領域4

21日　RJ会場　21aRJ　11:40～12:30

領域12，4，9合同招待講演

8: DYNAMICS ON THE NANOSCALE: Time-domain ab initio studies of carbon nanotubes, quantum dots, and molecule-semiconductor interfaces
University of Washington　PrezhdoOleg

21日　TG会場　21aTG　9:00～12:15

領域4
量子細線，量子井戸・超格子，輸送現象

1: GaSb/InAs量子井戸における2次元正孔状態密度の低温STSイメージング
NTT物性基礎研^A，LPN-CNRS^B　鈴木恭一^A，蟹澤聖^A，ペロシモン^A，B，藤澤利正^A

2: Influence of quantum confinement on donor bound states: a scanning tunneling spectroscopy study
NTT Basic Res. Labs.，NTT Corp.^A，LPN，CNRS， France^B　S. Perraud^A，B，K. Kanisawa^A，Z.Z. Wang ^B，T. Fujisawa^A

3: 熱電変換材料としての遷移金属ケイ化物の研究
東理大　江口泰正

4: 第一原理計算によるハーフホイスラー合金の熱電特性の評価
東理大理工　舩島洋紀，浜田典昭

5: 乱れた短周期超格子における磁気破壊
東工大理　塚原宙，安藤恒也

6: Controlling electron correlations with an ac-gate voltage
Tohoku Univ.^A，NTT Basic Res. Labs.^B　Wataru Izumida^A，^○Jens Tobiska ^B

休憩　（10:30～10:45)

7: 非対称形状をもつ量子ドットに於ける共鳴トンネリングの透過過程
早大先進理工　木下健志，奥西拓馬，杉山功太，武田京三郎

8: 不規則性が導入されたグラファイトリボンにおける局在状態
北大院工　堀雅人，西野信也，矢久保考介

9: スピン軌道相互作用のある量子細線の散乱理論
NTT物性基礎研　都倉康弘

10: 超伝導ナノ結晶における輸送現象測定
北大院工　稲垣克彦，延兼啓純，丹田聡

11: 1次元系多体効果における細線長・形状依存性
千葉大工，ニューヨーク州立大^A　森本崇宏，湯本昇，氏家洋平，青木伸之，J.P.バード^A，落合勇一

12: 極低温における量子ポイントコンタクトのショットノイズ測定
京大化研　橋坂昌幸，中村秀司，山内祥晃，葛西伸哉，小野輝男，小林研介

21日　TH会場　21aTH　9:15～12:00

領域4
量子ホール効果

1: InAs/AlGaSbAs電子・正孔共存系の量子ホール効果
千葉大理，山口東理大^A，旭化成^B　吉田高英，石原知幸，音賢一，石田修一^A，岡本敦^B，柴崎一郎^B

2: ポッケルス効果による量子ホール系の電流分布測定
千葉大院自然，千葉大理^A　金子志行，稲葉龍，音賢一^A

3: Kerr効果による量子ホール状態のスピン分極測定と奇数占有数（ν=3）近傍でのSkyrmionの検証
千葉大院自然，千葉大院理^A，東北大院理^B，NTT物性基礎研^C　山崎剛資，福岡大輔^A，音賢一^A，室清文^A，平山祥郎^B，熊田倫雄^C，山口浩司^C

4: 奇数占有数量子ホール状態における電子スピンコヒーレンス増大の観測
千葉大院理，千葉大院自然^A，東北大院理^B，NTT物性基礎研^C　福岡大輔，田中直樹^A，山崎剛資^A，音賢一，室清文，平山祥郎^B，山口浩司^C

5: 1次元的ポテンシャル変調を加えた2次元電子系のシュブニコフ・ド・ハース振動
東大物性研　遠藤彰，家泰弘

休憩　（10:30～10:45)

6: 高移動度シリコン2次元電子におけるランダウ準位交差と電気伝導の巨大異方性
東大理，武蔵工大総研^A　當山清彦，西岡貴央，岡本徹，澤野憲太郎^A，白木靖寛^A

7: InSb劈開表面における量子ホール効果と熱処理効果
東大理　枡富龍一，日尾真之，望月敏光，岡本徹

8: 量子ホール遷移領域における抵抗揺らぎとAB型振動
東大物性研　加藤雅紀，遠藤彰，勝本信吾，家泰弘

9: Electronic interference in Quantum Hall edge state regime through an Aharonov-Bohm's ring
Komiyama's Lab.，Dept. of Basic Sci.，University of Tokyo　B. Chenaud，C. Chaubet，D. Mailly，S. Komiyama

