領域9

27日　XJ会場　27aXJ　9:00～12:30

領域9
表面ダイナミックス

1: Si(111)-(2×1)表面における光誘起構造変化機構VI
阪大産研　稲見栄一，谷村克己

2: 低エネルギー電子線励起によるSi(111)-(7x7)表面構造変化IV
阪大産研　杉田吉聴，金崎順一，谷村克己

3: InP(110)-(1×1)表面の光誘起ボンド切断におけるサイト相関2
阪大産研　鶴田淳二，金崎順一，谷村克己

4: 半導体表面における光誘起ボンド切断に対する2正孔局在機構II
阪大産研　谷村克己

5: 吸着確率と吸着サイト選択性を支配する構造と電子密度
埼玉工大先端研　田中虔一

6: Si(100)非対称ダイマーへの不飽和炭化水素の環化付加反応：マルコフニコフ則は成り立つのか?
東大物性研　小口和博，向井孝三，山下良之，吉信淳

休憩　（10:30～10:45)

7: Si(001)表面のキャリアダイナミクスにおける温度依存性
阪大産研　田中慎一郎，市林拓，谷村克己

8: Si(111)-7×7表面キャリアダイナミクス
阪大産研　市林拓，谷村克己

9: Si(111)-(7×7)表面におけるフッ素の複合体拡散現象
東大生産研^A，物材機構^B　浅利裕介^A，奈良純^B，大野隆央^A，B

10: SrTiO₃(001)におけるSTM探針により作成したステップの非平衡構造の熱緩和
阪大産研　後藤洋臣，須藤孝一，岩崎裕

11: 原子サイズの引き剥がし2－フォースディスタンスカーブ－
愛知教育大，成蹊大理工^A　原田竜一，金田祥江，佐々木成朗^A，三浦浩治

12: 軟X線照射による四面体結合アモファス炭素膜の構造変化
東大工，理研SP-8^A，東大物性研^B　梁士金，原田慈久^A，辛埴^AB，目良裕，前田康二

13: 凝縮水，凝縮アンモニアの表面分子内殻共鳴励起，バルク分子内殻励起に由来するイオン脱離の比較
物構研^A，横国大院工^B，千葉大工^C，JST/さきがけ^D　小林英一^A，瀬尾淳哉^B，奥平幸司^C，間瀬一彦^A，D，田中正俊^B，上野信雄^C

27日　YB会場　27aYB　9:00～12:00

領域9
表面界面構造

1: 固気および固液界面にある水の界面構造と物性
慶大理工，早大理工^A　山崎瑞穂，望月陽介，伊藤正時，倉林佑二^A，中井浩巳^A

2: NiO(001)およびTiO₂(110)表面における金ナノ微粒子の成長過程とその電子状態
産総研関西^A，立命館大理工^B　岡沢哲晃^A，B，藤原真秀^B，西村智朗^B，秋田知樹^A，香山正憲^A，城戸義明^B

3: 二次元光電子分光とcite選択的XAFS測定
奈良先端大物質，CREST-JST^A，JASRI/SPring-8^B　松井文彦^A，B，松下智裕^B，郭方准^B，加藤有香子，橋本美絵，清水達也，稲地加那子，大門寛^A

4: 硝酸酸化法による低温生成SiO₂膜の微構造
阪大産研，CREST　高橋昌男，アスハ，田中祐士，岩佐仁雄，小林光

5: Ni(02-20ML)/6H-SiCの構造と電子状態分析
立命館大理工^A，パリ第6・7大^B　竹内史典^A，松原佑典^A，福山亮^A，星野靖^B，西村智朗^A，^○城戸義明^A

6: 表面格子歪みとSi(001)表面構造相転移
物材機構　矢田雅規

休憩　（10:30～10:45)

7: RHEED波動関数からみた表面プローブ深さの入射角依存性
山梨大教育，レスター大物理^A　川村隆明，P.A. Maksym^A

8: Si(001)，Ge(001)表面におけるc(4×2)構造の解析とc(4×2)-p(2×1)相転移の臨界現象
九大総理工　白澤徹郎，水野清義，栃原浩

9: アストロドームRHEEDからの回折図形
大同工大工　堀尾吉已

10: DIANAと円偏光によるカルコゲナイト層状化合物の原子配列直接観察
JASRI/SPring-8，奈良先端大院物質創成^A　郭方准，松井文彦^A，加藤有香子^A，松下智裕，小林啓介，大門寛^A

11: Si(111)表面におけるPtシリサイドの形成と表面構造
東北大学際セ，東北大院理^A　A. WAWRO，^○須藤彰三^A，粕谷厚生

27日　XJ会場　27pXJ　13:30～17:30

領域9
表面ダイナミックス

1: フェムト秒パルスレーザー励起によるグラファイト表面構造変化 III
阪大産研　金崎順一，木村健太，谷村克己

2: SPELEEM装置を用いたIn(Sn)/Cu(001)表面における相転移の実空間観察
京大理　八田振一郎，郭方准^A，奥山弘，有賀哲也

3: 格子歪のある酸素吸着Cu(100)表面の光電子分光
東大物性研　関場大一郎，吉本芳英，中辻寛，小森文夫

4: Al表面初期酸化の高分解能電子エネルギー損失分光測定
東北大学際セ，東北大理^A，理研^B　本谷宗，田岡琢己^A，須藤彰三^A，伊藤隆，山田太郎^B，粕谷厚生

5: Pt表面におけるCOの拡散
東北大多元研　高岡毅，米田忠弘

6: 低速陽電子ビームによるNi(111)表面での吸着水素作用の研究
東学大物理，東大生研^A，東大物性研^B　大澤麻衣子，大石陽次郎，広田幸二，鈴木寛之，金沢育三，福谷克之^A，野沢清和^B，小森文夫^B

休憩　（15:00～15:15)

