21日　RJ会場　21aRJ　11:40〜12:30

領域12，4，9合同招待講演

8

DYNAMICS ON THE NANOSCALE: Time-domain ab initio studies of carbon nanotubes, quantum dots, and molecule-semiconductor interfaces
University of Washington　PrezhdoOleg

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21日　WD会場　21aWD　10:45〜12:00

領域3，領域9合同
表面・界面磁性

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1

Density functional study on influence of magnetic materials on the dissociative adsorption of O₂
阪大工，Fac. of Eng.，Int'l. Islamic Univ.，Malaysia^A　M.M. Rahman，M.C.S. Escaño，R. Muhida^A，D.N. Son，S. Kunikata，H. Nakanishi，H. Kasai

2

三次元マイクロXMCD法によるFe/Ni/Cu(100)薄膜磁性の研究
高エ研，JST-CREST^A，東大院理^B，学振DC^C，理研播磨^D，千葉大院融合^E　雨宮健太^A，阿部仁^B，C，佐古恵理香，宮脇淳^B，D，酒巻真粧子^E

3

Fe/Co/Pd(111)磁性薄膜のスピン再配列転移と1 ML Feの大きな面直磁気異方性
東大院理，学振DC^A，理研播磨^B，高エネ機構物構研^C，JST-CREST^D　阿部仁^A，宮脇淳^B，佐古恵理香^C，雨宮健太^C，D

4

Cr(001)上bcc Co薄膜のSTM/STS観察
大阪教育大，阪大基礎工^A　川越毅，沼田信幸，田口幸二，宮町俊生^A，菅滋正^A

5

白金表面上鉄薄膜の磁気異方性
金沢大自然　辻川雅人，細川明彦，小田竜樹

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21日　XJ会場　21aXJ　9:00〜12:15

領域9
表面界面構造

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1

白金表面における水素の第一原理的研究：被覆率、電場および溶媒効果
阪大産研^A，産総研計算科学^B，JST-CREST^C　濱田幾太郎^A，C，森川良忠^A，B，C

2

Ni(111)およびPd(111)上の極薄Au膜成長とO₂,NOの吸着
立命館大理工，産総研関西^A　岩本章伸，橘堂恭昌，岡沢哲晃^A，星野靖，西村智朗，城戸義明

3

金ナノ粒子／ルチル界面の酸素原子カラムの観察
東工大院理工^A，CREST^B，日本電子^C　田中崇之^A，B，佐野健太郎^A，安藤雅文^A，細川史生^B，C，近藤行人^B，C，高柳邦夫^A，B

4

低温でのCu(001)表面における酸素吸着のSTM観察 (2)
東大物性研　柳生数馬，Xiangdong Liu，中辻寛，小森文夫

5

Cu(110)表面における水単分子の移動と反応
京大院理　熊谷崇，八田振一郎，奥山弘，有賀哲也

6

Cu(001)上のLiのc（5√2 × √2）R45°構造の第一原理計算
産総研計算科学，福岡教育大物理^A　織田望，三谷尚^A

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休憩　（10:30〜10:45)

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7

スズ吸着銅(001)表面のSTM観察
東大物性研　中山龍一，奈良裕樹，矢治光一郎，中辻寛，小森文夫

8

中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるNiAl(110)表面構造解析
立命館大理工　小北哲也，岡沢哲晃，星野靖，西村智朗，^○城戸義明

9

Rh(111)における親水性・疎水性水単層上での氷成長
東大物性研，物材機構SPring8^A　紅谷篤史，向井孝三，山下良之^A，吉信淳

10

第一原理計算による金属/MgO界面の電子状態
阪大院工　松中大介，渋谷陽二

11

単分子エレクトロニクスに向けた電極−分子接合界面制御
阪大産研　横田一道，谷口正輝，田中裕行，川合知二

12

パルス噴霧法で吸着させた10nmオリゴチオフェン分子ワイヤのSTM観察
横市大国際，分子研^A　西山文貴，横山崇，田中彰治^A

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21日　XK会場　21aXK　9:00〜12:15

領域9
結晶成長

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1

ガス中蒸発法におけるSn合金超微粒子の結晶成長
岐阜高専　大野武久

2

ピンポイント構造計測によるDVD記録材料の時分割構造評価
高輝度セ^A，CREST/JST^B，中央大理工^C，理研^D，筑波大数理^E，兵庫県立大院物質^F，松下テクノリサーチ^G，松下電器産業^H　福山祥光^A，B，安田伸広^A，B，金廷恩^A，B，村山美乃^C，田中義人^D，A，B，木村滋^A，B，守友浩^E，B，鳥海幸四郎^F，B，大島隆^D，B，上岡隼人^E，B，田中均^D，松永利之^G，B，児島理恵^H，山田昇^H，B，加藤健一^D，B，小原真司^A，B，高田昌樹^D，A，B

3

超重力場によるBi-Sb固溶系合金の結晶微細化
熊大院自然，JAEA先端基礎セ^A，熊大衝撃セ^B　井口裕介，小野正雄^A，岡安悟^A，真下茂^A，B

4

準安定溶媒エピタキシー法によるSiC単結晶作成
関学大理工　西谷滋人，金子忠昭

5

Si(001)表面上へのMgOエピタキシャル成長の研究
東北大多元研　佐藤俊介，^○虻川匡司

6

MgO(100)上のAr単結晶薄膜成長条件
山梨大院医工　井上大輔，鈴木達也，白木一郎，鳥養映子

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休憩　（10:30〜10:45)

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7

水素終端Si(111)表面上のステップがIn量子ドットの成長に与える影響
立命大理工，北大農^A　飛田達成，湯平泰吉，居谷有剛，野崎拓郎，福澤威士，久保貴資，本同宏成^A，中田俊隆

8

水素終端Si(111)面上に成長したIn微粒子の基板温度による配向変化
立命大理工，北大農^A　湯平泰吉，飛田達成，大久保茂，居谷有剛，野崎拓郎，福澤威士，高岸洋一，久保貴資，本同宏成^A，中田俊隆

9

荒れた微斜面の平坦化 I ---SrTiO₃のSTM観察
阪大産研，名大理^A，学習院大計算機セ^B　須藤孝一，岩崎裕，上羽牧夫^A，入澤寿美^B，松本喜以子^B

10

荒れた微斜面の平坦化 II ---MCシミュレーション
学習院大計セ^A，名大理^B，阪大産研^C　入澤寿美^A，松本喜以子^A，上羽牧夫^B，須藤孝一^C，岩崎裕^C