10: 層状物質eta-Mo₄O₁₁が示すパルス強磁場下でのカイラル表面状態
東大物性研，山形大理^A，JAISTマテリアル^B　菅健一，金道浩一，大西彰正^A，佐々木実^A，小矢野幹夫^B

21日　TG会場　21pTG　13:30～17:00

領域4
量子井戸・超格子

1: Theoretical Study on Gain Characteristics of Semiconductor Quantum Wire Lasers
CREST-JST^A，阪大理^B，東大物性研^C　ふあい平^A，B，小川哲生^A，B，吉田正裕^A，C，秋山英文^A，C

2: T型量子細線レーザーでのキャリア密度増加にともなう光学利得の増大と抑制効果
東大物性研^A，阪大理^B，CREST(JST)^C，アルカテル・ルーセント・ベル研^D　吉田正裕^A，C，岡野真人^A，C，井原章之^A，C，秋山英文^A，C，ふあい平^B，C，小川哲生^B，C，Loren Pfeiffer^D，Ken West^D

3: 光励起及び電流注入によるT型量子細線の利得スペクトル測定
東大物性研，CREST-JST，ルーセントベル研^A　岡野真人，劉舒曼，吉田正裕，秋山英文，Loren N.Pfeifer^A，Ken W.West^A

4: 5nmGaAs/AlAs量子井戸の界面平坦化と発光線幅
東大物性研，CREST(JST)，ルーセント・ベル研^A　丸山俊，吉田正裕，伊藤弘毅，秋山英文，Loren N.Pfeiffer^A，Ken W.West^A

5: パルス駆動によるInGaAsP/InP量子井戸レーザーダイオードの利得吸収スペクトル評価
東大物性研，CREST JST　稲田智志，吉田正裕，秋山英文

6: InP/InAs/InP コアマルチシェル型ナノワイヤの励起子過程
筑波大数理，北大量集セ^A　後藤健，ビプルパル，舛本泰章，プリミーラモハン^A，本久順一^A，福井孝志^A

休憩　（15:00～15:15)

7: 低電子密度領域二次元電子系発光による電子・正孔有効質量の増大の検出
筑波大物質創成^A，NTT物性基礎研^B，CREST-JST^C，NTT-AT^D，東北大理^E，SORST-JST^F　野村晋太郎^A，B，C，山口真澄^B，C，田村浩之^B，C，赤崎達志^B，C，丸山達朗^D，宮下宣^D，平山祥郎^E，F

8: 非ドープGaAs量子井戸の中性励起子と荷電励起子
NTT物性基礎研^A，CREST-JST^B，筑波大物質創成^C，NTT-AT^D，東北大理^E　山口真澄^A，B，野村晋太郎^A，B，C，田村浩之^A，B，赤崎達志^A，B，丸山達朗^D，宮下宣^D，平山祥郎^E

9: YbドープGaAs/AlGaAsへテロ構造の発光、輸送特性
物材機構　高増正，海津利行，今中康貴，竹端寛治

10: 超強磁場サイクロトロン共鳴を用いたInGaAs/AlAs超格子のΓ-Xクロスオーバ現象解析
阪大低温セ，阪大院工^A，東大物性研^B　百瀬英毅，岡井宏樹^A，森藤正人^A，森伸也^A，近藤正彦^A，嶽山正二郎^B

11: GaAs/AlAs超格子における弱局在条件でのブロッホ振動
阪市大院工，阪府大院理^A　長谷川尊之，溝口幸司^A，中山正昭

12: 電場変調反射分光法によるInGaN/AlGaN量子井戸構造における内部電場の評価
阪市大院工，豊田合成^A　坂口薫，中井真仁^A，安藤雅信^A，上村俊也^A，中山正昭

13: GaAsに格子整合したInGaAsN/GaAs量子井戸構造のタイプ-IIポテンシャル構造の検証
阪市大院工，住友電工伝送デバイス研^A，住友電工半導体技研^B　柳沼隆太，橋本淳，山田隆史^A，石塚貴司^B，中山正昭

21日　TH会場　21pTH　13:30～16:45

領域4
量子ホール効果

1: 量子ホール系におけるスピン偏極不安定性
上智大理工　吉澤香奈子，高柳和雄

2: 超対称量子ホール効果におけるラフリン状態とパフィアン状態の統一
詫間電波高専　長谷部一気

3: ν=2およびν=2/3量子ホール系におけるスピンドメインの形成
東北大理　柴田尚和，野村健太郎

4: ν=2/3状態のスピン相転移点における核スピン緩和時間の面磁場方向依存性
京大院理，東北大院理^A，京大低物セ^B，NTT物性基礎研^C　岩田一樹，森野正行^A，福田昭^B，江澤潤一^A，熊田倫雄^C，平山祥郎^A，澤田安樹^B