7: DFT-Monte Carlo法によるPt(111)表面上のCO酸化反応の機構解明
東大院理　長坂将成，近藤寛，中井郁代，太田俊明

8: Pd(111)サブ表面領域における水素原子の量子力学的振る舞い
阪大院工　尾澤伸樹，Tanglaw Abat Roman，中西寛，笠井秀明

9: Anderson-Newnsモデルによる分子の金属表面における解析(III)
長崎大工，京大院理^A　近藤慎一郎，山田耕作^A

10: 金表面における酸素の解離吸着
阪大工，阪大ナノ研究推進機構^A，デ・ラ・サール大理^B，松下先端研^C　岸智弥，Wilson Agerico Dino^A，B，中西寛，笠井秀明，四橋聡^C，山田由佳^C

11: Pt(111)に吸着したNO分子のレーザー誘起脱離の脱離機構
東大生産研　村田好正，福谷克之

12: Hot-atom hydrogen dynamics on Pt(111)
Dept. of Applied Physics，Grad. Sch. of Eng.，Osaka Univ.　Tanglaw Roman，Hiroshi Nakanishi，Hideaki Kasai

13: C60分子ベアリングの超潤滑シミュレーション
成蹊大理工，筑波大院数物^A，愛教大物理^B　佐々木成朗，寺田一揮，大山将也^A，三浦浩治^B，板村賢明

14: イオンエネルギー損失分光法による希ガス固体の表面電子構造の測定
名大院工　加藤政彦，左右田龍太郎^A

15: Real-time Synchrotron XPS and Nuclear Reaction Analysis Study on Growth Acceleration of Ultra-thin Alumina Films by Water Oxidation of NiAl
東大生研，原研^A　Markus WILDE，福谷克之，盛谷浩右^A，寺岡有殿^A

27日　YB会場　27pYB　13:30～17:00

領域9
表面界面構造

1: Si(111)-(7x7)表面上のGaナノクラスター
物材機構　大竹晃浩

2: Si表面上に堆積したMoを核とするMoSi_nクラスターの形成
筑波大院数理物質^A，産総研-ASRC^B　矢幡洋^A，L.Bolotov^B，内田紀行^AB，金山敏彦^AB

3: Double-cap成長法によるInAs/InP量子ドットの界面構造の断面STM観察
名大院工，物材機構^A，富士通研^B　赤沼泰彦，^○山川市朗，佐久間芳樹^A，臼杵達哉^B，中村新男

4: STM探針からのキャリア注入によるSn吸着Ge(001)表面の構造遷移
東大物性研　富松宏太，飯盛拓嗣，中辻寛，小森文夫

5: Ge(001)表面のトンネルキャリアー注入による構造変化II
東大物性研　高木康多，吉本芳英，中辻寛，小森文夫

6: 低温STMをもちいた10Kでの炭化水素分子のAu(111)表面吸着
東北大多元研^A，JST-CREST^B　朱娜^A，道祖尾恭之^A，B，米田忠弘^A，B

休憩　（15:00～15:15)

7: 窒素吸着銅(001)表面上のスズ原子配列のSTM観測
東大物性研　奈良裕樹，中辻寛，小森文夫

8: Dust & Germ-free を実現するクリーンユニットシステムの極限高清浄度
北大電子研　海住英生，川口敦吉，石橋晃

9: 量子十字構造における静電ポテンシャルの対称性制御の可能性
北大電子研　川口敦吉，海住英生，近藤憲治，石橋晃

10: Si(111)-√3×√3-Ag表面によるナノサイズリング構造の作成と評価
東大物性研^A，東理大基礎工^B，PRESTO-JST^C　西潟由博^A，宮田俊^B，小野雅紀^A，浜田雅之^A，江口豊明^A，後藤芳彦^B，長谷川幸雄^A，C

11: 極薄Si酸化膜上Geナノドットの閉じ込めポテンシャルと電気伝導特性
JST-CREST^A，東大理^B，東大工^C　中山泰生^A，松田巌^B，沖野泰之^B，平原徹^B，山崎詩郎^B，長谷川修司^B，市川昌和^A，C

12: 量子ポイントコンタクトにおける局在電子状態のSTMによる直接観察
物材機構ナノマテ研，科技構ICORP^A，筑波大院数物^B　長岡克己^A，柳沼晋^B，長尾忠昭^A，中山知信^A，B

13: STM探針からのキャリア注入によるC₆₀ポリマーリングの形成
JST-CREST，岡山大理　野内亮，増成宏介，大田敏雄，久保園芳博

28日　SC会場　28aSC　9:00～12:15

領域9，領域3
表面・界面磁性

1: NiO(100)表面における反強磁性磁区ドメインの加熱効果の観察
東大物性研^A,東レ^B,JASRI^C　新井邦明^A，蔵圭司^A，前田勇樹^A，奥田太一^A，柿崎明人^A，孫海林^A，宮田洋明^B，郭方准^C，脇田高徳^C，小林啓介^C，木下豊彦^A，C

2: FeNi鉄隕石における容易磁化軸の回転
広大放射光，JASRI^A，東大工^B，KEK^C，広大院理^D　小嗣真人，郭方准^A，脇田高徳^A，谷内敏之^B，小野寛太^C，谷口雅樹^D，圓山裕^D

3: Fermi準位近傍での可視・紫外励起光電子放出磁気円二色性
分子研　中川剛志，横山利彦

4: 遷移金属をドープしたTiO₂エピタキシャル膜のXAS，XMCD測定
東大理^A，KAST^B，東工大^C　阿部仁^A，島田敏宏^A，B，能川玄之^A，雨宮健太^A，太田俊明^A，稲葉和久^B，C，廣瀬靖^B，古林寛^B，山本幸生^B，AB一杉太郎^A，B，松本祐司^C，長谷川哲也^A，B

