18日 TG会場 18aTG 9:00〜12:15

領域9
表面界面電子物性

1
水素終端n型及びp型ケイ素(111)表面の化学反応性
理研,東大工A,東大新領域B 山田太郎,小澤秀樹A,加藤浩之,飯高敏晃,川合真紀B
2
高エネルギー分光法による水素終端シリコン表面に作製した共役・非共役性有機自己組織化単分子膜の電子構造の解明
名大院理,名大物質国際研A,名大エコトピア研B,阪大院基礎工C,名大院理,名大高等研究院D 齋藤清範,隅井良平A,金井要A,岡野孝B,荒正人C,多田博一C,大内幸雄,関一彦D
3
マンガンフタロシアニン薄膜の強い分子間相互作用に関連した電子構造
千葉大工 片岡隆史,深川弘彦,細海俊介,解良聡,上野信雄
4
Tl/Ge(111)-(3×1)表面の原子構造および電子状態
京大院理,ISSP/東大A,JASRIB 加藤千尋,八田振一郎,高橋真,大友亮介,奥田太一A,原沢あゆみA,木下豊彦A,坂田修身B,奥山弘,有賀哲也
5
Ni(111)表面準位の、スピン・角度分解光電子分光
東大物性研,チューリッヒ大A 奥田太一,Jorge Lobo-ChecaA,Juerg OsterwalderA,Thomas GreberA
6
MBE成長したInAs(111)A表面におけるドナー型欠陥と二次元電子蓄積層
NTT物性基礎研A,LPN-CNRSB,東北大理C,SORST-JSTD,東工大E 蟹澤聖A,Simon PerraudA,B,平山祥郎C,D,藤澤利正A,E

休憩 (10:30〜10:45)

7
静電気力分光法を用いた絶縁性CaF2(111)/Si表面の電子状態の測定
阪大院工 野村光,内藤賀公,影島賢巳,菅原康弘
8
Nb探針によるSTM観察
東大院理,東工大応セラ研A 清水亮太,一杉太郎,福尾則学A,島田敏宏,長谷川哲也
9
窒素吸着銅(001)表面上のスズの表面構造と電子状態の研究
東大物性研 矢治光一郎,奈良裕樹,中辻寛,飯盛拓嗣,下山田篤史,石坂香子,辛埴,小森文夫
10
ポルフィリンへテロダイマーにおける分子内p-n接合のSTM/STS観察
横市大国際,NICTA 西山文貴,横山崇,上門敏也A,横山士吉A,益子信郎A
11
極薄Si酸化膜上Geナノドットの伝導機構の研究
CREST-JSTA,東大理B,東大物性研C,東大工D 中山泰生A,吉本真也B,山崎詩郎B,平原徹B,長谷川修司B,松田巌C,市川昌和A,D
12
Quantum well states of Ag films growm on Si(111)-√3×√3-Au surface at room temperature
Dept. of Phys.,Univ. of Tokyo K. He,I. Matsuda,T. Hirahara,S. Hasegawa

18日 WH会場 18aWH 9:00〜12:15

領域9
ナノ構造量子物性

1
電圧印加非接触原子間力分光法による2物体間結合力の共鳴的増大
筑波大学大学院数理物質科学研究科 新井豊子
2
Pd(111)表面上における酸化バナジウムナノメッシュへのビスマスナノドットのSTM観察
名大工,名大エコトピアA 早崎真治,松井恒雄A,柚原淳司
3
Ni(755)ステップ面上の1次元カリウム原子鎖の構造と電子状態の研究
立命館大理工 原田峻丞,藤澤信幸,中西康次,小川浩二,難波秀利
4
円形Quantum Corralの電子状態
埼玉工大院 熊谷卓也,田村明

休憩 (10:30〜10:45)

5
複数の矩形Quantum CorralのSTM画像およびSTSの解析
埼玉工大院 光岡重徳,田村明
6
金属表面に対する磁性原子の対吸着の電子相関効果
阪大院工,阪大ナノ研究推進機構A,デ・ラ・サール大理B 南谷英美,中西寛,Wilson Agerico DinoA,B,笠井秀明
7
AFM探針によるタンパク質GFPの圧縮と蛍光消失のシミュレーション
早大院理工,東工大院生命理工A 塚田捷,田上勝規,高〓(王+己)A
8
Controlled Forward and Reverse Chain Reaction in 1D Molecular Line Growth on the Si(100)-(2×1)-H Surface
The Inst. of Phys. and Chem. Res.,RIKENA,The Univ. of TokyoB Md. Zakir HossainA,Hiroyuki S. KatoA,Maki Kawai A,B
9
遷移金属安定化2重グラフェンシート構造のシリコン半導体超薄膜
産総研計算科学,産総研次世代半導体セA 宮崎剛英,金山敏彦A
10
歪みSi薄膜における有効質量異常:第一原理的研究
慶大理工 山内淳