5: 電子スピンを介した高周波電場によるNMR
NTT物性基礎研，東北大理^A，NTT-AT^B　熊田倫雄，鎌田雄仁^A，平山祥郎^A，宮下宣^B，藤澤利正

6: GaAs基板におけるNMRスペクトルの四重極分離
新潟大自然，新潟大工^A，SORST-JST^B，新潟大超域^C，東北大理^D　佐藤真哉，金子雅一，工藤将倫，N. Hassan，佐々木進^A，B，C，平山祥郎^D

休憩　（15:00～15:15)

7: 量子ホール効果ブレークダウンの動的核スピン偏極効率
東大生産研^A，東大物性研^B，東大ナノ量子機構^C　小野雅司^A，川村稔^A，高橋裕之^A，橋本義昭^B，勝本信吾^B，C，浜屋宏平^A，町田友樹^A，C

8: 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピンの偏極と制御
東大生産研^A，東大物性研^B，東大ナノ量子機構^C　高橋裕之^A，川村稔^A，小野雅司^A，橋本義昭^B，勝本信吾^B，C，浜屋宏平^A，町田友樹^A，C

9: ν=2/3分数量子Hall状態を用いた細線中での動的核スピン偏極
NTT物性基礎研^A，東北大理^B，SORST-JST^C　小林嵩^A，B，太田剛^A，熊田倫雄^A，佐々木智^A，B，平山祥郎^B，C

10: Spin effects in the nu=1 bilayer system: a clue to the nature of the compressible-incompressible phase transition.
NTT Basic Res. Labs.　P. Giudici，K. Muraki，N. Kumada，Y. Hirayama，T. Fujisawa

11: 2層系ν＝1量子ホール状態における磁気抵抗異常
京大低物セ，京大院理^A，東北大院理^B，NTT物性基礎研^C　福田昭，岩田一樹^A，関川貴史^A，小笠原良晃^A，新井敏一，熊田倫雄^C，平山祥郎^B，江澤潤一^B，澤田安樹

12: 2層系ν＝1/3量子ホール状態における層間電子密度差に応じた活性化エネルギーの連続変化
京大院理，京大低物セ^A，NTT物性基礎研^B，東北大院理^C　関川貴史，福田昭^A，岩田一樹，新井敏一^A，熊田倫雄^B，平山祥郎^C，江澤潤一^C，澤田安樹^A

22日　TG会場　22aTG　9:00～12:15

領域4
磁性半導体

1: 希薄磁性半導体(Ga,Mn)Asの磁気状態に関する量子モンテカルロ解析
東北大金研^A，CREST-JST^B　友田良寛^A，Nejat Bulut^A，B，前川禎通^A，B

2: 第一原理計算を用いた希薄磁性半導体における磁気励起の研究
阪大産研　福島鉄也，佐藤和則，吉田博

3: TiO₂ベース希薄磁性半導体の第一原理計算
阪大産研　木崎栄年，豊田雅之，佐藤和則，吉田博

4: Materials Design of MnX-based (X=Te, Se, As) Magnetic Semiconductor
Dept. of Physics，Grad. Sch. of Sci.，Osaka Univ.　Nguyen Hoang Long，Hisazumi Akai

5: 強磁場における半導体ファラデー回転分光
物材機構　今中康貴，竹端寛治，高増正，木戸義勇

6: デラフォサイト型磁性半導体CuAl_1-xM_xO₂合成の試み（M = 3d遷移金属）
筑波大数理，物材機構^A　八巻和宏，茂筑高士^A，掛谷一弘，門脇和男

休憩　（10:30～10:45)

7: CdTe/CdMnTe分数層超格子における異方的なZeemanシフト
神戸大院工，甲南大理工^A，CNRS^B　原田幸弘，喜多隆，和田修，安藤弘明^A，H. Mariette^B