5: 取　　消

6: STMにおいて磁場中ラジカル分子を流れるトンネル電流の周波数分析II
東北大多元研^A，CREST-JST^B　岡林則夫^A，B，道祖尾恭之^A，B，米田忠弘^A，B

休憩　（10:30～10:45)

7: スピン偏極走査トンネル分光法(スピンSTM/STS)によるナノ磁性体の磁気イメージング
大阪教育大学　川越毅

8: 擬ポテンシャル法による表面磁気異方性エネルギーの見積り
金沢大自然　細川明彦，小田竜樹

9: 放射光核共鳴散乱法でみたCr上のFe単原子層の磁性
名工大工^A，CREST-JST^B，京大理^C，京大原子炉^D，原子力機構^E　壬生攻^A，B，大塚祐平^C，A，増田亮^D，C，北尾真司^D，瀬戸誠^D，B，三井隆也^E，B

10: X線共鳴磁気散乱によるFe/FeGd/Fe三層膜のGd磁化回転の観察
奈良先端大物質，京大化研^A，奈良先端大物質科学教育セ^B　児玉謙司，早崎有一，石橋晃一，大河内拓雄^A，細糸信好^B

28日　XJ会場　28aXJ　9:00～12:15

領域9，領域5，領域12
微粒子・クラスタ・結晶成長

1: 金ナノ粒子の新構造形態=Bidecahedron=の発見
産総研ナノテク　古賀健司

2: デンドリマー内包Auナノクラスターの合成と分光学的評価
神戸大院自然^A，神戸大工^B，分子研^C　今村真幸^A，宮下岳穂^B，田中章順^A，B，保田英洋^A，B，柳本泰^C，根岸雄一^C，佃達哉^C

3: 金－チオラートクラスター[Au₂₅(SCH₃)₁₈]¹⁺の電子状態計算
北大化^A，分子研^B，総研大^C　岩佐豪^A，信定克幸^B，C

4: X線とNMRによる(CdSe)_nナノ粒子の解析
東北大学際セ，東北大工^A　野田泰斗，前川英己^A，粕谷厚生

5: 20面体Siナノクラスターの形成シミュレーション
産総研計算科学　西尾憲吾，森下徹也，篠田渉，三上益弘

6: 取　　消

休憩　（10:30～10:45)

7: Si(001)微斜面での束形成－吸着原子の流れの強さの依存性－
金大自然^A，金大総合メディア基盤セ^B　高橋徹，佐藤正英

8: 低温におけるSi(111)微斜面でのステップの不安定化
金大自然^A，金大総合メディア基盤セ^B　井川健太^A，佐藤正英^B

9: Si(001)微斜面の成長時のステップの不安定化
金沢大総合メディア　佐藤正英

10: コロイド結晶の流動による単一ドメイン形成とフォトニック結晶特性
物質・材料研究機構　澤田勉

28日　YB会場　28aYB　9:00～11:45

領域9
表面界面電子物性，表面局所光学現象

1: 軟X線吸収分光法を用いた水素終端Si(111)基板上のスチレン共有結合性単分子膜の膜構造の評価
名大院理，阪大院基礎工^A，名大院理，名大高等研究院^B　齋藤清範，金井要，大内幸雄，荒正人，多田博一^A，関一彦^B

2: 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜／Si界面電子状態の直接観測
東大物性研^A，理研/SPring-8^B，富士通研^C，武蔵工大^D，東北大未来科学^E，東工大フロンティア^F　山下良之^A，小口和博^A，向井孝三^A，吉信淳^A，原田慈久^B，徳島高^B，辛埴^A，B，田村直義^C，野平博司^D，服部健雄^D，E，F

3: 半導体表面上2次元貴金属合金相のフェルミ面研究
東大理，Yonsei Uni.(Korea)^A，お茶大理^B　松田巌，永村直佳，山崎詩郎，平原徹，C.Liu，宮田信弘，W.H.Choi^A，小林功佳^B，H.W.Yeom^A，長谷川修司

4: Bi(111)におけるフェルミ準位近傍の微細電子構造：超高分解能ARPES
東北大院理　菅原克明，佐藤宇史，^○高橋隆

5: Co/N/Cu(001)表面の電子状態
東大物性研，東大理^A　中辻寛，飯盛拓嗣，関場大一郎，土肥俊介，柳生数馬，高木康多，大野真也，宮岡秀治，山田正理，雨宮健太^A，松村大樹^A，太田俊明^A，小森文夫

6: LT-STS study of two-dimensional quantization in In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As heterostructures epitaxially grown on lattice-matched InP(111)A substrates
NTT Basic Res. Labs. NTT Corp.^A，Laboratoire de Photonique et de Nanostructures CNRS^B，SORST-JST^C　Simon Perraud^A，B，Kiyoshi Kanisawa^A，Zhao-Zhong Wang^B，Yoshiro Hirayama^A，C

休憩　（10:30～10:45)

7: Cu(110)に吸着した酸素原子のSTM発光振動分光
東北大通研，北陸先端大^A　上原洋一，潮田資勝^A

8: Si(111)7×7再構成表面のSTM発光
東工大院理工，東工大院総合理工^A，東工大物理^B　今田裕，千葉綾子^A，横谷真樹^B，山本直紀

9: 電子線励起発光顕微法による表面プラズモンポラリトンの直接観察
東工大院理工　山本直紀，鈴木喬博，塩川未久

10: 干渉型時間分解光電子顕微鏡による銀表面プラズモン伝播の観察
科技機構さきがけ^A，ピッツバーグ大物理^B，BESSY mbH^C　久保敦^A，B，Niko Pontius^C，Hrvoje Petek^B