18日 TG会場 18pTG 13:30〜16:45

領域9
表面界面電子物性

1
ビスマス表面状態のスピン角度分解光電子分光
東大理A,広大院理B,東大物性研C,物材機構D,ユーリヒ研E,DIPCF,広大放射光セG 平原徹A,宮本幸治B,松田巌A,C,門野利治B,木村昭夫B,長尾忠昭D,G. BihlmayerE,E.V. ChulkovF,喬山G,島田賢也G,生天目博文G,谷口雅樹G,長谷川修司A
2
Pb超薄膜の電子輸送の振動現象
東大理 宮田伸弘,松田巌,堀越孝太郎,平原徹,長谷川修司
3
光電子分光によるTl/Si(111)-(1×1)←→ (√3×√3)転移の研究
千葉大院自然,IFM Linkoping Univ.A,九大総理工B 坂本一之,P.E.J. ErikssonA,水野清義B,上野信雄,栃原浩B,R.I.G. UhrbergA
4
Mn吸着したSi(111)√3×√3-Ag表面のSTMおよび光電子分光測定
東大理 高瀬恵子,松田巌,保原麗,宮田伸弘,長谷川修司
5
Si反転層中の2次元正孔ガスの角度分解光電子分光:光エネルギー依存性
奈良先端大物質創成A,CREST-JSTB,広大院理C,広大放射光セD,産総研E 武田さくらA,B,東直人A,西出昌弘A,大門寛A,B,東口光晴C,三浦雄一C,飛田尚寿C,崔小宇C,島田賢也D,相浦義弘E,生天目博文D,谷口雅樹D
6
Si(111)-5×2-Au表面上における一次元プラズモンの研究
物材機構A,ICORP JSTB,岩手大工C 劉燦華A,柳沼晋A,稲岡毅C,中山知信A,B,長尾忠昭A,B

休憩 (15:00〜15:15)

7
Si(557)-Au表面に生ずる低次元プラズモン
岩手大工,物材機構A,ICORP JSTB 稲岡毅,長尾忠昭A,B
8
エバネッセント波による界面状態の励起について
お茶大理 小林功佳
9
第一原理計算によるSiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性評価
電通大電子 涌井貞一,中村淳,名取晃子
10
不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算
電通大電子 平山基,中村淳,名取晃子
11
スチレン分子列の伝導特性
物材機構,北京科技大A 小田将人,W.T.GengA,奈良純,近藤恒,大野隆央
12
金属表面への水素分子解離吸着過程におけるエネルギー障壁形成機構
明大理工 高木成幸,円谷和雄

18日 WH会場 18pWH 13:30〜17:00

領域9,領域10合同シンポジウム
主題:ナノスコピック系の摩擦の物理:摩擦の素過程と制御

1
はじめに
青学大理工 松川宏
2
フラーレン分子ベアリングの超潤滑機構と制御
成蹊大理工 佐々木成朗
3
サブオングストローム振幅をもちいた原子スケールの摩擦計測
東大生産研 川勝英樹
4
有限温度原子レベル摩擦機構 〜1次元Tomlinsonモデルによる解析〜(理論)
電通大電子 中村淳
5
有機分子マシンの摩擦の素過程と制御
産総研 三宅晃司

休憩 (15:10〜15:20)

6
表面吸着分子系の摩擦の素過程と制御
電通大量子 鈴木勝
7
ゲル界面の摩擦の素過程と制御
北大院理 川端和重
8
束縛液体の摩擦の素過程と制御
東北大多元 栗原和枝
9
量子凝縮系をモデルに用いた摩擦の素過程と制御
東大総合文化 前田京剛

19日 TG会場 19aTG 9:00〜12:15

領域9
表面界面構造

1
トンネル電子による分子振動における選択則
理研,東大新領域A 金有洙,小原通昭A,川合真紀A
2
Cu(110)に吸着したアセチレン単分子の研究
京大院理 熊谷崇,八田振一郎,奥山弘,有賀哲也
3
低温でのCu(001)表面における酸素吸着のSTM観察
東大物性研 柳生数馬,Xiangdong Liu,中辻寛,小森文夫
4
Ir(111)表面上のAu島におけるEhrlich-Schwoebel障壁
東大生研 小倉正平,福谷克之
5
Ni(111)面上への硫黄吸着により生成するNiの3原子クラスター(2)
筑波大数理物質A,東大物性研B 山田正理A,B,和泉健一A,中村潤児A
6
Ir(111)表面上のNO吸着構造の低速電子回折法動力学的解析
東大生研A,阪大理B 松本益明A,小倉正平A,福谷克之A,岡野達雄A,岡田美智雄B

休憩 (10:30〜10:45)

7
Si(111)7×7表面上のAg原子の吸着及びクラスター形成過程
東北大院理,学際セA 田鎖幸樹,冷清水裕子,Jacek Osiecki,早川美徳,粕谷厚生A,須藤彰三
8
硝酸酸化法と水素中熱処理で形成したSiO2/SiC構造の表面・界面
阪大産研,科技振戦略基礎 高橋昌男,マダニモハマド,任星淳,アスハ,小林光
9
クラスター展開法を用いた合金表面の偏析・原子の規則化の第一原理計算:Cu75Pt25(111)表面
京大工(院生),京大工A 弓削是貴,世古敦人,桑原彰秀A,大場史康A,田中功A
10
Cu(001)面上のLi吸着系におけるストリーク強度に対する被覆率・温度相図
福岡教育大物理 弘中健治,三谷尚
11
RSOS-I模型におけるサーマル・ステップ・バンチングの相図 (数値くりこみ群法)−吸着子の有る微斜面−
大阪電通大工 阿久津典子
12
RSOS-I模型における結晶平衡形およびシェイプ・エクスポーネント (数値くりこみ群法)−吸着子の有る微斜面−
大阪電通大工 阿久津典子

19日 WH会場 19aWH 9:15〜12:15

領域9
表面局所光学現象

1
電子線励起発光顕微法による表面プラズモンポラリトンの直接観察III
東工大院理工,JST-CREST 山本直紀,鈴木喬博
2
1次元矩形構造のプラズモンモードII
東工大院理工,JST-CRESTA 鈴木喬博,山本直紀A
3
共鳴輻射力顕微分光の理論
CREST-JST,阪府大院工,阪府大ナノ研 飯田琢也,石原一
4
Si(111)表面上のInナノ構造からのSTM発光
東工大院理工,東工大院総合理工A 横谷真樹,千葉綾子A,今田裕,山本直紀
5
Si上のβ-FeSi2ドットのSTM電場変調ナノ分光測定
東大工,JST-CREST 成瀬延康,目良裕,中村芳明,市川昌和,前田康二