11

マイカ基板上における直鎖脂肪酸二次元島のCoarsening
立命館大理工，北大農^A　徳永良平，井福博章，高岸洋一，久保貴資，本同宏成^A，中田俊隆

12

高分子超薄膜における膜厚拡散場と結晶成長パターン
広大総合科，京大人環^A　田口健，戸田昭彦，宮本嘉久^A

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21日　XJ会場　21pXJ　13:30〜16:45

領域9
表面界面構造

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1

ポリエチレンナフタレート有機膜上のAu蒸着薄膜の作製と表面構造解析
北大電子研　小野明人，海住英生，川口敦吉，近藤憲治，石橋晃

2

Si(111)表面上Ag超薄膜のelectric growthにおける量子効果とkineticsの競合
東工大総理工　宮崎優，^○平山博之

3

反射高速陽電子回折を用いたIn/Si(111)表面における(4×1)-(8×'2')相転移の研究
原子力機構先端基礎研^A，日女大理^B　橋本美絵^A，深谷有喜^A，河裾厚男^A，一宮彪彦^A，B

4

遷移金属安定化2重グラフェンシート構造のシリコン半導体超薄膜II
産総研計算科学，産総研次世代半導体セ^A　宮崎剛英，金山敏彦^A

5

NiSi₂/Si(001) の表面構造解析
立命館大理工物理　西村智朗，竹田純子，城戸義明

6

X線回折によるSi(111)表面上のFeシリサイド薄膜構造解析
東大物性研，奈良先端大物質創成^A，CREST-JST^B，高エ研^C　関口浩司，岩沢勇作，野島健大，新井大輔，Wolfgang Voegeli，白澤徹郎，高橋敏男，服部賢^A，B，服部梓^A，若林裕助^C

---

休憩　（15:00〜15:15)

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7

LEED,STM,ARPESによるSi(111)-√3×√3R30°-Mnの研究
九大総理工，東大物性研^A　東相吾，池堂祐一，Pavel Kocan，奥田太一^A，原沢あゆみ^A，水野清義，柿崎明人^A，栃原浩

8

GaAs(001)表面上のMn吸着構造
物材機構　大竹晃浩

9

Interaction of Co atoms with Si(111) surface studied by scanning tunneling microscopy
Grad. Sch. Sci. Hiroshima Univ.^A，HSRC，Hiroshima Univ.^B　Y.T. Cui^A，T. Xie^B，M. Ye^A，A. Kimura^A，S. Qiao^B，H. Namatame^B，M. Taniguchi^A，B

10

低温STMを用いたAl吸着Si(001)表面構造の研究III
広大院理^A，広大放射光^B，東大物性研^C　掛谷満^A，西村洋祐^A，木村昭夫^A，仲武昌史^B，成田尚司^C，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B

11

自己形成SiC表面ナノファセットの規則化距離
九大院工，北大電子研^A　田中悟，藤井政弘^A

12

Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果−RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算−
大阪電通大工，群馬大工^A　阿久津典子，山本隆夫^A

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21日　XK会場　21pXK　13:45〜16:30

領域9
結晶成長，表面局所光学現象

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1

フェーズフィールドモデルによる均一、不均一核生成と成長
武蔵工大知識工　岩松雅夫

2

ヘテロエピタキシャル系における核生成初期過程
名大理，慶大理工^A　勝野弘康，上羽牧夫，齋藤幸夫^A

3

Becker-Doringモデルに基づいたクラスター成長の各時間スケールでの分析 (2)
名大理　小山克信，上羽牧夫

4

不純物分子を含むLennard-Jones融液の核形成シミュレーション
立命館大理工，北大農^A　高岸洋一，本同宏成^A，久保貴資，中田俊隆

5

結晶単層膜の脱濡れ初期過程
オックスフォード大，フルミネンス大^A，慶大^B　Olivier Pierre-Louis，Anna Chame^A，^○齋藤幸夫^B

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休憩　（15:00〜15:15)

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6

表面振動励起非弾性光電子放出
JST-PRESTO　荒船竜一

7

STM光吸収分光法におけるサブギャップ光吸収信号の起源
東大工，JST-CREST　成瀬延康，目良裕，中村芳明，市川昌和，前田康二

8

Si(111)-7×7の原子分解能STM発光
東工大院理工　今田裕，横谷真樹，菊島史恵，山本直紀

9

Si(111)表面上のInナノ構造からのSTM発光II
東工大院理工　横谷真樹，今田裕，菊島史恵，山本直紀

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21日　XL会場　21pXL　13:30〜16:45

領域9
表面界面ダイナミクス

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1

STM探針からのキャリア注入によるSi吸着Ge(001)表面の構造遷移
東大物性研　富松宏太，中辻寛，飯盛拓嗣，小森文夫

2

Si(111)-7×7表面キャリアダイナミクス 2
阪大産研　市林拓，谷村克己

3

Si(100)-(2×1)表面上のimage-potential共鳴状態
阪大産研　前野浩介，市林拓，谷村克己

4

パルス光照射したH-Si(111)面からの水素脱離の光和周波及び光第二高調波顕微像観察
北陸先端大マテリアル^A，CREST^B　宮内良広^A，B，佐野陽之^A，B，山下啓^A，岡田純一^A，水谷五郎^A，B

5

高品位H:Si(111)1×1表面作成法と表面フォノン
東北大院理，金研^A，東北大学際セ^B，理研^C　加藤大樹，田岡琢巳，西方督^A，佐崎元^A，山田太郎^B，C，R. Czajka^B，A. Wawro^B，中嶋一雄^A，粕谷厚生^B，^○須藤彰三

6

SrTiO₃(001)表面における三次元穴の緩和II
阪大産研　山本真人，須藤孝一，岩崎裕

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休憩　（15:00〜15:15)

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7

カーボンナノチューブの原子スケールでの引き剥がし
愛教大物理，JSTプラザ東海^A，成蹊大理工^B　原田竜一，石川誠^A，加藤美穂^A，豊田有洋^B，板村賢明^B，佐々木成朗^B，三浦浩治

8

AFM探針の原子スケール引き剥がしの解析
成蹊大理工，愛教大物理^A，JSTプラザ東海^B　宮田政樹，南貴博，勝又源七郎，板村賢明，原田竜一^A，B，三浦浩治^A，B，^○佐々木成朗

