領域9

23日　YC会場　23aYC　9:15～12:00

領域9
表面局所光学現象

1: 炭酸ガスレーザ照射によるSi(100)表面の酸化膜成長過程
東北大院理，富士通研^A　木村大介，須藤彰三，金田寛^A，棚橋克人^A

2: Si(111)7×7再構成表面のSTM発光II
東工大院理工，東工大院総合理工^A　今田裕，千葉綾子^A，横谷真樹，山本直紀

3: 1次元矩形構造のプラズモンモード
東工大院理工^A，JST-CREST^B　鈴木喬博^A，山本直紀^A，B

4: 電子線励起発光顕微法による表面プラズモンポラリトンの直接観察II
東工大理工，JST-CREST^A　山本直紀^A，鈴木喬博，塩川未久

5: その場電子顕微鏡法による酸化亜鉛粒子の個別カソードルミネセンス分光
筑波大数理，科技機構^A，筑波大数理^B　大山将也，木塚徳志^A，B

6: STM探針によるサブギャップ光吸収の検出
東大工，JST-CREST　成瀬延康，目良裕，前田康二

休憩　（10:45～11:00)

7: Single-molecule junctionにおけるSTMトンネル電子と光子との結合
東大先端セ^A， Dept. of Phy. and Astr. and Chem., Univ. of California at Irvine^B　小川直毅^A，Shiwei Wu^B，Wilson Ho^B

8: STM誘起発光法によるスピン偏極計測
物材機構^A，JST ICORP^B　櫻井亮^A，B，青野正和^A，B

9: Real-time low-energy electron microscopy investigation of the nucleation and growth of thin organic films
東北大金研　SadowskiJerzy. T.

23日　YH会場　23aYH　9:00～12:00

領域9
表面界面電子物性

1: As(111)の高分解能ARPES
東北大院理　菅原克明，近藤学，佐藤宇史，高橋隆

2: Cu(110)(2×1)O表面における量子閉じ込め効果
広大院理，広大放射光セ^A　柳楽未来，沢田正博^A，東口光晴，矢治光一郎，望戸力，上野哲郎，三浦雄一，島田賢也^A，木村昭夫，生天目博文^A，谷口雅樹

3: 角度分解光電子分光によるNi(111) Shockley表面準位の電子状態の研究
広大院理^A，広大放射光セ^B，産総研^C　東口光晴^A，島田賢也^B，有田将司^B，三浦雄一^A，飛田尚寿^A，崔小宇^A，相浦義弘^C，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B

4: CaMn_1-xRu_xO₃薄膜の電子構造と磁性発現機構
原研機構放射光，JASRI^A，広大放射光^B，東大理^C，東大新領域^D　寺井恒太，岡根哲夫，竹田幸治，藤森伸一，齋藤祐児，稲見俊哉，山上浩志，小林啓介^A，島田賢也^B，有田将司^B，生天目博文^B，谷口雅樹^B，小林正起^C，藤森淳^D

5: TiO₂(110)表面上Auナノ微粒子の電子状態
産総研関西，立命館大理工^A　岡沢哲晃，香山正憲，城戸義明^A

休憩　（10:15～10:30)

6: 取　　消

7: Si(111)表面上Bi(001)超薄膜の表面状態電気伝導
東大理，物材機構^A　平原徹，松田巌，山崎詩郎，宮田伸弘，長尾忠昭^A，長谷川修司

8: Si(111)7×7及び5×5-Ge表面電子状態における電子相関効果
奈良先端大物質創成^A，CREST-JST^B　武田さくら^A，B，西出昌弘^A，大門寛^A，B

9: In/Si(111)-√7×√3表面超構造の金属伝導と絶縁体転移
東大理　山崎詩郎，細村嘉一，松田巌，保原麗，長谷川修司

10: Si(111)7×7表面上Na吸着に伴う金属－絶縁体転移とその電気伝導変化
東大理　高瀬恵子，松田巌，Marie D'angelo，平原徹，長谷川修司

11: 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜の元素選択的価電子状態の観測
東大物性研^A，理研/SPring-8^B，Selete^C　山下良之^A，小口和博^A，向井孝三^A，吉信淳^A，原田慈久^B，徳島高^B，辛埴^A，B，犬宮誠治^C，杉田義博^C，奈良安雄^C

23日　YC会場　23pYC　13:30～16:15

領域9
表面界面電子物性

1: O/Cu(001) 表面の非弾性光電子放出
JST CREST & 東大新領域，東北大工^A，理研^B，東北大通研^C，北陸先端大^D　荒船竜一，林慶^A，高木紀明，川合真紀^B，上原洋一^C，潮田資勝^D

2: Au(443)面におけるSH光強度パターンの励起光波長依存性
北陸先端大マテリアル　前田洋次郎，宮武繁，藤井啓史，佐竹祥彦，岩井哲也，水谷五郎

3: Ni(332)ステップ面の表面電子状態の研究：ステップ局在準位のステップ面指数依存性
立命大理工　小川浩二，藤澤信幸，中西康次，難波秀利

4: 格子歪によるCu(100)ショックレー状態の変化
東大生産研，東大物性研^A　関場大一郎，中辻寛^A，吉本芳英^A，小森文夫^A

5: 定在波位相の明らかな定在波光電子分光測定
東北大多元研　江島丈雄，山崎敦志，佐藤功典，中村芳雅

休憩　（14:45～15:00)