休憩 (10:30〜10:45)

7
金属ナノ粒子系のプラズモンダイナミクス: 近接場イメージングによる研究
分子科学研究所 岡本裕己
8
Ni(110)-(2×1) Oの局所振動分光
東北大通研,物材機構A,北陸先端大B 上原洋一,平田侑治,片野諭,坂本謙二A,潮田資勝B
9
炭酸ガスレーザ照射によるSi(100)表面の酸化膜成長過程 II
東北大院理,富士通研A 木村大介,泉水一紘,瀧川知昭,須藤彰三,金田寛A,棚橋克人A

10
Alq3の表面電位を利用したKFMプローブの伝達関数測定とSNOM-KFM
理研A,CREST-JSTB 尾笹一成A,B,根本茂幸A,礒島隆史A,伊藤英輔A,前田瑞夫A,原正彦A
19日 TG会場 19pTG 13:30〜16:45

領域9
結晶成長

1
MBE法によるMgO(001)基板上におけるCr薄膜成長の初期過程2
関学大理工 田中憲喜,阪上潔,寺内暉,高橋功
2
NiOおよび安定化ZrO2ナノ粒子の成長
立命大理工 熊本明仁,弥永英臣,新宅正行,木村勇気,墻内千尋
3
カーボン−金属混合膜からの炭素質物質の結晶化における雰囲気依存性
立命館大理工 木村勇気,墻内千尋
4
プラズマCVDおよびCat-CVDによるSiCの低温成長機構
東理大理A,諏訪東理大機械システムB 金子聰A,泰井まどかA ,菅俊介A,長田英樹A,宮川宣明B
5
ガス中蒸発法におけるIn-Bi超微粒子の結晶成長
岐阜高専 大野武久,宇納千裕
6
動的光散乱法による希薄溶液からの高分子結晶成長の研究
京大人環 田口健,宮本嘉久

休憩 (15:00〜15:15)

7
PdドープしたTaSe2微結晶の新構造形態
北大工 豊嶋剛司,石岡準也,熊谷元気,原淳,丹田聡
8
エピタキシャル系における転位を含む吸着層上での核生成
名大理,慶大理工A 勝野弘康,上羽牧夫,齋藤幸夫A
9
Becker-Doringモデルに基づいたクラスター成長の各時間スケールでの分析(1)
名大院理 小山克信,上羽牧夫
10
不純物分子を含むLennard-Jones(111)面の融液成長シミュレーション
立命館大理工 高岸洋一,本同宏成,久保貴資,中田俊隆
11
脱離異方性に導かれる結晶成長形
慶大理工 齋藤幸夫,河崎亮
12
不凍蛋白質が吸着した氷界面の分子動力学シミュレーション
産総研,北大低温研A 灘浩樹,古川義純A

19日 WH会場 19pWH 13:20〜17:00

領域9,領域5合同シンポジウム
主題:Atom Dynamics and Formation of Nano-objects by Electronic Excitations

1
Opening remarks
富山大工 上羽弘
2
Atomistic Dynamics and Controlled Excitations in STM Atom/Molecule Manipulation
Dept. of Phys. & Astronomy Ohio Univ. HlaSaw-wai
3
Electronic-Excitation-induced Structural Conversion in Carbon Materials
東大工 前田康二
4
Atomic Manipulation Through Tunneling Carrier Injection on Clean Ge(001)
東大物性研 中辻寛

休憩 (15:15〜15:25)

5
Ultrashort Light Pulses as “Nanoscale Glass-Worker”
京大国際融合創造センター 下間靖彦
6
Ultrafast Electron/Phonon Dynamics in Layered Semimetallic Materials
物材機構 北島正弘
7
Theoretical Study of Dynamical Structure Transformation on Semiconductor Surface Excited by Tunneling Electrons
九大理 河合伸
8
Current Stage of the Density-functional Approach Toward Atom Dynamics upon Electron Excitation
筑波大物理 押山淳