9

遷移金属ステップ表面上におけるNO解離反応の第一原理的研究
北大創成，北陸先端大融合院^A　相澤秀昭，寺倉清之^A

10

不純物ポテンシャルが存在する場合のイオン中性化確率
長崎大工，立命館大理工^A　近藤慎一郎，山田耕作^A

11

遷移金属表面上に吸着した孤立水分子の表面ダイナミクス
東大新領域，学習院大理^A，理研^B　本林健太，松本周子^A，金有洙^B，川合真紀^B

12

金属表面上における単分子ホッピング運動の方向制御
東大新領域，理研　小原通昭，金有洙，川合真紀

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22日　XJ会場　22aXJ　9:00〜12:15

領域9
表面界面構造

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1

RHEED電子密度の入射角依存性
山梨大教育　川村隆明

2

反射高速陽電子回折におけるエネルギー損失過程の研究
原子力機構先端基礎研^A，日女大理^B　深谷有喜^A，橋本美絵^A，河裾厚男^A，一宮彪彦^A，B

3

広域観察のTEM-STM開発
東工大理^A，JST-CREST^B　金秀鉉^A，谷城康眞^B，高柳邦夫^B

4

ステップバンチング表面上にエピタキシャル成長したペンタセン単分子膜の構造と電子状態
東大理　島田敏宏，大伴真名歩，長谷川哲也

5

Si(111)表面上に成長したGaAs結晶の形態と界面構造
神戸大連携先端，神戸大工^A　松本公久，山田健介^A，保田英洋^A

6

第一原理計算によるGe/Si(001)の歪緩和と転位に関する研究
筑波大計科セ，CREST-JST　藤本義隆，押山淳

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休憩　（10:30〜10:45)

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7

ラザフォード後方散乱法によるSi/SiO2界面酸化過程の解明
京大院工　木村健二

8

オージェ−光電子コインシデンス分光法による酸化シリコン超薄膜（SiO₂/Si(100)）の表面・界面の局所価電子状態を反映したオージェ電子スペクトルの測定
総研大物質構造^A，横国大院工^B，KEK物構研^C，さきがけ・JST^D　垣内拓大^A，藤田斉彦^B，間瀬一彦^A，C，D

9

Si(001)表面におけるエチレン・アセチレンの反応経路の詳細
東大院理　赤木和人，常行真司

10

Structural changes in the SiC(0001)-3×3 and (√3× √3)-R30^○ reconstructions due to exposure to oxygen
Nagoya Univ.，Univ. of Tokyo^A，DENSO CORP.^B，KEK^C　W. Voegeli，K. Akimoto，T. Aoyama，T. Urata，A. Ichimiya，S. Nakatani^A，K. Sumitani^A，T. Takahashi^A，Y. Hisada^B，Y. Mitsuoka^B，S. Mukainakano^B，H. Sugiyama^C，H. Kawata^C

11

6H-SiC{0001} 3×3表面の構造と酸素および一酸化窒素の吸着構造の研究
立命館大理工　星野靖，大川貴宏，西村智朗，城戸義明

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22日　XK会場　22aXK　9:00〜12:30

領域9
表面磁性，表面界面電子物性

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1

超高速レーザー誘起による磁気円二色性光電子顕微鏡観察
分子研，京大理^A　中川剛志，渡邊一也，松本吉泰^A，横山利彦

2

Au(788) 表面上に構築した3d遷移金属ナノ構造の磁性
東大新領域^A，理研^B，JASRI^C　白木将^A，藤澤英樹^B，広瀬正明^A，Usman Brianto^A，南任真史^B，川合真紀^A，B，中村哲也^C，大沢仁志^C，室隆桂之^C

3

X線Auger電子回折吸収分光法による表面・薄膜研究
奈良先端大，CREST-JST^A，JASRI/SPring-8^B　松井文彦^A，松下智裕^B，郭方准^B，加藤有香子，酒井智香子，成川隆史，大門寛^A

4

スピン分解ARPESによるSb(111)表面のスピン偏極バンド構造の観測
広大院理^A，広大先端研^B，広大放射セ^C　門野利治^A，宮本幸治^A，西村良祐^A，木村昭夫^A，永野美貴^B，獅子堂達也^B，小口多美夫^B，喬山^C，島田賢也^C，生天目博文^C，谷口雅樹^A，C

5

Spin-splitting state of Bi/Ag ordered surface alloy on Ag quantum well films
Univ. of Tokyo　Ke He，Toru Hirahara，Iwao Matsuda，Shuji Hasegawa

6

Pt(111)表面におけるC₆H₅R（R=H,SH,SeH）分子の局所電子状態
東大院総合　鎌田豊弘，佐々木恵太，青木優，増田茂

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休憩　（10:30〜10:45)

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7

スズ吸着銅(001)表面の電子状態の研究
東大物性研　矢治光一郎，中辻寛，飯盛拓嗣，柳生数馬，中山龍一，根本直樹，奥田太一，原沢あゆみ，小森文夫

8

エチレン終端Si(100)基板とF4-TCNQの相互作用：ΔΦと価電子状態
東大物性研　向井孝三，利田祐麻，山下良之，吉信淳

9

2光子光電子分光法による鉛フタロシアニン薄膜の非占有準位測定
千葉大院自然^A，阪大院理^B，千葉大院融合^C　山本勇^A，^○山田剛司^B，三賀森雅和^B，山本亮太^B，宮久保圭祐^B，上野信雄^C，宗像利明^B

10

STMによるサブ分子分解能振動分光
東大先端科技セ， Dept. of Physics and Astronomy and Chem.， Univ. of California，Irvine^A　小川直毅，G. Mikaelian^A，W. Ho^A

11

クマリン系色素吸着チタニア表面の構造と電子状態
物材機構　籾田浩義，大野隆央

12

Pt(111)における酸素分子吸着機構
明大理工　伊藤雅人，高木成幸，円谷和雄

13

表面におけるRashba効果の第一原理計算
広大院先端　永野美貴，獅子堂達也，小口多美夫

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22日　YJ会場　22pYJ　13:30〜17:00

領域9，領域7合同シンポジウム
主題：精密に原子配列させた1nm構造体が示す特徴的な物性と展望

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1

はじめに：精密1nm構造に実現可能な物質機能の科学
東北大、融合研　粕谷厚生

2

魔法数金クラスターの化学合成と構造・物性評価
分子研　佃達哉

3

特異な構造を持つ金チオラートクラスターの電子物性
分子研　信定克幸

4

一次元共役パイ電子系をもつ直線炭素分子の光学特性
近畿大理工　若林知成

5

ナノスケール現象の第一原理計算によるアプローチ
横国大院工　大野かおる

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休憩　（15:00〜15:15)

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6

有機金属サンドイッチ精密ナノ構造体の磁気機能
慶大理工　中嶋敦

7

高輝度Ｘ線結晶構造解析に基づく酵素反応機構の解明
兵庫県立大院生命理　樋口芳樹

8

結晶性MgOトンネルバリアの精密構造制御とコヒーレントスピントンネル
産総研エレ　長浜太郎

9

自己組織化による芳香環有限集積と機能創出
東大院工　吉沢道人

10

Si(111)7x7表面で原子数に依存して成長する(Ag)nのSTM解析
東北大院理　須藤彰三

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22日　PSA会場　22pPSA　13:30〜15:30