28日　XJ会場　28pXJ　13:30～17:15

領域9
結晶成長

1: Si(111)微斜面におけるステップ核形成によるCaF₂薄膜の成長形態
阪大産研　宮里幸司，^○須藤孝一，岩崎裕

2: Cat-CVDによるμc-SiCの低温成長
東理大理，諏訪東理大機械システム^A，　金子聰，宮川宣明^A，菅俊祐，長田英樹

3: カーボンナノ粒子の80℃加熱による構造変化
立命館大理工，京都工繊大^A　新宅正行，森谷健司，鈴木仁志，城戸修，車田真実，齋藤嘉夫^A，墻内千尋

4: CaO粒子およびCa薄膜の水酸化のその場観察
立命館大理工　車田真実，新宅正行，墻内千尋

5: MgO-Al₂O₃系ナノ粒子の組成比による形態及びIRスペクトルの変化
立命館大理工　齋藤碧，車田真実，新宅正行，^○墻内千尋

6: CaTiO₃ナノ粒子の創製
立命館大理工　横山香織，齊藤碧，新宅正行，車田真実，墻内千尋

休憩　（15:00～15:15)

7: 氷の成長形と融解形における非対称
阪市大理，Yale Univ.^A　丸山稔，A.Cahoon^A，J.S.Wettlaufer^A

8: KCl(001)基板上におけるペンタセン結晶性薄膜のグラフォエピタキシー
徳島大工　宮本純太，^○柳谷伸一郎，墻内孝祐，森篤史，井上哲夫

9: 人工周期構造を持つ熱酸化シリコン基板上におけるsexithiophene の面内選択配向成長
東大院新領域^A，早大ナノテク研^B，東大院理^C　池田進^A，筒井謙^B，江面知彦^B，宮副裕之^A，寺嶋和夫^A，島田敏宏^C，和田恭雄^B，斉木幸一朗^A，C

10: ペンタセンの有機／有機ヘテロエピタキシャル成長
岩手大工，京工繊大^A　角館俊行，青澤桂樹，^○吉本則之，齋藤嘉夫^A

11: 偏光配向したAlq₃薄膜の結晶構造解析
東大理，東大新領域^A　鈴木維允，池田進^A，斉木幸一朗^A，島田敏宏，長谷川哲也

12: 脂肪酸薄膜上におけるリゾチームのエピタキシャル成長
立命館大理工　久保貴資，内山幸昌，水嶌孝彦，本同宏成，中田俊隆

13: アクチンバンドルの成長と異方的核生成機構
北大創成，北大院理^A，JST^B　田中良巳，權赫準^A，角五彰^A，古川英光^A，長田義仁^A，グン剣萍^A，B

14: モデル計算法によるダイヤモンド膜成長過程の解析
日大工　柳原隆司

28日　YB会場　28pYB　13:30～17:25

領域9シンポジウム
主題：制限された場における水分子の科学

1: はじめに
東大新領域　川合真紀

2: 低温金属表面に束縛された水単分子およびダイマーの分子内状態と動的挙動
理研　金有洙

3: 金属表面における水の特異な一次元鎖成長
京大院理　奥山弘

4: 遷移金属表面の単層水分子
東大物性研　吉信淳

5: アモルファス氷表面における化学反応:宇宙塵表面の化学進化
北大低温研　渡部直樹

休憩　（15:10～15:25)

6: 電極表面の吸着水分子の構造:有効遮蔽体法による第一原理計算
東大物性研　杉野修

7: 水素発生電位におけるCu(111)電極表面の表面構造解析:水分子の細密構造揺らぎとプロトンダイナミクス
慶大理工　伊藤正時

8: 固液界面上における水の結晶化シミュレーション:氷とガスハイドレート
産総研　灘浩樹

9: ナノチューブ内に束縛された水分子の構造
首都大東京　真庭豊

29日　XJ会場　29pXJ　13:30～16:15

領域9
表面界面電子物性

1: Si(111)双晶境界近傍の局所的誘電率変化
電通大電子　中村淳，名取晃子

2: STMで現れる二酸化チタン表面上の欠陥および吸着種に関する第一原理計算による検証
千葉大自然，理研^A　梶田晴司^A，中山隆史

3: 「不飽和炭化水素/Si(001)」吸着系への電場の影響の第一原理計算による評価
東大院理，東大物性研^A　赤木和人，大谷実^A，杉野修^A，常行真司

4: 有限温度密度汎関数理論に基づく表面吸着分子系のクラスターモデル計算
総研大物理^A，分子研^B　白鳥和矢^A，信定克幸^A，B

5: 合金・歪みによる白金の耐CO被毒メカニズム
阪大工　津田宗幸，笠井秀明

6: グラファイト格子の相補媒質
お茶大理　小林功佳

休憩　（15:00～15:15)

7: 第一原理に基づくSi/SiO₂界面の電子状態計算－界面欠陥の電気伝導特性への影響－
阪大工　朽木克博

8: Si(001)/SrTiO₃界面のバンド不連続に関する研究
アドバンスソフト^A，東大生研^B，物材機構^C　山本武範^A，籾田浩義^B，濱田智之^B，宇田毅^A，大野隆央^C，B

9: 第一原理に基づく半無限結晶電極に挟まれたナノストラクチャーの電子状態計算
阪大工　佐々木孝，小野倫也，広瀬喜久治

10: 局所トンネル障壁高さへのNaクラスタの影響
日大理工^A，東大工^B，CREST^C　戸塚英臣^A，C，古家真之介^B，C，渡邉聡^B，C

29日　YB会場　29pYB　13:30～17:00

領域9
表面界面構造

1: 半導体界面における格子不整合歪みの表面構造への影響と構造緩和
東北大金研　藤川安仁

2: Pt-Rh系合金（111）表面におけるPt偏析の第一原理計算
京大院工，京大工^A　弓削是貴，世古敦人，桑原彰秀^A，大場史康^A，田中功^A

3: 遷移金属表面上の水の構造に関する第一原理的研究
JST-CREST，阪大産研　濱田幾太郎，森川良忠

4: メチル基不純物を含む水素終端Si表面のAFMシミュレーション
東大工，早大理工^A　真砂啓，渡邉聡，田上勝規^A，塚田捷^A

休憩　（15:00～15:15)

