム
総研大光科学^A，分子研^B　冬木正紀^A，B，渡邊一也^B，松本吉泰^A，B

9: Pt(997)表面におけるCOの拡散
東北大多元研　高岡毅，米田忠弘

10: Pd(110)上のCO酸化における生成CO₂の角度分解内部エネルギー測定
北大触媒セ　山中俊朗，松島龍夫

11: Pd表面およびPdAg合金表面における水素原子の振る舞い
阪大院工，阪大ナノサイエンス機構^A　尾澤伸樹，Tanglaw Abat Roman，Wilson Agerico Diño^A，中西寛，笠井秀明

12: In被覆Au探針を用いたエレクトロマイグレーションの観察
電通大電子，東大理^A　坂本克好，河野勝泰，名取晃子，長谷川修司^A