8: 希薄磁性半導体量子井戸におけるMnイオンを介した電子スピン緩和：磁場中ポンププローブ分光
東北大多元研　斎藤一矢，朴志晧，相馬出，村山明宏

9: 希薄磁性半導体二重量子井戸におけるスピン偏極励起子トランスファーダイナミクス
東北大多元研　朴志晧，斉藤一矢，相馬出，村山明宏

10: II-VI族希薄磁性半導体Zn_1-xCr_xTeの局所的電子構造
東大理^A，理研^B，東大新領域^C，原子力機構/SPring-8^D，JASRI^E，NSRRC^F，広大先端物質^G，産総研^H　小林正起^A，石田行章^B，黄鐘日^C，宋敬錫^A，藤森淳^A，C，竹田幸治^D，寺井恒太^D，藤森伸一^D，岡根哲夫^D，斎藤祐児^D，山上浩志^D，小林啓介^E，C.-S. Yang^F，L. Lee^F，H.-J. Lin^F，D.-J. Huang^F，C.T. Chen^F，田中新^G，齋藤秀和^H，安藤功兒^H

11: 強磁性Mn:SiC化合物の光電子分光およびX線吸収分光
東大理^A，東大新領域^B，原子力機構放射光^C，産総研^D　宋敬錫^A，小林正起^A，黄鐘日^B，藤森淳^A，大河内拓雄^C，竹田幸治^C，寺井恒太^C，藤森伸一^C，岡根哲夫^C，斎藤祐児^C，山上浩志^C，高野史好^D，秋永広幸^D

12: イオン注入法により作製したMnドープ3C-SiCの構造と磁性
産総研ナノテク，高輝度セ^A，原子力機構^B　高野史好，王文洪，大渕博宣^A，菱木繁臣^B，大島武^B，秋永広幸

22日　TH会場　22aTH　9:00～12:30

領域4
量子ホール効果

1: Conductance in novel Chalker-Coddington network model1 multilayer system
上智大理工，阪大理工^A　廣瀬亘祐，小林浩二，大槻東巳，K. Slevin^A

2: Conductance in novel Chalker-Coddington network model 2 - point-contact conductance -
上智大理工，阪大理工^A　小林浩二，廣瀬亘祐，大槻東巳，K. Slevin^A

3: Conductance plateau transitions in quantum Hall wires－Analysis of individual samples－
東邦大理，上智大理工^A，Univ. of Hamburg^B，Univ. of Kaiserslautern^C，Int. Univ. Bremen^D　河原林透，小野嘉之，大槻東巳^A，S.Kettemann^B，A.Struck^C，B.Kramer^D

4: プラトー転移点におけるsurface multifractalityと共形不変性
理研　小布施秀明，古崎昭

5: 量子ホール系の熱流体力学によるスピン流とスピン偏極の計算
北大工　明楽浩史

6: 量子ホール系でのラフリンの議論に関する非断熱効果
東大物工^A，筑波大物理^B　丸山勲^A，初貝安弘^A，B

休憩　（10:30～10:45)

7: 多層グラフェンにおける軌道磁性
東理大理，東工大理^A，東大物性研^A　中村正明，平澤梨良^A

8: 磁場中のグラフェンの電磁応答と実効ゲージ理論
京大基研　静谷謙一

9: 有効質量近似に依らないグラフェンのランダウ量子化
東北大理，東大理^A　中島龍也，青木秀夫^A

10: 磁場中グラフェンにおけるサイクロトロン発光の理論
東大理，筑波大物理^A，東大工^B　森本高裕，初貝安弘^A，B，青木秀夫

11: グラフェンのN=0ランダウ準位におけるボンド秩序形成とトポロジカル励起
筑波大物理^A，東大物工^B，茨城大物理^C，東大物理^D　初貝安弘^A，B，福井隆裕^C，青木秀夫^D

12: 螺旋面上の量子ホール効果
東大理　森本高裕，岡隆史，^○青木秀夫

13: Jahn-Teller effect and charge fractionaliztion of graphene
東大物性研，Univ. Paris-Sud^A　甲元眞人，^○Jacques Friedel^A

22日　PS会場　22aPS　10:00～12:00

領域4
領域4ポスターセッション

116: 量子ポイントコンタクトの極低温における伝導度測定
京大化研　中村秀司，橋坂昌幸，山内祥晃，葛西伸哉，小野輝男，小林研介

117: 取　　消

118: 第一原理によるフラーレンポリマーの電子状態計算
阪大院工　北島秀樹

119: 朝永-Luttinger液体の不純物問題に関する相図の解析
東大理，東大物性研^A　濱本雄治，加藤岳生^A

120: CNT低温磁気伝導における位相干渉長
千葉大融合　川村高洋，中村義英，羽鳥哲夫，青木伸之，^○落合勇一

121: 超伝導MBJによる水素単分子接合の伝道特性
筑波大物質科学セ^A，筑波大数理物質^B　下岸史明^A，坂口勇也^B，大塚洋一^A，B

122: 超伝導磁束量子ビットのSQUIDによる状態測定
広大先端　坪井和樹，松村徹，八木隆多

123: 固体中陽電子寿命の第一原理計算
金沢大自然^A，東大生研^B，富士通研^C，日立機研^D　中本淳嗣^A，斎藤峯雄^A，B，山崎隆浩^B，C，岡本政邦^B，D