20日 PS会場 20aPS 10:00〜12:00

領域9
領域9ポスターセッション

1
Al72Co16Ni12二次元準結晶表面上のCo準周期薄膜のSTM観察
名大院工A,名大エコトピアB,東北大多元研C 佐藤真A,松井恒雄A,B,蔡安邦C,柚原淳司A
2
Si(111)表面上の半金属Biナノ薄膜の成長及び電子状態の研究II
物材機構,筑波大院数理物質A,ICORP-JSTB,金沢大院自然C,DIPCD,Jülich研E 柳沼晋A,長岡克己B,長尾忠昭B,斎藤峯雄C,Yu. M. KoroteevD,G. BihlmayerE,E.V. ChulkovD,中山知信A,B
3
Si(001)微斜面のバンチングでのカイネティク係数の効果
金大総合メ,金大理A,金大自然B 佐藤正英,出浦香織A,井川健太B
4
拡散係数に差がある系におけるドリフトによるステップの不安定化
金大自然,金大総合メA 井川健太,佐藤正英A
5
Ni3Al(111)上アルミナ超薄膜のトンネル分光
筑波大物理,学際物質セA 新山雄,迫坪行広,大木泰造,大塚洋一A
6
低温STMを用いたNi(111)表面電子状態の研究
広大理A,広大放射セB 西村洋祐A,成田尚司A,掛谷満A,仲武昌史B,木村昭夫A,生天目博文B,谷口雅樹A
7
Au(788) 表面上に構築した3d遷移金属ナノ構造の磁性
東大工A,理研B,東大新領域C,JASRID 白木将A,藤澤英樹B,古川雅士C,広瀬正明D,Usman BriantoD,南任真史D,川合真紀D,中村哲也D,大沢仁志D,室隆桂之D
8
高エネルギー分解能型2次元光電子分光器の開発
奈良先端大物質,立命館SRセA,立命館理工B 高橋伸明,浜田洋司A,中西康司A,小川浩二B,難波秀利B,松井文彦,大門寛
9
電界電子放射により先端原子に働く力の第一原理計算 II
東理大理,CREST-JST 洗平昌晃,渡辺一之
10
金属蒸着したシリコン表面上の電気伝導度異方性
東大理 沖野泰之,松田巌,山崎詩郎,保原麗,長谷川修司
11
Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターにおける局所表面状態と光電子分光測定
横市大理 望月出海,根岸良太,重田諭吉
12
ペンタセン超薄膜の電子構造
千葉大院自然,東大院理A,物材機構B 角田治哉,平原徹A,松田巌A,長尾忠昭B,長谷川修司A,上野信雄,坂本一之
13
Si(111)表面上に形成したDyシリサイド薄膜の電子構造
千葉大院自然,東北大院理A,東大物性研B 今井彩子,馬渡健児A,角田治哉,原沢あゆみB,奥田太一B,上野信雄,坂本一之
14
角度分解光電子分光によるSi(111)6.3×6.3-Ga表面下のホールサブバンドの分散測定
奈良先端大A,JST-CRESTB 森田誠A,武田さくらA,B,加藤有香子A,桑子敦A,吉川雅章A,大門寛A,B
15
Si(111)4×1-In表面下の反転層サブバンドの角度分解光電子分光
奈良先端大A 吉川雅章A,森田誠A,加藤有香子A,桑子敦A,武田さくらA,B,大門寛A,B
16
超高真空電子顕微鏡用を用いた電気伝導その場計測
東京農工大工 箕田弘喜,籏野慶佑
17
In/Si(111)における構造因子の温度依存性
岡理大工,岡理大総情A 長永伸剛,加地博子,矢城陽一郎A,垣谷公徳
18
Si(100)表面の理論研究:トンネルコンダクタンスと局所トンネル障壁高さ
日大理工A,東大工B,科技機構CRESTC 戸塚英臣A,C,渡邉聡B,C
19
第一原理電気伝導特性計算を用いたC2H2分子吸着Si(001)表面におけるSTM像解析
阪大工,日本学術振興会特別研究員DCA 江上喜幸A,小野倫也,広瀬喜久治
20
水素吸着TiO2(110)荷電表面における酸素の結合エネルギー変化;第 一原理計算に基づく検証
千葉大自然,理研A,東大新領域B 梶田晴司,中山隆史,湊丈俊A,加藤浩之A,川合真紀A,B
21
Si(111)表面上のAu膜の内殻光電子分光および電気伝導測定
東大理,Yonsei Univ. 山崎詩郎,松田巌,平原徹,W.H. ChoiA,H.W. YeomA,沖野泰之,守川春雲,長谷川修司
22
Electronic structures of cyclic and acyclic molecules on metal by first-principles calculations
JST-KFPTA,同志社大工B,産総研C Rachid BelkadaA,B,白川善幸B,香山正憲C,日高重助B,田中真悟C
23
取  消