領域9
領域9ポスターセッション

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1

昇華するSi(001)微斜面でのステップの不安定性−カイネティク係数の効果−
金大総合メディア，金大自然^A　佐藤正英，出浦香織^A

2

MOCVD法によるSiCナノ構造生成
阪大院理　高尾修平，河野日出夫，竹田精治

3

MBE法によるZnO薄膜のバッファー層の最適化
岩手大院工^A，JSTサテライト岩手^B，岩手県工技セ^C，岩手産技短大^D　佐々木駿^A，原田善之^B，高橋輝一^A，目黒和幸^C，泉田福典^D，中西良樹^A，吉澤正人^A

4

構造転移温度付近でのSi(111)微斜面上の吸着原子の流れによるステップバンチング−入射・蒸発の効果−
金大自然，金大総合メ基盤セ^A　井川健太，佐藤正英^A

5

電気化学的手法によるランタノイドの酸化水酸化物の結晶合成
神戸大自然，神戸大海事^A，青学大理工^B，物材機構^C　木村大輔，佐俣博章^A，永田勇二郎^B，小澤忠^C

6

AFMによるタウマチン正方晶の分子分解能観察
阪大産研　堀信康，須藤孝一，岩崎裕

7

Atomic orbital analysis of MoS₂ valence band by ab initio calculation
Nara Inst. of Sci. and Tech.，Inst. of Nuclear Res. of the Hungarian Academy of Sci.^A，CREST-JST^B，Ritsumeikan Univ.^C　Zsuzsa Janosfalvi^A，Fumihiko Matsui^B，Nobuaki Takahashi，Muneoki Akasaka，Hidetoshi Namba^C，Hiroshi Daimon^B，^C

8

Frictional coefficient of atoms on a surface
Dept. of Applied Physics，Grad. Sch. of Eng.，Osaka Univ.　Do Ngoc Son，Syuji Fukumura，Hiroshi Nakanishi，Hideaki Kasai

9

Sm/Si(111)におけるSm4d光電子・SmN_4,5VVオージェコインシデンススペクトル
群馬大教育^A，千葉大工^B，KEK物構研^C，JSTさきがけ^D，総研大物質構造^E　飯島千尋^A，細海俊介^B，奥沢誠^A，奥平幸司^B，間瀬一彦^C，D，E

10

Ni₃Al(111)上アルミナ超薄膜のトンネル分光(II)
筑波大物理，学際物質セ^A　新山雄，大木泰造，大塚洋一^A

11

スピン軌道相互作用を考慮した擬ポテンシャルの開発と表面系への応用
金大自然　細川明彦

12

ナノスケール間隔の電極に働く力のバイアス電圧依存性に関する第一原理計算
東大工，科技機構CREST　柴田紗知子，中村泰弘，多田朋史，渡邉聡

13

平面波基底展開法による貴金属表面の仕事関数についての面方位依存性の数値解析
阪大基礎工　幾野佑一，草部浩一

14

低温における金蒸着シリコン表面の電気伝導度の比較
東大物性研，東大理^A，Yonsei大^B　山崎詩郎，松田巌，沖野泰之^A，守川春雲^B，長谷川修司^A

15

REM-M4PP法による表面・電気伝導その場計測
東京農工大工^A，JSTCREST^B　籏野慶佑^A，矢澤博之^A，箕田弘喜^A，B

16

高周波測定対応低温走査トンネル顕微鏡の開発と表面電子スピンの検出
理研，CREST-JST^A，東大新領域^B　小野雅紀^A，坪井紀子^A，花栗哲郎^A，高木英典^A，B

17

ナノ電流スイッチに関する理論的研究
和歌山大シス工^A，東大生産研^B，物材機構^C，北京科技大^D　小田将人^A，C，W.T. Geng^D，奈良純^C，近藤恒^B，C，大野隆央^C，B

18

少数層グラフェンのバンド構造−積層と外場への依存性
岐阜大工　青木正人，天鷲裕司

19

SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態
東大物性研，九大総理工^A，千葉大院自然^B，東北大院理^C，千葉大院融合^D，九大工院^E　白澤徹郎，林賢二郎^A，今井彩子^B，角田治哉^B，馬渡健児^C，谷治光一郎，中辻寛，水野清義^A，坂本一之^D，田中悟^E，小森文夫，栃原浩^A

20

水素終端化Si(001)面と(111)面の反射率差スペクトルの第一原理計算による解析
阪大院工　稲垣耕司，遠藤勝義，広瀬喜久治

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22日　PSA会場　22pPSA　13:30〜15:30

領域9
領域9ポスターセッション

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71

少数層グラファイトのバンド構造の電場および圧力依存性
岐阜大工　鈴木龍侍，掛布亘，青木正人

72

角度分解光電子分光によるSi(111)3√3×3√3-PbGaホールサブバンド解析
奈良先端大^A，CREST-JST^B　森田誠^A，武田さくら^A，B，加藤有香子^A，吉川雅章^A，大門寛^A，B

73

水素終端Si(111)単二重層ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算
NTT物性基礎研　影島博之，藤原聡

74

角度分解光電子分光によるSiサブバンド分散：入射光方位依存性
奈良先端大物質創成^A，JST-CREST^B　武田さくら^A，B，桑子敦^A，森田誠^A，吉川雅章^A，大門寛^A，B

75

極低温・強磁場印加型独立駆動マルチプローブシステムの開発
東大理，東大物性研　宮田伸弘，成田尚司^A，平原徹，長谷川修司，松田巌^A

76

Alナノクラスター表面相上のCoクラスターの原子・電子構造研究
東大物性研，広大放射光セ^A，広大理^B　成田尚司，仲武昌史^A，何珂，松田巌，木村昭夫^B，生天目博文^A，谷口雅樹^A，奥田太一，柿崎明人

77

Si(001)表面における電子線励起欠陥形成過程の実時間反射分光
横国大工，防衛大^A　三戸部史岳，大野真也，滝澤純一，小泉順也，為谷亮太，鈴木隆則^A，首藤健一，田中正俊

78

Ruシリサイドの形成と局所電子状態の測定
横国大工，NHK技研^A　小林直人，寅丸雅光，大野真也，首藤健一，宮本泰敬^A，河村紀一^A

79

Pb吸着Si(111)4×1-In表面でのホールサブバンドのARPES測定
奈良先端大物質創成^A，CREST-JST^B　吉川雅章^A，森田誠^A，武田さくら^A，B，大門寛^A，B

80

EELSによるシリコン表面上における金属原子鎖の一次元プラズモンの研究
物材機構^A，ICORP JST^B，岩手大工^C　劉燦華^A，稲岡毅^C，柳沼晋^A，中山知信^A，B，青野正和^A，B，長尾忠昭^A，B