124: グラフェンのバリスティック熱伝導特性
電通大　齋藤浩一，中村淳，^○名取晃子

125: 軌道自由度を有した量子ドット系における非平衡近藤効果と輸送
阪大院工^A，京大院理^B　阪野塁^A，川上則雄^A，B

126: 多重量子ドット系における輸送特性の解析
阪大工　辻真人，阪野塁，菅誠一郎

127: 横型2重量子ドットにおける電子移動のポテンシャル依存性
成蹊大理工　楠本英子，坂本昇一，富谷光良

128: 電界閉じ込め量子ドットに励起された励起子の電子－正孔乖離過程の解析
CREST-JST^A，産総研ナノテク^B，東北大通研^C　力武克彰^A，B，今村裕志^A，B，小坂英男^A，C

129: 三角形量子井戸固有状態の厳密解法
早大先進理工　木下健志，^○武田京三郎

130: 振動電場で駆動される量子ドット配列における電気伝導
阪府大院工　野場賢一

131: Type-IIバンド構造を持つCd(Te,Se)/ZnSe自己組織化量子ドットにおける励起子スピン緩和
東北大多元研，イオッフェ物理研^A　押野成人，古田稔明，A. Toropov^A，村山明宏

132: ハーフメタル／絶縁体ヘテロ構造における磁気抵抗の第一原理計算
東北大通研　阿部和多加，三浦良雄，白井正文

133: 同時ドーピング法によるスピノダル分解の制御と希薄磁性半導体のマテリアルデザイン
阪大産研　佐藤和則，福島鉄也，豊田雅之，木崎栄年，ディンバンアン，吉田博

134: LDA+SIC法による磁性半導体の電子構造の計算
阪大産研，阪大理^A　豊田雅之，赤井久純^A，佐藤和則，吉田博

135: 超強磁場における二次元荷電励起子の振る舞い
東大物性研，ポーランド科学アカデミー物理研^A　平山康博，嶽山正二郎，金道浩一，G.Karczewski^A，T.Wojtowicz^A，J.Kossut^A

136: 光子スピン量子状態転写のためのg因子制御量子井戸構造における光応答特性
東北大通研^A，CREST-JST^B，理研^C　今野貴支^A，久津輪武史^B，桑原真人^B，大野圭司^C，A，三森康義^A，B，小坂英男^A，B，枝松圭一^A

137: 光子から電子スピンへの量子状態転写－スピン状態トモグラフィーの検討
東北大通研^A，CREST-JST^B　稲垣卓弘^A，久津輪武史^B，三森康義^A，B，小坂英男^A，B，枝松圭一^A

22日　TG会場　22pTG　13:30～16:45

領域4
微小接合

1: 超伝導－常伝導トンネル接合における過剰電流：準粒子注入の影響
広大院先端　高根美武

2: d-dotを用いた論理回路のシミュレーションII
阪府大工^A，東北大金研^B，原子力機構計セ^C，JST-CREST^D，理研^E　中島督^A，D，加藤勝^A，D，小山富男^B，D，町田昌彦^C，D，石田武和^A，D，F. Nori^E

3: 相対論的ジョセフソン・ブリーザーの量子崩壊
広大院総合科，広大院先端物質^A　藤井敏之，西田宗弘^A，畠中憲之

4: 超伝導位相量子ビットにおける量子絡み合い状態の生成
広大院総合科，理研フロンティア^A　松尾繁政，Sahel Ashhab^A，藤井敏之，Franco Nori^A，永井克彦，畠中憲之

5: Bi系固有ジョセフソン接合のパルスバイアスによるスイッチング特性
産総研^A，名大工^B　柏谷裕美^A，松本哲朗^A，柏谷聡^A，柴田肇^A，永崎洋^A，吉田良行^A，川畑史郎^A，田仲由喜夫^B

6: ジョセフソンインダクタンスによって結合した超伝導電荷量子ビットにおけるスペクトロスコピー測定
NECナノエレ研^A，理研フロンティア^B，CREST-JST^C　山本剛^A，B，C，渡部道生^B，Yuri Pashkin^B，Oleg Astafiev^B，中村泰信^A，B，C，蔡兆申^A，B，C