24
スズ吸着銅(001)表面の蒸着量依存構造変化
東大物性研 奈良裕樹,矢治光一郎,飯盛拓嗣,中辻寛,小森文夫
25
Fabrication and characterization of MnN superstructure on Cu(001) surfaces
ISSP,Univ. of Tokyo Bin Lu,Xiangdong Liu,Fumio Komori,Takushi Iimori,Kan Nakatsuji
26
Ga/Cu(001)-p(5×1)表面の構造及びc(10×2)への相転移
京大院理,JASRIA 本多潤,八田振一郎,加藤千尋,坂田修身A,奥山弘,有賀哲也
27
YHx薄膜の表面構造と振動解析
東大生研 田口祥,松本益明,WildeMarkus,福谷克之,岡野達雄
28
MBE法によるZnO成膜における基板エッチングの効果
岩手大院工,JSTサテライト岩手A,ライトムB 佐々木駿,入宇田啓樹,大場辰則,関美緒,目黒和幸A,後藤俊介B,中西良樹,吉澤正人
29
超音波照射法により作成したAu-Pdナノ微粒子表面近傍の電子状態の陽電子消滅測定
大阪府大院,東大原総研A,産総研ユビキタスB 堀史説,田口昇,岩井岳夫A,秋田知樹B,田中真悟B
30
Cs原子吸着で誘起されるSi(111)-7×7表面構造変化の第二高調波による研究
理研A,横国大B,防衛大C 井上大輔A,B,Dongmei DengA,田中正俊B,鈴木隆則A,C
31
円偏光軟X線Auger.光電子回折を用いたEtOH/Si(111)7×7の三次元的構造解析
奈良先端大物質創成,JASRI/SPring-8A,CREST-JSTB 成川隆史,松井文彦B,加藤有香子,稲地加那子,酒井智香子,松下智裕A,郭方准A,大門寛B
32
表面X線回折法を用いたSi(111)-Au表面構造の研究
東大物性研,名大院工A,高エ研PFB 岩沢勇作,関口浩司,野島健大,新井大輔,橋本光博,高橋敏男,秋本晃一A,杉山弘B
33
Ge(111)-Sn系における相転移のLEEDによる研究
九大総理工 東相吾,白澤徹郎,水野精義,栃原浩
34
Pb/Ge(111) 相転移の解析
岡山理大総合情報,岡山理大工A 矢城陽一朗,垣谷公徳A,加地博子A,長永伸剛A
35
Si(775)表面上に形成されたAu/Si(111)5×2構造の安定性評価
東大工A,科技振興機構CRESTB,MITC 野田真史A,B,C. FischerC,門平卓也A,B,G. CederC,渡邉聡A,B
36
有効遮蔽体法によるSi(001)表面の構造安定性計算
東大物性研 中島紳伍,大谷実,吉本芳英,杉野修
37
Al/Si(113)表面構造の研究
名大院工,豊工大A,日女大理B 美濃匡志,中原仁,齋藤弥八,鈴木秀俊A,一宮彪彦B
38
Si(111)7×7表面へのNO吸着反応サイトのサイト選択性および温度依存性 II
奈良先端大物質創成,CREST-JSTA 宮内國男,服部賢A,大門寛A
39
広域観察TEM-STMホルダーの開発
東工大院理工A,CREST-JSTB 金秀鉉A,谷城康眞A,B,高柳邦夫A,B
40
Si(111)表面上にRDE成長したFeシリサイドのSTM観察 その2
奈良先端大物質創成A,CREST-JSTB 澤田大輔A,服部賢A,B,大門寛A,B
41
液中におけるマイカ表面のnc-AFM像シミュレーション
早大院ナノ理工 田上勝規,塚田捷
42
UV/オゾン処理およびアニーリングによるSiO2表面状態の変化
東大新領域 圓谷志郎,池田進,斉木幸一朗
43
C60単層膜にドープされたアルカリ金属の安定性
科技機構A,物材機構B,筑波大数物C 塚本茂A,B,中山知信A,B,C
44
GaAs (001)上へのMnAsの界面形成過程の観察
東工大院理工 荒井俊昭,岡林潤,植野友理子,吉野淳二
45
Si(111)表面上にSPE成長した多結晶Feシリサイド相の構造と磁気特性
奈良先端大物質創成A,CREST-JSTB 片山泰斗A,服部梓A,服部賢A,B,大門寛A,B
46
Co:TiO2(110)におけるバルク吸収波長領域での磁化誘起SHGの観測
北陸先端大マテリアル,防衛大A,理研B,東工大応セラ研C 渡邊亮輔,湯浅真擁,八幡佳成,水谷五郎,鈴木隆則A,瀬川勇三郎B,松本祐司C,山本雄一C,鯉沼秀臣C
47
Spin polarization study of benzene molecules adsorbed on Fe(100) surface with density functional calculation
Nat. Inst. Materials Sci.A,PRESTO-JSTB X.SunA,T.SuzukiA,B,M.KurahashiA,Z.P.WangA,Y.YamauchiA
48
偏極He+イオン源における準安定He*原子(23S1)の偏極率評価方法の再検討
物材機構A,JSTさきがけB 鈴木拓A,B,山内泰A
49
Dynamics Calculations on Hydrogen-Pt(111) Surface Reactions
Osaka Univ. Nelson Buntimil Arboleda Jr.,Do Ngoc Son,Hideaki Kasai,Wilson Agerico Diño,Hiroshi Nakanishi
50
低速電子線によるSi(001)表面ダイマー系の振動励起
九大理 森嶋大輔,河合伸
51
第一原理計算による自己組織化量子ドットに関する理論的研究
阪大工 松中大介,尾方成信,渋谷陽二
52
接触モードAFMに現れる引き剥がし位置のカオス性(実験)
愛教大物理,成蹊大理工A,JSTプラザ東海B 原田竜一,宮田正樹A,金田祥江,加藤美穂,石川誠B,佐々木成朗A,三浦浩治
53
グラファイト基板における原子スケール摩擦からフレーク摩擦への転移
愛教大物理,成蹊大理工A,JSTプラザ東海B 金田祥江,寺田一揮A,原田竜一,加藤美穂,石川誠B,佐々木成朗A,三浦浩治
54
液中でのnc-AFMのシミュレーション
早大理工 原田昌紀,塚田捷
55
グラファイト基板における原子スケール摩擦からフレーク摩擦への転移(理論)
成蹊大理工,愛教大物理A 寺田一揮,板村賢明,三浦浩治A佐々木成朗
56
接触AFMに現れる引き剥がし位置のカオス性の予測(理論)
成蹊大理工,愛教大物理A 宮田政樹,板村賢明,三浦浩治A佐々木成朗
57
自己形成ビスマスナノライン上に成長する銀ナノ構造に関する第一原理計算
物材機構 古賀裕明,大野隆央
58
正方形および三角形QuantumCorralの電子状態
埼玉工大院 橋本哲志,熊谷卓也,田村明
59
原子点接触構造のキャパシタンスとコンダクタンス
東大工,科技機構CREST 田中倫子,古家真之介,渡邉聡
60
電極間分子架橋系の電流特性における溶媒効果に関する理論的研究
東大工A,科技機構CRESTB 俵有央A,松山登志也A,多田朋史A,B,渡邉聡A,B
61
第一原理計算による単分子架橋系の伝導特性−非弾性過程−
東大生研A,物材機構B 近藤恒A,B,大野隆央B,A
62
Proton Transport through a Nafion Membrane
Kasai Lab.,Dept. of Applied Phys.,Graduate Sch. of Eng.,Osaka Univ. Do Ngoc Son,Hideaki Kasai
63
Fe-Pt合金クラスターの第一原理計算とモンテカルロシミュレーション
横国大院工 三角祐司,石井聡,大野かおる
64
Co Nanoplatelets on Ag (√3 by √3)/Si(111) Surface Studied by STM
Grad. Sch. of Sci. Hiroshima Univ.,HSRCA Y.T. Cui,T. XieA,S. QiaoA,A. Kimura,H. NamatameA,M. Taniguchi
65
Alq3薄膜における分子配向の製膜法依存性
理研局所時空間 礒島隆史,伊藤英輔,尾笹一成,原正彦
66
Spectroscopy of Copper Nanowire Structures: Experiment and Theory
JAISTA,JAIST 21st COE ProgramB Kitsakorn LocharoenratA,B,Haruyuki SanoA,Goro MizutaniA,B
67
Transition metal nanowires inside single-walled carbon nanotubes on metal surfaces− A first principles calculations investigation
Osaka Univ. Melanie David,Tomoya Kishi,Masanori Kisaku,Hiroshi Nakanishi,Hideaki Kasai
68
Current Induced Forces on Adatoms on Carbon Nanotubes
Dept. of Phys.,Tokyo Univ. of ScienceA,CREST,Japan Sci. and Tech. AgencyB Yvan GirardA,B,Takahiro YamamotoA,B,Kazuyuki WatanabeA,B
69
MgO基板上のPtナノワイヤの作製
北陸先端大マテリアル,北陸先端大ナノセA,日立基礎研B,沖縄科技研基盤整備機構C 高瀬彩穂,巌哲央,林夏生,Kitsakorn Locharoenrat,水谷五郎,東嶺孝一A,菅原昭B,C
70
ゲート電圧によるカーボンナノチューブの電気伝導制御
東理大理,CREST-JST 中澤義基,山本貴博,渡辺一之
71
グラファイトリボンの電気伝導におけるゲート電極の効果
神戸大工A,東理大理B,CREST-JSTC 相馬聡文A,C,小川真人A,山本貴博B,C,渡辺一之B,C
72
3d遷移金属テープポルフィリンの電気伝導性および分子吸着特性
阪大院工 宮本敬太,Eben Dy Sy,中西寛,笠井秀明
73
表面合金系における水素侵入に関する理論的研究
阪大院工 花房真浩,Arboleda Nelson Jr. Buntimil,中西寛,笠井秀明
74
レーザー共鳴誘起蛍光法による外部磁場下での水素分子のオルソ・パラ転換の測定
東大生研 元島勇太,二木かおり,岡野達雄,福谷克之
75
吸着分離を用いた純オルソ水素生成装置作成
東大生研 二木かおり,河内泰三,福谷克之,岡野達雄