81

Mn吸着したSi(111)√3×√3-Ag表面のSTMおよび光電子分光測定II
東大理，千葉大先進^A，東大物性研^B　高瀬恵子，中山泰生^A，奥田太一^B，原沢あゆみ^B，松田巌^B，平原徹，長谷川修司

82

New two-dimensional display-type electrostatic analyzer
奈良先端大物質創成^A，CREST-JST^B　Laszlo TOTH^B，松田博之^B，清水達也^A，松井文彦^A，B，大門寛^A，B

83

金とSを含むアミノ酸およびS化合物の金属−分子界面結合状態について
原子力機構量子ビーム　本田充紀，馬場祐治，平尾法恵，成田あゆみ，下山巌，関口哲弘

84

Pt(111)-アルカンチオール系における吸着誘起準位
東大院総合文化，阪大産研^A　青木優，小井出祐一，増田茂，森川良忠^A

85

磁性原子対吸着系のSTS測定と電子相関効果
阪大院工^A，阪大理^B　南谷英美^A，中西寛^A，Wilson Agerico Diño^B，笠井秀明^A

86

取　　消

87

Si(001)2×3-Ag表面上のAg単結晶ワイヤー成長の電子顕微鏡観察
農工大工^A，JST，CREST^B　矢澤博之^A，箕田弘喜^A，B

88

Au_52.5-xCd_47.5Ag_x合金の相転移に及ぼす熱処理効果とサイズ効果
奈良女大理　松岡由貴

89

Ir(111)表面における一酸化窒素の吸着構造II
東大生研^A，阪大理^B　松本益明^A，小倉正平^A，中村純^A，福谷克之^A，岡野達雄^A，岡田美智雄^B

90

窒素吸着銅(001)表面上のC₆₀吸着構造
東大物性研^A，千葉大院自然^B，ケベック大INRS-EMT^C　Lu Bin^A，^○飯盛拓嗣^A，坂本一之^B，中辻寛^A，Federico Rosei^{A, C}，小森文夫^A

91

Cu(001)表面へのCa吸着により形成する（4×4）構造のLEEDによる決定
九大総理工　吉田学史，東相吾，水野清義，栃原浩

92

電界誘起酸素エッチングによる電界放出電子源の先鋭化
九大総理工　Faridur Rahman，今泉幸治，^○水野清義

93

SPE成長したSi（001）−Fe表面のSTM・LEED観察
奈良先端大物質創成^A，CREST-JST^B　染田政明^A，服部賢^A，B，大門寛^A，B

94

Ge(111)表面上のBi薄膜の成長と電子状態
京大院理　大坪嘉之，八田振一郎，奥山弘，有賀哲也

95

分子構造の相違に起因する金属ナフタロシアニン−と金属フタロシアニン−基板間相互作用の違い
千葉大院自然，千葉大院融合^A　浦菜緒，藤井邦治，坂本一之^A，上野信雄^A

96

Si(111)DAS構造の原子間力顕微鏡像のシミュレーション
東大工，早大理工^A　真砂啓，渡邉聡，田上勝規^A，塚田捷^A

97

ZnO面へのMg/B原子の吸着：第一原理計算による表面ダイナミクスの研究
岩手大工，新潟大理^A　西館数芽，吉澤正人，家富洋^A，長谷川正之

98

InPの光電子ホログラフィー
JASRI/SPring-8^A，奈良先端大物質創成^B　松下智裕^A，郭方准^A，加藤有香子^B，稲地加那子^B，酒井智香子^B，成川隆史^B，松井文彦^B，大門寛^B

99

Tl/Ge(111)-(3×1)構造とステップ誘起局所構造のSTM観察
京大院理　大友亮介，宮本早苗，八田振一郎，奥山弘，有賀哲也

100

原子吸着で誘起される表面第二高調波光強度のアルカリ金属原子種(K,Cs)依存性
理研^A，横国大工^B，防衛大応物^C　井上大輔^A，B，唐木陽一^A，B，田中正俊^B，鈴木隆則^A，C

101

微傾斜SiC(0001)表面上に形成する周期的ナノファセット構造
九大総理工^A，東大物性研^B，九大院工^C　林賢二郎^A，白澤徹郎^A，B，水野清義^A，田中悟^C，栃原浩^A

102

In/Si(111)-(4×1)表面上に形成したC₆₀超薄膜の構造と電子状態
東北大院理，東大物性研^A，Linkoping大^B，千葉大院融合^C　馬渡健児，中辻寛^A，小森文夫^A，P.E.J. Eriksson^B，R.I.G. Uhrberg^B，坂本一之^C

103

単結晶サファイヤc面上の超薄膜シュウ酸鉄2水和物の積層構造
JASRI/SPring-8^A，九大理^B，東工大^C，JST-CREST^D　春木理恵^A，D，坂田修身^A，D，山田鉄兵^B，D，金井塚勝彦^B，D，北川宏^B，D，秋田泰志^C，吉本護^C

104

TEM及びCs補正STEMによるAu/TiO₂表面構造の観察
物理学会，東工大院理工^A，CREST^B　佐野健太郎^A，田中崇之^A，B，安藤雅文^A，高柳邦夫^A，B

105

Si(111)7×7表面上におけるL-Tyrosine分子の吸着状態
奈良先端大，CREST-JST^A　吉村真史，松井文彦^A，大門寛^A

22日　PSB2会場　22pPSB　15:30〜17:30

領域9
領域9ポスターセッション

---

1

酸化バナジウムナノメッシュ上のビスマスナノドットへのC₆₀分子の蒸着
名大院工^A，名大エコトピア^B　早崎真治^A，松井恒雄^A，B，柚原淳司^A

2

Au/Si(111)超構造上のベンゼンチオール吸着
奈良先端大，CREST-JST^A　尾野正樹，松井文彦^A，大門寛^A

3

SF分光法によるSAM膜界面の水分子の秩序構造に関する研究
北陸先端大マテリアル　矢地朋広，大杉太佳司，佐野陽之，水谷五郎

4

光電子放出角度分布中のウムクラップ散乱のエネルギー依存性と高速反射電子回折
奈良先端大，CREST-JST^A，立命館大理工^B　田中章泰，松井文彦^A，高橋伸明，難波秀利^B，大門寛^A

5

基板の歪みを考慮した表面吸着構造の理論解析
東大院理　古家真之介，遠藤良，常行真司

6

First Principles Calculations on Dissociative Adsorption of O₂ on Pt/Fe(001)
Dept. of Precision Sci. and Tech. and Applied Physics， Osaka Univ.　Mary Clare Sison Escaño，Tomoya Kishi，Shinichi Kunikata，Hiroshi Nakanishi，Hideaki Kasai