休憩　（15:00～15:15)

7: 量子ビット非破壊読み出しのための超伝導非線形共振器－回路設計－
理研フロンティア^A，東工大^B，CREST-JST^C，NECナノエレ研^D　渡部道生^A，松葉一顕^B，C，猪股邦宏^A，山本剛^A，C，D，中村泰信^A，C，D，蔡兆申^A，C，D

8: 量子ビット非破壊読み出しのための超伝導非線形共振器－作製と評価－
理研フロンティア^A，東工大^B，CREST-JST^C，NECナノエレ研^D　猪股邦宏^A，松葉一顕^B，C，渡部道生^A，山本剛^A，C，D，中村泰信^A，C，D，蔡兆申^A，C，D

9: 可変結合を持つ2つの磁束量子ビットの量子状態操作
RIKEN^A，VTT^B，CREST-JST^C，NECナノ・エレ研^D　吉原文樹^A，Antti O. Niskanen^B，C，Khalil Harrabi^C，中村泰信^A，C，D，蔡兆申^A，C，D

10: Spin-tunneling by Landau-Zener transitions: exact real time dynamics
RIKEN^A，Univ. of Ulm，Germany^B，Univ. of Freiburg，Germany^C　Lars Kecke^A，C，Joachim Ankerhold^B，C

11: 磁束量子ビットの周波数アドレス読み出しスキーム
NTT物性基礎研　角柳孝輔，仙場浩一

12: Self-cooling of a Micro-mechanical Resonator by Lorentz Force
NTT Basic Res. Labs.　Y.D. Wang，K. Semba，H. Yamaguchi

22日　TH会場　22pTH　13:30～17:15

領域4
量子ドット，光応答

1: ドット間斥力を有する2重量子ドット系II
阪市大理　西川裕規，小栗章

2: 量子ドット結合系におけるDephasing-freeなフォノンの放出
慶大日吉物理，慶大理工^A　植田暁子，江藤幹雄^A

3: 相互作用する量子ドットのACコンダクタンス
理研^A，Forschungszentrum Karlsruhe Inst. fur Nanotechnologie，Univ. Karlsruhe^B　内海裕洋^A，D. Bagrets^B

4: Aharonov-Casher効果とスピン相互作用
ベングリオン大　青野友祐

5: Quantum phase measurements in mesoscopic devices
ベングリオン大学物理，東大物性研　AharonyAmnon

休憩　（15:15～15:30)

6: Lifetime distribution of defect luminescence in hydrogenated amorphous silicon (II)
山口大工　X.Yu，C.Ogihara

7: Nd添加カルコゲナイド非晶質半導体のf-f遷移における圧力効果II
筑波大院数物　松井一生，松石清人

8: 量子ポイントコンタクトによる光励起電荷検出の安定性
東大工^A，ソニー^B，ICORP^C　十時詠吾^A，Alessandro Pioda^A，浅山徹哉^A，B，大岩顕^A，C，樽茶清悟^A，C

9: 円偏光による量子ドット中の電子のスピン制御と核スピンの影響
慶大理工　石川豊史，江藤幹雄

10: 光子スピン量子状態転写のためのg因子制御量子ドット構造における光応答特性
CREST-JST^A，東北大通研^B，理研^C　桑原真人^A，久津輪武史^A，今野貴支^B，大野圭司^C，A，三森康義^B，小坂英男^A，B，枝松圭一^B

11: 光子スピン量子状態転写のためのg因子制御量子ドット構造における量子輸送特性
CREST-JST^A，東北大通研^B，理研^C　久津輪武史^A，桑原真人^A，今野貴支^B，大野圭司^C，A，三森康義^B，小坂英男^A，B，枝松圭一^B

12: 光子から電子スピンへの量子状態転写－ポピュレーション転写からコヒーレンス転写へ2
東北大通研^A，CREST-JST^B，AIST^D，京都工繊大^E　小坂英男^A，B，久津輪武史^B，三森康義^A，B，枝松圭一^A，今村裕志^D，B，力武克彰^B，高河原俊秀^E，B

22日　WA会場　22pWA　13:30～16:55

領域11，領域4合同シンポジウム
主題：コンピュテーショナル・マテリアルズ・デザイン（CMD®）先端研究事例

1: はじめに
広大院・先端　小口多美夫

2: ナノスケール物質の高速現象への応用
ＮＥＣ　宮本良之

3: 第一原理シミュレーションによるナノスケール構造の機能予測
阪大院・工　広瀬喜久治

4: 第一原理計算による構造探索と新機能窒化物の設計
阪大院・基工　草部浩一

休憩　（15:10～15:25)