5: Alq₃/Al界面の電子状態と構造に関する理論的研究
阪大産研，JST-CREST^A，産総研^B　柳澤将^A，森川良忠^A，B

6: Rh(111)表面上の酸化スズ超薄膜の表面構造の解明
名大工^A，名大エコトピア^B，ウィーン工科大^C　田島大輔^A，巽一厳^A，柚原淳司^A，松井恒雄^A，B，ミハエルシュミット^C，ピーターヴァルガ^C

7: Ag(110)上に低温配列したポルフィリン分子のSTM観察
横浜市大国際総合，情報通信研究機構^A　冨田侑毅，横山崇，上門敏也^A，横山士吉^A，益子信郎^A

8: Ru(0001)表面上における銅とスズの合金の創製と原子配列
名大工^A，名大エコトピア^B　石川義記^A，柚原淳司^A，松井恒雄^A，B

9: LT-NC-AFMによるSi(001)-p(2×1)構造の出現原因の解明
阪大院工　李艶君，内藤賀公，野村光，尾崎直幸，影島賢巳，菅原康弘

10: 水晶－長辺振動振動子を用いた極低温非接触原子間力顕微鏡の開発
東大物性研^A，科技機構^B　安東秀^A，B，西尾隆宏^A，小野雅紀^A，秋山琴音^A，B，江口豊明^A，長谷川幸雄^A，B

11: AFMによるSi(001)ダイマー構造変化の散逸像観察
阪大院工　李艶君，^○内藤賀公，影島賢巳，菅原康弘

30日　PS会場　30aPS　10:00～12:00

領域9
領域9ポスターセッション

1: アーク放電法によるα-，g-C₃N₄微粒子の作製
名城大理工材料機能　登坂一生，岡崎次男

2: AFMによる卵白リゾチーム針状結晶の観察
阪大産研　阿南憲法，須藤孝一，岩崎裕

3: Electronic Structures of Organic Molecules on Metal Surface by First-principles Calculations
JST-CREATE^A，同志社大工^B，産総研^C　ベルカダラシード^A，B，白川善幸^B，香山正憲^C，日高重助^B，田中真悟^C

4: Si(111)4×1-In表面上銀ストライプ構造のSTM観察における電子状態の影響
物材機構^A，JST^B　内橋隆^A，B，大渕千種^B，塚本茂^A，中山知信^A，B

5: Si(111)4×1In表面Ag(111)薄膜の量子井戸状態の研究II
東大理，物材機構^A，JST^B　永村直佳，松田巌，内橋隆^A，B，宮田伸弘，平原徹，長谷川修司

6: 第一原理計算による電極表面ナノ構造の静電容量
東大工，科学技術振興機構CREST　田中倫子，古家真之介，渡邉聡

7: ジェリウム電極に働く力の電極間距離およびバイアス電圧依存性の第一原理計算による解析II
東大工，科学技術振興機構CREST　中村泰弘，門平卓也，多田朋史，渡邉聡

8: Al原子鎖の電気特性に不純物原子が与える影響
東大工，科学技術振興機構CREST　古家真之介，渡邉聡

9: 金属吸着Si微斜面からの電子線励起発光の研究II
東京農工大工^A，JST CREST^B，東工大院理工^C　箕田弘喜^A，B，山本直紀^B，C

10: 酸素欠陥を含むルチル型TiO₂(110)からの光第二高調波発生
北陸先端大材料，東大物性研^A　表美紀，水谷五郎，小森文夫^A

11: Si(100)c(4×2)表面における有機アミンの吸着状態：光電子分光による研究
東大物性研　向井孝三，山下良之，吉信淳

12: 表面構造を持つ水素終端化シリコン(001)表面光反射率スペクトルの第一原理計算
阪大工　稲垣耕司，遠藤勝義，広瀬喜久治

13: 第一原理計算による有限電場中のC₆₀分子と薄膜の電子状態
物材機構^A，JST^B，阪大工^C，筑大数物^D　塚本茂^A，中谷真人^A，B，C，中山知信^A，B，D

14: 歪Si薄膜における電子輸送特性に関する第一原理的研究
慶大理工，東大生研　山内淳

15: 炭素ナノ構造からの電界電子放出に関する第一原理計算
東理大理^A，CREST-JST^B　洗平昌晃^A，B，相馬聡文^B，A，渡辺一之^A，B

16: 取　　消

17: C₆₀単分子層膜中での分子間結合の局所制御
物材機構^A，阪大院工^B，JST^C，筑波大数物^D　中谷真人^A，B，C，塚本茂^A，桑原裕司^B，C，青野正和^A，C，中山知信^A，C，D

18: 帯電界面の第一原理計算の為のフェルミエネルギー分割法の開発(2)
NTT物性研　内田和之，影島博之，猪川洋

19: Si(001)表面に吸着したC₇₀のトンネル分光測定
横市大総理，首都大^A　西山文貴，横山崇，坂口幸一^A，菊地耕一^A

20: Ag表面に物理吸着した水素分子の光脱離：遷移エネルギー分布の同位体依存性
東大生研　二木かおり，藤原理悟，松本益明，福谷克之，岡野達雄

21: 強束縛法による多探針STM電気伝導のシミュレーションII
東大工，CREST-JST^A　鈴木良治，野田真史，門平卓也，多田朋史，渡辺聡

22: 分子振動が引き起こす界面電荷移動
千葉大工　大岩みか，藤井邦治，横山高博，解良聡，奥平幸司，上野信雄

23: 単結晶金属表面上における鉛・スズによる二次元合金の創製と原子配列
名大工，ウイーン工科大^A　石川義記，^○柚原淳司，松井恒雄，ミハエルシュミット^A，ピーターヴァルガ^A