6: AFMを用いた力学的元素識別: Si(111)-(√3×√3) 異種元素混在表面
阪大院工^A，JST PRESTO^B　杉本宜昭^A，阿部真之^A，B，クスタンセオスカル^A，森田清三^A

7: LT-NC-AFMによるSi(111)表面でのエネルギー散逸の距離・電位依存性測定
阪大院工　野村光，河崎謙一郎，内藤賀公，影島賢巳，菅原康弘

8: 金(111)表面上に吸着したBDA分子をもちいたトンネル電子注入による操作
東北大多元研^A，JST-CREST^B　長田達朗^A，^○朱娜^A，道祖尾恭之^A，B，米田忠弘^A，B

9: 金(111)表面上に吸着したBDA分子の吸着構造と電子状態
東北大多元研^A，JST-CREST^B　朱娜^A，長田達朗^A，道祖尾恭之^A，B，米田忠弘^A，B

10: エチレン終端Si(100)基板に蒸着したF4-TCNQの電子状態
東大物性研　向井孝三，利田祐麻，山下良之，吉信淳

23日　YH会場　23pYH　13:30～16:15

領域9
表面界面ダイナミクス

1: グリ-ン関数の数値解法によるイオン化率計算
長崎大工，立命理工^A　近藤慎一郎，山田耕作^A

2: Pt(111)表面上での電極反応の第一原理シミュレーション
阪大産研^A，東大物性研^B，NEC基礎環境研^C，産総研計算科学^D，JST-CREST^E　濱田幾太郎^A，E，森川良忠^A，D，E，大谷実^B，E，杉野修^B，E，岡本穏治^C，E，池庄司民夫^D，E

3: 原子摩擦力の速度飽和機構
電通大電子　五十嵐正典，中村淳，名取晃子

4: Pd(111)上のCO酸化の生成CO₂の振動温度の脱離角依存性
北大触媒セ　山中俊朗，松島龍夫

5: 脱離生成分子からの表面構造情報；Rh(100)，Rh(110)上のN2O分解の活性種
北大触媒セ，J.Stefan研^A　松島龍夫，A.Kokalj^A

6: Lennard-Jones融液成長における不純物分子形状と成長速度変化の関係
立命館大学理工　高岸洋一，久保貴資，本同宏成，中田俊隆

休憩　（15:00～15:15)

7: 共鳴内殻励起による四面体結合性アモルファスカーボン膜の構造変化とその機構
東大工，理研SP-8^A，東大物性研^B，高エネ研^C　梁士金，原田慈久^A，北島義典^C，目良裕，辛埴^A，B，前田康二

8: グラファイト表面における光誘起構造相転移機構の研究
阪大産研　木村健太，金崎順一，谷村克己

9: 極低温Rh(111)における水分子の過渡的表面拡散とダイマー形成
東大物性研　紅谷篤史，向井孝三，山下良之，吉信淳

10: ヘリウム原子線散乱，反射赤外吸収分光，及び等温脱離種計測によるアモルファス氷結晶化過程の実時間同時計測
理研^A，FOM^B，東大新領域^C，　近藤剛弘^A，加藤浩之^A，MischaBonn^B，川合眞紀^A，C

24日　YC会場　24aYC　9:15～12:00

領域9，領域10，領域11
表面界面電子物性

1: Cu(001)表面の非線形光学応答の第一原理計算
北陸先端大マテリアル，マテリアルデザイン^A，ウイーン大^B，NHK技研^C，東大物性研^D　佐野陽之，水谷五郎，W. Wolf^A，R. Podloucky^B，宮岡秀治^C，飯盛拓嗣^D，河村紀一^C，小森文夫^D

2: 多重散乱理論による金属基板上の有機薄膜からの角度分解紫外光電子分光法の解析
千葉大院自然　永松伸一，解良聡，奥平幸司，藤川高志，上野信雄

3: Ab Initio Study of Organic/metal interfaces: n-alkane molecules on Aluminum
JST-CREATE，同志社大工^A，産総研^B　Rachid Belkada，^○白川善幸^A，香山正憲^B，田中真悟^B，日高重助^A

4: 密度汎関数強束縛法によるナノ構造・表面電気特性プログラムの開発 (I)
東大工，科学技術振興機構CREST　門平卓也，多田朋史，渡邉聡

5: 遷移金属酸化物におけるスピン状態と電気伝導度の関係
阪大院工，阪大ナノ機構^A　南谷英美，Wilson A. Dino^A，中西寛，笠井秀明

休憩　（10:30～10:45)

6: Rigged QED理論による化学結合の可視化
京大院工　立花明知

7: 相補媒質系における波束の運動
お茶大理　小林功佳

8: 吸着子・表面間の軌道混成への電場の影響の第一原理計算による評価
東大院理，東大物性研^A　赤木和人，大谷実^A，杉野修^A，常行真司

24日　YH会場　24aYH　9:15～12:00

領域9
表面界面構造

1: AFMを用いた「交換型垂直原子操作」
阪大院工^A，JST PRESTO^B　杉本宜昭^A，阿部真之^A，B，クスタンセオスカル^A，森田清三^A

2: Si(001)表面のステップ近傍における表面応力分布のLT-NC-AFM測定
阪大院工　内藤賀公，河崎謙一郎，野村光，影島賢巳，菅原康弘

3: ニホウ化ジルコニウム薄膜を介在したシリコン上の窒化ガリウム成長
東北大金研，アリゾナ州立大^A　高村（山田）由起子，王治涛，藤川安仁，I.S.T. Tsong^A，櫻井利夫