5: 半導体デバイス開発における第一原理計算の活用
富士通研　金田千穂子

6: 水素クリーンエネルギー基盤技術での計算機マテリアルデザインの展開
阪大院・理　DinoWilson

7: 第一原理計算のＳｉプロセスへの応用と新しい物理量計算手法の開発
ＮＴＴ物性研　影島博之

23日　RA会場　23pRA　13:30～17:00

領域4シンポジウム
主題：グラファイトからグラフェンへ

1: グラファイトとグラフェン
東大　家泰弘

2: グラフェンの電子状態と電気伝導の理論
東工大　安藤恒也

3: グラフェンのエッジ状態と電子物性
広島大　若林克法

4: ナノグラフェンの特異な電子構造と磁性
東工大　榎敏明

休憩　（15:15～15:30)

5: グラフェンにおける量子ホール効果
東北大　野村健太郎

6: 磁場中２次元電子系のＳＴＳ観測　－グラファイトからグラフィンへ－
東大　松井朋裕

7: 超薄膜グラファイトの伝導とゲート電圧効果
筑波大　神田晶申

24日　TG会場　24aTG　9:25～12:15

領域4
半導体スピン物性

1: 領域４若手奨励賞紹介
東大　物工　樽茶清悟

2: スピンホール効果
東大物工　村上修一

3: 2次元正孔系アンチドット格子の磁気抵抗におけるベリー位相の観測
東大物性研　Kang Ning，^○阿部英介，橋本義昭，家泰弘，勝本信吾

4: 2次元正孔系アンチドット格子の整合性磁気抵抗振動
東大物性研　Ning Kang，鈴木一也，橋本義昭，阿部英介，家泰弘，^○勝本信吾

休憩　（10:30～10:45)

5: Rashbaスピン軌道相互作用を有する2次元電子系の磁場誘起電流と電気磁気効果
東大工^A，産総研CERC^B，CREST^C　久我俊市^A，小野田勝^B，C，永長直人^A，B，C

6: 2次元フラットバンド不規則電子系における金属－絶縁体転移
北大院工　西野信也，矢久保考介

7: メゾスコピック系における逆スピンホール効果の数値解析
ハンブルク大，首都大東京^A　大江純一郎，竹内祥人^A，多々良源^A

8: Be/SiデルタドープGaAs構造における強磁性クラスターの形成とKondo効果
北陸先端大マテ研　大塚信雄，D.W. Jung，J.P. Noh，A.Z. M. Touhidul Islam

9: スピン軌道相互作用のある2次元電子ガスの電子輸送現象
名大工　加藤貴志，石川靖人，伊藤博介，^○井上順一郎

10: InPにおける核スピン偏極の転写ダイナミクスII
物材機構ナノ計測セ　後藤敦，清水禎，端健二郎，大木忍

24日　TH会場　24aTH　9:00～12:30

領域4
量子ドット

1: 取　　消

2: 単一自己形成InAs量子ドットのスピン依存伝導特性
東大生産研^A，東大ナノ量子機構^B，東大先端研^C，東工大応セラ研^D　北畠未来^A，浜屋宏平^A，川村稔^A，M. Jung^A，柴田憲治^A，平川一彦^A，B，石田悟己^C，荒川泰彦^A，B，C，谷山智康^D，町田友樹^A，B

3: 2次元チャネルによるInAs自己形成ドットのコンダクタンススペクトロスコピー
東大理，東大生産研^A，東大工^B，ICORP-JST^C　五十嵐悠一，中岡俊裕^A，渡邉克之^A，山本倫久^B，大岩顕^B，荒川泰彦^A，樽茶清悟^B，C

4: 金属ナノギャップ間に挟まれたCdSe半導体ナノ結晶の電気伝導
東理大理^A，理研^B，東大生産研^C，JST-CREST^D　伊藤雅浩^A，B，川村稔^B，C，大野圭司^B，D，池畑誠一郎^A，河野公俊^B

5: 半導体量子ドットにおける励起子スピン注入ダイナミクス：スピン損失メカニズム
東北大多元研，リンショーピン大^A　古田稔明，押野成人，相馬出，D.Dagnelund^A，I.A.Buyanova^A，W.M.Chen^A，村山明宏

6: 超伝導ナノアイランド構造の磁場中走査トンネル分光測定
東大物性研，東理大基礎工^A，東理大理^B　西尾隆宏，安東秀，野村敦士^A，江口豊明，坂田英明^B，長谷川幸雄