7

Hydrogen migration on CO-covered Pt(111)
Osaka Univ.　Tanglaw Roman，Hiroshi Nakanishi，Hideaki Kasai

8

First Principles Studies on the Effects of Vacancy on H2 Dissociative Adsorption on the Pt(111) Surface
Osaka Univ.　Nelson Buntimil Arboleda Jr.，Hideaki Kasai，Hiroshi Nakanishi

9

原子追跡法の開発と金属表面における単分子の拡散係数の測定
東大生産研　中村純，小倉正平，福谷克之

10

Ir(111)表面におけるAuの拡散
東大生研　小倉正平，中村純，福谷克之

11

Rh(111)における水分子の付着確率と脱離キネティクス
東大物性研，物材機構^A　紅谷篤史，向井孝三，山下良之^A，^○吉信淳

12

高分解能XPSおよび超音速酸素分子線による4H-SiC(0001)表面の酸化過程の研究
コベルコ科研，京大理^A，原研^B　高橋真，^○有賀哲也^A，寺岡有殿^B，吉越章隆^B

13

BL17SU/SPring-8におけるLEEM/PEEM成果報告
JASRI/SPring-8，JAERI/SPring-8^A，OECU^B，RIKEN/SPring-8^C　郭方准，^○斉藤裕児^A，室桂隆之，松下智裕，木下豊彦，小林啓介，渡辺義夫，越川孝範^B，安江常夫^B，大浦正樹^C，竹内智之^C，辛埴^C

14

Cu(111)上におけるIrPPY分子の多層自己組織化成長の低温STM観察
横市大国際総合　高橋智威，篠崎一英，横山崇

15

Cu(111)表面上で成長した一次元Alq₃分子鎖のSTM観察
横浜市大国際総合　井關寛美，篠崎一英，横山崇

16

第一原理計算によるAlポイントコンタクトの電気伝導特性
日大理工，東大工^A，科学技術振興機構CREST^B　田中倫子，古家真之介^A，B，渡邉聡^A，B

17

密度汎関数強束縛法を用いた多端子伝導シミュレータの開発
東大工，CREST-JST　寺澤麻子，多田朋文，渡邉聡

18

水素単分子接合によるポイントコンタクトスペクトロスコピー
筑波大数理物質，学際物質セ　坂口勇也，下岸史明，大塚洋一

19

金クラスターのCO酸化触媒活性に関する密度汎関数計算
物材機構　古賀裕明，大野隆央

20

第一原理によるCdSeクラスターの光吸収スペクトル計算
横国大工　長岡桃子，藤川琢也，石井聡，大野かおる

21

SNOM-KFMを用いたAlq3の表面電位のパターニングとその場観察
理研　尾笹一成，根本茂幸，礒島隆史，伊藤英輔，前田瑞夫，原正彦

22

Fabrication of Pt-Cu bi-metal nanowires by shadow deposition on NaCl(110) templates
Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech.　T. Nguyen，K. Locharoenrat，G. Mizutani

23

Forces on adatoms adsorbed on conductive carbon nanotubes
Dept. of Physics，Tokyo Univ. of Sci.^A，CREST，Japan Sci. and Tech. Agency^B　Yvan Girard，Takahiro Yamamoto，Kazuyuki Watanabe

24

金属原子鎖におけるコンダクタンスの電極・原子鎖間の相互作用による影響
富山大工，兵庫県立大院理^A　大塚泰弘，島信幸^A，馬越健次^A

25

カーボンナノチューブ中の鉄クラスターの磁気構造、原子構造および電子状態
金沢大自然，静岡大工^A　城石裕幸，小田竜樹，藤間信久^A

26

カーボンナノチューブ端における電子状態と磁気モーメント
金沢大自然，静岡大工^A　坂下浩史，小田竜樹，藤間信久^A

27

PドープされたSi原子細線の電子状態と電気伝導特性
科技機構^A，物材機構^B，筑波大数物^C　塚本茂^A，B，中山知信^A，B，C，青野正和^A，B

28

カーボンナノチューブとポリイン分子との相互作用に関する第一原理計算
横国大工^A，アクセラリス^B　桑原理一^A，森里嗣生^B，石井聡^A，大野かおる^A

29

Au/BDT/Au単分子接合の高バイアス破断
京大工，阪大産研^A，京大IIC^B　寺前裕美，筒井真楠^A，黒川修^B，^○酒井明^B

30

グラフェンナノリボンのフォノン伝導に及ぼすSW欠陥の影響−非平衡グリーン関数法と波束法による解析−
東理大理，CREST-JST　諸岡雅弘，高橋徹，山本貴博，渡辺一之

31

グラフェンにおけるアドアトム及びダイマーの第一原理シミュレーション
金沢大自然^A，東大生研^B　橋知史^A，斎藤峯雄^A，B，山下和晃^A

32

Ir(111)表面への氷の作成と、その氷表面での水素のオルソ・パラ転換
東大生研　杉本敏樹，元島勇太，二木かおり，松本益明，福谷克之，岡野達雄

33

水素分子のオルソ・パラ転換における磁場共鳴効果の測定
東大生研　元島勇太，二木かおり，藤原理悟，岡野達雄，福谷克之

34

捻じり振り子法を用いたパラジウム水素系の低温状態の研究
東大物性研，新潟大自^A，ユーリッヒ研究セ固体研^B，長岡高専^C，新潟大工^D　角田友香，中辻良太，安田吉紀，今井彰夫^A，渡辺信嗣^A，R.Mueller^B，A.Penzev，荒木秀明^C，原田修治^D，久保田実

35

軟X線Auger電子回折を用いたO₂/Si（111）7×7の三次元的構造解析
奈良先端大　成川隆史^A，松井文彦^A，B，C，加藤有香子^A，酒井智香子^A，松下智裕^B，郭方准^B，大門寛^A，B，C

---

22日　PSB3会場　22pPSB　15:30〜17:30

領域9
領域9ポスターセッション

---

73

SPE成長させたSi(111)-Feの磁気構造相図
奈良先端大物質創成^A，CREST-JST^B　服部梓^A，服部賢^A，B，片山泰斗^A，大門寛^A，B

74

Co:TiO₂(110)からの磁化誘起SH光強度の方位角依存性
北陸先端大マテ，防衛大^A，理研^B，東工大応セラ研^C　渡邊亮輔，田邨光規，湯浅真擁，八幡佳成，水谷五郎，鈴木隆則^A，瀬川勇三郎^B，松本祐司^C，山本雄一^C，鯉沼秀臣^C