4: STM探針からのキャリア注入によるSn吸着Ge(001)表面の構造遷移II
東大物性研　富松宏太，中辻寛，飯盛拓嗣，小森文夫

5: Al/Si(111)-γ 相の表面構造の研究
広大院理，広大放射光^A　成田尚司，掛谷満，仲武昌史^A，謝天^A，喬山^A，木村昭夫，生天目博文^A，谷口雅樹

休憩　（10:30～10:45)

6: 量子力学的散乱理論に基づく深さ分布関数の理論的研究
千葉大自然　篠塚寛志，荒井礼子，藤川高志

7: スズ吸着銅(001)表面の構造と熱処理による変化
東大物性研　奈良裕樹，矢治光一郎，飯森拓嗣，中辻寛，小森文夫

8: Ir(111)，Pt(111)表面のテラスとエッジにおけるAuの拡散係数の解析
東大生研　小倉正平，福谷克之

9: 銅(001)面上の窒化マンガン規則ナノ構造形成
東大物性研　小森文夫，劉何東，呂斌，飯盛拓嗣，中辻寛

10: Ni(111)面の初期酸化とNiO(111)/Ni(111) 表面・界面の構造
立命館大理工，産総研^A　西澤健夫，佐藤拓也，岡沢哲晃^A，西村智朗，城戸義明

24日　YC会場　24pYC　13:30～17:10

領域9，領域7合同シンポジウム
主題：単一分子伝導研究の現状と課題

1: はじめに
東理大理　福山秀敏

2: 単一分子伝導の実験の現状
東工大生命理工　藤平正道

3: 電極接合単一分子系の伝導実験
北大理　木口学

4: 電極表面上の単一分子電子状態の第一原理計算
阪大産研　森川良忠

5: ナノギャップ電極接合系の伝導計算法と単一分子伝導
筑波大数物　小林伸彦

休憩　（15:15～15:30)

6: 半導体表面に結合した単一分子系の電子状態と伝導実験
東大物性研　吉信淳

7: 単一分子系の伝導計算と電極効果
NEC基礎環境研　広瀬賢二

8: 単一分子の非弾性伝導の実験
東大新領域　川合真紀

9: 単一分子の非弾性電流の理論
産総研計算科学　浅井美博

10: まとめと将来展望
早稲田ナノ理工　塚田捷

24日　YH会場　24pYH　13:30～16:45

領域9
結晶成長，微粒子，クラスタ

1: 電子放射顕微鏡によるNi(111)初期酸化過程の観測
東大院総合，名大物国セ^A　十河真生，鎌田豊弘^A，青木優，増田茂

2: 金属・半金属超微粒子成長における電界効果
立命館大理工　足立俊輔，^○墻内千尋，木村勇気，衣田康彦

3: カーボンナノ粒子の80℃加熱による構造変化II
立命館大理工，東北学院大^A，京都工繊大^B　新宅正行，鈴木仁志^A，木村勇気，城戸修，車田真実，齋藤嘉夫^B，墻内千尋

4: MBE法によるMgO(001)基板上におけるCr薄膜成長の初期過程
関学大理工，横国大工^A　田中憲喜，富永芳郎^A，阪上潔，高橋功，寺内暉

5: Si(001)微斜面上での束形成の吸着原子の流れの速度への依存性
金大院自然，金大総合メディア基盤セ^A　高橋徹，佐藤正英^A

6: 生成環境の違いによるシリケイトグレインの成長と赤外スペクトル
立命大理，NASA/GSFC^A　木村勇気，Joseph A. Nuth III^A

休憩　（15:00～15:15)

7: PLD低温成膜－ポストアニール法によるペロブスカイト型酸化物薄膜のエピタキシャルな結晶化とその構造
東北大院工　佐多教子，野原佑太，長尾祐樹，湯上浩雄

8: 重力に逆らって成長するコロイド結晶の観察
阪大院理，阪大院生命機能^A　山田尚史，木下修一^A

9: ヘテロエピタキシャル系における吸着物結晶の成長様式
名大理，慶大理工^A　勝野弘康，上羽牧夫，齋藤幸夫^A

10: 氷の平衡形・成長形・融解形の関係
阪市大理　丸山稔，津村信也

11: NMRによる(CdSe)₁₃の解析と構造の特徴
東北大学際セ，東北大院工^A　野田泰斗，前川英己^A，粕谷厚生

12: Aluminaナノ粒子におけるtheta-alpha転移温度のサイズ依存性
立命館大理工　車田真実，齊藤碧，木村勇気，墻内千尋

25日　YC会場　25aYC　9:00～12:15

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長

1: その場電子顕微鏡法によるIrナノコンタクトの力学特性の解析
筑波大数理，筑波大物質工^A，科技機構^B　龍穣，木塚徳志^A，B

2: Rhナノコンタクトに生じるエレクトロマイグレーションのその場電子顕微鏡観察
筑波大数理，科技機構^A，筑波大数理^B　浅井満季，木塚徳志^A，B

3: 応力変化に伴う金ナノワイヤの構造変化II
東工大院理工^A，JST-CREST^B　赤堀千明^A，谷城康眞^A，B，高柳邦夫^A，B

4: その場電子顕微鏡法によるAuクラスターの転位運動直接観察と力学特性の解析
筑波大数理，科技機構^A，筑波大数理^B　余川智子，木塚徳志^A，B

5: ナノ領域に選択成長させた触媒からのナノワイヤ生成
阪大院理^A，阪大ナノ機構^B，NEC基礎環境研^C　鳥越和尚^A，大野裕^A，吉川純^A，市川聡^B，市橋鋭也^C，竹田精冶^A