休憩　（10:30～10:45)

7: カーボンナノチューブ量子ドットにおけるコトンネリング伝導
理研，Polish Academy of Sci.^A，CREST-JST^B　森山悟士，Jan Martinek^A，布施智子，石橋幸治^B

8: 横結合型量子ドットにおけるクーロン相互作用
東大物性研　大塚朋廣，阿部英介，勝本信吾，家泰弘

9: 量子ドットにおける多準位伝導と電流雑音相関
東大工^A，SORST-JST^B，ハーバード大^C，カリフォルニア大サンタバーバラ校^D，ICORP-JST^E　山本倫久^A，B，Yiming Zhang^C，Leonard DiCarlo^C，Douglas McClure^C，Charles Marcus^C，Micah Hanson^D，Art Gossard^D，樽茶清悟^A，E

10: 横結合縦型3重量子ドットの電気伝導特性
ICORP-JST^A，NTT物性基礎研^B，NRC^C，東大物理工^D　天羽真一^A，羽田野剛司^A，寺岡総一郎^A，久保敏弘^A，都倉康弘^A，B，D.G.Austing^C，樽茶清悟^A，D

11: Measurement of the g factor for different orbital states in the quantum dot
RIKEN，NCTU^A，Univ. of Tokyo^B，SORST-JST^C　S.M. Huang^A，H. Akimoto，K.Kono，J.J. Lin^A，S. Tarucha^B，C，K. Ono^C，

12: Photon polarization to electron spin conversion: Detection scheme, devices and experimental status.
Univ. of Tokyo^A，ICORP-JST^B，Sony Corp.^C　A. Pioda^A，E. Totoki^A，T. Asayama^A，C，A. Oiwa^A，B，S. Tarucha^A，B

13: Probing spin-charge qubit with state dependent tunneling rates
ICORP-JST^A，NTT-BRL^B，Tokyo Univ.^C　M. Pioro-Ladriere^A，Y. Tokura^A，B，T. Obata^A，T. Kubo^A，K. Yoshida^A，S. Tarucha^A，C

24日　TH会場　24pTH　13:30～17:15

領域4
量子ドット

1: 量子ドット系におけるアンドレーエフ反射と非平衡輸送特性
阪大工^A，京大理^B　山田康博^A，田中洋一^A，川上則雄^A，B

2: 超伝導／常伝導リードに繋がれたT字型ダブルドット系の輸送特性
阪大工^A，京大理^B，阪市大理^C　田中洋一^A，川上則雄^A，B，小栗章^C

3: 量子ドット－ジョセフソン接合系の基底状態と擬スピンの対称性
阪市大理，Imperial College^A　小栗章，田中由英，西川裕規，A.C. Hewson^A

4: 準早送り領域と二次元量子ドットの電気伝導
阪市大　増田俊平，中村勝弘

5: メゾスコピック系における非平衡久保公式とHershfieldの密度行列の解析
東大物性研　藤井達也

6: 量子ドット中における不純物の影響についての考察
北大電子研　山形整功，近藤憲治

7: 非一様環境下における電荷量子ビットクラスター状態のロバスト性
東芝研開セ，理研^A，ニューヨーク州立大^B，ミシガン大^C　棚本哲史，Yu-Xi Li^A，X. Hu^B，F. Nori^A，C

休憩　（15:15～15:30)

8: 円状量子ドット内の少数電子の波動関数II
関西学院大理工，阪市大工^A　澤田信一，中村勝弘^A

9: 円－リング複合型量子ドットにおける電子状態とその時間発展
早大先進理工　杉山功太，奥西拓馬，木下健志，武田京三郎

10: 任意形状量子ドットの一様磁場中量子伝導に対するラシュバ効果の影響II
千葉大院自然，千葉大総合メディア^A　宮川悠，植田毅^A

11: 磁場中における横型2重量子ドットの電子移動
成蹊大理工　坂本昇一，西川昌輝，楠本英子，富谷光良

12: 並列結合2重量子ドット系におけるコヒーレントな擬スピンのダイナミクス
ICORP-JST^A，NTT物性基礎研^B，東大工^C　久保敏弘^A，都倉康弘^A，B，樽茶清悟^A，C

13: 2重量子ドットのスピンブロッケードにおける漏れ電流の解析解
慶大理工　齋藤亘介，^○江藤幹雄

14: 2重量子ドットのスピンブロッケードにおける共鳴トンネル
慶大理工　大久保秀一，江藤幹雄