20日 TG会場 20pTG 13:30〜16:45

領域9
水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性

1
低速陽電子ビームによるNi(111)水素吸着表面での再放出陽電子
東学大物理 有井新之助
2
強束縛近似による水素終端シリコン表面の原子間力顕微鏡像のシミュレーション
東大工,早大理工A 真砂啓,渡邉聡,田上勝規A,塚田捷A
3
Si結晶電極による水素発生過程の解析
東北大学際セ 須田茂之,伊藤隆,粕谷厚生
4
In2S3ナノ粒子の光電気化学特性
東北大学際セ 米澤裕亮,伊藤隆,粕谷厚生
5
ナノギャップ電極を用いた単電子トンネリングの電気特性とその構造評価
科技振A,物材研B,分子研C 根岸良太A,長谷川剛A,B,田中啓文C,小澤寛晃C,寺部一弥A,B,小川琢治C,青野正和A,B
6
レーザーアニールによるシリコン酸化膜中でのシリコンナノ結晶ドット形成過程
筑波大数理,物材機構A 内田紀行,岡見威,金藤浩史,深田直樹A,村上浩一

休憩 (15:00〜15:15)

7
水溶液中で作製した(CdSe)nの光吸収
東北大学際セ 野口航,粕谷厚生
8
NMRによる(CdSe)34粒子の解析
東北大学際セ,東北大工A 野田泰斗,前川英己A,粕谷厚生
9
In Situ ATR-SEIRA Spectroscopy for the Analysis of the Adsorption and Desorption Process of Au nanoparticles on the SiO2/Si Surface
NIMS,ICORP-JST Dominik Enders,Tadaaki Nagao,Tomonobu Nakayama
10
Ni磁性薄膜のスピン配向転移と原子層分解磁気構造解析
奈良先端大物質,JASRI/SPring-8A 松井文彦,松下智裕A,加藤有香子,稲地加那子,酒井智香子,成川隆史,郭方准A,大門寛
11
準安定He原子線によるFe(100)に吸着したXeのスピン偏極測定
物材機構A,JSTさきがけB 山内泰A,倉橋光紀A,孫霞A,鈴木拓A,B,王中平A
12
Fe/Cu(110)(2×1)Oの構造と磁性
広大院理,広大放射光セA,東大物性研B 柳楽未来,沢田正博A,上野哲郎,矢治光一郎B,望戸力,木村昭夫,生天目博文A,谷口雅樹