6: (10，0)カーボンナノチューブ入り口付近におけるFe原子のポテンシャルエネルギー第一原理計算
横国大院工，アクセルリス^A　工藤洋平，平崇久，石井聡，森里嗣生^A，大野かおる

休憩　（10:30～10:45)

結晶成長

7: 二光束干渉法によるリゾチームとアルブミンの二元系相図の作成ならびにその熱力学的考察A phase diagram of lysozyme-albumin system
立命館大理工　松並功記，久保貴資，本同宏成，中田俊隆

8: 表面構造の異なる脂肪酸薄膜を用いたリゾチーム結晶の配向制御
立命館大理工　久保貴資，今枝香織，本同宏成，中田俊隆

9: 緩衝液がリゾチーム正方晶系結晶の核形成に及ぼす効果
立命館大理工　上村由花，本同宏成，久保貴資，中田俊隆

10: 金属タンパク質の金属を置換した試料の磁場中結晶成長
産総研　安宅光雄，牧祥，石川一彦

11: 有機グラフォエピタキシーの基板依存性から見たその成長機構
東大院新領域^A，早大ナノテク研^B，リガク^C，東大院理^D　池田進^A，筒井謙^B，江面知彦^B，稲葉克彦^C，伊藤義泰^C，寺嶋和夫^A，島田敏宏^D，和田恭雄^B，斉木幸一朗^A，D

12: ペンタセン蒸着膜の面内構造と多形現象
岩手大院工，京工繊大^A　角館俊行，吉本則之，齋藤嘉夫^A

25日　YH会場　25aYH　9:30～12:00

領域9
表面界面構造

1: ZnO上のMgB₂：第一原理電子構造解析
岩手大工　西館数芽，横田大輔，横山亮，馬場守，長谷川正之，原田善之，吉澤正人

2: 水素化ダイヤモンド表面へのリンおよびボロン不純物添加エナージェティクス
産総研計算科学，産総研ダイヤモンド研究セ^A　宮崎剛英，山崎聡^A

3: HRTEMおよびHAADF-STEMによるβ-FeSi₂ナノドットの微細構造評価
CIRSE-JST^A，名大エコトピア研^B，日本電子^C，東大院工^D　趙星彪^A，B，中村芳明^A，D，山崎順^B，奥西栄治^C，田中信夫^A，B，市川昌和^B，D

4: Si(100)からの2次電子放出の表面再構成構造依存性
山梨大教育，レスター大物理^A　川村隆明，P.A. Maksym^A

5: 反射高速陽電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析
原子力機構先端研^A，日女大理^B　橋本美絵^A，深谷有喜^A，河裾厚男^A，一宮彪彦^A，B

休憩　（10:45～11:00)

6: 反射高速陽電子回折によるSn吸着Ge(111)表面の3×3-√3×√3相転移の研究
原子力機構先端研^A，日女大理^B　深谷有喜^A，河裾厚男^A，一宮彪彦^A，B

7: Ge(001)表面電子状態へのトンネルキャリアー注入による非局所構造変化
東大物性研　高木康多，吉本芳英，^○中辻寛，小森文夫

8: 密度汎関数理論に基づくGe/Si(001)界面近傍におけるGe原子空孔の構造
筑波大院数理物質^A，筑波大計算セ^B　高井健太郎^A，白石賢二^A，押山淳^A，B

9: Si(111)7×7表面上のAg原子の拡散及びクラスター形成過程
東北大院理，東北大学際セ^A　J. Osiecki，田鎖幸樹，加藤大樹，粕谷厚生^A，^○須藤彰三

25日　YC会場　25pYC　14:00～14:45

領域9
結晶成長

1: タンパク質の結晶成長素過程の分子レベルその場観察:巨大分子を使って表面素過程を観る
東北大学　佐崎元

25日　YH会場　25pYH　13:30～15:00

領域9
表面ナノ構造量子物性

1: 金表面上のチオール系分子の吸着に関する第一原理シミュレーション
阪大産研^A，JST-CREST^B，産総研計算科学^C　名兒耶彰洋^A，B，森川良忠^A，B，C

2: CUSP中の高清浄環境におけるダスト数のサイズ依存性
北大電子研　海住英生，川口敦吉，石橋晃

3: 矩形Quantum Corralの摂動論に基づく電子状態の解析
埼玉工大院　熊谷卓也田村明

4: Si(111)√3×√3-Ag表面への2次元量子構造の構築
東工大総理工　平山博之，源聡，石塚健

5: Cu(111)表面電子定在波によるIr(PPY)₃分子間相互作用の低温STM観察
横浜市大国際総合　高橋智威，篠崎一英，横山崇

6: STM探針からのキャリア注入によるC₆₀ポリマーリングの形成II
JST-CREST，岡山大理　野内亮，太田洋平，久保園芳博

25日　PSB会場　25pPSB　15:30～17:30

領域9
領域9ポスターセッション

1: 三元混晶窒化物半導体における表面歪みと原子拡散の関係
千葉大自然　武井祐樹，中山隆史

2: AFMによる卵白リゾチーム斜方晶I型結晶の観察
阪大産研　阿南憲法，須藤孝一，岩崎裕

3: 3次元核形成がもたらすリゾチーム正方晶の結晶形態のばらつき
阪大産研　堀信康，須藤孝一，岩崎裕

4: CaSi₂/Si(111)の角度分解光電子分光
広大院理，広大放射光^A，広大院工^B　栗原秀直，西本尚平，平井千之，^○佐藤仁^A，木村昭夫，山中昭司^B，生天目博文^A，谷口雅樹