24: Ir(111)表面上の気体吸着構造の研究
東大生研，阪大院理^A　松本益明，武安光太郎，小倉正平，福谷克之，岡野達雄，岡田美智雄^A

25: STMによるAu-Si(100)表面の観察
兵庫県立大高度研　春山雄一，河守将典，松井真二

26: Si(001)4×2-Ga構造のSTMと第一原理計算による研究
東理大理工^A，基礎工^B，理^C　原紳介^A，小林秀和^A，色川勝己^A，藤代博記^B，渡辺一之^C，三木裕文^A，河津璋^A

27: Si(001)表面上のFeシリサイドのSTM・RHEED観察
奈良先端大物質創成　中野浩文，前谷健，澤田大輔，宮内國男，片岡恵太，^○服部賢，大門寛

28: 低温STMを用いたAl吸着Si(001)表面構造の研究
広大理，広大院理^A，広大放射光^B　掛谷満，成田尚司^A，仲武昌史^B，木村昭夫^A，生天目博文^B，谷口雅樹^A

29: Second harmonic generation during Ag deposition onto Si(111)-√3×√3-Ag at low temperatures
理研　Dongmei Deng，Takanori Suzuki

30: Si(111)-(7×7)表面におけるアセトアルデヒドとフェノールの吸着状態
京大院理　橋田亮，^○奥山弘，有賀哲也

31: カリウム原子吸着で誘起されるSi(111)-7×7表面構造変化の第二高調波による研究
理研^A，横浜国大^B　唐木陽一^A，B，井上大輔^A，B，Dongmei Deng^A，田中正俊^B，鈴木隆則^A

32: 反射高速陽電子回折によるSi(111)-√21×√21-Ag表面構造解析II
原子力機構先端基礎研^A，日女大理^B　深谷有喜^A，河裾厚男^A，一宮彪彦^A，B

33: 光電子回折リングにおける円二色性
奈良先端大^A，CREST-JST^B，SPring-8^C　橋本美絵^A，松井文彦^A，B，松下智裕^C，郭方准^C，加藤有香子^A，清水達也^A，稲地加那子^A，大門寛^A，B

34: In/Si(113)の表面再配列構造の研究 II
名大院工，日女大理^A，原研^A　田中淳，西岡秀雄，中原仁，一宮彪彦^A，齋藤弥八

35: 表面X線回折法による埋もれたSi(111)5×2-Au構造の研究
東大物性研，東大生産研^A，名大院工^B，高エ研PF^C　野島健大，吉田隆司，松本益明^A，新井大輔，隅谷和嗣，橋本光博，高橋敏男，岡野達雄^A，秋本晃一^B，杉山弘^C，張小威^C，河田洋^C

36: 円偏光励起によるSi2p光電子放出角度分布の光電子波数依存性
奈良先端大院物質創成，JASRI/SPring-8^A，CREST-JST^B　稲地加那子，松井文彦^B，松下智裕^A，郭方准^A，加藤有香子，橋本美絵，清水達也，大門寛^B

37: In/Si(111)(4×1)-(8×"2")相転移の詳細－イジング模型の妥当性とSTM実験の解釈
岡山理大総合情報，岡山理大工^A　矢城陽一朗，垣谷公徳^A，加地博子^A，吉森昭夫

38: 紫外光照射によるSiのダメージ領域の物性評価
北陸先端大材料^A，北陸先端大材料21世紀COE^B，北陸先端大ナノテク^C　宮内良広^A，佐野陽之^A，東嶺孝一^C，水谷五郎^A，B

39: 逆光電子ホログラフィー
東北大金研，JASRI^A，京大工^B　林好一，松下智裕^A，松原英一郎^B

40: ナフタロシアニンとポルフィリンやフタロシアニンから成る二量体分子の単分子層配列における表面周期構造と表面最上層の制御
ヴィジョンアーツリサーチ^A，ペンシルバニア州立大^B，クイーンズランド工科大^C，都立大^D，山東大^E　高見知秀^A，B，Tao Ye^B，Paul S. Weiss^B，Dennis P. Arnold^C，杉浦健一^D，姜建壮^E

41: 非接触型原子間力顕微鏡によるナノメートルスケール有機分子体の基板上高分解能観測とコンフォメーション制御
情報通信機構関西　田中秀吉，鈴木仁，稲田貢，益子信郎

42: 放射光を用いた赤外反射吸収分光法によるAlq₃薄膜へのアルカリ金属ドーピングの研究
分子研^A，総研大^B，千葉大工^C，名大院理^D　櫻井陽子^A，木村真一^A，B，横山高博^C，関一彦^D

43: 二探針STMの作製およびその性能評価
横市大総合理　松井敦央，重田諭吉

44: STM変調分光法における異常スペクトル
東大工，CREST　成瀬延康，目良裕，前田康二

45: Theoretical investigation of a benzene-vanadium multiple-decked sandwich chain on a gold surface
阪大工　M.M. Rahman，Rifki Muhida，R. Mozo，H. Kasai

46: 有機分子AFM像の原子分解能に関するシミュレーション
早大理工，成蹊大理工^A　原田昌紀，塚田捷，佐々木成朗^A

47: Molecular Rotational Effects on the Dissociation and Sticking of H2 on a Pt(111) Surface
Osaka Univ.，De La Salle Univ.　Nelson Buntimil Arboleda Jr.，Do Ngoc Son，Hideaki Kasai，Wilson Agerico Dino，Hiroshi Nakanishi

48: 超音速分子線によるRu（0001）表面上の酸素吸着の研究
京大理，原研^A　藤本洋介，高橋真，寺岡有殿^A，吉越章隆^A，盛谷浩右^A，奥山弘，有賀哲也

49: Cu-Au合金表面における水素の振る舞い
阪大工^A，阪大理^B，阪大ナノサイエンス機構^C，デラサール大理^D　寺田武司^A，松本茂野^A，Wilson Agerico Dino^B，C，D，Nelson Buntimil Arboleda Jr.^A，笠井秀明^A