20日 WH会場 20pWH 13:30〜16:45

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ

1
金[110]ナノワイヤのコンダクタンス定量解析
東工大院理工A,東工大総理工B,日立機械研C,JST-CRESTD 久留井慶彦A,大島義文B,D,岡本政邦C,高柳邦夫A,D
2
Pd原子ワイヤーの力‐コンダクタンス応答
筑波大数理,筑波大物質工A,科技機構B 松田知子,木塚徳志AB
3
原子サイズSi接点のコンダクタンス
京大工,阪府大A,ユニソクB,京大IICC 岩成朋紀,坂田東洋A,宮武優B,黒川修C酒井明C
4
金属原子鎖におけるコンダクタンスの鎖長依存性
兵庫県大院理 大塚泰弘,島信幸,馬越健次
5
第一原理グリーン関数法による単一分子接合のSTM-NMRシミュレーション
東大院工,CREST 多田朋史,渡邉聡
6
分子軌道法による単一分子電気伝導と非断熱相互作用の効率的計算方法とプログラム開発
東大工 中村恒夫

休憩 (15:00〜15:15)

7
種々の単一分子系の第一原理伝導計算
NEC基礎環境研A,筑波大物工B,CREST-JSTC 広瀬賢二A,C,小林伸彦B,C
8
分子ブリッジにおけるIV特性の理論解析:キャリア−分子振動カップリングの効果
キャノン先端融合研,早大院理工A 光武邦寛,塚田捷A
9
フラーレン振動による電気伝導の直接観察
東工大総理工A,東工大院理工B,CRESTC 大島義文A,C,久留井慶彦B,吉田誠B,高柳邦夫B,C
10
単一分子架橋金属ナノギャップの電気伝導度測定ならびにラマンスペクトル同時測定の試み
北大院理 小西達也,木口学,村越敬
11
電気化学電位制御下におけるAuナノワイヤのshell効果の観察
北大院理 関口信郎,木口学,村越敬
12
金属電極間に架橋した1,4-二置換ベンゼン単分子の電気伝導度の置換基依存性
北大院理 三浦進一,木口学,原賢二,澤村正也,村越敬

21日 TG会場 21aTG 9:00〜12:15

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造

1
合金ナノチューブの創製
原子力機構 北澤真一
2
応力変化に伴う金ナノワイヤの構造変化
東工大院理工A,東工大理B,JST-CRESTC 赤堀千明A,大橋宣宏B,谷城康眞A,C,高柳邦夫A,C
3
Au, Ag, Cu電極に架橋したC60単分子のin-situ伝導度計測
北大院理A,JSTさきがけB 木口学A,B,村越敬A
4
ナノ細線の局所発光特性
物材機構A,JST ICORPB 櫻井亮A,B,王玉光A,B,青野正和A,B
5
新奇ポリ20面体Siナノワイヤーの自己組織化シミュレーション
産総研計算科学 西尾憲吾,森下徹也,篠田渉,三上益弘
6
走査型トンネル顕微鏡探針によるジアセチレン分子多層膜の連鎖重合反応誘起
ICORP(JST)A,物材機構B 高城大輔A,B,大川祐司A,B,長谷川剛A,B,青野正和A,B

休憩 (10:30〜10:45)

7
カーボンナノチューブ生成における合金触媒の電子顕微鏡観察
阪大院理,CREST/JST 内山徹也,吉田秀人,河野日出夫,竹田精治
8
INTERACTION BETWEEN SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBES AND ORGANIC MOLECULES ON METAL SURFACES
東大新領域A,理研B Caroline RabotA,B,Sylvain ClairA,Yousoo KimB,Maki KawaiA,B
9
酸素吸着グラフェンの構造双安定性の第一原理計算
電通大電子 伊藤潤,中村淳,名取晃子
10
Pt(111)上に作製したナノグラフェンのSTM観察
東大院新領域 山本麻由,圓谷志郎,池田進,斉木幸一朗
11
グラフェン上のPtクラスターの原子・電子構造
JST-CRESTA,阪大産研B,産総研ユビキタスC 岡崎一行A,森川良忠B,秋田知樹C,田中真悟C,香山正憲C
12
Cu(110)表面上におけるマンガノセンの吸着構造
東大新領域A,JST さきがけB,理研C 卞太寿A,USMAN BRIANTOA,小原通昭A,荒船竜一B,白木將A,高木紀明A,川合真紀A,C

21日 WH会場 21aWH 9:00〜12:00

領域9
表面界面ダイナミクス

1
NEGF-based ab initio 法に基づいた単一分子の非弾性電気伝導に関する理論的研究
産総研 島崎智実,浅井美博
2
アルケン分子/Si(001)表面系の化学吸着における「マルコフニコフ則」
東大院理,JST-CRESTA 赤木和人A,常行真司
3
STM探針からのキャリア注入によるSn吸着Ge(001)表面の構造遷移III
東大物性研 富松宏太,飯盛拓嗣,中辻寛,小森文夫
4
H/Si(001) 2x1表面における低エネルギー電子線誘起結合切断機構
阪大産研 市橋数理,金崎順一,谷村克己
5
パルス光照射したH-Si(111)面からの水素脱離の非線形光学顕微像観察
北陸先端大マテリアルA,学振特別研究員B 宮内良広A,B,佐野陽之A,山下啓A,岡田純一A,水谷五郎A
6
D:Si(111)1×1の表面フォノン
東北大院理,理研A,学際セB 加藤大樹,田岡琢巳,山田太郎A,本谷宗B,粕谷厚生B, 須藤彰三

休憩 (10:30〜10:45)

7
2光子光電子分光スペクトルにおけるSiバルク電子状態ピークの起源
阪大産研 市林拓,谷村克己
8
低温におけるSi(001)表面の励起電子動力学II
阪大産研 田中慎一郎,市林拓,谷村克己
9
SiO2/Si(100)界面でのSi輸送過程
NTT物性基礎研 影島博之,植松真司
10
2つのナノ構造島成長過程のシミュレーション
山梨大教育 川村隆明,鈴木麻里子
11
SrTiO3(001)表面における三次元穴の緩和
阪大産研 山本真人,須藤孝一,岩崎裕