5: グラファイト上の白金薄膜の構造と電子状態の温度依存性
奈良先端大物^A，CREST-JST^B，　平間芳輝^A，高橋伸明^A，松井文彦^A，B，大門寛^A，B

6: 酸素処理によるタングステン針からの低バイアス電子放出
九大総理工　Faridur Rahman，^○水野清義，栃原浩

7: 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算
東理大理，CREST-JST　洗平昌晃，渡辺一之

8: シリコン反転層中の価電子サブバンドの面内方位依存性
奈良先端大物質創成^A，JST-CREST^B　桑子敦^A，武田さくら^A，B，加藤有香子^A，東直人^A，大門寛^A，B

9: 水素終端Si(001)表面における表面光反射スペクトルの考察
横国大工，理研^A　三戸部史岳，小泉順也，滝澤純一，大野真也，鈴木隆則^A，首藤健一，田中正俊

10: 超高真空電子顕微鏡用表面電気伝導度測定装置の開発
東京農工大^A，JST CREST^B　籏野慶佑^A，池田武嗣^A，箕田弘喜^A，B

11: 半導体表面の金属量子細線配列に生ずる低次元プラズモンIII
岩手大工，物材機構ナノマテ研^A　稲岡毅，長尾忠昭^A

12: 第一原理グリーン関数法による単一分子接合のNMR化学シフト計算
東大院工，科学技術振興機構CREST　多田朋史，渡邉聡

13: 取　　消

14: その場電子顕微鏡により解析したIrナノコンタクトの構造と電気伝導の関係
筑波大数理，筑波大物質工^A，科技機構^B　龍穣，木塚徳志^A，B

15: 光電子ホログラムと立体原子写真をリアルタイムで観測するシステムの開発
高輝度セ^A，奈良先端大^B　松下智裕^A，郭方准^A，室隆桂之^A，松井文彦^B，大門寛^B

16: Ni(111)表面における炭素のボンド形成とグラファイト化
岐阜大工　青木正人，社本佳大

17: 第一原理計算によるAu/Si(111)微斜面の安定構造評価
東大工^A，科学技術振興機構CREST^B，MIT^C　野田真史^A，B，C. Fischer^C，門平卓也^A，B，G. Ceder^C，渡邉聡^A，B

18: Si(111)表面上にRDE成長したFeシリサイドのSTM観察
奈良先端大物質創成^A，CREST-JST^B　澤田大輔^A，服部賢^A，B，大門寛^A，B

19: Si(111)7×7表面へのNO吸着反応のサイト選択性および温度依存性
奈良先端大物質創成，CREST-JST^A　宮内國男，服部賢^A，大門寛^A

20: 低温STMを用いたAl吸着Si(001)表面構造の研究II
広大院理，広大放射光^A　掛谷満，成田尚司，仲武昌史^A，木村昭夫，生天目博文^A，谷口雅樹

21: カリウム原子で誘起されるSi(111)-3×1-K表面構造変化の第二高調波発生による研究
理研^A，横国大^B，防衛大^C　Deng Dongmei^A，井上大輔^A，B，^○鈴木隆則^A，C

22: Si(001)表面上のチタン初期成長過程のリアルタイム光学計測
横国大工　小泉順也，滝澤純一，三戸部史岳，大野真也，首藤健一，田中正俊

23: 円偏光励起によるSi2p光電子放出角度分布の光電子波数依存性II
奈良先端大院物質創成，JASRI/SPring-8^A，CREST-JST^B　稲地加那子，松井文彦^B，松下智裕^A，郭方准^A，加藤有香子，橋本美絵，清水達也，大門寛^B

24: 反射高速陽電子回折によるSi(111)-√3×√3-Ag表面構造相転移の研究II
原子力機構先端研^A，日女大理^B　深谷有喜^A，橋本美絵^A，河裾厚男^A，一宮彪彦^A，B

25: SiC(0001)上の不活性超薄膜のLEED/STMによる構造解析
九大総理工，北大電子研^A　白澤徹郎，林賢二郎，水野清義，田中悟^A，栃原浩

26: 広領域観察可能なTEM-STMの開発
東工大院理工^A，JST-CREST^B　谷城康眞^A，B，金秀鉉^A，高柳邦夫^A，B

27: V族ナノ薄膜の原子構造と電子構造
金大理　竹森陽平

28: Rh(001)表面上の酸化スズ超薄膜の表面構造
名大工^A，名大エコトピア^B　田島大輔^A，柚原淳司^A，松井恒雄^A，B

29: 酸化物基板上における単一有機分子コンフォメーションの精密観測と制御
情通機構関西　田中秀吉，鈴木仁，上門敏也，横山士吉，益子信朗

30: 取　　消

31: 光和周波発生(SFG)によるガラス表面吸着水分子の水和構造の研究
北陸先端大マテリアル，富山県立大工^A　佐野陽之，吉田治彦，大杉太佳司，村上哲雄，高川征宏，大谷亨^A，由井伸彦，水谷五郎

32: A density functional theory-based investigations on Reactive Ion Etching on NiO thin films
Osaka Univ.^A， De La Salle Univ.^B，Nat'l Inst. of Advanced Industrial Sci. and Tech. (AIST) ^C　Melanie David^A， Shigeno Matsumoto^A， Rifki Muhida^A， Tanglaw Roman^A， Shin-ichi Kunikata^A， Wilson Diño^A，B，Hideaki Kasai^A， Fumiyoshi Takano^C， Hisashi Shima^C，Hiroyuki Akinaga^C