23日　XK会場　23pXK　13:30〜16:30

領域9
微粒子・クラスタ，水素ダイナミクス

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1

Vのバンド間遷移吸収(I)：Vナノ微粒子の光吸収に基づく研究
旭川医大一般教育物理　安濃英治

2

FePt合金クラスターの第一原理計算とモンテカルロシミュレーション
横国大院工　三角祐司，政辻悟，石井聡，大野かおる

3

(CdSe)nナノ粒子の構造と光物性
東北大工，東北大学際セ^A　野田泰斗，粕谷厚生^A，前川英己

4

真空中における低べき型相互作用を持つ分子系の液滴
福岡教育大物理　三谷尚

5

Theoretical analysis of magnetic properties of sandwitch clusters M_n(C₆H₆)_n+1 (M=Ti, V)
北陸先端大融合院　Hongming Weng，尾崎泰助，寺倉清之

---

休憩　（14:45〜15:00)

---

6

Ptクラスターへの水素吸着特性の担持効果
JST-CREST^A，阪大産研^B，産総研ユビキタス^C　岡崎一行^A，森川良忠^A，B，田中真悟^C，香山正憲^A，C

7

取　　消

8

格子緩和効果を考慮したPd(111)表面及び表面内部における水素原子の量子力学的振る舞い
阪大院工，De La Salle大理^A　尾澤伸樹，Nelson B. Arboleda Jr.^A，中西寛，笠井秀明

9

Au(111)への水素分子解離吸着過程におけるエネルギー障壁形成機構
明大理工　高木成幸，円谷和雄

10

Dynamics of H₂(D₂) Desorption from Solid Surfaces- Kinetic Energy Dependence of the Desorption Angle Distribution -
阪大理^A，阪大工^B　Wilson Agerico Dino^A，笠井秀明^B

11

多孔性金属錯体への水素分子吸着とその配置構造の解析
産総研計算科学^A，トヨタ自動車^B　斉藤大明^A，都築誠二^A，^○三上益弘^A，兒玉智巳^B

---

23日　YJ会場　23pYJ　13:30〜17:00

領域9シンポジウム
主題：探針型プローブ-表面間相互作用の新展開

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1

はじめに
慶大理工　山内淳

2

散逸力の分子像(液中AFM)
京大院工　山田啓文

3

超低温STMによる表面電子状態の高分解能計測
東大院理　福山寛

4

ケルビンプローブによる表面界面ポテンシャルマッピング
日立基礎研　平家誠嗣

5

走査型非線形誘電率顕微法による原子スケール像観察
東北大通研　長康雄

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休憩　（15:25〜15:40)

---

6

AFMによる原子のidentification
阪大院工　杉本宜昭

7

STMによる１次元電子状態スイッチ
東大物性研　小森文夫

8

探針試料間の相互作用理論：総括
早大院理工　塚田捷

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24日　TD会場　24aTD　9:00〜12:15

領域10，領域9合同
格子欠陥・ナノ構造

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1

水素誘起による金属中の多量空孔生成III：closed systemのモンテカルロ・シミュレーション
中央大理工　杉本秀彦，深井有

2

水素原子スパッタリング時のグラファイト表面の定常状態の分子動力学シミュレーション
名大理，核融合研^A　伊藤篤史，中村浩章^A

3

LaNi₅における空孔の安定性と水素トラップ能に関する第一原理計算
阪大工　水野正隆，荒木秀樹，白井泰治

4

低速陽電子ビームによるNi(111)水素吸着表面での再放出特性
東京学芸大物理，東大生産研^A，東大物性研^B　有井新之助，^○広田幸二，駒形栄一，金沢育三，福谷克之^A，野澤清和^B，小森文夫^B

5

水素吸放出繰返により形成された格子欠陥によるLaNi₅の劣化
阪大工，阪大院生^A　荒木秀樹，河林毅^A，水野正隆，白井泰治

6

Ag表面におけるオルソーパラ転換時間の同位体依存性
東大生研　二木かおり，松本益明，福谷克之，岡野達雄

---

休憩　（10:30〜10:45)

---

7

希土類金属二水素化物の圧力誘起分解現象
原子力機構放射光　町田晃彦，大村彩子，綿貫徹，青木勝敏

8

高圧力下におけるα-AlH₃の赤外分光測定
東北大工，東北大金研^A，原子力機構^B　大村彩子^A，中森裕子^A，折茂慎一^A，町田晃彦^B，青木勝敏^B

9

水素によるNiナノ粒子の構造相転移
九大院理^A，JST-CREST^B　副島奈津美^A，小林浩和^A，山内美穂^A，北川宏^A，B

10

Ruナノ粒子の水素吸蔵特性におけるサイズ効果
九大院理^A，JST-CREST^B　小坪正信^A，山内美穂^A，北川宏^A，B

11

ポリマー被覆Pdナノ粒子に吸蔵された水素の中性子散乱
九大院理^A，東大物性研^B，JST-CREST^C　山内美穂^A，北川宏^A，C，山室修^B，C

12

ポリマー保護Pd_x/M_(1-x)合金ナノ粒子(M=Ir, Pt, Au)の水素吸蔵特性
九大院理^A，JST-CREST^B　小林浩和^A，山内美穂^A，北川宏^A，B

---

24日　XB会場　24aXB　9:00〜12:25

領域9
表面界面電子物性

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1

放射光励起STMによる元素分析
東大物性研，東北大金研^A，JASRI^B　江口豊明，奥田太一，松島毅，片岡章，原沢あゆみ，秋山琴音^A，木下豊彦^B，長谷川幸雄

2

低温走査トンネル顕微鏡を用いたNi(111)の表面電子状態の研究
広大院理^A，広大放射セ^B　西村洋祐^A，成田尚司^A，掛谷満^A，仲武昌史^B，木村昭夫^A，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B

3

イオン伝導体を用いた原子スイッチの界面構造・電子状態に関する第一原理計算
東大院工　多田朋史，王中長，谷廷坤，渡邉聡

4

単一有機分子の電気伝導に関する理論的研究
産総研−計算科学，JST-CREST　島崎智実，浅井美博

5

Ti/Si(001)表面における局所電子状態の解析
横国大工　寅丸雅光，小間大弘，飯田貴則，佐藤和成，大野真也，首藤健一，田中正俊

6

PtIr被覆カーボンナノチューブ探針を用いたSi(111)-√3×√3 -Ag表面の電気伝導測定
東大理　吉本真也，北岡佑介，保原麗，平原徹，長谷川修司

---

休憩　（10:30〜10:45)