50: Pd-Mg薄膜の水素吸蔵特性
阪大院工　花房真浩，Wilson Agerico Dino，中西寛，笠井秀明

51: Si(001)表面上ダイハイドライドの振動計算
物材機構^A，東大生産研^B　奈良純^A，B，大野隆央^A

52: C₆₀インターカレートグラファイト膜の圧力スイッチ
愛教大物理，成蹊大理工^A　金田祥江，原田竜一，竹内丈二，鷲見慎吾，佐々木成朗^A，三浦浩治

53: イオン衝撃による希ガス固体表面からの脱離粒子の観測
立教大理　藤田慎也，市川万理子，水上理映子，平山孝人，小泉哲夫

54: Behavior and Properties of a Quantum Dot－AB Ring System
Osaka Univ.^A，De La Salle Univ.^B　Do Ngoc Son^A，Wilson Agerico Dino^A，B，Nelson Arboleda^A，Hideaki Kasai^A

55: 極低温走査トンネル顕微鏡を用いた微小超伝導系におけるボルテックス観察の試み
東大物性研，東理大理^A，東理大基礎工^B　西尾隆宏，宮田俊^B，小野雅紀，江口豊明，坂田英明^A，後藤芳彦^B，長谷川幸雄

56: 近藤効果のSTM像－不純物振動の影響
阪大工，阪大理^A　西真友子，Do Ngoc Son，Wilson Agerico Dino^A，笠井秀明

57: First-principles calculations for a chemical reaction between NaDDC with a transition metal atom (e.g.Cr) to produce Cr(DDC)2ODDC
Dept. of Applied Physics, Osaka Univ.^A，Dept. of Eng. Physics, Inst. Teknologi Bandung^B，Center for Promotion of Res. on Nanosci. and Nanotech., Osaka Univ.^C　H. Setiyanto^A，B，R. Muhida^A，T. Kishi^A，M.M. Rahman^A，H.K. Dipojono^B，W.A. Dino^C，S. Matsumoto^A，H. Kasai^A

58: Potential energy surface (PES) for reactive ion etching (RIE) on FeNi₄ cluster－Density functional theory calculations－
Dept. of Precision Sci. & Tech. and Applied Physics, Osaka Univ.^A，Center for the Promotion of Res. on Nanosci. and Nanotech.，Osaka University^B，Res. Consortium for Synthetic Nano-Function Materials Project (SYNAF), Nat'l Inst. of Advanced Ind. Sci. and Tech. (AIST)^C　R. Muhida^A，M. David^A，S. Matsumoto^A，W.A. Dino^B，H. Nakanishi^A，H. Akinaga^C，H. Kasai^A

59: 磁性金属の表面における微小磁性体のスピンと磁気励起
阿南高専，山形大教^A　中村厚信，野々山信二^A

60: 空間分割密度汎関数法による二重接合系電子状態の解析
東理大理，CREST-JST　中澤義基，渡辺一之

61: 第一原理計算による鉄ポルフィリン分子の伝導特性
東大生研^A，物材機構^B，産総研^C　近藤恒^A，B，木野日織^B，奈良純^B，尾崎泰助^C，大野隆央^B，A

62: 雰囲気から疎水的に汚染された金(111)／水界面におけるナノバブル生成のAFM観察
奥羽大歯生体材料，埼玉大理化学^A，日本大工物理^B　大塚一郎，亀田直樹^A，永嶋誠一^B

63: Si(001)表面上のFeシリサイドの磁気特性
奈良先端大物質創成　前谷健，^○服部梓，服部賢，大門寛

64: 酸素吸着銅(001)表面上のコバルト超薄膜の成長と磁性
東大物性研　飯盛拓嗣，Xiangdong Liu，Jose Albertos，小森文夫

65: 磁化誘起SHG法によるCoを添加したルチル型TiO₂(110)の表面磁性の研究
北陸先端大材料，理研^A，東工大応セラ研^B　渡邊亮輔，湯浅真擁，八幡佳成，水谷五郎，鈴木隆則^A，瀬川勇三郎^A，松本祐司^B，山本雄一^B，鯉沼秀臣^B

66: Cr_2O3表面における水素分子のオルソ・パラ転換と転換に対する外部磁場の効果
東大生研　藤原理悟，二木かおり，河内泰三，福谷克之，岡野達雄

67: Ni(110)-(1×2) OのSTM発光スペクトル
東北大通研，北陸先端大^A　上原洋一，^○潮田資勝^A

68: A density functional calculations on single-walled carbon nanotubes filled with Fe wire on Ni(111)
Osaka Univ.　Melanie David，Tomoya Kishi，Masanori Kisaku，Hiroshi Nakanishi，Hideaki Kasai

69: Fabrication of Copper Nanowires on the NaCl(110) Faceted Surface
Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech. (JAIST)^A，JAIST 21st COE Program^B，Okinawa Inst. of Sci. and Tech.^C，Hitachi Advanced Res. Lab.^D　Kitsakorn Locharoenrat^A，B，Akira Sugawara^C，D，Saho Takase^A，Goro Mizutani^A，B

70: 応力印加時の金ナノワイヤの変形・破断過程の構造観察
東工大院理工^A，JST CREST^B　三輪哲史^A，赤堀千明^A，谷城康眞^A，B，高柳邦夫^A，B

71: TEM-STMを用いたAgナノワイヤの構造と電気伝導の研究
東工大院理工^A，東工大理^B，JST CREST^C　小川慶太^A，寺口聡^B，服部司^B，^○谷城康眞^A，C，高柳邦夫^A，C