33: First-principles study of halogen-assisted atom abstraction from Cu(111)
Osaka Univ.　Tanglaw Roman， Hideaki Kasai

34: Hydrogen atom quantum scattering on platinum
Osaka Univ.　Tanglaw Roman， Hideaki Kasai， Hiroshi Nakanishi

35: First principles study of reactive ion etching (RIE) processes on iron oxide surfaces using CO ions
Dept. of Precision Sci. & Tech. and Applied Physics，Osaka Univ.，Center for the Promotion of Res. on Nanoscience and Nanotechnology，Osaka Univ.^A， Nat'l Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technology (AIST)^B　R. Muhida， M. David， T. Roman， S. Matsumoto， S. Kunikata， W. A. Dino ^A， H. Akinaga ^B， F. Takano ^B， H. Shima ^B， and H. Kasai

36: 遷移金属酸化物の反応性プラズマイオンエッチング－第一原理計算に基づくプロセスデザイン－
阪大工，阪大ナノサイエンス研究推進機構^A，産総研^B　松本茂野，M. David，T. Roman，R. Muhida，国方伸一，Wilson Agerico Diño^A，笠井秀明，秋永広幸^B，高野史好^B，島久^B

37: 水素終端Si(111)表面の改質とHREELS測定
東北大院理，理研^A，東北大学際セ^B　田岡琢巳，加藤大樹，山田太郎^A，粕谷厚生^B，須藤彰三

38: 電子－極角分解イオンコインシデンス分光法によるH₂O/Siの4a₁← O 1s共鳴励起誘起H⁺脱離の研究-H₂O/Si(111)とH₂O/Si(100)の比較
産総研，横国大院工^A，千葉大工^B，広大院理^C，物構研^D，JST/さきがけ^E　小林英一，瀬尾淳哉^A，奥平幸司^B，高橋修^C，間瀬一彦^D，^E

39: 電子－電子－イオンコインシデンス分光装置の開発と性能評価
物構研^A，産総研^B，群馬大教育^C，千葉大工^D，JST／さきがけ^E　垣内拓大^A，小林英一^B，岡田直之^C，小山田健^C，奥沢誠^C，奥平幸司^D，^○間瀬一彦^A，E

40: SrTiO₃(001)表面における多層構造を形成している穴の熱緩和に関する研究
阪大産研　山本真人，須藤孝一，岩崎裕

41: トーションモードで見た固体表面，固液界面の観察
愛教大物理，JSTプラザ東海^A，成蹊大理工^B　原田竜一，加藤美穂，横見智之，金田祥江，石川誠^A，佐々木成朗^B，三浦浩治

42: 近接場ブリルアン散乱による界面ダイナミクスの測定
阪大院生命機能^A，阪大院理^B　山下広祐^A，北澤田鶴子^B，木下修一^A

43: Quantum Corral のトンネル現象
埼玉工大院　光岡重徳，田村明

44: 強磁性金属表面における微小反強磁性体のスピンと磁気励起
山形大教育，阿南高専^A　野々山信二，中村厚信^A

45: ビスマスナノライン上銀吸着構造の第一原理計算
物材機構　古賀裕明，大野隆央

46: Si表面上のチタンの拡散とSi吸収によるシリサイドの形成
横国大工　飯田貴則，大和洋太，小間大弘，大野真也，首藤健一，田中正俊

47: 白金ナノコロイドにおける自家発光II
埼玉短大情報，アイノベックス^A　高木治，辻博文^A

48: 数層グラファイトの構造と電子状態
岐阜大院工　天鷲裕司，青木正人

49: 紫外レーザーによる磁性薄膜上での磁気二色性実験
分子研　中川剛志，横山利彦

50: ⁴He⁺の電子スピン偏極におけるdepolarization効果
物材機構^A，JSTさきがけ^B　鈴木拓^A，B，山内泰^A

51: First-principles study on the spin polarization of CO-adsorbed Fe(110) surface
Nat'l. Inst. for Materials Sci.　Xia Sun，Mitsunori Kurahashi，Yasushi Yamauchi

52: Si(111)表面上にRDE成長したFeシリサイドの磁気特性
奈良先端大物質創成^A，CREST-JST^B　梅里計匡^A，服部梓^A，服部賢^A，B，大門寛^A，B

53: その場電子顕微鏡法を用いた光ファイバプローブのカソードルミネセンス分光
筑波大数理，科技機構^A，筑波大数理^B　大山将也，木塚徳志^A，B

54: Alq₃の表面電位のパターニングとKFM測定
理研^A，CREST-JST^B　尾笹一成^A，B，根本茂幸^A，礒島隆史^A，伊藤英輔^A，前田瑞夫^A，原正彦^A

55: Linear Optical Response of Copper Nanowires
Japan Advance Institute of Science and Technology (JAIST) ^A， JAIST 21st COE Program ^B， Okinawa Institute of Science and Technology ^C， Hitachi Advanced Research Laboratory ^D　Kitsakorn Locharoenrat ^A，B， Saho Takase ^A， Akira Sugawara ^C，D， Haruyuki Sano^A， and Goro Mizutani^A，B