21日 TG会場 21pTG 13:30〜16:45

領域9
表面界面構造

1
スタガードBCSOS模型の結晶平衡形およびシェイプ・エクスポーネント(数値くりこみ群法)−極性結晶におけるラフニング転移と結晶の形−
大阪電通大工,阪大院理A 阿久津典子,阿久津泰弘A
2
臨界線近傍における数値くりこみ群(PWFRG)の固定点:RSOS-I模型におけるサーマル・ステップ・バンチング
大阪電通大工,群馬大工A 阿久津典子,山本隆夫A
3
In/Si(113)の表面再配列構造の研究 III
名大院工,日女大理A,原研A 田中淳,西岡秀雄,中原仁,一宮彪彦A,齋藤弥八
4
オーダーN法第一原理計算によるGe/Si(001)3次元構造の安定性に対する研究
物材機構A,Univ. College LondonB 宮崎剛A,B,D.R. BowlerB,M.J. GillanB,大野隆央A
5
Si(111)表面上に形成されたGeナノドットの表面構造の評価
CREST-JSTA,名大エコトピアB,研名大院工C 趙星彪A,B,川野晋司C,田中信夫A,B,C
6
6H-SiC(0001)-C終端3×3表面の構造と電子状態
立命館大理工A,パリ第6・7大ナノサイエンス研B 竹内史典A,星野靖B,西村智朗A城戸義明A

休憩 (15:00〜15:15)

7
エネルギーフィルター型反射高速陽電子回折装置の開発
原子力機構先端研A,日女大理B 深谷有喜A,河裾厚男A,一宮彪彦A,B
8
反射高速陽電子回折によるPb/Ge(111)表面の構造と相転移の研究
原子力機構先端研A,日女大理B 深谷有喜A,橋本美絵A,河裾厚男A,一宮彪彦A,B
9
反射高速陽電子回折によるIn/Si(111)表面構造相転移の研究
原子力機構先端研A,日女大理B 橋本美絵A,深谷有喜A,河裾厚男A,一宮彪彦A,B
10
スパイラルへテロ構造を用いた高効率光電変換素子の可能性
北大電子研 五味田こず枝,M.D.ラハマン,川口敦吉,海住英生,石橋晃
11
SiC(0001)上にエピタキシャル成長した秩序SiON超薄膜
九大総理工,九大工院A 白澤徹郎,林賢二郎,水野清義,田中悟A,栃原浩
12
表面最上層の励起原子衝突2次元電子分光
東北大院理A,東北大理B 岸本直樹A,赤澤直史B,Andriy BorodinA,堀尾琢哉A,大野公一A

21日 WH会場 21pWH 13:30〜16:45

領域9
表面界面ダイナミクス

1
第一原理計算によるAl/Alq3界面における構造と電子状態の解明
阪大産研A,JST-CRESTB,産総研計算科学C 竹内康祐A,B,柳沢将A,B,森川良忠A,B,C
2
C60分子間反応の局所制御
物材機構A,ICORP JSTB,筑波大院C,阪大院D 中谷真人A,中山知信A,B,C,桑原裕司B,D,青野正和A,B
3
Cu(111)表面におけるIrPPY分子拡散の低温STM観察
横市大国際総合科学 高橋智威,篠崎一英,横山崇
4
Halogen-based copper/copper oxide etching
Div. of Precision Sci. & Tech. and Applied Phys.,Grad. Sch. of Eng.,Osaka Univ.A,Dept. of Phys., Grad. Sch. of Sci.,Osaka Univ.B,Center for Promotion of Res. on Nanosci. and Nanotech.,Osaka Univ.C,Col. of Science,De La Salle UniversityD Tanglaw RomanA,Wilson Agerico DiñoB,D,Hiroshi NakanishiA,Hideaki KasaiA
5
Pt(111)上における孤立水分子の吸着挙動
東大新領域,学習院大理A,理研B 本林健太,松本周子A,金有洙B,川合真紀B
6
光電子の表面振動励起非弾性放出におけるエネルギー利得過程
JSTさきがけA,東北大工B,東大新領域C,理研D,東北大通研E,北陸先端大F 荒船竜一A,林慶B,高木紀明C,川合真紀C,D,上原洋一E,潮田資勝F

休憩 (15:00〜15:15)

7
水/白金界面における電気化学反応の第一原理シミュレーション
阪大産研A,東大物性研B,NEC基礎環境研C,産総研計算科学D,JST-CRESTE 濱田幾太郎A,E,大谷実B,E,森川良忠A,D,E,杉野修B,E,岡本穏治C,E,池庄司民夫D,E
8
K/Pt(111)およびNa/Cu(111)におけるコヒーレント表面フォノンの励起メカニズム
総研大光科学A,分子研B 冬木正紀A,B,渡邊一也B,松本吉泰A,B
9
Pt(997)表面におけるCOの拡散
東北大多元研 高岡毅,米田忠弘
10
Pd(110)上のCO酸化における生成CO2の角度分解内部エネルギー測定
北大触媒セ 山中俊朗,松島龍夫
11
Pd表面およびPdAg合金表面における水素原子の振る舞い
阪大院工,阪大ナノサイエンス機構A 尾澤伸樹,Tanglaw Abat Roman,Wilson Agerico DiñoA,中西寛,笠井秀明
12
In被覆Au探針を用いたエレクトロマイグレーションの観察
電通大電子,東大理A 坂本克好,河野勝泰,名取晃子,長谷川修司A