72: Al原子鎖の電気伝導とPhase-Shift
兵庫県立大院理　大塚泰弘，島信幸，馬越健次

73: Feワイヤーの強磁性，反強磁性磁気構造の第一原理計算
金沢大自然，静岡大工^A　城石裕幸，小田竜樹，藤間信久^A

74: 分子吸着ポルフィリンワイヤの電子物性
阪大院工　宮本敬太，中西寛，笠井秀明

75: カーボンナノチューブを伝導するフォノン波束の分子動力学シミュレーション
東理大理^A，東大工^B，CREST-JSTC^{近藤尚明^A，C，山本貴博^A，C，渡辺一之^A，C，宋応文^B，C}

76: グラファイトリボンの光学吸収スペクトルの計算
東理大理，CREST-JST　野口智之，渡辺一之

77: 昇温脱離法によるカーボンナノチューブ表面における水素の吸着状態の解析
東大生研，東北大院環境^A　小倉正平，岩田晋弥，中井康太，福谷克之，佐藤義倫^A，田路和幸^A

78: Density Functional Study on SO₂ Dissociation on Cu(100) Surface
Dept. of Applied Physics，Osaka Univ.，Physics Dept.，De La Salle Univ.^A，Dept. of Physics，Osaka Univ.^B，Center for the Promotion of Res. on Nanosci. and Nanotech.，Osaka Univ.^C　R. Mozo^A，E. Rodulfo^A，W.A. Dino^A，B，C，H. Kasai

30日　XJ会場　30pXJ　13:30～16:45

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ

1: 原子サイズZn接点のコンダクタンス
京大工，京大IIC^A　鈴木良，向井康博，筒井真楠，黒川修^A，^○酒井明^A

2: その場電子顕微鏡法によるIrナノコンタクト及び原子ワイヤーの構造，電気伝導・力学特性の解析
筑波大数物研，科技機構^A，筑波大ナノプロ^B，筑波大物質工^C　龍穣，前園良成^A，安坂幸師^B，木塚徳志^A，C

3: その場電子顕微鏡法によるPdナノコンタクトおよび原子ワイヤーの構造，電気伝導・力学特性の解析
筑波大数理，科技機構^A，筑波大ナノプロ^B，筑波大物質工^C　松田知子，前薗好成^A，安坂幸師^B，木塚徳志^A，C

4: TEM-STMによるAgナノワイヤの構造観察および電気計測III
東工大院理工^A，東工大理^B，JST CREST^C　小川慶太^A，服部司^B，寺口聡^B，谷城康眞^A，C，高柳邦夫^A，C

5: 応力変化に伴う金ナノワイヤの構造変化
東工大院理工^A，JST-CREST^B　赤堀千明^A，三輪哲史^A，谷城康眞^A，B，高柳邦夫^A，B

6: 金ナノワイヤのエレクトロマイグレーション
東工大総理工^A，東工大院理工^B，JST-CREST^C　大島義文^A，C，久留井慶彦^A，吉田誠^B，高柳邦夫^B，C

休憩　（15:00～15:15)

7: 積層欠陥による金ナノワイヤのコンダクタンス変化
東工大総理工^A，東工大院理工^B，JST-CREST^C　久留井慶彦^A，大島義文^A，C，高柳邦夫^B，C

8: 磁性不純物を含むAuナノワイヤーの電気伝導の第一原理計算
東北大通研，SISSA^A　三浦良雄，Andrea Dal Corso^A，Alexander Smogunov^A，Erio Tosatti^A

9: ナノメートルスケール金属ワイヤを流れる非平衡電流の電子構造計算
東大工^A，CREST-JST^B　品岡寛^A，星健夫^A，B，山元進^A，B，藤原毅夫^A，B

10: 分子ナノワイヤにおけるキャリアの輸送過程の理論解析
キヤノン先端融合研，早大院ナノ理工^A　光武邦寛，塚田捷^A

11: 第一原理計算によるナノワイヤ列の電気伝導特性予測
阪大工　江上喜幸，小野倫也，広瀬喜久治

12: 単一分子伝導における電極接続の効果－RTM/NEGF法による理論計算－
NEC基礎・環境研^A，産総研ナノテク^B，CREST-JST^C　広瀬賢二^A，C，小林伸彦^B，C

30日　YB会場　30pYB　13:30～16:30

領域9
表面界面電子物性

1: 二次元配列した金属微粒子の表面プラズモンII
東工大院理工　塩川未久，山本直紀

2: Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターにおける表面電子状態
横市大総合理　望月出海，根岸良太，重田諭吉

3: Si電極を用いた水素発生と表面状態
東北大学際セ　大塚秀幸，Sergiy Mamykin，粕谷厚生

4: Au/Si(553)表面の表面電気伝導度の温度依存性
東大理　沖野泰之，松田巌，山崎誌朗，保原麗，長谷川修司

5: 全Au/Si(111)表面超構造シリーズの電気伝導とその違い
東大理　山崎詩郎，松田巌，沖野泰之，守川春雲，長谷川修司

6: 金原子吸着Si(111)-√3×√3-Ag表面の電気伝導度
東大理　劉燦華，松田巌，吉本真也，長谷川修司

休憩　（15:00～15:15)

7: 三角形Quantum Corralの電子状態
埼玉工大院　熊谷卓也，田村明

8: Ge(001)表面での微分コンダクタンススペクトルに於ける，温度効果の理論的研究
九大理，物性研^A　塙洋祐，吉本芳英^A，河合伸，成清修

9: 非接触原子間力分光法による極近接状態の相互作用力とコンダクタンスの測定
筑波大物理^A，JST PRESTO^B，北陸先端大材料^C　新井豊子^A，B，富取正彦^C

10: Si(111)再構成表面上のAlナノクラスターの局所電子状態の研究
広大院理，広大放射光^A　成田尚司，掛谷満，仲武昌史^A，謝天^A，喬山^A，木村昭夫，生天目博文^A，谷口雅樹

11: 低温AFM・STMによるグラファイト表面の局所分光測定
東大物性研^A，Univ. Augsburg^B　江口豊明^A，B，Martin Breitschaft^B，Franz J. Giessibl^B，Jochen Mannhart^B