56: その場電子顕微鏡法により解析したPdナノコンタクトの構造と応力の関係
筑波大数理，科技機構^A，筑波大数理^B　松田知子，木塚徳志^A，B

57: その場電子顕微鏡によるRhナノコンタクトの原子配列と電気伝導特性の解析
筑波大数理，科技機構^A，筑波大数理^B　浅井満季，木塚徳志^A，B

58: その場電子顕微鏡法による原子直視的材料力学実験－Auクラスターの弾性変形
筑波大数理，科技機構^A，筑波大数理^B　余川智子，木塚徳志^A，B

59: 高感度CCD-TEM-STMによるナノワイヤ構造変化の動的観察
東工大院理工^A，JST-CREST^B　谷城康眞^A，B，寺口聡^A，服部司^A，高柳邦夫^A，B

60: 歪みによる金ナノワイヤのコンダクタンス変化
東工大院理工^A，東工大総理工^B，JST-CREST^C，日立機械研^D　久留井慶彦^A，大島義文^B，C，岡本政邦^D，高柳邦夫^A，C

61: マイクロマニピュレータを用いた半導体ナノニードルの電気伝導特性の測定
阪大院理　武田淳一，河野日出夫，竹田精治

62: フラーレンナノカプセルの成長と電界発光
筑波大数理^A，筑波大ナノプロ^B，物材機構^C，科技機構^D　加藤良栄^A，安坂幸師^B，宮澤薫一^C，木塚徳志^A，B，D

63: 多層カーボンナノチューブの交流インピーダンス
阪大産研，京大工^A，京大IIC^B　筒井真楠，久野啓志^A，黒川修^B，^○酒井明^B

64: グラファイトリボン中の局所欠陥による完全フォノン反射と渦熱流
東理大理，CREST-JST　諸岡雅弘，山本貴博，渡辺一之

65: 局在基底密度汎関数法+非平衡グリーン関数法によるカーボンナノチューブ・デバイスの電気伝導解析
東理大理，CREST-JST　中澤義基，山本貴博，渡辺一之

66: ピーナッツ型フラーレンナノチューブの電子状態計算
阪大工　中山博幸，小野倫也，広瀬喜久治

67: 遷移金属吸着カーボンナノチューブの第一原理計算
阪大工^A，阪大ナノ機構^B，デ・ラ・サール大理^C　岸智弥^A，^○Melanie David^A，Wilson Agerico Di \~{n}o^B，C，D，中西寛^A，笠井秀明^A

68: 液体ヘリウム中でのナノ物質生成実験
佐世保高専　重松利信，川崎仁晴，渡辺謙一郎，西元琢郎，大島多美子，須田義昭

69: 基板上に配向成長させたカーボンナノチューブからの第二高調波発生の研究
理研^A，横国大工^B，防衛大^C　村上達郎^A，B，D. Deng^A，田中正俊^B，鈴木隆則^A，C

70: 湾曲ナノチューブの緩和構造－螺旋度依存性－
岐阜大院工　浅野友博，青木正人

71: カーボンナノチューブ表面における水素の吸着状態の解析
東大生研，東北大院環境^A　岩田晋弥，小倉正平，福谷克之，岡野達雄，佐藤義倫^A，田路和幸^A

72: 共鳴核反応法を用いた水素顕微鏡の開発
東大生産研，東北大核理研^A，高知工大電光シス^B，三菱重工^C，東大院工^D　関場大一郎，Markus Wilde，小倉正平，山下博，松本益明，福谷克之，岡野達雄，米村博樹^A，笠木治郎太^A，根引拓也^B，成沢忠^B，岩村康弘^C，伊藤岳彦^C，栗林志頭真^C，松崎浩之^D

73: 捻じり振り子法を用いたパラジウム-水素・重水素系の低温状態の研究III
東大物性研，新潟大自^A，Institute fuer Festkoerperforschung，Forschungszentrum Juelich^B，長岡高専^C，新潟大工^D　中辻良太，角田友香，安田吉紀，今井彰夫^A，渡辺信嗣^A，R.Mueller^B，A.Penzev，荒木秀明^C，原田修治^D，久保田実

74: 第一原理計算による二次元Jelliumワイヤーの電子の輸送特性
阪大工　饗庭秀一郎，^○江上善幸，小野倫也，広瀬喜久治

75: 表面光学応答スペクトルにおける垂直分極効果
千葉大自然　柴田和宣

76: H₂ Dissociative Adsorption on CO-precovered Pt(111) Surface
Osaka University　Nelson Arboleda Jr.， Hideaki Kasai， Wilson Agerico Diño， and Hiroshi Nakanishi

26日　YC会場　26aYC　9:00～12:00

領域9
表面界面構造

1: グラファイト上の非局在型一重項ビラジカルPh₂-IDPL薄膜のSTM観察
名大院理，阪大院理^A，福井工大^B　池滝何以，久保孝史^A，金井要，王志宏，大内幸雄，森田靖^A，中筋一弘^B，関一彦

2: Si(111)-Ag表面構造相転移にリンクしたポルフィリン分子配列変化の観察
横市大国際総合　横山崇

3: STM探針からの正孔注入によるフラーレンの重合・解離反応とその機構
東大工　目良裕，吉野学，最首克也，中村芳明，前田康二

4: ペンタセン薄膜における自発的凝集過程の解析
東大院新領域^A，東北大金研^B　霍間勇輝^A，吉川元起^B，池田進^A，斉木幸一朗^A

5: 金属表面上に成長したヘキサフルオロヘキサベンゾコロネン薄膜の構造および電子状態
東大新領域^A，東大院理^B，豊田中研^C　圓谷志郎^A，嘉治寿彦^B，森朋彦^C，菊澤良弘^C，竹内久人^C，池田進^A，斉木幸一朗^A，B