---

7

領域９における第1回若手奨励賞受賞者選考経過
兵庫県立大物質理　馬越健次

8

金属表面を利用した新規ナノ構造の作製および新たな表面・界面物性の探索
北大理　木口学

9

Si反転層中の価電子サブバンド分散の実験的決定
奈良先端大物質　武田さくら

10

表面超構造のフェルミ面、電子輸送現象、そして量子薄膜の電子物性制御
東大物性研　松田巌

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24日　XK会場　24aXK　9:00〜10:30

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ，表面ナノ構造量子物性

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1

CVD法により成長したカーボンナノウォールの電子分光
東大院新領域　白山和久，圓谷志郎，薬袋裕介，池田進，佐々木岳彦，斉木幸一朗

2

ポリ20面体Siナノワイヤーの第一原理電子状態計算
産総研計算科学，北陸先端大融合院^A　西尾憲吾，尾崎泰助^A，森下徹也，篠田渉，三上益弘

3

ヘリカル金ナノワイヤ形成過程の2段階モデルとシミュレーション
東大工，鳥取大工^A，CREST-JST^B，東大大総セ^C，東大物理工^D　井口雄介，^○星健夫^A，B，藤原毅夫^C，D，B

4

電極間分子架橋系の電流特性における溶媒効果に関する理論的研究II
東大工，科学技術振興機構CREST　俵有央，多田朋史，渡邉聡

5

吸着In原子に束縛されたInAs表面状態間の相互作用
NTT物性基礎研^A，LPN-CNRS^B，東工大^C　蟹澤聖^A，Simon Perraud^A，B，藤澤利正^A，C

6

Pb超薄膜の高分解能角度分解光電子分光
東北大院理^A，CREST^B，東北大多元研^C，清崋大^D　Y.J. Sun^A，田子豊^A，菅原克明^A，相馬清吾^A，B，佐藤宇史^A，Y.F. Zhang^C，Q.K. Xue^D，高橋隆^A

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24日　TA会場　24pTA　13:00〜13:45

領域10，領域9，領域12
格子欠陥・ナノ構造

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1

タンパク質結晶の転位と力学的性質
横市大院国総科　小島謙一

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24日　XJ会場　24pXJ　13:30〜16:30

領域9
表面界面電子物性

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1

微傾斜Si表面上に形成されるPb原子鎖の構造と電子状態
Yonsei大物理　守川春雲，Keun Su Kim，Han Woong Yeom

2

Pb/Si(111), Sn/Si(111)表面の相転移に伴う表面電子状態変化
岡理大工，岡理大総情^A　垣谷公徳，加地博子，矢城陽一朗^A，長永伸剛

3

相補的な半導体界面の電子透過
お茶大理　小林功佳

4

歪みSi薄膜における有効質量異常の物理的起源：第一原理的研究
慶大理工　山内淳

5

Si(111)表面上に形成したGdシリサイド超薄膜の電子構造
千葉大院自然，MAX-Lab^A，千葉大院融合^B，Linkoping大学^C　今井彩子，大岩みか，M.Adell^A，上野信雄^B，R.I.G.Uhrberg^C，坂本一之^B

6

Pb吸着Ag超薄膜の量子井戸状態の研究
東大理　平原徹，小森田拓，佐藤礼奈，長谷川修司

---

休憩　（15:00〜15:15)

---

7

Si(111)-β-√3×√3 Bi表面における2次元電子状態のSTM観察
物材機構，科技構ICORP^A，筑波大院数物^B　長岡克己^A，柳沼晋^B，長尾忠昭^A，中山知信^A，B

8

帯状表面電子系に生ずるプラズモン：1次元性と2次元性
岩手大工，物材機構^A，ICORP JST^B　稲岡毅，長尾忠昭^A，B

9

Si(111)一次元表面超構造上のAg薄膜の量子井戸状態
東大物性研　奥田太一，武市泰男，何珂，原沢あゆみ，松田巌，柿崎明人

10

シリコン表面極浅ドープボロン原子の内殻発光分光による電子状態観測
理研SPring-8^A，電通大量子物質^B，東工大総理工^C，東工大フロンティア研^D，ユー・ジェー・ティー・ラボ^E，東大物性研^F　原田慈久^A，中村仁^B，角嶋邦之^C，服部健雄^D，岩井洋^D，金成国^E，佐々木雄一朗^E，水野文二^E，辛埴^A，F

11

Ti/Si(001)表面における拡散過程の解析
横国大工，東大物性研^A　大野真也，寅丸雅光，九鬼隆良，山崎紀明，中山史人，首藤健一，田中正俊，奥田太一^A，原沢あゆみ^A，松田巌^A，柿崎明人^A

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24日　XK会場　24pXK　13:30〜16:45

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ

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1

低温真空中における金属単原子・単一分子接合の伝導度測定装置の開発
北大院理^A，JSTさきがけ^B　木口学^A，B，村越敬^A

2

単一分子伝導における電場遮蔽・バイアス降下についての理論研究
NECナノエレ研^A，筑波大物工^B，CREST-JST^C　広瀬賢二^A，C，小林伸彦^B，C

3

4,4'ビピリジン単一分子接合の電気伝導度の電気化学電位依存性
北大院理^A，JSTさきがけ^B　橋本邦男^A，小西達也^A，木口学^A，B，村越敬^A

4

Au電極間を架橋した非対称単一分子の電気伝導度測定
北大院理^A，アリゾナ州立大^B，JSTさきがけ^C　小西達也^A，増田卓也^B，Fang Chen^B，木口学^A，C，N.J. Tao^B，村越敬^A

5

帰還回路によってコンダクタンスを制御したAuナノ接点の電子顕微鏡観察
筑波大院数理，筑波大物質工^A，科技機構^B　松田知子，門奈広祐，木塚徳志^A，B

6

帰還回路によってコンダクタンスを制御した白金ナノ接点の電子顕微鏡観察
筑波大数理^A，科技機構^B　門奈広祐^A，松田知子^A，木塚徳志^A，B

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休憩　（15:00〜15:15)

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7

金の複数原子鎖における整数量子化
東工大理^A，東工大総理工^B，日立機械研^C，JST-CREST^D　久留井慶彦^A，大島義文^B，岡本政邦^C，高柳邦夫^D

8

真空中で作製した単一分子接合系の伝導度計測
北大院理^A，JSTさきがけ^B　関口信郎^A，木口学^A，B，村越敬^A

9

単一分子系の非弾性電流の第一原理計算と導波管効果
東大院工　中村恒夫

10

電極に挟まれた単分子の伝導特性−電子・フォノン相互作用の効果−
東大生研^A，物材機構^B　近藤恒^A，B，大野隆央^B，A

11

ナノポーラスAuの伝導現象
東北大金研強磁場セ，東北大金研国際フロンティアセ^A　岡田宏成，藤田武志^A，銭立華^A，小山佳一，渡辺和雄，陳明偉^A

12

金属単結晶表面上におけるカーボンナノチューブの局所電子状態
東大理，東大新領域^A　金有洙，Hyung-Joon Shin，Sylvain Clair^A，川合真紀^A

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