6: ペンタセン超薄膜のモルフォロジー変化のLEEMによるin-situ観測
東北大金研，東大院新領域^A　Jerzy T SADOWSKI，^○吉川元起，Abdullah AL-MAHBOOB，藤川安仁，霍間勇輝^A，池田進^A，斉木幸一朗^A，櫻井利夫

休憩　（10:30～10:45)

7: メチル終端Si表面のAFMシミュレーション
東大工，早大ナノ理工^A　真砂啓，渡邉聡，田上勝規^A，塚田捷^A

8: Si(001)表面上のシトシン吸着構造の第一原理計算
鳥取大工　石井晃，三好智弘

9: SiC(0001)-C-3×3表面の構造と電子状態
立命館大理工，京大工^A，Univ. Paris 6 et 7^B　竹内史典，星野靖^A，B，西村智朗，城戸義明

10: SiC(1120) 清浄表面の酸窒化過程 – 界面の構造とキネティクス
立命館大理工，京大工^A，パリ第6大^B　大川貴宏，福山亮，星野靖^A，B，西村智朗，城戸義明

11: NH₄F処理したSi(111)表面の光学特性
阪大院工　稲垣耕司，広瀬喜久治，遠藤勝義

26日　YC会場　26pYC　13:30～16:30

領域9
表面界面ダイナミクス

1: シミュレーションによるGaAs(110)表面エピタキシャル成長での異方パターン形成の研究
鳥取大工　石井晃，小田泰丈

2: ZnOホモ・ヘテロ成長における極性決定メカニズムの第一原理計算による研究
鳥取大工^A，理研^B　石井晃^A，B，藤原勝敏^A，戎崎俊一^B

3: X線回折法によるGaナノドロップレットの濡れ現象の観察
関西学院大理工　田中才工，山田篤志，野田武宏，寺内暉，高橋功

4: Si基板上でのGeナノドット成長中における表面構造のreal-time HRTEM観察
名大院工^A，名大エコトピア研^B，CREST-JST^C　川野晋司^A，趙星彪^B，C，田中信夫^A，B，C

5: 低温Cu(100)表面における酸素分子の吸着過程
東大物性研　片山哲夫，関場大一郎，向井孝三，山下良之，小森文夫，吉信淳

6: キャリア注入によるInP(110)-(1×1)表面におけるボンド切断
阪大産研　金崎順一，鶴田淳二，谷村克己

休憩　（15:00～15:15)

7: 大電流STM観測下でのGe(001)表面ダイマー系実効温度
九大理　河合伸，成清修

8: Si(100)2×1-H表面における電子励起誘起結合切断機構の研究
阪大産研　市橋数理，金崎順一，谷村克己

9: Si表面における超高速キャリアダイナミクス-励起波長依存性-
阪大産研　市林拓，田中慎一郎，谷村克己

10: Si(001)初期酸化過程における表面差分反射スペクトル構造の検討
横国大工　滝澤純一，藻川芳晴，小泉順也，大野真也，首藤健一，田中正俊

11: Si(001)初期酸化過程における反射率差分光スペクトル構造の検討
横国大工，防衛大^A　大野真也，小林宏昭，三戸部史岳，藻川芳晴，首藤健一，鈴木隆則^A，田中正俊

26日　YH会場　26pYH　13:30～16:45

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ

1: その場電子顕微鏡法によるPdナノコンタクトの構造とコンダクタンスの解析
筑波大数理，科技機構^A，筑波大数理^B　松田知子，木塚徳志^A，B

2: 溶液内におけるPt族ナノ接合のコンダクタンス量子化挙動への水素吸着効果
北大院理　小西達也，木口学，村越敬

3: 溶液内水素，酸素発生条件におけるAuナノワイヤーの量子化伝導挙動
北大院理　木口学，小西達也，長谷川浩太，村越敬

4: 金[110]ナノワイヤの断面構造とコンダクタンスの関係
東工大院理工^A，東工大総理工^B，JST-CREST^C，日立機械研^D　久留井慶彦^A，大島義文^B，C，岡本政邦^D，高柳邦夫^A，C

5: ナノメートルスケール金属ワイヤにおける非平衡電流の構造依存性
東大工^A，JSPS^B，CREST-JST^C　品岡寛^A，B，星健夫^A，C，藤原毅夫^A，C

6: ナノワイヤにおける電気特性のPhase-Shiftを用いた解析
兵庫県立大院理　大塚泰弘，島信幸，馬越健次

休憩　（15:00～15:15)

7: シリコンナノチェインの高電圧印加電気伝導
阪大院理　河野日出夫，竹田精治

8: 電気化学電位制御下におけるBreak Junction法を用いた量子化伝導測定法の開発
北大院理　関口信郎，木口学，村越敬

9: 金電極に架橋した単一1，4-ジイソシアノベンゼン分子の電気伝導度測定
北大院理　三浦進一，木口学，原賢二，伊藤肇，澤村正也，村越敬

10: 電極間に置かれたカーボンフラーレンのダイナミックス
東工大総理工^A，東工大院理工^B，JST-CREST^C　大島義文^A，C，久留井慶彦^B，吉田誠^B，高柳邦夫^B，C

11: 3d遷移金属ポルフィリンワイヤの電子物性
阪大院工　宮本敬太，Eben Sy Dy，中西寛，笠井秀明

12: 単一有機分子の電気伝導に関する理論的研究
産総研計算科学，JST-CREST　島崎智実，浅井美博